JP2006310483A - ウエーハの保持方法 - Google Patents

ウエーハの保持方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2006310483A
JP2006310483A JP2005130174A JP2005130174A JP2006310483A JP 2006310483 A JP2006310483 A JP 2006310483A JP 2005130174 A JP2005130174 A JP 2005130174A JP 2005130174 A JP2005130174 A JP 2005130174A JP 2006310483 A JP2006310483 A JP 2006310483A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chuck table
wafer
semiconductor wafer
pin
water
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2005130174A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4476866B2 (ja
Inventor
Kazuma Sekiya
一馬 関家
Takashi Mori
俊 森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP2005130174A priority Critical patent/JP4476866B2/ja
Publication of JP2006310483A publication Critical patent/JP2006310483A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4476866B2 publication Critical patent/JP4476866B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Jigs For Machine Tools (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

【課題】 チャックテーブル上に落下した切削屑等の切削屑を確実に除去してウエーハを保持することができ、ウエーハの変形を招かず加工を正常に行うことができるようにする。
【解決手段】 多数のピン73が突設されたチャックテーブル70の保持面に、ピン73が水面下に埋没する状態になるように水を供給し、次いで、水面に半導体ウエーハ1を接触させ、次いで、半導体ウエーハ1を押し下げてチャックテーブル70に近付け、半導体ウエーハ1とピン73の先端との間に介在する水を排水させて、ピン73に付着する切削屑を除去する。この後、半導体ウエーハ1をピン73の先端に当接させ、バキュームチャックで吸着、保持する。
【選択図】 図4

