JP2006278848A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板2上メモリゲート酸化膜15とメモリゲート酸化膜15上に形成された浮遊ゲート17をもつメモリトランジスタと、半導体基板2上に形成された選択ゲート酸化膜11と選択ゲート酸化膜11上に形成された選択ゲート13をもち、メモリトランジスタに直列に接続されている選択トランジスタを備えた不揮発性メモリセルと、半導体基板2上に形成された周辺回路ゲート酸化膜23と周辺回路ゲート酸化膜23上に形成された周辺回路ゲート25をもつ周辺回路トランジスタを備え、浮遊ゲート15のポリシリコン内の不純物濃度は周辺回路ゲート25のポリシリコン内の不純物濃度よりも薄くなっている。
【選択図】図1
Description
P型の半導体基板(P基板)101に、N型拡散層103,105,107と、N型拡散層からなる制御ゲート109が形成されている。N型拡散層103と105は間隔をもって形成され、N型拡散層105と107は間隔をもって形成されている。
N型拡散層103と105の間の領域を含むP基板101上に、N型拡散層103及び105と一部重複して、ゲート酸化膜(図示は省略)を介して、ポリシリコン膜からなる選択ゲート111が形成されている。
P基板101にN型拡散層117と119が間隔をもって形成されている。N型拡散層117と119の間のP基板101上に、N型拡散層117及び119と一部重複して、メモリゲート酸化膜121を介して、ポリシリコン膜からなる浮遊ゲート123が形成されている。浮遊ゲート123上に、シリコン酸化膜125を介して、ポリシリコン膜からなる制御ゲート127が形成されている。
図41に制御ゲートを備えていない不揮発性メモリの(A)平面図及び(B)断面図を示す。図39、図40と同じ機能を果たす部分には同じ符号を付す。
N型拡散層103と105の間の領域を含むP基板101上に、N型拡散層103及び105と一部重複して、ゲート酸化膜129を介して、ポリシリコン膜からなる選択ゲート111が形成されて、選択トランジスタが形成されている。
N型拡散層105と107の間の領域を含むP基板101上に、メモリゲート酸化膜121を介してポリシリコン膜からなる浮遊ゲート123が形成されて、メモリトランジスタが形成されている。N型拡散層105及び107付近の領域では浮遊ゲート123はメモリゲート酸化膜を介してN型拡散層105及び107と一部重複して配置されている。
また、N型拡散層103を0Vに設定し、N型拡散層107と選択ゲート111を所定の電位Vpp、例えば7Vに設定することによって行なわれる。これにより、N型拡散層103,105及び選択ゲート111により構成される選択トランジスタがオンし、トンネル効果によって浮遊ゲート123に注入されている電子がメモリゲート酸化膜121を介してN型拡散層105に引き抜かれる。この場合、N型拡散層103と浮遊ゲート123とは十分に重複して配置されていることが必要とされている。そのために、浮遊ゲート123の下方でN型拡散層105側には埋込み型のN型拡散層が設定されている(特許文献4)。
その態様において、上記選択ゲート酸化膜の膜厚は上記メモリゲート酸化膜の膜厚と同じであるようにしてもよい。
又は、上記選択ゲート酸化膜の膜厚は上記周辺回路ゲート酸化膜の膜厚と同じであるようにしてもよい。
また、本願発明者の検証では、ゲート酸化膜厚が7.5nmであるNMOSトランジスタ(NチャネルMOSトランジスタ)のスナップバック電圧はちょうど上記Vppと同程度の6〜7V程度であるため、書込みのために周辺回路を損傷してしまう可能性が高い。この面からも半導体装置の歩留まりや信頼性の低下を招く虞れがあった。
選択トランジスタ及びメモリトランジスタはメモリセルを構成する。
