JP2006278724A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、ベース基板１２と配線２０とを有する配線基板１０の半導体チップを搭載するための領域３１に、電極３２を有する半導体チップ３０を搭載して、配線２０の電気的接続部２２と電極３２とを対向させて電気的に接続することを含む。配線２０は、電気的接続部２２と、領域３１の外周から外側に向かって延びるリード部２４と、電気的接続部２２とリード部２４とをつなぐ延設部２６とを含む。延設部２６は、リード部２４よりも厚みの薄い薄肉部２８を有する。
【選択図】 図２

Description

本発明は、半導体装置及びその製造方法に関する。

配線基板に半導体チップが搭載されたタイプの半導体装置が知られている。半導体装置の信頼性を高めるためには、半導体チップと配線基板（配線パターン）とのショートを防止することが重要である。特に、配線基板と半導体チップのエッジとの間隔を確保することができれば、半導体チップのエッジでのショートを防止することができ、半導体装置の信頼性を高めることができる。

本発明の目的は、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
特開２００４−２０７５５０号公報

（１）本発明に係る半導体装置の製造方法は、ベース基板と前記ベース基板に設けられた配線とを有する配線基板の半導体チップを搭載するための領域に、電極を有する半導体チップ搭載して、前記配線の電気的接続部と前記電極とを対向させて電気的に接続することを含み、
前記配線は、前記電気的接続部と、前記半導体チップを搭載するための領域の外周から外側に向かって延びるリード部と、前記電気的接続部と前記リード部とをつなぐ延設部とを含み、
前記延設部は、前記リード部よりも厚みの薄い薄肉部を有する。本発明によれば、薄肉部を起点にして、容易に配線基板を屈曲させることができる。すなわち、容易に、屈曲の起点を制御することが可能な半導体装置を製造することができる。
（２）この半導体装置の製造方法において、
前記配線基板は複数の前記配線を有し、
それぞれの前記配線の前記薄肉部は、少なくとも一部が、すべての前記配線の前記電気的接続部を囲む最も小さい矩形よりも外側の領域とオーバーラップするように形成されていてもよい。
（３）この半導体装置の製造方法において、
前記薄肉部は、前記矩形の外側の領域のみに形成されていてもよい。
（４）この半導体装置の製造方法において、
前記薄肉部は、前記矩形の内側の領域に至るように形成されていてもよい。
（５）この半導体装置の製造方法において、
前記薄肉部は、前記電気的接続部に至るように形成されていてもよい。
（６）この半導体装置の製造方法において、
前記薄肉部は、前記電気的接続部よりも厚みが薄くてもよい。
（７）この半導体装置の製造方法において、
前記薄肉部は、前記電気的接続部と同じ厚みをなしていてもよい。
（８）この半導体装置の製造方法において、
前記ベース基板には、少なくとも一部が、前記半導体チップを搭載するための領域の内側であって、前記矩形よりも外側の領域とオーバーラップするように配置された凹部が形成されていてもよい。
（９）この半導体装置の製造方法において、
前記配線基板を屈曲させて、前記矩形に囲まれた領域を、前記半導体チップが搭載される面側に突出させることをさらに含んでもよい。これによれば、配線の薄肉部を起点にして、容易に配線基板を屈曲させることができる。そのため、信頼性の高い半導体装置を効率よく製造することができる。
（１０）この半導体装置の製造方法において、
前記配線基板を屈曲させて、前記配線基板の前記半導体チップが搭載される面に、前記半導体チップを搭載するための領域の外周に沿って延びる溝状凹部を形成することをさらに含んでもよい。これによれば、配線の薄肉部を起点にして、容易に配線基板を屈曲させることができる。そのため、信頼性の高い半導体装置を効率よく製造することができる。
（１１）この半導体装置の製造方法において、
前記配線基板に前記半導体チップを搭載してから、前記配線基板を屈曲させてもよい。
（１２）この半導体装置の製造方法において、
前記配線基板を屈曲させてから、前記配線基板に前記半導体チップを搭載してもよい。
（１３）この半導体装置の製造方法において、
前記配線基板を屈曲させる工程の後に、前記配線基板と前記半導体チップとの間に設けられた樹脂を硬化させることをさらに含んでもよい。
（１４）本発明に係る半導体装置は、上記方法によって製造されてもよい。
（１５）本発明に係る半導体装置は、配線を有する配線基板と、
電極を有し、前記電極が前記配線の電気的接続部と対向するように前記配線基板に搭載された半導体チップと、
を含み、
前記配線は、前記電気的接続部と、前記半導体チップとオーバーラップする領域の外周から外側に向かって延びるリード部と、前記電気的接続部と前記リード部とをつなぐ延設部とを含み、
前記延設部は、前記リード部よりも厚みの薄い薄肉部を有する。本発明によれば、容易に、屈曲の起点を制御することが可能な半導体装置を提供することができる。
（１６）この半導体装置において、
前記配線基板は複数の前記配線を有し、
それぞれの前記配線の前記薄肉部は、少なくとも一部が、すべての前記配線の前記電気的接続部を囲む最も小さい矩形よりも外側の領域とオーバーラップするように形成されていてもよい。
（１７）この半導体装置において、
前記薄肉部は、前記矩形の外側の領域のみに形成されていてもよい。
（１８）この半導体装置において、
前記薄肉部は、前記矩形の内側の領域に至るように形成されていてもよい。
（１９）この半導体装置において、
前記薄肉部は、前記電気的接続部に至るように形成されていてもよい。
（２０）この半導体装置において、
前記薄肉部は、前記電気的接続部よりも厚みが薄くてもよい。
（２１）この半導体装置において、
前記薄肉部は、前記電気的接続部と同じ厚みをなしていてもよい。
（２２）この半導体装置において、
前記ベース基板には、少なくとも一部が、前記半導体チップとオーバーラップする領域の内側であって、前記矩形よりも外側の領域とオーバーラップするように配置された凹部が形成されていてもよい。