Description

本発明は、半導体ウエーハ等のウエーハに対して所定の加工を施すにあたって、そのウエーハをチャックテーブル上に動かないように保持するためのウエーハの保持方法に関する。
ICやLSI等の電子回路が表面に形成された半導体チップは、各種電気・電子機器を小型化する上で今や必須のものとなっている。半導体チップは、円盤状の半導体ウエーハの表面に、ストリートと呼ばれる切断ラインで格子状の矩形領域を区画し、これら矩形領域に電子回路を形成した後、半導体ウエーハをストリートに沿って分割するといった工程で製造される。
ところで、近年では、電気・電子機器のさらなる小型化を可能とするために、デバイスの表面に、電極として15〜100μm程度の高さの突起状のバンプを形成し、このバンプを、実装基板に形成された電極に直接接合するようにしたフリップチップと称するデバイスが開発され、実用に供されている。また、インターポーザーと呼ばれている基板に複数のデバイスを併設したり積層したりして小型化を図る技術も開発され、実用化されている。
上記いずれの技術も、デバイスの表面に形成した複数のバンプを介して基板どうしを圧着させて接合するものであり、このため、全てのバンプどうしが突き合わせられて接触するには、その高さが均一でなければならない。そこで、本出願人は、半導体ウエーハの表面から突出するバンプの先端をバイト等の切削工具で削って高さを揃える加工装置を提案した(特許文献1)。
特開2004−319697号公報
上記特許文献1に記載される装置のように、バイトによって半導体ウエーハ表面のバンプを除去すると、短絡を生じさせることなく容易にその高さを揃えることができるといった利点がある。
この装置では、半導体ウエーハを、バキュームチャック式のチャックテーブル上に吸着させて保持し、その上方に配したバイトによってバンプの先端を削り、バンプの高さが均一に揃うようにしている。バイトによってバンプを削る際には切削屑が生じるが、特に数ミクロン程度の微細な切削屑は、チャックテーブルに対して半導体ウエーハを着脱させる際に、浮遊していたものがチャックテーブル上に落下する場合がある。
そこで、チャックテーブル上に半導体ウエーハを載置するたびに、チャックテーブル上を洗浄することが行われている。ところが、微細な切削屑が除去しきれない状態で、次の半導体ウエーハがチャックテーブル上に置かれてしまう場合があり、そのまま吸着させると、切削屑がチャックテーブルと半導体ウエーハとの間に挟まり、半導体ウエーハの表面が僅かに凸状に湾曲するといった現象が起こっていた。
このように半導体ウエーハが凸状に湾曲したままバンプを切削すると、湾曲部分のバンプが、結果的に他の部分よりも低く削られてバンプの高さが不均一になってしまうという不具合が起こる。そこで、複数のピンが突設されて保持面が構成されたいわゆるピンチャック式のチャックテーブルの採用が試みられた(特許文献2,3参照)。
このピンチャック式のチャックテーブルは、複数のピンの先端で半導体ウエーハを支持するもので、半導体ウエーハとの接触面積が比較的小さくなることから、切削屑が挟まりにくいものであった。しかしながら、切削屑が半導体ウエーハと保持面すなわちピンの先端との間に介在することは生じており、したがって、上記の不具合を完全に解消するには至らず、改善されるべき課題となっているのが現状である。
特開2003−68835号公報 特開2003−86664号公報
よって本発明は、チャックテーブル上に落下した切削屑を効果的に除去することができ、切削屑によるウエーハの変形が生じないようにして、加工を正常に行うことができるようにするウエーハの保持方法を提供することを目的としている。
本発明は、複数のバンプが突出するデバイスが表面に形成されたウエーハを保持するチャックテーブルと、このチャックテーブルに保持されたウエーハのバンプを切削する切削手段と、チャックテーブルにウエーハを搬入する搬入手段とを備えたバンプ加工装置におけるチャックテーブルへのウエーハの保持方法であって、チャックテーブルの保持面は、複数のピンが突設されて構成され、該チャックテーブルの保持面にウエーハを搬入する際に、保持面に、ピンが水面下に埋没する状態になるように水を供給するとともに、該水を、ウエーハとピンの先端との間に介在させる工程と、ウエーハとピンの先端との間隔を減少させることにより、両者の間に介在する水を、流速を増大させながら押し出して排水させ、ウエーハをピンの先端に当接させてチャックテーブルに保持する工程とを備えることを特徴としている。
本発明によれば、ウエーハとチャックテーブルのピンの先端との間に水を介在させた後に、ウエーハを上から押し下げるか、あるいはチャックテーブルを上昇させるなどして、ウエーハをチャックテーブルに近付け、ウエーハとピンの先端との間隔を減少させると、両者の間に介在する水は、流速が増大しながら排水され、ウエーハがピンの先端に当接して保持される。
ここで、ピンの先端に、バンプを切削した際に生じた切削屑が付着していた場合、その切削屑は、ウエーハとピンの先端との間から排水される水によって流され、除去される。ウエーハとピンの先端との間に介在する水は、ウエーハとピンの先端との間の間隔が小さくなって排水される際、その間隔が小さくなるほど流速が増大するので、切削屑は流されやすく、効果的に除去される。また、ピンであるが故に、その先端に付着していた切削屑は、360°いずれの方向に流動してもすぐに先端から脱落するので、確実に除去される。したがって、ウエーハがチャックテーブルに保持された際に、ウエーハとピンの先端との間に切削屑が挟まれることによりウエーハが変形し、後の加工に支障を来すといった不具合の発生を防止することができる。
