JP2006303496A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 パターニングすべき膜43,44が形成された基板の上にアモルファスカーボン膜46を形成する。アモルファスカーボン膜46の表面上に所定の領域にパターニングされたレジストパターン47を形成する。レジストパターン47をマスクとして、アモルファスカーボン膜と、パターニングすべき膜の少なくとも下層部分43を残して一部上層部分をエッチングする。その後、レジストパターン47を除去する。さらに、アモルファスカーボン膜46をマスクとして、パターニングすべき膜の少なくとも下層部分43を選択的にエッチングする。
【選択図】 図8
Description
パターニングすべき膜が形成された基板の上にアモルファスカーボン膜を形成する工程と、
前記アモルファスカーボン膜の表面上に所定の領域にパターニングされたレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして、前記アモルファスカーボン膜と、前記パターニングすべき膜の少なくとも下層部分を残して一部上層部分をエッチングする第1エッチング工程と、
前記レジストパターンを除去する工程と、
前記アモルファスカーボン膜をマスクとして、前記パターニングすべき膜の少なくとも下層部分を選択的にエッチングする第2エッチング工程と
を含む半導体装置の製造方法が提供される。
a−C:H膜上に化学増幅型ネガレジストを形成し、コンク硫酸と1.3重量%の過酸化水素水溶液の混合液を使用して化学増幅型ネガレジストを除去した。このエッチャントによるa−C:H膜のエッチング速度は、1.5Å/min程度で実質的に無視できる値であった。一方、化学増幅型ネガレジストは1〜3分程度で全て剥離することができた。
2 透明膜
3 a−C:H膜
4 レジスト膜
10 透明膜
11a、11b レジストパターンの上面
12a、12b レジストパターンの斜面
20、40 シリコン基板
21、41 フィールド酸化膜
22、42 ゲート絶縁膜
23、24、43、44 導電性膜
25、27、45 絶縁膜
26 レジスト膜
28、47 レジストパターン
29 溝
30、49 ソース領域
31、50 ドレイン領域
32、48 層間絶縁膜
33、51 ソース電極
34、52 ドレイン電極
46 a−C:H膜
Claims (3)
- パターニングすべき膜が形成された基板の上にアモルファスカーボン膜を形成する工程と、
前記アモルファスカーボン膜の表面上に所定の領域にパターニングされたレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして、前記アモルファスカーボン膜と、前記パターニングすべき膜の少なくとも下層部分を残して一部上層部分をエッチングする第1エッチング工程と、
前記レジストパターンを除去する工程と、
前記アモルファスカーボン膜をマスクとして、前記パターニングすべき膜の少なくとも下層部分を選択的にエッチングする第2エッチング工程と
を含む半導体装置の製造方法。 - 前記第2エッチング工程は、前記第1エッチング工程と異なるエッチング条件で、前記下層部分をエッチングする工程を含む請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記エッチングすべき膜は、下層と、該下層とエッチング特性の異なる上層を含んで構成されており、
前記第1エッチング工程は、前記上層をエッチングし、前記下層をほとんどエッチングしないエッチング条件で行い、
前記第2エッチング工程は、前記下層をエッチングするエッチング条件で行う請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
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