JP2006303243A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006303243A JP2006303243A JP2005123965A JP2005123965A JP2006303243A JP 2006303243 A JP2006303243 A JP 2006303243A JP 2005123965 A JP2005123965 A JP 2005123965A JP 2005123965 A JP2005123965 A JP 2005123965A JP 2006303243 A JP2006303243 A JP 2006303243A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist layer
- wiring
- layer
- via hole
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【課題】デュアルダマシン法において、フォトリソグラフィー工程、エッチング工程を簡略化することができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、デュアルダマシン法により配線を形成する半導体装置の製造方法において、層間絶縁膜上にポジ型のレジスト層を形成し、ビアホール用開口部とこれより露光用の光の透過率が小さい配線溝用開口部を有するフォトマスクを用いて前記レジスト層をパターニングし、パターニング後のレジスト層を用いて前記層間絶縁膜にビアホールと配線溝を形成し、前記配線溝及びビアホール内に配線材料を埋め込む工程を備えることを特徴とする。
【選択図】図1
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、デュアルダマシン法により配線を形成する半導体装置の製造方法において、層間絶縁膜上にポジ型のレジスト層を形成し、ビアホール用開口部とこれより露光用の光の透過率が小さい配線溝用開口部を有するフォトマスクを用いて前記レジスト層をパターニングし、パターニング後のレジスト層を用いて前記層間絶縁膜にビアホールと配線溝を形成し、前記配線溝及びビアホール内に配線材料を埋め込む工程を備えることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
本発明は、デュアルダマシン法を採用した半導体装置の製造方法に関する。
近年、半導体集積回路の高集積化が進むに連れ、配線パターンについても、密度が高くなり、また、配線長が増大している。従来、配線材料にはAlを使用していたが、配線パターンの微細化に伴い、配線遅延の問題が浮上してきた。その問題を解決するため、近時、配線材料には、主にCuが用いられている。しかし、Alとは異なり、Cuそのものに配線パターンを転写することは困難である。このため、Cu配線を形成するに当たっては、層間絶縁膜に配線溝のパターンを転写し、そこへCuを埋め込んで配線パターンを形成するダマシン法が有効である。
ここで、図7及び8を用いて、従来のデュアルダマシン法(配線溝とビアホールに同時に配線材料を埋め込むダマシン法)について説明する(例えば特許文献1を参照)。
まず、下層配線層51上に、第1エッチングストッパ膜53、第1層間絶縁膜55、第2エッチングストッパ膜57、第2層間絶縁膜59及び第1レジスト層61を形成し、フォトリソグラフィーにより第1レジスト層61にビアホール用孔61aを形成し、図7(a)に示す構造を得る。
次に、第1レジスト層61をマスクとして用いた異方性エッチングにより、ビアホール63を形成し、図7(b)に示す構造を得る。
まず、下層配線層51上に、第1エッチングストッパ膜53、第1層間絶縁膜55、第2エッチングストッパ膜57、第2層間絶縁膜59及び第1レジスト層61を形成し、フォトリソグラフィーにより第1レジスト層61にビアホール用孔61aを形成し、図7(a)に示す構造を得る。
次に、第1レジスト層61をマスクとして用いた異方性エッチングにより、ビアホール63を形成し、図7(b)に示す構造を得る。
次に、第1レジスト層61を除去した後、第2レジスト層65を形成し、フォトリソグラフィーにより第2レジスト層65に配線溝用孔65aを形成し、図7(c)に示す構造を得る。
次に、第2レジスト層65をマスクとして用いた異方性エッチングにより、配線溝67を形成し、図8(d)に示す構造を得る。
次に、ビアホール63及び配線溝67内にCu69を埋め込み、CMPを施すことにより、図8(e)に示す構造を得る。その後、必要に応じて、更に層間絶縁膜及び配線等の形成を行い、半導体装置を完成させる。
特開2000−150644号公報
次に、第2レジスト層65をマスクとして用いた異方性エッチングにより、配線溝67を形成し、図8(d)に示す構造を得る。