本発明では、チャックテーブルの保持面にウエーハを動かないように安定して保持する手段として、チャックテーブルにおける保持面のピン間に吸引口を形成しておき、ウエーハをピンの先端に当接させた後に、吸引口から、保持面側の水および空気を吸引することにより、ピンの先端にウエーハを吸着する手段を採用することができる。
本発明によれば、ウエーハとチャックテーブルの保持面を構成するピンの先端との間に介在させた水を、ウエーハとピンの先端との間隔を減少させることで、流速を増大させながら排水するので、この排水によって、ピンの先端に付着する切削屑が効果的に除去される。そして、このようにピンの先端が洗浄されるので、ウエーハは変形することなくチャックテーブル上に保持され、加工を正常に行うことができる。
以下、図面を参照して本発明の一実施形態を説明する。
[1]装置の構成
図1は、本発明のウエーハの保持方法が適用されるバンプ加工装置の全体を示しており、図2は、該装置で加工する半導体ウエーハを示している。
図2(a)に示すように、半導体ウエーハ1は、薄い円盤状で、その表面には、複数の半導体チップ2が格子状に形成されている。各半導体チップ2には、図2(b)に示すように、複数のバンプ3が形成されている。バンプ3は半導体チップ2に形成された電子回路の電極に接合されており、半導体ウエーハ1の表面から突出している。これらバンプ3は、例えば周知のスタッドバンプ形成法等によって形成されており、高さは不揃いの場合が多い。バンプ加工装置は、全てのバンプ3の先端を削って高さを均一に揃える加工を、半導体ウエーハ1に対して施すものである。
図1に示すように、バンプ加工装置は、各種機構が搭載された基台10を備えている。この基台10は、横長の状態に設置されて基台10の主体をなす直方体状のテーブル11と、このテーブル11の長手方向一端部(図1の奥側の端部)から、テーブル11の幅方向かつ鉛直方向上方に延びる壁部12とを有している。図1では、基台10の長手方向、幅方向および鉛直方向を、それぞれY方向、X方向およびZ方向で示している。
基台10のテーブル11上は、長手方向のほぼ中間部分から壁部12側が加工エリア11Aとされ、この反対側が、加工エリア11Aに加工前の半導体ウエーハ1を供給し、かつ、加工後の半導体ウエーハ1を回収する供給・回収エリア11Bとされている。
以下、バンプ加工装置が備える各種機構を、加工エリア11Aに設けられるものと供給・回収エリア11Bに設けられものとに分けて説明する。
(a)加工エリアの機構
図1に示すように、加工エリア11Aには矩形状の凹所13が形成されており、この凹所13内には、移動台14を介して、円盤状のチャックテーブル70がY方向に移動自在に設けられている。移動台14は、テーブル11内に配されたY方向に延びるガイドレールに摺動自在に取り付けられ、適宜な駆動機構(いずれも図示略)によって同方向を往復動させられる。
移動台14の移動方向両端部には、蛇腹15,16の一端が、それぞれ取り付けられており、これら蛇腹15,16の他端は、壁部12の内面と、壁部12に対向する凹所13の内壁面に、それぞれ取り付けられている。これら、蛇腹15,16は、移動台14の移動路を覆い、その移動路に切削屑等が落下することを防ぐもので、移動台14の移動に伴って伸縮する。
チャックテーブル70は、移動台14上に、半導体ウエーハ1の保持面である上面が水平な状態に固定されている。半導体ウエーハ1は、バンプ3が形成された表面を上に向けて、このチャックテーブル70上にバキュームチャック方式で保持される。
チャックテーブル70のバキュームチャック構造を説明すると、図3(a)に示すように、チャックテーブル70の上面の外周縁には縁部71が突出して形成され、この縁部71で囲まれた底面72に、縁部71と同じ高さで細い円柱状に形成された多数のピン73が、ほぼ等間隔をおいて突設されている。ピン73は、例えば、直径:0.5mm、高さ:0.5mmとされ、ピン73の間隔は1.5mm程度とされる。また、底面72には、図3(b)に示すように、複数の吸引口74が形成されている。これら吸引口74は、図3(c)に示すように、底面72の中心と、中心から縁部71の間における円周等分複数箇所(この場合4箇所)に形成されている。なお、図3(c)では、多数のピン73の図示を省略している。
図3(b)に示すように、チャックテーブル70の下面の中心からは、ダクト75を有するポスト部76が下方に延びている。そして、チャックテーブル70内には、ダクト75から各吸引口74に通じる吸引分岐路77が、放射状に形成されている。そして、ダクト75には、図示せぬバキューム装置が接続され、このバキューム装置を運転すると、多数のピン73上に載置された半導体ウエーハ1が、それらピン73の先端に当接して保持されるようになっている。
図1に示すように、チャックテーブル70は、壁部12側に移動して所定の加工位置に位置付けられる。その加工位置の上方には、切削ユニット(切削手段)20が配されている。この切削ユニット20は、基台10の壁部12に、移動板32およびガイドレール31を介して昇降自在に取り付けられ、送り機構30によって昇降させられる。