P型拡散層19と21の間の領域を含むP基板1上に、膜厚が例えば10.0〜15.0nm、ここでは13.5nmの周辺回路ゲート酸化膜23が形成されている。周辺回路ゲート酸化膜23上に、P型拡散層19及び21と一部重複して、膜厚が例えば250〜450nm、ここでは350nmのポリシリコン膜からなる周辺回路ゲート25が形成されている。周辺回路ゲート25には例えばN型不純物としてリンが選択ゲート13及び浮遊ゲート17よりも高濃度に導入されており、実質的なリン濃度は1.0×1020atoms/cm3以上である。P型拡散層19,21、周辺回路ゲート酸化膜23及び周辺回路ゲート25は周辺回路トランジスタを構成する。
さらに、周辺回路ゲート25の不純物濃度を浮遊ゲート17よりも濃くしているので、周辺回路ゲート25の抵抗を十分低くすることができ、周辺回路トランジスタの処理速度が低下するのを防止することができる。
メモリセルがマトリクス配置されている。横方向(ワードラインWL方向)に並ぶセルi0,i1,・の選択ゲート13は共通のワードラインWLiに電気的に接続されている。また、P型拡散層5は共通のソースラインSLiに電気的に接続されている。縦方向(ビットラインBit方向)に並ぶセル0i,1i,・のP型拡散層9は共通のビットラインBitiに電気的に接続されている。ここで、iは0又は自然数である。
書込み時、例えばセル00のみを書き込む場合、書込みするセル00に接続されたワードラインWL0とビットラインBit0を所定の電位−Vppにバイアスし、他のワードラインWLi及び他のビットラインBitiまた、ソースラインSLiは0Vにバイアスする。これにより、セル00の浮遊ゲート17にメモリゲート酸化膜を介して電子が注入されて、書込みされる。
ここで、PSG及びHTO膜29を除去した後、全面にHTO膜を形成し、写真製版技術及びエッチング技術によりHTO膜及びポリシリコン膜27,31をパターニングして、選択ゲート13上、浮遊ゲート17上及び周辺回路ゲート25上にHTO膜パターンを形成しておき、後工程でのBF2注入工程において選択ゲート13、浮遊ゲート17及び周辺回路ゲート25にBF2が注入されないようにしてもよい。後述する各製造方法例においても、パターニング後のポリシリコンゲートに不純物注入を注入したくない場合は、パターニング前のポリシリコン膜上に不純物注入防止膜、例えばHTO膜を形成しておき、不純物注入防止膜及びポリシリコン膜をパターニングして不純物注入防止膜とポリシリコンゲートの積層パターンを形成するようにすれば、パターニング後の工程においてポリシリコンゲートに不純物注入が注入されるのを防止することができる。
さらに、周辺回路ゲート25の不純物濃度を浮遊ゲート35よりも濃くしているので、周辺回路ゲート25の抵抗を十分低くすることができ、周辺回路トランジスタの処理速度が低下するのを防止することができる。
さらに、周辺回路ゲート25及び選択ゲート39の不純物濃度を浮遊ゲート17よりも濃くしているので、周辺回路ゲート25及び選択ゲート39の抵抗を十分低くすることができ、周辺回路トランジスタ及び選択トランジスタの処理速度が低下するのを防止することができる。
ここで、PSG及びHTO膜29を除去した後、全面にHTO膜を形成し、写真製版技術及びエッチング技術によりHTO膜及びポリシリコン膜27,31をパターニングして、選択ゲート39上、浮遊ゲート17上及び周辺回路ゲート25上にHTO膜パターンを形成しておき、後工程でのBF2注入工程において選択ゲート39、浮遊ゲート17及び周辺回路ゲート25にBF2が注入されないようにしてもよい。
さらに、周辺回路ゲート25及び選択ゲート39の不純物濃度を浮遊ゲート35よりも濃くしているので、周辺回路ゲート25及び選択ゲート39の抵抗を十分低くすることができ、周辺回路トランジスタ及び選択トランジスタの処理速度が低下するのを防止することができる。
選択トランジスタ領域にP型拡散層5,7、選択ゲート酸化膜43及び選択ゲート13からなる選択トランジスタが形成されている。
メモリトランジスタ領域にP型拡散層7,9、メモリゲート酸化膜45及び浮遊ゲート17からなるメモリトランジスタが形成されている。
周辺回路トランジスタ領域にP型拡散層19,21、周辺回路ゲート酸化膜47及び周辺回路ゲート25からなる周辺回路トランジスタが形成されている。
選択ゲート13の表面及び浮遊ゲート17の表面にシリコン酸化膜49が形成されている。