次に、ビアホール63及び配線溝67内にCu69を埋め込み、CMPを施すことにより、図8(e)に示す構造を得る。その後、必要に応じて、更に層間絶縁膜及び配線等の形成を行い、半導体装置を完成させる。
上記従来の方法では、ビアホールに対してフォトリソグラフィー1工程、エッチング1工程で加工し、配線に対しても別途フォトリソグラフィー1工程、エッチング1工程で加工を行っているため、加工を行うのに時間がかかってしまう。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、デュアルダマシン法において、フォトリソグラフィー工程、エッチング工程を簡略化することができる半導体装置の製造方法を提供するものである。
本発明の半導体装置の製造方法は、デュアルダマシン法により配線を形成する半導体装置の製造方法において、層間絶縁膜上にポジ型のレジスト層を形成し、ビアホール用透光部とこれより露光用の光の透過率が小さい配線溝用透光部を有するフォトマスクを用いて前記レジスト層をパターニングし、パターニング後のレジスト層を用いて前記層間絶縁膜にビアホールと配線溝を形成し、前記配線溝及びビアホール内に配線材料を埋め込む工程を備えることを特徴とする。
上記フォトマスクを用いたパターニングによれば、一度の露光・現像により、配線溝用孔及びビアホール用孔をレジスト層に形成することができる。フォトマスクの配線溝用透光部は、露光用の光の透過率がビアホール用透光部よりも小さいので、レジスト層に形成される配線溝用孔は、ビアホール用孔よりも浅く形成される。従って、パターニング後のレジスト層を用いて層間絶縁膜のエッチングを行うと、このレジスト層は、最初、ビアホール用のマスクとして機能し、層間絶縁膜にビアホールが形成される。エッチングを進むにつれて、レジスト層が薄くなり、配線溝用孔の下部のレジスト層が無くなり、その部分の層間絶縁膜が露出される。この時点から、配線溝が形成され始め、所定時間経過後にエッチングを終了することによって、所定深さの配線溝が形成される。従って、一度のエッチング工程で、配線溝及びビアホールを形成することができる。この配線溝及びビアホールに配線材料を埋め込むことによって、配線が形成される。
上記レジスト層は、下層レジスト層と上層レジスト層を備え、下層レジスト層は、露光用の光に対する感度が上層レジスト層よりも低いことが好ましい。この場合、配線溝用透光部を通過する光の強度が下層レジスト層が感光される閾値よりも小さく、上層レジスト層が感光される閾値よりも大きくなるように露光することにより、パターニング後により配線溝用孔の下部に下層レジスト層のみを残すことが可能になり、配線溝用孔の下部に存在するレジスト層の厚さを容易に調節することができる。
また、フォトマスクは、透明基板と、透明基板上に順次形成されたビアホール用開口部を有する半透明層、及び配線溝用開口部を有する遮光層を備えることが好ましい。この場合、ビアホール用及び配線溝用開口部が、それぞれ、上記ビアホール用及び配線溝用透光部となる。このような構成にすることによって、ビアホール用透光部より光透過率が小さい配線溝用透光部を容易に形成することができる。なお、「半透明層」とは、露光用の光の透過率が概ね5〜95%である層をいい、その透過率は、ビアホールの深さやレジスト材料の種類などに応じて適宜決定される。「遮光層」は、半透明層よりも、光透過率が低い層をいい、本発明の方法による配線溝及びビアホールの形成が阻害されない限り、光の一部を透過させてもよい。
また、フォトマスクは、半透明層を通過した光の位相が、透明基板のみを通過した光の位相から150〜210度ずれるように形成されることが好ましい。この場合、上記位相の異なる光が互いに打ち消しあい、実質的な解像度を向上させることができるからである。この位相のずれは、半透明層の材料や膜厚を変化させたり、透明基板を掘り下げたりすることによって設けることができる。
レジスト層のパターニングは、ビアホール用孔がレジスト層を貫通するように行うことが好ましい。この場合、エッチング工程の開始直後に、ビアホールが形成され始めるので、エッチング工程にかかる時間を短くすることができる。
1.第1実施形態
図1〜4を用いて、本発明の第1実施形態の半導体装置の製造方法について説明する。図1(a)〜(c)及び図2(d)〜(f)は、本実施形態の半導体装置の製造工程を示す断面図であり、図3(a)、(b)は、本実施形態の露光工程で使用されるフォトマスクの構造を示す断面図であり、図4(a),(b)は、露光用の光が弱いときのレジスト層7の形状を説明するための断面図である。
図1〜4を用いて、本発明の第1実施形態の半導体装置の製造方法について説明する。図1(a)〜(c)及び図2(d)〜(f)は、本実施形態の半導体装置の製造工程を示す断面図であり、図3(a)、(b)は、本実施形態の露光工程で使用されるフォトマスクの構造を示す断面図であり、図4(a),(b)は、露光用の光が弱いときのレジスト層7の形状を説明するための断面図である。