切削ユニット20は、軸方向がZ方向に延びる円筒状のハウジング22と、このハウジング22に同軸的、かつ回転自在に支持された回転軸23と、この回転軸23を回転駆動するサーボモータ24と、回転軸23の下端に同軸的に固定された円盤状のホイールマウント25と、このホイールマウント25に着脱可能に取り付けられたバイト26とから構成されており、上記移動板32に、ブロック34を介してハウジング22が固定されている。ホイールマウント25は、サーボモータ24によって図1の矢印(ホイールマウント25の上面に記載)方向に回転させられる。バイト26は、ダイヤモンド等からなる刃部を有し、この刃部で被加工物を切削する。
(b)供給・回収エリアの機構
図1に示すように、供給・回収エリア11Bには矩形状の凹所18が形成されており、この凹所18の底部には、昇降自在とされた2節リンク式の水平旋回アーム60aの先端にフォーク60bが装着された移送機構60が設置されている。
そして、凹所18の周囲には、上から見た状態で、反時計回りに、カセット61、位置合わせ台62、1節の水平旋回アーム63aの先端に吸着板63bが取り付けられた供給アーム63、供給アーム63と同じ構造で、水平旋回アーム64aおよび吸着板64bを有する回収アーム64、スピンナ式の洗浄装置65、カセット66が、それぞれ配置されている。
カセット61、位置合わせ台62および供給アーム63は、半導体ウエーハ1をチャックテーブル70に供給する手段であり、回収アーム64、洗浄装置65およびカセット66は、加工後の半導体ウエーハ1をチャックテーブル70から回収する手段である。2つのカセット61,66は同一の構造であるが、ここでは用途別に、供給カセット61、回収カセット66と称する。これらカセット61,66は、複数の半導体ウエーハ1を収容して持ち運びするためのもので、テーブル11の所定位置にセットされる。
供給カセット61には、加工前の複数の半導体ウエーハ1が、積層された状態で収容される。移送機構60は、アーム60aの昇降・旋回と、フォーク60bの把持動作によって、供給カセット61内から1枚の半導体ウエーハ1を取り出し、さらにその半導体ウエーハ1を、バンプ3が形成されている表面を上に向けた状態で、位置合わせ台62上に載置する機能を有する。
位置合わせ台62上には、一定の位置に決められた状態で半導体ウエーハ1が載置される。供給アーム63は、位置合わせ台62上の半導体ウエーハ1を吸着板63bに吸着し、アーム63aを旋回させて、チャックテーブル70上に半導体ウエーハ1を配し、水平旋回アーム63aを下降させた後、吸着動作を停止することにより、チャックテーブル70上に半導体ウエーハ1を載置する機能を有する。
回収アーム64は、加工後の半導体ウエーハ1を、チャックテーブル70上から吸着板64bに吸着し、アーム64aを旋回させて、半導体ウエーハ1を洗浄装置65内に移送する機能を有する。洗浄装置65は、半導体ウエーハ1を水洗した後、半導体ウエーハ1を回転させて水分を振り飛ばし除去する機能を有する。そして、洗浄装置65によって洗浄された半導体ウエーハ1は、移送機構60によって回収カセット66内に移送、収容される。
供給アーム63および回収アーム64により、チャックテーブル70に対して半導体ウエーハ1を着脱させる際には、移動台14を供給・回収エリア11B側に移動させて所定の供給・回収位置で停止させる。
供給アーム63と回収アーム64の間には、チャックテーブル70に高圧エアーを噴射してチャックテーブル70を洗浄し、この後、後述するようにチャックテーブル70上に水を供給するノズル67が配されている。
切削ユニット20による半導体ウエーハ1の加工位置は、供給・回収位置よりも壁部12側に所定距離移動した範囲とされ、チャックテーブル70は、移動台14の移動によって、これら加工位置と供給・回収位置との間を行き来させられる。ノズル67によるチャックテーブル70の洗浄、および水の供給は、供給・回収位置において行われる。
[2]装置の動作
続いて、以上の構成からなるバンプ加工装置の使用方法ならびに動作を、以下に説明する。ここで説明する動作において、チャックテーブル70上に半導体ウエーハ1を保持する動作が、本発明の保持方法の具体例となる。
オペレータは、複数の半導体ウエーハ1を収容した供給カセット61と、空の回収カセット66を、供給・回収エリア11Bの所定位置にそれぞれセットして、加工の準備を行う。
続いて、移送機構60によって、供給カセット61内から1枚の半導体ウエーハ1が取り出され、さらにその半導体ウエーハ1は、移送機構60によって裏面を上に向けた状態で位置合わせ台62上に載置される。
また、チャックテーブル70は供給・回収位置に位置付けられる。そして、図4(a)に示すように、チャックテーブル70の上面に向けて、ノズル67から水が噴射され、ピン73が水面下に埋没する状態になるまで水Wが供給される。チャックテーブル70上に供給された水Wは、表面張力によって水面が凸状に湾曲した状態でチャックテーブル70上に溜まる。
次に、位置合わせ台62に載置された半導体ウエーハ1は、供給アーム63により、図4(b)に示すように、チャックテーブル70上に供給された水Wの水面に、表面を上に向けて接触させられる。さらに、この状態から供給アーム63の水平旋回アーム63aを徐々に下降させて、図4(c)に示すように、半導体ウエーハ1をチャックテーブル70に近付けていき、やがては、図4(d)に示すようにチャックテーブル70上に当接させる。
