JP2011100843A - 接着剤層付き半導体チップの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】フリップチップ実装に用いるための接着剤層付き半導体チップの製造方法であって、ウエハ上のバンプが埋もれるように易剥離樹脂層を形成する工程と、前記バンプの表面と前記易剥離樹脂層の表面とが連続して平坦となるように、バイトを用いた切削加工により前記バンプ及び前記易剥離樹脂層を表面平坦化する工程と、前記ウエハから前記易剥離樹脂層を剥離する工程と、表面平坦化された前記バンプが埋もれるように接着剤層を形成する工程と、前記接着剤層を有する前記ウエハをダイシングする工程とを有する接着剤層付き半導体チップの製造方法。
【選択図】なし
Description
フリップチップ実装に用いるための半導体チップの製造方法においては、複数のバンプを有するウエハが用いられ、例えば、ウエハ上のバンプが埋もれるように予め接着剤層を形成し、バンプ及び接着剤層の表面を平坦化した後、ウエハを接着剤層ごとダイシングして個々の接着剤層付き半導体チップに分割する工程が行われる。ダイシングにより個別化された接着剤層付き半導体チップは、基板又は他の半導体チップにボンディングされるとともにバンプを介して電気的に接続される。
特許文献1には、同文献に記載の方法は、バンプの表面を安価に高速で平坦化し、バンプ同士の接続を、ディッシング等の不都合を発生させることなく容易かつ確実に行うことを可能とすることが記載されている。
以下、本発明を詳述する。
上記バンプは特に限定されず、例えば、金、銅、銀−錫ハンダ、アルミニウム、ニッケル等からなるバンプが挙げられる。
上記アゾ化合物は特に限定されず、例えば、2,2’−アゾビス−(N−ブチル−2−メチルプロピオンアミド)、2,2’−アゾビス{2−メチル−N−[1,1−ビス(ヒドロキシメチル)−2−ヒドロキシエチル]プロピオンアミド}、2,2’−アゾビス{2−メチル−N−[2−(1−ヒドロキシブチル)]プロピオンアミド}、2,2’−アゾビス[2−メチル−N−(2−ヒドロキシエチル)プロピオンアミド]、2,2’−アゾビス[N−(2−プロペニル)−2−メチルプロピオンアミド]、2,2’−アゾビス(N−シクロヘキシル−2−メチルプロピオンアミド)、2,2’−アゾビス[2−(5−メチル−2−イミダゾリン−2−イル)プロパン]ジハイドロクロライド、2,2’−アゾビス[2−(2−イミダゾリン−2−イル)プロパン]ジハイドロクロライド、2,2’−アゾビス[2−(2−イミダゾリン−2−イル)プロパン]ジサルフェイトジハイドロレート、2,2’−アゾビス[2−(3,4,5,6−テトラハイドロピリミジン−2−イル)プロパン]ジハイドロクロライド、2,2’−アゾビス{2−[1−(2−ヒドロキシエチル)−2−イミダゾリン−2−イル]プロパン}ジハイドロクロライド、2,2’−アゾビス[2−(2−イミダゾリン−2−イル)プロパン]、2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオンアミジン)ジハイドロクロライド、2,2’−アゾビス(2−アミノプロパン)ジハイドロクロライド、2,2’−アゾビス[N−(2−カルボキシアシル)−2−メチル−プロピオンアミジン]、2,2’−アゾビス{2−[N−(2−カルボキシエチル)アミジン]プロパン}、2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオンアミドオキシム)、ジメチル2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオネート)、ジメチル2,2’−アゾビスイソブチレート、4,4’−アゾビス(4−シアンカルボニックアシッド)、4,4’−アゾビス(4−シアノペンタノイックアシッド)、2,2’−アゾビス(2,4,4−トリメチルペンタン)等が挙げられる。これらのアゾ化合物は、光、熱等による刺激により窒素ガスを発生する。
なお、本明細書において、(メタ)アクリルとは、アクリル又はメタクリルを意味する。
上記官能基含有モノマーは特に限定されず、例えば、アクリル酸、メタクリル酸等のカルボキシル基含有モノマーや、アクリル酸ヒドロキシエチル、メタクリル酸ヒドロキシエチル等のヒドロキシル基含有モノマーや、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル等のエポキシ基含有モノマーや、アクリル酸イソシアネートエチル、メタクリル酸イソシアネートエチル等のイソシアネート基含有モノマーや、アクリル酸アミノエチル、メタクリル酸アミノエチル等のアミノ基含有モノマー等が挙げられる。
また、上記官能基含有(メタ)アクリル系ポリマーの重量平均分子量は特に限定されず、通常、20万〜200万程度である。