1−1.レジスト層形成工程
まず、下層配線層1上にSiC膜などからなるエッチングストッパ膜3、有機低誘電率膜などからなる層間絶縁膜5及びポジ型のレジスト層7を順次形成し、図1(a)に示す構造を得る。エッチングストッパ膜3、層間絶縁膜5及びレジスト層7は、それぞれ、例えば25nm,400nm、500nmの膜厚で形成する。エッチングストッパ膜3及び層間絶縁膜5は、それぞれCVD法などで形成することができ、レジスト層7は、スピンコート法などで形成することができる。
まず、下層配線層1上にSiC膜などからなるエッチングストッパ膜3、有機低誘電率膜などからなる層間絶縁膜5及びポジ型のレジスト層7を順次形成し、図1(a)に示す構造を得る。エッチングストッパ膜3、層間絶縁膜5及びレジスト層7は、それぞれ、例えば25nm,400nm、500nmの膜厚で形成する。エッチングストッパ膜3及び層間絶縁膜5は、それぞれCVD法などで形成することができ、レジスト層7は、スピンコート法などで形成することができる。
1−2.レジスト層のパターニング工程
次に、図3(a)又は(b)に示すフォトマスク8を用いてレジスト層7のパターニングを行って、配線溝用孔17a及びビアホール用孔17bをレジスト層7に形成し、図1(b)に示す構造を得る。以下、詳述する。
次に、図3(a)又は(b)に示すフォトマスク8を用いてレジスト層7のパターニングを行って、配線溝用孔17a及びビアホール用孔17bをレジスト層7に形成し、図1(b)に示す構造を得る。以下、詳述する。
(1)フォトマスクについて
フォトマスク8は、透明基板9と、透明基板9上に順次形成されたビアホール用開口部8aを有する半透明層11、及び配線溝用開口部8bを有する遮光層13を備える。
フォトマスク8は、透明基板9と、透明基板9上に順次形成されたビアホール用開口部8aを有する半透明層11、及び配線溝用開口部8bを有する遮光層13を備える。
以下、このフォトマスク8の作製方法の一例について説明する。
まず、厚さ6mmのガラスからなる透明基板9上に膜厚100nmのMoSiONからなる半透明層11及び膜厚100nmのCrからなる遮光層13を形成する。半透明層11及び遮光層13は、スパッタリング法で形成することができる。
まず、厚さ6mmのガラスからなる透明基板9上に膜厚100nmのMoSiONからなる半透明層11及び膜厚100nmのCrからなる遮光層13を形成する。半透明層11及び遮光層13は、スパッタリング法で形成することができる。
次に、遮光層13上にポジ型電子線レジストを塗布し、配線溝用開口部8aに対応したパターンを描画後、現像し、得られたレジストマスクを用いて遮光層13をエッチングすることにより、配線溝用開口部8aを形成する。この後、レジストマスクをアッシング等により除去する。
次に、得られた基板上にポジ型電子線レジストを塗布し、ビアホール用開口部8bに対応したパターンを描画後、現像し、得られたレジストマスクを用いて半透明層11をエッチングすることにより、ビアホール用開口部8bを形成し、この後、レジストマスクをアッシング等により除去し、図3に示すフォトマスクを得る。
半透明層は、露光用の光の透過率が例えば、50%程度になるように形成する。半透明層の光透過率は、膜形成条件及び膜厚を制御することによって調節することができる。
また、フォトマスクは、半透明層を通過した光の位相が、透明基板のみを通過した光の位相から180度ずれるように形成する。位相のずれは、半透明層の膜厚を制御することによって調節することができる。具体的には、半透明層の膜厚を t とすると、 t=λ/{2(n−1)} の関係を満足するように調整する。ここで、 λ は露光光の波長、 n は半透明層の露光波長での屈折率である。また、位相のずれは、図3(b)に示すように、ビアホール用開口部8bを形成する際に、透明基板9を掘り込むことによって設けてもよい。
(2)レジスト層のパターニング
次に、フォトマスク8を用いてレジスト層7を露光し、露光後のレジスト層7を現像することによって,レジスト層7をパターニングする。露光用の光の強度は、半透明層の光透過率や形成するビアホールの深さなどに応じて適宜設定する。露光用の光の強度が大きいほど、現像後の配線溝用孔17aの下部のレジスト層が薄くなり、形成されるビアホールが浅くなる。また、露光用の光が強すぎると、配線溝用孔17aの下部にレジスト層が残らないので、露光用の光は適度な強さにする。
次に、フォトマスク8を用いてレジスト層7を露光し、露光後のレジスト層7を現像することによって,レジスト層7をパターニングする。露光用の光の強度は、半透明層の光透過率や形成するビアホールの深さなどに応じて適宜設定する。露光用の光の強度が大きいほど、現像後の配線溝用孔17aの下部のレジスト層が薄くなり、形成されるビアホールが浅くなる。また、露光用の光が強すぎると、配線溝用孔17aの下部にレジスト層が残らないので、露光用の光は適度な強さにする。