以下、本発明を適用した実施の形態について図面を参照して説明する。ただし、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではない。また、本発明は、以下の各実施の形態及び変形例を自由に組み合わせたものを含むものとする。

（第１の実施の形態）
図１（Ａ）〜図４（Ｂ）は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。

本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、配線基板１０を用意することを含んでいてもよい。以下、配線基板１０の構成について説明する。図１（Ａ）及び図１（Ｂ）は、配線基板１０の構成について説明するための図である。図１（Ａ）は、配線基板１０の上視図であるが、説明のため、すべての電気的接続部２２を囲む最も小さい矩形２９を一点鎖線で、半導体チップを搭載するための領域３１を二点鎖線で、それぞれ示している。また、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）のIB−IB線断面の一部拡大図である。

配線基板１０は、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、ベース基板１２を有する。ベース基板１２の材料や構造は特に限定されず、既に公知となっているいずれかの基板を利用してもよい。ベース基板１２は、フレキシブル基板であってもよい。このとき、ベース基板１２は、テープ基板であってもよい。ベース基板１２は、積層型の基板であってもよく、単層の基板であってもよい。また、ベース基板１２の外形も特に限定されるものではない。

配線基板１０は、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、配線２０を有する。配線２０は、ベース基板１２に設けられてなる。配線２０は、ベース基板１２の表面に設けられていてもよい。ベース基板１２が多層基板である場合、配線２０は、ベース基板１２の層間に形成されていてもよい（図示せず）。配線２０の構造や材料は、特に限定されず、既に公知となっているいずれかの配線を利用してもよい。例えば、配線２０は、銅（Ｃｕ）、クローム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタンタングステン（Ｔｉ−Ｗ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケルバナジウム（ＮｉＶ）、タングステン（Ｗ）のうちのいずれかを積層して、あるいはいずれかの一層で形成されていてもよい。

配線２０は、電気的接続部２２を有する。電気的接続部２２は、後述する半導体チップ３０の電極３２との電気的な接続に利用される部分である。また、配線２０は、半導体チップを搭載するための領域３１の外周から外側に向かって延びるリード部２４を含む。さらに、配線２０は、電気的接続部２２とリード部２４とをつなぐ延設部２６を含む。延設部２６は、半導体チップを搭載するための領域３１の内側に配置される部分である。そして、延設部２６は、リード部２４よりも厚みの薄い薄肉部２８を有する。ここで、「リード部２４の厚み」とは、リード部２４の最も領域３１に近い部分の厚みであってもよい。なお、延設部２６が領域３１の内側に配置されていることから、薄肉部２８も領域３１の内側に配置される。また、薄肉部２８は、電気的接続部２２よりも厚みが薄くなっていてもよい。このとき、電気的接続部２２とリード部２４とは同じ厚みをなしていてもよい（図１（Ｂ）参照）。