例えば、上記官能基含有(メタ)アクリル系ポリマーの官能基がカルボキシル基の場合には、上記官能基含有不飽和化合物として、例えば、エポキシ基含有モノマー、イソシアネート基含有モノマーが用いられる。また、上記官能基含有(メタ)アクリル系ポリマーの官能基がヒドロキシル基の場合には、上記官能基含有不飽和化合物として、例えば、イソシアネート基含有モノマーが用いられる。また、上記官能基含有(メタ)アクリル系ポリマーの官能基がエポキシ基の場合には、上記官能基含有不飽和化合物として、例えば、カルボキシル基含有モノマー、アクリルアミド等のアミド基含有モノマーが用いられる。更に、上記官能基含有(メタ)アクリル系ポリマーの官能基がアミノ基の場合には、上記官能基含有不飽和化合物として、例えば、エポキシ基含有モノマーが用いられる。
上記250〜800nmの波長の光を照射することにより活性化される光重合開始剤は特に限定されず、例えば、メトキシアセトフェノン等のアセトフェノン誘導体化合物や、ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物や、ベンジルジメチルケタール、アセトフェノンジエチルケタール等のケタール誘導体化合物や、フォスフィンオキシド誘導体化合物や、ビス(η5−シクロペンタジエニル)チタノセン誘導体化合物や、ベンゾフェノン、ミヒラーケトン、クロロチオキサントン、トデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等の光ラジカル重合開始剤等が挙げられる。これらの光重合開始剤は、単独で用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
上記熱重合開始剤として、具体的には、例えば、ジクミルパーオキサイド、ジ−t−ブチルパーオキサイド、t−ブチルパーオキシベンゾエート、t−ブチルハイドロパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、パラメンタンハイドロパーオキサイド、ジ−t−ブチルパーオキサイド等が挙げられる。なかでも、熱分解温度が高いことから、クメンハイドロパーオキサイド、パラメンタンハイドロパーオキサイド、ジ−t−ブチルパーオキサイド等が好ましい。
上記熱重合開始剤のうち、市販されているものとして、例えば、パーブチルD、パーブチルH、パーブチルP、パーメンタH(以上、いずれも日油社製)等が好ましい。これらの熱重合開始剤は、単独で用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
これにより、上記ウエハ上の上記バンプが埋もれるように上記易剥離樹脂層が形成される。
上記バイトを用いて切削加工する方法は特に限定されず、例えば、DFS8910(ディスコ社製)等の、バンプの表面平坦化に通常用いられる切削加工装置を用いる方法等が挙げられる。
なお、上記表面平坦化を行う前は、上記バンプは上記易剥離樹脂層に埋もれているが、上記表面平坦化を行うことで、上記易剥離樹脂層が切削されるとともに上記バンプも切削され、上記バンプの表面と上記易剥離樹脂層の表面とが連続して平坦となる。また、通常、バイトを用いて切削加工する場合、上記バンプのみでは切削加工することができないか又はバイトが著しく磨耗してしまうが、本発明の接着剤層付き半導体チップの製造方法においては、上記バンプが埋もれるように上記易剥離樹脂層が形成されていることから、上記バンプ及び上記易剥離樹脂層を一括して良好に切削加工し、表面平坦化することができる。
上記易剥離樹脂層が上記気体発生剤を含有する場合には、上記易剥離樹脂層に刺激を与えることで上記気体発生剤から気体が発生し、発生した気体の圧力により上記易剥離樹脂層の粘着力が低下して、上記易剥離樹脂層は上記ウエハから容易に剥離される。更に、上記易剥離樹脂層が上記気体発生剤を含有し、かつ、上記後硬化型樹脂組成物からなる場合には、発生した気体の大半が硬い硬化物から放出され、放出された気体は、上記易剥離樹脂層と上記ウエハとの接着面の少なくとも一部を剥がし接着力を低下させる。
これにより、上記ウエハから上記易剥離樹脂層が剥離され、表面平坦化された上記バンプを有するウエハが得られる。
上記エポキシ化合物は特に限定されず、例えば、ビスフェノールA型、ビスフェノールF型、ビスフェノールAD型、ビスフェノールS型等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型等のノボラック型エポキシ樹脂、トリスフェノールメタントリグリシジルエーテル等の芳香族エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、及び、これらの変性物、水添化物等が挙げられる。これらのエポキシ化合物は、単独で用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