露光用の光が弱すぎると、ビアホール用孔17bの下部にレジスト層が残り、図1(b)のような構造にならず、図4(a)のような構造になる。しかし、この場合でも、レジスト層7のエッチバックを行うこと等により、図4(b)のような構造が得られ、続けて、図1(c)以降の工程を行うことができる。この場合、エッチバックの時間が必要になるため生産効率が落ちる。従って、ビアホール用孔17bがレジスト層7を貫通するようにレジスト層7の露光・現像を行うことが好ましい。
1−3.ビアホール及び配線溝形成工程
次に、パターニング後のレジスト層7を用いて、異方性エッチングを行う。このとき、層間絶縁膜5およびレジスト層7がエッチングされることにより、ビアホール19bが形成されると共にレジスト層7の厚さが減少し、図1(c)に示す構造を得る。
さらにエッチングを続けると、配線溝用孔17aの下部にレジスト層が無くなり、図2(d)に示す構造を得る。
さらにエッチングを続けると、配線溝19aが形成され始める。さらにエッチングを続けると、ビアホール19bの下部のエッチングストッパ膜3が露出する。さらにエッチングを続け、配線溝19aの深さが所定値に達したところで層間絶縁膜5のエッチングを終了する。この後、ビアホール19bの下部のエッチングストッパ膜3を取り除き、図2(e)に示す構造を得る。
次に、パターニング後のレジスト層7を用いて、異方性エッチングを行う。このとき、層間絶縁膜5およびレジスト層7がエッチングされることにより、ビアホール19bが形成されると共にレジスト層7の厚さが減少し、図1(c)に示す構造を得る。
さらにエッチングを続けると、配線溝用孔17aの下部にレジスト層が無くなり、図2(d)に示す構造を得る。
さらにエッチングを続けると、配線溝19aが形成され始める。さらにエッチングを続けると、ビアホール19bの下部のエッチングストッパ膜3が露出する。さらにエッチングを続け、配線溝19aの深さが所定値に達したところで層間絶縁膜5のエッチングを終了する。この後、ビアホール19bの下部のエッチングストッパ膜3を取り除き、図2(e)に示す構造を得る。
1−4.配線材料充填工程
次に、配線溝19a及びビアホール19b内に配線材料としてCu21を埋め込み、CMPを施すことにより、図2(f)に示す構造を得る。その後、必要に応じて、更に層間絶縁膜及び配線等の形成を行い、半導体装置を完成させる。
次に、配線溝19a及びビアホール19b内に配線材料としてCu21を埋め込み、CMPを施すことにより、図2(f)に示す構造を得る。その後、必要に応じて、更に層間絶縁膜及び配線等の形成を行い、半導体装置を完成させる。
2.第2実施形態
図5及び6を用いて、本発明の第2実施形態の半導体装置の製造方法について説明する。
図5(a)〜(c)及び図6(d)〜(f)は、本実施形態の半導体装置の製造工程を示す断面図である。
第2実施形態は、第1実施形態に類似しているが、レジスト層7が、下層レジスト層7aと上層レジスト層7bを備え、下層レジスト層7aが、露光用の光に対する感度が上層レジスト層7bよりも低い点が異なっている。
図5及び6を用いて、本発明の第2実施形態の半導体装置の製造方法について説明する。
図5(a)〜(c)及び図6(d)〜(f)は、本実施形態の半導体装置の製造工程を示す断面図である。
第2実施形態は、第1実施形態に類似しているが、レジスト層7が、下層レジスト層7aと上層レジスト層7bを備え、下層レジスト層7aが、露光用の光に対する感度が上層レジスト層7bよりも低い点が異なっている。
1−1.レジスト層形成工程
まず、第1実施形態と同様に下層配線層1上にエッチングストッパ膜3、層間絶縁膜5を順次形成し、さらに、その上に、下層レジスト層7a及び上層レジスト層7bからなるレジスト層7を形成し、図5(a)に示す構造を得る。レジスト層7は、まず、層間絶縁膜5上に下層レジスト層7aをスピンコートし、プリベーク後、上層レジスト層7bをスピンコートすることによって形成することができる。
まず、第1実施形態と同様に下層配線層1上にエッチングストッパ膜3、層間絶縁膜5を順次形成し、さらに、その上に、下層レジスト層7a及び上層レジスト層7bからなるレジスト層7を形成し、図5(a)に示す構造を得る。レジスト層7は、まず、層間絶縁膜5上に下層レジスト層7aをスピンコートし、プリベーク後、上層レジスト層7bをスピンコートすることによって形成することができる。
1−2.レジスト層のパターニング工程
レジスト層7のパターニングは、第1実施形態と同様の方法で行うことができる。但し、第2実施形態では、下層レジスト層7aの感度が上層レジスト層7bよりも低いので、配線溝用開口部8aを通過する光の強度が下層レジスト層7aが感光される閾値よりも小さく、上層レジスト層7bが感光される閾値よりも大きくなるように露光することにより、パターニング後により配線溝用孔17aの下部に下層レジスト層7aのみを残すことが可能になり、配線溝用孔17aの下部に存在するレジスト層の厚さを容易に調節することができる。