さらに、周辺回路ゲート25の不純物濃度を浮遊ゲート17よりも濃くしているので、周辺回路ゲート25の抵抗を十分低くすることができ、周辺回路トランジスタ及び選択トランジスタの処理速度が低下するのを防止することができる。
選択ゲート33の表面及び浮遊ゲート35の表面にシリコン酸化膜49が形成されている。
さらに、周辺回路ゲート25の不純物濃度を浮遊ゲート17よりも濃くしているので、周辺回路ゲート25の抵抗を十分低くすることができ、周辺回路トランジスタ及び選択トランジスタの処理速度が低下するのを防止することができる。
さらに、メモリゲート酸化膜45の膜厚は周辺回路ゲート酸化膜47の膜厚よりも薄く形成されているので、周辺回路ゲート酸化膜47の損傷を防止しつつ、またスナップバック破壊を起こさずに、メモリトランジスタの良好な書込みを行なうことができる。
ここで、ポリシリコン膜27をパターニングする前に全面にHTO膜を形成し、写真製版技術及びエッチング技術によりHTO膜及びポリシリコン膜27をパターニングして、選択ゲート13上及び浮遊ゲート17上にHTO膜パターンを形成しておき、後工程でのBF2注入工程において選択ゲート13及び浮遊ゲート17にBF2が注入されないようにしてもよい。
さらに、選択ゲート39は周辺回路ゲート25と同時に形成されたものであり、選択ゲート39に例えばN型不純物としてリンが浮遊ゲート17よりも高濃度に導入されており、実質的なリン濃度は1.0×1020atoms/cm3以上である点も上記第5実施例とは異なっている。
さらに、図7を参照して説明した上記第3実施例と同様に、周辺回路ゲート25及び選択ゲート39の不純物濃度を浮遊ゲート17よりも濃くしているので、周辺回路ゲート25及び選択ゲート39の抵抗を十分低くすることができ、周辺回路トランジスタ及び選択トランジスタの処理速度が低下するのを防止することができる。
さらに、図11を参照して説明した上記第5実施例と同様に、メモリゲート酸化膜45の膜厚は周辺回路ゲート酸化膜47の膜厚よりも薄く形成されているので、周辺回路ゲート酸化膜47の損傷を防止しつつ、またスナップバック破壊を起こさずに、メモリトランジスタの良好な書込みを行なうことができる。
浮遊ゲート35の表面にシリコン酸化膜49が形成されている。
さらに、図7を参照して説明した上記第3実施例と同様に、周辺回路ゲート25及び選択ゲート39の不純物濃度を浮遊ゲート17よりも濃くしているので、周辺回路ゲート25及び選択ゲート39の抵抗を十分低くすることができ、周辺回路トランジスタ及び選択トランジスタの処理速度が低下するのを防止することができる。
さらに、図11を参照して説明した上記第5実施例と同様に、メモリゲート酸化膜45の膜厚は周辺回路ゲート酸化膜47の膜厚よりも薄く形成されているので、周辺回路ゲート酸化膜47の損傷を防止しつつ、またスナップバック破壊を起こさずに、メモリトランジスタの良好な書込みを行なうことができる。
さらに、図7を参照して説明した上記第3実施例と同様に、周辺回路ゲート25及び選択ゲート39の不純物濃度を浮遊ゲート17よりも濃くしているので、周辺回路ゲート25及び選択ゲート39の抵抗を十分低くすることができ、周辺回路トランジスタ及び選択トランジスタの処理速度が低下するのを防止することができる。
さらに、図11を参照して説明した上記第5実施例と同様に、メモリゲート酸化膜45の膜厚は周辺回路ゲート酸化膜47の膜厚よりも薄く形成されているので、周辺回路ゲート酸化膜47の損傷を防止しつつ、またスナップバック破壊を起こさずに、メモリトランジスタの良好な書込みを行なうことができる。
さらに、図7を参照して説明した上記第3実施例と同様に、周辺回路ゲート25及び選択ゲート39の不純物濃度を浮遊ゲート17よりも濃くしているので、周辺回路ゲート25及び選択ゲート39の抵抗を十分低くすることができ、周辺回路トランジスタ及び選択トランジスタの処理速度が低下するのを防止することができる。
さらに、図11を参照して説明した上記第5実施例と同様に、メモリゲート酸化膜45の膜厚は周辺回路ゲート酸化膜47の膜厚よりも薄く形成されているので、周辺回路ゲート酸化膜47の損傷を防止しつつ、またスナップバック破壊を起こさずに、メモリトランジスタの良好な書込みを行なうことができる。