本実施の形態に係る半導体装置では、配線基板１０は、図１（Ａ）に示すように、複数の配線２０を有していてもよい。このとき、それぞれの配線２０の薄肉部２８は、少なくとも一部が、すべての電気的接続部２２を囲む最も小さい矩形２９よりも外側の領域とオーバーラップするように形成されていてもよい。なお、矩形２９の各辺は、例えば、半導体チップを搭載するための領域３１の外形のいずれかの辺と平行に延びていてもよい。薄肉部２８は、矩形２９よりも外側の領域のみに形成されていてもよい（図１（Ａ）及び図２（Ｂ）参照）。すなわち、薄肉部２８は、矩形２９の内側の領域を避けて形成されていてもよい。ただし、薄肉部２８は、矩形２９の内側の領域に至るように形成されていてもよい。例えば、矩形２９の中央領域に電気的接続部２２が配置された配線（図示せず）の薄肉部は、矩形２９の内側の領域に至るように形成されていてもよい。

本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示すように、配線基板１０に、電極３２を有する半導体チップ３０を搭載して、配線２０の電気的接続部２２と電極３２とを対向させて電気的に接続することを含む。本工程によって、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示す、半導体装置１を形成してもよい。なお、図２（Ａ）は、半導体装置１の上視図である。また、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）のIIB−IIB線断面の一部拡大図である。配線基板１０に半導体チップ３０を搭載する方法は特に限定されない。例えば、ボンディングツールによって半導体チップ３０を保持して、電気的接続部２２と電極３２とが対向するように位置合わせをする。その後、配線基板１０と半導体チップ３０とを押圧して、配線基板１０に半導体チップ３０を搭載してもよい。このとき、電気的接続部２２と電極３２とを、接触させて電気的に接続してもよい。このとき、電気的接続部２２と電極３２とを、共晶合金接合させてもよい。半導体チップ３０は、例えばシリコンチップであってもよい。半導体チップ３０は、集積回路３４を有していてもよい（図２（Ｂ）参照）。集積回路３４の構成は特に限定されないが、例えば、トランジスタ等の能動素子や、抵抗、コイル、コンデンサ等の受動素子を含んでいてもよい。このとき、電極３２は、集積回路３４に電気的に接続されていてもよい。電極３２の構成は特に限定されない。例えば、パッドと該パッドに設けられたバンプとを合わせて、電極３２と称してもよい。電極３２の配置は特に限定されるものではない。例えば、電極３２は、半導体チップ３０の各辺に沿って配列されていてもよい。あるいは、電極３２は、半導体チップ３０の対向する一組の対辺のそれぞれ（のみ）に沿って配置されていてもよい。あるいは、電極３２は、エリアアレイ状に配置されていてもよい。また、電極３２は、集積回路３４が形成された領域とオーバーラップする領域に配置されていてもよい。なお、半導体チップ３０の平面形状は特に限定されるものではない。例えば、半導体チップ３０は正方形をなしていてもよいが、長方形であってもよい。なお、半導体チップ３０は、配線基板１０の半導体チップを搭載するための領域３１に搭載する。領域３１は、半導体チップ３０の外形と同じ形状をなしていてもよい。すなわち、上述した領域３１と配線２０との位置関係は、半導体チップ３０の外形と配線２０との位置関係と一致していてもよい。

以上の工程によって、半導体装置１を形成してもよい。半導体装置１は、配線基板１０を含む。配線基板１０は、配線２０を有する。配線２０は、電気的接続部２２と、半導体チップ３０の外周から外側に向かって延びるリード部２４と、電気的接続部２２とリード部２４とをつなぐ延設部２６とを含む。そして、延設部２６は、リード部２４よりも厚みの薄い薄肉部２８を有する。配線基板１０が複数の配線２０を有する場合、それぞれの配線２０の薄肉部２８は、少なくとも一部が、矩形２９よりも外側の領域とオーバーラップするように形成されていてもよい。なお、矩形２９とは、すべての薄肉部２８を囲む最も小さい矩形である。そして、半導体装置１は、電極３２を有する半導体チップ３０を含む。半導体チップ３０は、電極３２が配線２０の電気的接続部２２と対向するように配線基板１０に搭載されてなる。