レジスト層7のパターニングは、第1実施形態と同様の方法で行うことができる。但し、第2実施形態では、下層レジスト層7aの感度が上層レジスト層7bよりも低いので、配線溝用開口部8aを通過する光の強度が下層レジスト層7aが感光される閾値よりも小さく、上層レジスト層7bが感光される閾値よりも大きくなるように露光することにより、パターニング後により配線溝用孔17aの下部に下層レジスト層7aのみを残すことが可能になり、配線溝用孔17aの下部に存在するレジスト層の厚さを容易に調節することができる。
1−3.ビアホール及び配線溝形成工程
次に、図5(c)及び図6(d),(e)に示すように、第1実施形態と同様の方法により、ビアホール19b及び配線溝19aを形成する。
次に、図5(c)及び図6(d),(e)に示すように、第1実施形態と同様の方法により、ビアホール19b及び配線溝19aを形成する。
1−4.配線材料充填工程
次に、第1実施形態と同様に、配線溝19a及びビアホール19b内に配線材料としてCu21を埋め込み、CMPを施すことにより、図6(f)に示す構造を得る。その後、必要に応じて、更に層間絶縁膜及び配線等の形成を行い、半導体装置を完成させる。
次に、第1実施形態と同様に、配線溝19a及びビアホール19b内に配線材料としてCu21を埋め込み、CMPを施すことにより、図6(f)に示す構造を得る。その後、必要に応じて、更に層間絶縁膜及び配線等の形成を行い、半導体装置を完成させる。
1:下層配線層 3:エッチングストッパ膜 5:層間絶縁膜 7:レジスト層 7a:下層レジスト層 7b:上層レジスト層 8:フォトマスク 8a:配線溝用開口部 8b:ビアホール用開口部 9:透明基板 11:半透明層 13:遮光層 17a:配線溝用孔 17b:ビアホール用孔 19a:配線溝 19b:ビアホール 21:Cu 51:下層配線層 53:第1エッチングストッパ膜 55:第1層間絶縁膜 57:第2エッチングストッパ膜 59:第2層間絶縁膜 61:第1レジスト層 61a:ビアホール用孔 63:ビアホール 65:第2レジスト層 65a:配線溝用孔 67:配線溝 69:Cu
Claims (5)
- デュアルダマシン法により配線を形成する半導体装置の製造方法において、
層間絶縁膜上にポジ型のレジスト層を形成し、
ビアホール用透光部とこれより露光用の光の透過率が小さい配線溝用透光部を有するフォトマスクを用いて前記レジスト層をパターニングし、
パターニング後のレジスト層を用いて前記層間絶縁膜にビアホールと配線溝を形成し、
前記配線溝及びビアホール内に配線材料を埋め込む工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記レジスト層は、下層レジスト層と上層レジスト層を備え、下層レジスト層は、露光用の光に対する感度が上層レジスト層よりも低い請求項1に記載の方法。
- フォトマスクは、透明基板と、透明基板上に順次形成されたビアホール用開口部を有する半透明層、及び配線溝用開口部を有する遮光層を備える請求項1に記載の方法。
- フォトマスクは、半透明層を通過した光の位相が、透明基板のみを通過した光の位相から150〜210度ずれるように形成される請求項3に記載の方法。
- レジスト層のパターニングは、ビアホール用孔がレジスト層を貫通するように行う請求項1に記載の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005123965A JP2006303243A (ja) | 2005-04-21 | 2005-04-21 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005123965A JP2006303243A (ja) | 2005-04-21 | 2005-04-21 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006303243A true JP2006303243A (ja) | 2006-11-02 |
Family
ID=37471167
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005123965A Pending JP2006303243A (ja) | 2005-04-21 | 2005-04-21 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006303243A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011097034A (ja) * | 2009-10-30 | 2011-05-12 | Samsung Electronics Co Ltd | 再配線構造を有する半導体素子とパッケージ、及びその製造方法 |