次いで、チャックテーブル70のバキューム装置を運転し、これによって、半導体ウエーハ1はチャックテーブル70上に吸着、保持される。チャックテーブル70上に残っていた水は、吸引口74から吸引される。なお、半導体ウエーハ1がチャックテーブル70のピン73の先端に当接する前にバキューム装置を運転してもよく、その場合には、排水される水の流速がより増大する。
上記のようにチャックテーブル70上に半導体ウエーハ1を保持させる一連の動作において、半導体ウエーハ1がチャックテーブル70に近付くように下降する過程では、半導体ウエーハ1とピン73の先端との間の間隔が減少し、両者の間に介在する水Wは、流速が増大しながら排水される。排水の多くは、半導体ウエーハ1とチャックテーブル70の間から外部に流出するが、一部はチャックテーブル70の吸引口74内に入り込む。
ここで、ピン73の先端に、バンプ2を切削した際に生じた切削屑(図4(c)の拡大図に符号4で示す)が付着していた場合、その切削屑は、半導体ウエーハ1とピン73の先端との間から上記のようにして排水される水Wによって流され、除去される。半導体ウエーハ1とピン73の先端との間に介在する水Wは、両者の間隔が小さくなって排水される際、その間隔が小さくなるほど流速が増大するので、切削屑は流されやすく、したがってピン73の先端から効果的に除去される。ピン73の先端は、例えば微小な円形状であるから、その先端に付着していた切削屑は、360°いずれの方向に流動しても、すぐに先端から脱落していくので、確実に除去される。このようにして切削屑をピン73の先端から除去する場合、超音波振動を水に与えることは、切削屑をピン73から離脱させやすくなるので、好ましい方法である。
このため、半導体ウエーハ1がチャックテーブル70の上面にバキュームチャックによって保持された際に、半導体ウエーハ1とピン73の先端との間に切削屑が挟まれることが防止される。その結果、半導体ウエーハ1が凸状に湾曲するように変形することがなく、後のバンプ切削加工を施した際に、バンプ2の高さが不揃いになるといった不具合が起こらない。
そのバンプ切削加工は、次のようにして行われる。
切削ユニット20の上下方向の位置を、バイト26がバンプ3を所定の高さに切削し得る位置になるよう送り機構30によって調製し、サーボモータ24によってホイールマウント25を回転させる。この状態から、移動台14を切削ユニット20側に移動させて、チャックテーブル70上に保持した半導体ウエーハ1を、所定速度で切削ユニット20の下方である加工位置に送り込んでいく。これにより、バンプ3の先端がバイト26の刃部によって削られていき、半導体ウエーハ1の表面全面に対する切削加工が終わったら、バンプ切削加工を終了する。
続いて、バンプ3の先端が揃えられた加工後の半導体ウエーハ1を回収する動作を説明すると、まず、チャックテーブル70を供給・回収位置まで移動させるとともに、バキューム装置の動作を停止させ、チャックテーブル70上での半導体ウエーハ1の保持状態を解除する。次に、その半導体ウエーハ1は、回収アーム64によって洗浄装置65内に移送されて水洗されてから水分が除去され、次いで、移送機構60によって回収カセット66内に移送、収容される。また、ノズル67から、供給・回収位置で停止しているチャックテーブル70に向けて高圧エアーが噴射され、チャックテーブル70が洗浄される。この後、ノズル67からチャックテーブル70上に水が噴射され、ピン73が水面下に埋没する状態になるまで水Wが供給される。
以上が1枚の半導体ウエーハ1に対してバンプ3の先端を切削加工し、この後、洗浄して回収するサイクルであり、このサイクルが繰り返し行われる。
[3]効果
上記のようにして半導体ウエーハ1をチャックテーブル70に保持する方法によれば、チャックテーブル70の上面に供給した水Wの水面に半導体ウエーハ1を接触させ、この半導体ウエーハ1をチャックテーブル70に近付けることで、半導体ウエーハ1とピン73の先端との間に介在する水Wが、流速が増大しながら排水され、ピン73の先端に付着する切削屑は、その排水に混じって流され、除去される。
本実施形態では、はじめに、ノズル67からの高圧エアーの噴射によってチャックテーブル70上を洗浄するが、この時に、切削屑が完全に除去されておらず、ピン73の先端に切削屑が付着していても、上記保持方法により、ピン73の先端から切削屑を完全に除去することができる。このようにピン73の先端が洗浄されるので、半導体ウエーハ1は変形することなくチャックテーブル70上に保持され、バンプ切削加工を正常に行うことができる。
本発明方法が適用されるバンプ加工装置の全体斜視図である。 (a)は図1に示したバンプ加工装置でバンプが加工される半導体ウエーハの全体斜視図、(b)は半導体ウエーハに形成された半導体チップの平面図である。 図1に示したバンプ加工装置が具備するチャックテーブルの(a)斜視図、(b)一部断面図、(c)平面図である。 半導体ウエーハがチャックテーブル上に保持される過程を(a)〜(d)の順に示す断面図である。
符号の説明
1…半導体ウエーハ
20…切削ユニット(切削手段)
70…チャックテーブル
73…ピン
74…吸引口
W…水