本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、配線基板１０を屈曲させることを含んでいてもよい。これにより、矩形２９に囲まれた領域を、半導体チップ３０が搭載される面側に突出させてもよい。本工程によって、配線基板１０を、半導体チップ３０の外周とオーバーラップする領域が、半導体チップ３０から遠ざかるように屈曲させてもよい。このとき、配線基板１０を、薄肉部２８とオーバーラップする領域（薄肉部２８の端部）を起点にして屈曲させてもよい。また、配線基板１０を、矩形２９の外周を起点にして屈曲させてもよい。配線基板１０を屈曲させる方法は特に限定されるものではない。例えば、配線基板１０の領域３１よりも外側の部分を固定して、領域３１内（矩形２９の内側の領域）を、半導体チップ３０を搭載する面とは反対側から押し上げることによって、配線基板１０を屈曲させてもよい。これにより、電気的接続部２２を囲む最も小さい矩形２９に囲まれた領域を、半導体チップ３０が搭載された面側に突出させてもよい。そして、本工程によって、図３に示す半導体装置２を形成してもよい。

配線基板に半導体チップが搭載されたタイプの半導体装置の電気的な信頼性を高めるためには、半導体チップと配線基板の配線との間でショートが発生することを防止することが重要である。特に、半導体チップのエッジにはダイシングの際に配線バリが発生することがあり、半導体装置の信頼性を高めるためには、半導体チップの配線バリと配線基板（配線）との接触を防止する必要がある。そして、半導体チップの配線バリと配線基板の配線とのショートを防止するためには、半導体チップのエッジと配線基板との間隔を確保することが重要である。ここで、配線基板を、半導体チップの内側の領域を起点に屈曲させることができれば、半導体チップのエッジと配線基板との間隔を広くすることができる。ところが、ベース基板に配線が密着しているタイプの配線基板は、精度よく屈曲させることが難しかった。すなわち、配線基板１０を、屈曲の起点が半導体チップ３０の内側に配置されるように屈曲させることは困難であった。

ところで、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法では、半導体装置１（配線基板１０）は配線２０を有する。そして、配線２０には、薄肉部２８が形成されてなる。そのため、配線基板１０は、薄肉部２８を起点に屈曲させやすくなっている。そして、薄肉部２８は、電気的接続部２２から半導体チップ３０の外周の間に配置されてなる。このことから、半導体装置１によると、配線基板１０を、容易に、半導体チップ３０の内側の領域（矩形２９）を起点に屈曲させることができる。そのため、半導体チップ３０の端部と配線基板１０との間隔を、確実に広くすることができる。このことから、半導体装置１（配線基板１０）を利用すると、半導体チップ３０と配線基板１０との間で電気的なショートが発生しにくい半導体装置を、効率よく製造することができる。

なお、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図４（Ａ）及び図４（Ｂ）に示すように、配線基板１０と半導体チップ３０との間に樹脂４０を配置すること、及び、樹脂４０を硬化させることをさらに含んでいてもよい。樹脂４０を硬化させて、樹脂部４２を形成してもよい。すなわち、本工程によって、配線基板１０と半導体チップ３０との間に樹脂部４２を形成し、半導体装置３を形成してもよい（図４（Ｂ）参照）。半導体装置３によると、樹脂部４２によって配線基板１０の屈曲形状を保持することが可能になる。そのため、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。なお、樹脂４０は、配線基板１０を屈曲させる工程の後に設けてもよい。配線基板１０を屈曲させることにより、配線基板１０と半導体チップ３０との間が広くなっていることから、両者の間に、効率よく樹脂４０を注入することができる。そのため、効率よく半導体装置を製造することができる。ただし、配線基板１０と半導体チップ３０との間に樹脂４０を設ける工程は、配線基板１０を屈曲させる工程の前に行ってもよい。また、樹脂４０を硬化させる工程は、配線基板１０を屈曲させる工程の後に行ってもよい。このとき、樹脂４０の硬化収縮を利用して、配線基板１０をさらに屈曲させてもよい。これにより、半導体チップ３０のエッジと配線基板１０との間隔をさらに広げることができるため、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。