JP2011249648A (ja) * | 2010-05-28 | 2011-12-08 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
-
2005
- 2005-04-21 JP JP2005123965A patent/JP2006303243A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011097034A (ja) * | 2009-10-30 | 2011-05-12 | Samsung Electronics Co Ltd | 再配線構造を有する半導体素子とパッケージ、及びその製造方法 |
KR101585217B1 (ko) | 2009-10-30 | 2016-01-14 | 삼성전자주식회사 | 재배선 구조를 갖는 반도체 소자와 그것을 포함하는 반도체 패키지, 패키지 적층 구조, 반도체 모듈, 전자 회로 기판, 및 전자 시스템과 그 제조 방법들 |
JP2011249648A (ja) * | 2010-05-28 | 2011-12-08 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5017570B2 (ja) | 半導体素子のパターン形成方法 | |
JP2007019187A5 (ja) | ||
US20100047720A1 (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
KR19980070475A (ko) | 단순화된 정공 인터커넥트 공정 | |
JP2004281936A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
TWI300969B (ja) | ||
US6268279B1 (en) | Trench and via formation in insulating films utilizing a patterned etching stopper film | |
JP2006303243A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2000012541A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR100552816B1 (ko) | 포토 마스크 및 그 제조방법과 포토 마스크를 이용한반도체 소자의 배선 형성방법 | |
JP2005159264A (ja) | パターン形成方法及び半導体装置の製造方法 | |
JP2005159008A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2006245198A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR100752180B1 (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 | |
US20080070415A1 (en) | Method for burying resist and method for manufacturing semiconductor device | |
JP2000012538A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR100880315B1 (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 | |
US7754398B2 (en) | Photo mask having assist pattern and method of fabricating the same | |
KR20070000204A (ko) | 미세 패턴 형성 방법 | |
JP2007123356A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR20060076498A (ko) | 반도체 소자의 소자 분리막 형성 방법 | |
KR100248809B1 (ko) | 반도체 장치 제조방법 | |
KR20050071041A (ko) | 반도체 소자의 배선 형성 방법 | |
KR100489521B1 (ko) | 복수레벨의 패턴 형성을 위한 래티클 | |
JP2002203897A (ja) | 半導体装置の製造方法 |