Claims (2)

  1. 複数のバンプが突出するデバイスが表面に形成されたウエーハを保持するチャックテーブルと、
    このチャックテーブルに保持された前記ウエーハの前記バンプを切削する切削手段と、
    前記チャックテーブルに前記ウエーハを搬入する搬入手段とを備えたバンプ加工装置における前記チャックテーブルへの前記ウエーハの保持方法であって、
    前記チャックテーブルの保持面は、複数のピンが突設されて構成され、
    該チャックテーブルの保持面に前記ウエーハを搬入する際に、
    前記保持面に、前記ピンが水面下に埋没する状態になるように水を供給するとともに、該水を、前記ウエーハとピンの先端との間に介在させる工程と、
    前記ウエーハと前記ピンの先端との間隔を減少させることにより、両者の間に介在する前記水を、流速を増大させながら押し出して排水させ、ウエーハをピンの先端に当接させてチャックテーブルに保持する工程と
    を備えることを特徴とするウエーハの保持方法。
  2. 前記チャックテーブルにおける前記保持面の前記ピン間に吸引口を形成しておき、前記ウエーハを前記ピンの先端に当接させた後に、該吸引口から、前記保持面側の水および空気を吸引して前記ピンの先端に前記ウエーハを吸着することを特徴とする請求項1に記載のウエーハの保持方法。
JP2005130174A 2005-04-27 2005-04-27 ウエーハの保持方法 Active JP4476866B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005130174A JP4476866B2 (ja) 2005-04-27 2005-04-27 ウエーハの保持方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005130174A JP4476866B2 (ja) 2005-04-27 2005-04-27 ウエーハの保持方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006310483A true JP2006310483A (ja) 2006-11-09
JP4476866B2 JP4476866B2 (ja) 2010-06-09