また、ここまで、配線基板１０に半導体チップ３０を搭載した後に（半導体装置１を製造した後に）、配線基板１０を屈曲させて半導体装置２を製造する方法を説明してきたが、半導体装置２の製造方法はこれに限定されるものではない。すなわち、予め屈曲させてある配線基板１０に半導体チップ３０を搭載して、半導体装置２を製造してもよい。言い換えると、配線基板１０を屈曲させる工程の後に、配線基板１０に半導体チップ３０を搭載する工程を行って、半導体装置を製造してもよい。例えば、配線基板１０を支持する支持台を突出させて配線基板１０を屈曲させた後に、該支持台を利用して、配線基板１０に半導体チップ３０を搭載してもよい。このとき、配線基板１０の自重を利用して、配線基板１０を屈曲させてもよい。先に説明したとおり、配線基板１０は屈曲させやすい形状をなすため、本方法を採用しても、信頼性の高い半導体装置を効率よく製造することができる。

（変形例）
以下、本発明を適用した第１の実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造方法について説明する。なお、以下の変形例でも、既に説明した内容を可能な限り適用するものとする。図５（Ａ）及び図５（Ｂ）は、本発明を適用した第１の実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。

本変形例に係る半導体装置の製造方法は、図５（Ａ）に示すように、配線基板１０を屈曲させて、半導体チップ３０が搭載される面に、溝状凹部３６を形成することを含んでいてもよい。溝状凹部３６は、半導体チップ３０を搭載するための領域３１の外周に沿って延びるように形成してもよい。このとき、半導体チップ３０を搭載する面とは反対側の面に、領域３１の外周（溝状凹部３６）に沿って延びる凸部が形成されるように配線基板１０を屈曲させてもよい。すなわち、屈曲工程の前後で配線基板１０（ベース基板１２）の厚みが変化しないように、配線基板１０を屈曲させてもよい。溝状凹部３６は、例えば、半導体チップ３０を搭載するための領域３１の外周に沿って、領域３１（矩形２９）を囲むように形成してもよい。あるいは、溝状凹部３６は、領域３１の角部を避けて、領域３１のそれぞれの辺に沿って形成してもよい。溝状凹部３６を形成する方法も、特に限定されるものではない。例えば、半導体チップ３０が搭載された面とは反対側から配線基板１０を吸引することによって、溝状凹部３６を形成してもよい。先に説明したように、半導体装置１によると、配線基板１０は、半導体チップ３０の内側の領域を起点に屈曲させやすくなっている。そのため、上記屈曲方法によっても、配線基板１０の半導体チップ３０の外周とオーバーラップする領域を、半導体チップ３０から遠ざかるように屈曲させることができる。すなわち、半導体チップ３０の外周と配線基板１０との間隔を広くすることができる。そのため、信頼性の高い半導体装置を効率よく製造することができる。

そして、配線基板１０と半導体チップ３０との間に配置された樹脂を硬化させて樹脂部４３を形成することによって、図５（Ｂ）に示す、半導体装置４を形成してもよい。

（第２の実施の形態）
以下、本発明を適用した第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。図６〜図９は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。

本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図６に示す、配線基板１１を用意することを含んでいてもよい。なお、図６は、配線基板１１の断面図である。配線基板１１には、配線２１が設けられてなる。配線２１は、電気的接続部２３を有する。ここで、電気的接続部２３は、薄肉部２８と同じ厚みをなしている。そして、薄肉部２８は、電気的接続部２３に至るように形成されていてもよい。このとき、薄肉部２８は、矩形２９の内側の領域に至るように形成されていてもよい。また、配線２１は、薄肉部２８から電気的接続部２３に至るまで同じ厚みをなしていてもよい。すなわち、電気的接続部２３とリード部２４とをつなぐ延設部は、すべて、リード部２４よりも厚みが薄い薄肉部となっていてもよい。

本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図７に示すように、配線基板１１を屈曲させることを含んでいてもよい。配線基板１１を屈曲させて、図７に示すように、矩形２９に囲まれた領域を突出させてもよい。あるいは、半導体チップ３０を搭載するための領域３１の外周に沿って延びる溝状凹部を形成してもよい（図５（Ａ）参照）。配線基板１１を利用した場合でも、容易に、屈曲の起点を制御することができる。そのため、半導体チップ３０を搭載する工程の前に屈曲工程を行った場合でも、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。