上記反応可能な官能基を有する高分子化合物を含有することで、得られる接着剤層の硬化物は靭性をもち、優れた耐衝撃性を発現することができる。
上記エポキシ基を有する高分子化合物を含有することで、得られる接着剤層の硬化物は優れた靭性を発現する。即ち、得られる接着剤層の硬化物は、上記エポキシ化合物に由来する優れた機械的強度、耐熱性及び耐湿性と、上記エポキシ基を有する高分子化合物に由来する優れた靭性とを兼備することにより、高い接合信頼性や接続信頼性を発現することができる。
上記硬化剤は特に限定されず、例えば、アミン系硬化剤、酸無水物硬化剤、フェノール系硬化剤等が挙げられる。なかでも、酸無水物硬化剤が好ましい。
また、上記酸無水物硬化剤として、3官能以上の酸無水物硬化剤粒子を用いてもよい。上記3官能以上の酸無水物硬化剤粒子は特に限定されず、例えば、無水トリメリット酸等の3官能の酸無水物からなる粒子、無水ピロメリット酸、無水ベンゾフェノンテトラカルボン酸、メチルシクロヘキセンテトラカルボン酸無水物、ポリアゼライン酸無水物等の4官能以上の酸無水物からなる粒子等が挙げられる。
上記硬化促進剤は特に限定されず、例えば、イミダゾール系硬化促進剤、3級アミン系硬化促進剤等が挙げられる。なかでも、硬化速度や硬化物の物性等の調整をするための反応系の制御をしやすく、得られる接着剤層の硬化物の線膨張率を低下させて、接合された半導体チップへの応力及びハンダ等の導通部分のクラックの発生を抑制できることから、イミダゾール系硬化促進剤が好ましい。これらの硬化促進剤は、単独で用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
上記無機充填材を含有することにより、得られる接着剤層の硬化物の線膨張率を低下させて、接合された半導体チップへの応力及びハンダ等の導通部分のクラックの発生を抑制することができる。
上記無機充填材は特に限定されず、例えば、ヒュームドシリカ、コロイダルシリカ等のシリカ、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素等が挙げられる。
これにより、表面平坦化された上記バンプが埋もれるように上記接着剤層が形成される。
従って、本発明の接着剤層付き半導体チップの製造方法は、バイトを用いた切削加工により上記バンプを表面平坦化する工程を有する方法でありながら、例えば、上記接着剤層が無機充填材を含有することができる等、接着剤の配合設計の制限を緩和することができる。また、本発明の接着剤層付き半導体チップの製造方法においても、通常の方法と同様に、バイトを用いた切削加工は水を供給しながら行われるが、本発明の接着剤層付き半導体チップの製造方法においては上記接着剤層を切削加工する必要がないことから、上記接着剤層の吸水を抑制することができ、後のボンディング工程におけるボイドの発生を抑制して、半導体装置の高信頼性を実現することができる。
また、上記接着剤層を有する上記ウエハをダイシングする際には、ダイシングテープを用いることが好ましい。上記ダイシングテープは、上記ウエハを固定又は保護することを目的として、上記ウエハの裏面側に貼付されて用いられる。
(易剥離樹脂層の形成)
ブチルアクリレート79重量部、エチルアクリレート15重量部、アクリル酸1重量部、2−ヒドロキシエチルアクリレート5重量部、光重合開始剤(イルガキュア651、50%酢酸エチル溶液)0.2重量部、ラウリルメルカプタン0.02重量部を酢酸エチル200重量部に溶解させ、紫外線を照射して重合を行い、重量平均分子量70万のアクリル共重合体を得た。
切削加工装置(DFS8910、ディスコ社製)を用いて、バンプの表面と易剥離樹脂層の表面とが連続して平坦となるように、バンプ及び易剥離樹脂層を表面平坦化した。このとき、バンプ及び易剥離樹脂層のウエハからの厚みが70μmとなるように切削を行った。
超高圧水銀灯を用いて、易剥離樹脂層側から、易剥離樹脂層への照射強度が40mW/cm2となるよう照度を調節した365nmの紫外線を2分間照射し、気体を発生させて、易剥離樹脂層とウエハとの接着面積を低下させた。そして、易剥離樹脂層に引き剥がし用テープを貼り付け、該引き剥がし用テープを引っ張ることにより易剥離樹脂層をウエハから剥離した。
1004AF(エポキシ化合物、ジャパンエポキシレジン社製)30重量部、YX−4000H(エポキシ化合物、ジャパンエポキシレジン社製)30重量部、G−2050M(固形ポリマー、日油社製)40重量部、YH−306(硬化剤、ジャパンエポキシレジン社製)30重量部、2MAOK(硬化促進剤、四国化成社製)8重量部、及び、SE−4050(シリカフィラー、アドマテックス社製)150重量部を、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PEGMEA)300重量部に加え、混合して、無機充填材を含有する接着剤組成物を調製した。
