JP2006284590A5 - - Google Patents

Claims (13)

1. イオンビームミリング及び電子ビーム画像化を用いた半導体素子を処理する方法であって：
   埋め込まれた金属層に接近するための穴を開けるために集束イオンビームを半導体素子に向かって方向付ける段階；
   表面下の像を取得するのに、前記穴の底部に向かって十分なエネルギーを有する電子を有する電子ビームを方向付け、少なくとも１mｍのＳｉを通って前記金属層の前記表面下の像を観察するため、前記穴から放出された電子を収集する段階；及び
   前記集束イオンビームによるミリングをいつ中止するのかを決定するため、前記金属層の前記表面下の像を使用する段階；
   を有する方法。
2. 方向の整合又はプロセス実行のため、表面下の部位の特定を目的とした前記表面下の像の使用を有する、請求項１に記載の方法。
3. 位置決定又はプロセスを行うための部位を特定するための前記表面下の像の使用が前記像と前記素子の回路図との関連付けを有する、請求項２に記載の方法。
4. 工作物の操縦を行う方法であって：
   前記工作物上で、２次電子又は後方散乱電子から１つ以上の表面下の部位の像を生成するのに十分高いエネルギーを有する電子ビームを走査する段階；及び
   前記工作物上を操縦するための前記表面下の像を使用する段階；
   を有する方法。
5. 前記工作物上を操縦するための前記表面下の像の使用が前記表面下の部位のうちの少なくとも１つと前記工作物に関する既知の情報との関連付けを有する、請求項４に記載の方法。
6. 前記表面下の部位のうちの少なくとも１つと前記工作物に関する既知の情報との関連付けが前記表面下の部位のうちの少なくとも１つと前記工作物のコンピュータ支援設計との関連付けを有する、請求項５に記載の方法。
7. ミクロの表面下の部位の画像化又は変更のために行う露出のために基板に集束イオンビームを用いて穴を開けるプロセスであって、
   前記プロセス中での改良が：
   前記表面下の位置の決定する段階；又は
   ２次電子又は後方散乱電子から前記表面下の像を生成するのに十分高いエネルギーを有する電子ビームを前記表面下の部位を被覆する前記表面に向けて方向付けることで前記部位の表面下の像を生成することによって表面下の部位をいつ露出させるのかを決定する段階；
   を有する、
   ことを特徴とするプロセス。
8. 前記電子ビーム中の前記電子が１５ｋＶより大きな平均エネルギーを有する、請求項１又は請求項４に記載の方法又は、請求項７に記載のプロセス。
9. 前記電子ビーム中の前記電子が２５ｋＶより大きな平均エネルギーを有する、請求項１又は請求項４に記載の方法又は、請求項７に記載のプロセス。
10. 前記電子ビーム中の前記電子が３０ｋＶより大きな平均エネルギーを有する、請求項１又は請求項４に記載の方法又は、請求項７に記載のプロセス。
11. 前記表面下の部位を被覆する材料の深さが１．０ mｍよりも大きい、請求項４に記載の方法又は、請求項７に記載のプロセス。
12. 前記表面下の部位を被覆する材料の深さが１．０ mｍから２．０ mｍの間である、請求項４に記載の方法又は、請求項７に記載のプロセス。
13. 前記表面下の部位が金属を有する、請求項４に記載の方法又は、請求項７に記載のプロセス。