Family

ID=37477050

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005130174A Active JP4476866B2 (ja) 2005-04-27 2005-04-27 ウエーハの保持方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4476866B2 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011100843A (ja) * 2009-11-05 2011-05-19 Sekisui Chem Co Ltd 接着剤層付き半導体チップの製造方法
CN102422385A (zh) * 2009-02-22 2012-04-18 迈普尔平版印刷Ip有限公司 箝制基板的方法及箝夹准备单元
US8300617B2 (en) 2007-07-11 2012-10-30 Nec Corporation Subscriber station, time division multiplexing system and transmission timing control method suitable for wireless communication in synchronous PtoMP scheme
JP2018069426A (ja) * 2016-11-04 2018-05-10 カネテック株式会社 マグネットチャック
JP2019072776A (ja) * 2017-10-12 2019-05-16 株式会社ディスコ 板状物の保持方法
KR20210129929A (ko) * 2020-04-21 2021-10-29 에이피시스템 주식회사 척 테이블, 이를 포함하는 레이저 가공장치 및 척 테이블용 지지 플레이트 제조방법

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05183042A (ja) * 1991-12-28 1993-07-23 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの吸着方法
JPH0966429A (ja) * 1995-06-19 1997-03-11 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 真空吸着装置および加工装置
JP2002217141A (ja) * 2001-01-15 2002-08-02 Nikon Corp 研磨方法、研磨装置、半導体デバイス製造方法、及び半導体デバイス
JP2004319698A (ja) * 2003-04-15 2004-11-11 Disco Abrasive Syst Ltd スタッドバンプボンダー
JP2005019439A (ja) * 2003-06-23 2005-01-20 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ受渡し方法、ウェーハ受渡し装置及びそれを用いたウェーハ加工装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05183042A (ja) * 1991-12-28 1993-07-23 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの吸着方法
JPH0966429A (ja) * 1995-06-19 1997-03-11 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 真空吸着装置および加工装置
JP2002217141A (ja) * 2001-01-15 2002-08-02 Nikon Corp 研磨方法、研磨装置、半導体デバイス製造方法、及び半導体デバイス
JP2004319698A (ja) * 2003-04-15 2004-11-11 Disco Abrasive Syst Ltd スタッドバンプボンダー
JP2005019439A (ja) * 2003-06-23 2005-01-20 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ受渡し方法、ウェーハ受渡し装置及びそれを用いたウェーハ加工装置

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8300617B2 (en) 2007-07-11 2012-10-30 Nec Corporation Subscriber station, time division multiplexing system and transmission timing control method suitable for wireless communication in synchronous PtoMP scheme
CN102422385A (zh) * 2009-02-22 2012-04-18 迈普尔平版印刷Ip有限公司 箝制基板的方法及箝夹准备单元
JP2012518899A (ja) * 2009-02-22 2012-08-16 マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. 基板とクランプ準備ユニットをクランプする方法
US9460954B2 (en) 2009-02-22 2016-10-04 Mapper Lithography Ip B.V. Method of clamping a substrate and clamp preparation unit using capillary clamping force
US10078274B2 (en) 2009-02-22 2018-09-18 Mapper Lithography Ip B.V. Method and arrangement for handling and processing substrates
USRE49725E1 (en) 2009-02-22 2023-11-14 Asml Netherlands B.V. Method and arrangement for handling and processing substrates
JP2011100843A (ja) * 2009-11-05 2011-05-19 Sekisui Chem Co Ltd 接着剤層付き半導体チップの製造方法
JP2018069426A (ja) * 2016-11-04 2018-05-10 カネテック株式会社 マグネットチャック
JP2019072776A (ja) * 2017-10-12 2019-05-16 株式会社ディスコ 板状物の保持方法
KR20210129929A (ko) * 2020-04-21 2021-10-29 에이피시스템 주식회사 척 테이블, 이를 포함하는 레이저 가공장치 및 척 테이블용 지지 플레이트 제조방법
KR102346435B1 (ko) * 2020-04-21 2022-01-05 에이피시스템 주식회사 척 테이블, 이를 포함하는 레이저 가공장치 및 척 테이블용 지지 플레이트 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP4476866B2 (ja) 2010-06-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4927484B2 (ja) 積層用デバイスの製造方法
JP4769048B2 (ja) 基板の加工方法
JP4895594B2 (ja) 基板の切削加工方法
JP4476866B2 (ja) ウエーハの保持方法
JP2009004406A (ja) 基板の加工方法
JP5137747B2 (ja) ワーク保持機構
JP7483069B2 (ja) 基板搬送システム
JP2006237333A (ja) 半導体ウエーハの研削方法および研削装置
JP2014018942A (ja) バイト切削装置
JP2007149860A (ja) 基板の分割方法および分割装置
JP4868764B2 (ja) 半導体ウエーハの電極加工装置
JP2006245439A (ja) 半導体ウエーハの電極加工装置
JP2014143322A (ja) 洗浄装置、及び、洗浄方法
JP4648039B2 (ja) 半導体ウエーハの電極加工方法
JP4937700B2 (ja) 乾式研磨装置
JP5192999B2 (ja) イオン化エア供給プログラム
KR20170135686A (ko) 절삭 장치
JP2003168659A (ja) 高圧洗浄ノズルを有するシンギュレーション装置
JP2008098574A (ja) ウエーハの研磨装置
JP4589201B2 (ja) 基板の切削装置
JP4728033B2 (ja) 半導体ウエーハの加工方法
JP2004327613A (ja) 洗浄方法および洗浄装置
JP2008183659A (ja) 研削装置
KR102242829B1 (ko) 웨이퍼의 가공 방법
JP2008270425A (ja) 移送装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080326

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100225

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100302

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100310

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4476866

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130319

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130319

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130319

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140319

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250