接着剤組成物を、ウエハ上に、乾燥被膜の厚さが約80μmとなり、かつ、表面平坦化されたバンプが埋もれるようにスピンコートにより塗工し、110℃5分間加熱して溶剤を揮発させて接着剤層を得た。
接着剤層が形成されたウエハの裏面側にダイシングテープを貼付して補強した後、ウエハをダイシング装置(DFD6361、ディスコ社製)に取りつけ、ウエハ側からブレードを切り入れ、ウエハを半導体チップの大きさに切断した。次いで、ダイシングテープを剥がして、表面平坦化されたバンプが埋もれるように接着剤層が形成された半導体チップを得た。
(接着剤層の形成)
1004AF(エポキシ化合物、ジャパンエポキシレジン社製)30重量部、YX−4000H(エポキシ化合物、ジャパンエポキシレジン社製)30重量部、G−2050M(固形ポリマー、日油社製)40重量部、YH−306(硬化剤、ジャパンエポキシレジン社製)30重量部、及び、2MAOK(硬化促進剤、四国化成社製)8重量部を、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PEGMEA)300重量部に加え、混合して、無機充填材を含有しない接着剤組成物を調製した。
接着剤組成物を、バンプ(高さ75μm、直径100μm、ピッチ150μm)を有するTEGウエハ(直径20cm、厚さ約750μm)上に、乾燥被膜の厚さが約80μmとなるようにスピンコートにより塗工し、110℃5分間加熱して溶剤を揮発させて接着剤層を得た。
切削加工装置(DFS8910、ディスコ社製)を用いて、バンプの表面と接着剤層の表面とが連続して平坦となるように、バンプ及び接着剤層を表面平坦化した。このとき、バンプ及び接着剤層のウエハからの厚みが70μmとなるように切削を行った。
接着剤層が形成されたウエハの裏面側にダイシングテープを貼付して補強した後、ウエハをダイシング装置(DFD6361、ディスコ社製)に取りつけ、ウエハ側からブレードを切り入れ、ウエハを半導体チップの大きさに切断した。次いで、ダイシングテープを剥がして、表面平坦化されたバンプが埋もれるように接着剤層が形成された半導体チップを得た。
実施例、比較例で得られた接着剤層付き半導体チップについて、以下の評価を行った。結果を表1に示す。
得られた接着剤層付き半導体チップと、基板(JKIT Type III、日立超LSIシステムズ社製)とを用いてフリップチップ実装(250℃、10秒、5N)を行った。190℃30分にて完全硬化を行った後、60℃、60%RH、40時間吸湿させ、ピーク温度260℃のリフローオーブンに3回通し、チップ−接着剤−基板の剥がれ評価及び導通試験を行った。なお、8つのサンプルについて上記剥がれ評価及び導通試験を行い、剥がれ及び導通不良が見られるか否かを評価した。
上記剥がれ評価については、超音波探査映像装置(Fine SAT II、日立建機社製)にてサンプルを観測したとき、ボイドの像が見られたものを不良とした。上記導通試験については、テスターにて測定したとき、導通抵抗値が10%以上変化したものを不良とした。
上記リフロー試験を行ったサンプルを、−55〜125℃(30分/1サイクル)、1000サイクルの冷熱サイクル試験を行い、チップ−接着剤−基板の剥がれ評価及び導通試験を行った。なお、8つのサンプルについて上記剥がれ評価及び導通試験を行い、剥がれ及び導通不良が見られるか否かを評価した。
上記剥がれ評価については、超音波探査映像装置(Fine SAT II、日立建機社製)にてサンプルを観測したとき、ボイドの像が見られたものを不良とした。上記導通試験については、テスターにて測定したとき、導通抵抗値が10%以上変化したものを不良とした。
Claims (2)
- フリップチップ実装に用いるための接着剤層付き半導体チップの製造方法であって、
ウエハ上のバンプが埋もれるように易剥離樹脂層を形成する工程と、
前記バンプの表面と前記易剥離樹脂層の表面とが連続して平坦となるように、バイトを用いた切削加工により前記バンプ及び前記易剥離樹脂層を表面平坦化する工程と、
前記ウエハから前記易剥離樹脂層を剥離する工程と、
表面平坦化された前記バンプが埋もれるように接着剤層を形成する工程と、
前記接着剤層を有する前記ウエハをダイシングする工程とを有する
ことを特徴とする接着剤層付き半導体チップの製造方法。 - 易剥離樹脂層は、刺激により気体を発生する気体発生剤を含有することを特徴とする請求項1記載の接着剤層付き半導体チップの製造方法。
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