選択トランジスタ領域にP型拡散層5,7、選択ゲート酸化膜55及び選択ゲート13からなる選択トランジスタが形成されている。
メモリトランジスタ領域にP型拡散層7,9、メモリゲート酸化膜57及び浮遊ゲート17からなるメモリトランジスタが形成されている。
周辺回路トランジスタ領域にP型拡散層19,21、周辺回路ゲート酸化膜59及び周辺回路ゲート25からなる周辺回路トランジスタが形成されている。
さらに、メモリゲート酸化膜57の膜厚は周辺回路ゲート酸化膜59の膜厚よりも薄く形成されているので、メモリトランジスタの書込み時に周辺回路ゲート酸化膜59が損傷しない程度に周辺回路ゲート酸化膜厚を厚くし、メモリトランジスタの良好な書込み特性が得られる程度にメモリゲート酸化膜厚を薄くすることができる。これにより、周辺回路ゲート酸化膜59の損傷を防止しつつ、またスナップバック破壊を起こさずに、メモリトランジスタの良好な書込みを行なうことができる。
さらに、メモリゲート酸化膜57の膜厚は周辺回路ゲート酸化膜59の膜厚よりも薄く形成されているので、周辺回路ゲート酸化膜59の損傷を防止しつつ、またスナップバック破壊を起こさずに、メモリトランジスタの良好な書込みを行なうことができる。
さらに、メモリゲート酸化膜57の膜厚は周辺回路ゲート酸化膜59の膜厚よりも薄く形成されているので、周辺回路ゲート酸化膜59の損傷を防止しつつ、またスナップバック破壊を起こさずに、メモリトランジスタの良好な書込みを行なうことができる。
さらに、メモリゲート酸化膜57の膜厚は周辺回路ゲート酸化膜59の膜厚よりも薄く形成されているので、周辺回路ゲート酸化膜59の損傷を防止しつつ、またスナップバック破壊を起こさずに、メモリトランジスタの良好な書込みを行なうことができる。
さらに、メモリゲート酸化膜57の膜厚は周辺回路ゲート酸化膜59の膜厚よりも薄く形成されているので、周辺回路ゲート酸化膜59の損傷を防止しつつ、またスナップバック破壊を起こさずに、メモリトランジスタの良好な書込みを行なうことができる。
さらに、メモリゲート酸化膜57の膜厚は周辺回路ゲート酸化膜59の膜厚よりも薄く形成されているので、周辺回路ゲート酸化膜59の損傷を防止しつつ、またスナップバック破壊を起こさずに、メモリトランジスタの良好な書込みを行なうことができる。
さらに、メモリゲート酸化膜57の膜厚は周辺回路ゲート酸化膜59の膜厚よりも薄く形成されているので、周辺回路ゲート酸化膜59の損傷を防止しつつ、またスナップバック破壊を起こさずに、メモリトランジスタの良好な書込みを行なうことができる。
さらに、メモリゲート酸化膜57の膜厚は周辺回路ゲート酸化膜59の膜厚よりも薄く形成されているので、周辺回路ゲート酸化膜59の損傷を防止しつつ、またスナップバック破壊を起こさずに、メモリトランジスタの良好な書込みを行なうことができる。
ただし、メモリトランジスタ及び選択トランジスタはNMOSトランジスタであってもよい。
また、半導体基板はN基板であってもよい。
また、選択ゲート、メモリゲート、周辺回路ゲートのいずれか又は全部にゲート抵抗を低減するためのシリサイド膜が形成されていてもよい。
直流電源71からの電源を安定して供給すべく、定電圧発生回路90が設けられている。定電圧発生回路90は、直流電源71が接続される入力端子(Vbat)73、基準電圧発生回路(Vref)75、演算増幅器77、出力ドライバを構成するPMOSトランジスタ79、分割抵抗81,83及び出力端子(Vout)85を備えている。
電圧検出回路91において、測定すべき端子の電圧(入力電圧Vsens)が入力される入力端子93と接地電位の間に、分割抵抗81,83及び発振防止用抵抗素子RHが直列に接続されている。分割抵抗81,83の構成は図37と同じである。
{(R0)+(RH)}/{(R1)+・・・・・+(Ri-1)+(Ri)+(R0)+・・・・・・・・・・・・・
である。
(R0)/{(R1)+・・・・・+(Ri-1)+(Ri)+・・・・・・・・・・・・・
である。電圧検出回路91を高電圧検出状態するための解除電圧は、低電圧検出状態における演算増幅器77の反転入力端子に入力される分割電圧が基準電圧Vrefよりも大きくなる入力電圧Vsensである。
2 Nウェル
3 フィールド酸化膜
5,7,9,19,21 N型拡散層
11,43 選択ゲート酸化膜
13,33,39,53,55,65 選択ゲート
15,45,57 メモリゲート酸化膜
17,35 浮遊ゲート
23,47,59 周辺回路ゲート酸化膜
25 周辺回路ゲート
49,51 シリコン酸化膜
Claims (11)
- 半導体基板上に形成されたメモリゲート酸化膜と前記メモリゲート酸化膜上に形成された電気的に浮遊状態のポリシリコンからなる浮遊ゲートをもつMOSトランジスタからなるメモリトランジスタと、
前記半導体基板上に形成された選択ゲート酸化膜と前記選択ゲート酸化膜上に形成されたポリシリコンからなる選択ゲートをもち、前記メモリトランジスタに直列に接続されたMOSトランジスタからなる選択トランジスタを備えた不揮発性メモリセルと、
前記半導体基板上に形成された周辺回路ゲート酸化膜と前記周辺回路ゲート酸化膜上に形成されたポリシリコンからなる周辺回路ゲートをもつMOSトランジスタからなる周辺回路トランジスタを備え、
前記浮遊ゲートのポリシリコン内の不純物濃度は、前記周辺回路ゲートのポリシリコン内の不純物濃度よりも薄いことを特徴とする半導体装置。 - 前記選択ゲートのポリシリコン内の不純物濃度は前記浮遊ゲートのポリシリコン内の不純物濃度と同じである請求項1に記載の半導体装置。
- 前記選択ゲートのポリシリコン内の不純物濃度は前記周辺回路ゲートのポリシリコン内の不純物濃度と同じである請求項1に記載の半導体装置。
- 前記メモリゲート酸化膜、前記選択ゲート酸化膜及び前記周辺回路ゲート酸化膜の膜厚は同じである請求項1、2又は3に記載の半導体装置。
- 前記メモリゲート酸化膜の膜厚は前記周辺回路ゲート酸化膜の膜厚よりも薄く形成されている請求項1、2又は3に記載の半導体装置。
- 前記選択ゲート酸化膜の膜厚は前記メモリゲート酸化膜の膜厚と同じである請求項5に記載の半導体装置。
- 前記選択ゲート酸化膜の膜厚は前記周辺回路ゲート酸化膜の膜厚と同じである請求項5に記載の半導体装置。
- 前記メモリトランジスタ及び前記選択トランジスタはPMOSトランジスタである請求項1から7のいずれかに記載の半導体装置。
- 2個以上の抵抗素子による分割によって電圧出力を得、ヒューズ素子の切断によって電圧出力を調整できる分割抵抗回路を備えた半導体装置において、
前記分割抵抗回路は、直列に接続された複数の抵抗値調整用抵抗素子と、前記ヒューズ素子として前記抵抗値調整用抵抗素子に対応して並列に接続された複数のヒューズ用MOSトランジスタと、請求項1から8のいずれかに記載の前記不揮発性メモリセル及び前記周辺回路トランジスタと、前記不揮発性メモリセルの記憶状態に応じて前記ヒューズ用MOSトランジスタのオンとオフを切り替えるための読出し回路を備え、
前記ヒューズ用MOSトランジスタもしくは前記読出し回路を構成するMOSトランジスタ又はその両方が前記周辺回路トランジスタにより構成されていることを特徴とする半導体装置。 - 入力電圧を分割して分割電圧を供給するための分割抵抗回路と、基準電圧を供給するための基準電圧発生回路と、前記分割抵抗回路からの分割電圧と前記基準電圧発生回路からの基準電圧を比較するための比較回路をもつ電圧検出回路を備えた半導体装置において、
前記分割抵抗回路として請求項9に記載の分割抵抗回路を備えていることを特徴とする半導体装置。 - 入力電圧の出力を制御する出力ドライバと、出力電圧を分割して分割電圧を供給するための分割抵抗回路と、基準電圧を供給するための基準電圧発生回路と、前記分割抵抗回路からの分割電圧と前記基準電圧発生回路からの基準電圧を比較し、比較結果に応じて前記出力ドライバの動作を制御するための比較回路をもつ定電圧発生回路を備えた半導体装置において、
前記分割抵抗回路として請求項9に記載の分割抵抗回路を備えていることを特徴とする半導体装置。
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