本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図８（Ａ）及び図８（Ｂ）に示すように、配線基板１１に半導体チップ３０を搭載することを含む。半導体チップ３０を搭載して、電気的接続部２３と電極３２とを対向させて電気的に接続させる。以下、本工程について説明する。はじめに、配線基板１１及び半導体チップ３０の少なくとも一方に、樹脂４０を設けてもよい。例えば、配線基板１１のみに、樹脂４０を設けてもよい（図８（Ａ）参照）。そして、図８（Ａ）に示すように、配線基板１１の上方に半導体チップ３０を配置して、電気的接続部２３と電極３２とを対向させる。その後、半導体チップ３０を配線基板１１に向かって押圧して、樹脂４０を押し広げながら、配線基板１１に半導体チップ３０を搭載してもよい（図８（Ｂ）参照）。電気的接続部２３と電極３２とは、図８（Ｂ）に示すように、接触させて電気的に接続してもよい。このとき、樹脂４０として、ＮＣＰあるいはＮＣＦを利用してもよい。あるいは、電気的接続部２３と電極３２とは、図示しない導電粒子を介在させることによって電気的に接続してもよい。このとき、樹脂４０として、ＡＣＰあるいはＡＣＦを利用してもよい。

なお、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法では、配線基板１１に樹脂４０を設けた後に、配線基板１１を屈曲させる工程を行ってもよい（図示せず）。そして、その後、配線基板１１に半導体チップ３０を搭載する工程を行ってもよい（図８（Ａ）及び図（Ｂ）参照）。

本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、さらに、樹脂４０を硬化させることを含んでいてもよい。樹脂４０を硬化させて、樹脂部４４を形成してもよい。これにより、図９に示す、半導体装置５を製造してもよい。

ただし、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法では、配線基板１１に半導体チップ３０を搭載する工程の後に、配線基板１１を屈曲させる工程を行ってもよい。これによっても、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。

（第３の実施の形態）
以下、本発明を適用した第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。図１０〜図１２は、本発明を適用した第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。

本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図１０に示す、配線基板５０を用意することを含んでいてもよい。配線基板５０は、ベース基板５２を有する。ベース基板５２には、凹部５３が形成されてなる。凹部５３は、少なくとも一部が、半導体チップを搭載するための領域３１の内側であって、矩形２９よりも外側の領域とオーバーラップするように配置されていてもよい。凹部５３は、領域３１の内側のみに形成されていてもよい。また、凹部５３は、矩形２９よりも外側の領域内のみに形成されていてもよい。また、図１０に示すように、凹部５３は、領域３１の内側であって、かつ、矩形２９よりも外側の領域内のみに形成されていてもよい。凹部５３は、また、領域３１の外周に沿って、矩形２９を囲むように形成されていてもよい。あるいは、凹部５３は、矩形２９の角部を避けて、矩形２９の各辺に沿って延びる形状をなしていてもよい。このとき、凹部５３は、配線２０の薄肉部２８とオーバーラップするように配置されていてもよい。なお、凹部５３は、ベース基板５２の半導体チップ３０を搭載する面とは反対側に形成されていてもよい。凹部５３は、ベース基板５２の厚さを薄くすることで形成されていてもよい。つまり、凹部５３は、凹部５３以外の領域の少なくとも一部のベース基板５２の厚さよりも、ベース基板５２の厚さが薄くなっている領域であってもよい。あるいは、上述した凹部５３を形成する領域に、ベース基板５２を貫通する貫通穴を形成してもよい（図示せず）。

本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、配線基板５０に半導体チップ３０を搭載することを含む。これにより、図１１に示す半導体装置６を形成してもよい。

本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、配線基板５０を、半導体チップ３０の外周とオーバーラップする領域が半導体チップ３０から遠ざかるように屈曲させることを含んでいてもよい。これにより、図１２に示す、半導体装置７を形成してもよい。本工程では、図１２に示すように、配線基板５０を、矩形２９に囲まれた領域が突出するように屈曲させてもよい。あるいは、半導体チップ３０を搭載するための領域３１の外周に沿って延びる溝状凹部が形成されるように、配線基板５０を屈曲させてもよい。配線基板５０は、ベース基板５２を有する。ベース基板５２には凹部５３が形成されてなる。そして、凹部５３は、矩形２９と領域３１との間に配置されてなる。そのため、配線基板５０（ベース基板５２）は、矩形２９と領域３１との間で屈曲させやすくなっている。このことから、精度よく配線基板５０を屈曲させることができるため、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。

（変形例）
以下、本発明を適用した第３の実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造方法について説明する。図１３及び図１４は、本発明を適用した第３の実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。

本変形例に係る半導体装置の製造方法は、配線基板５４に半導体チップ３０を搭載することを含んでいてもよい。これにより、図１３に示す、半導体装置８を形成してもよい。配線基板５４は、ベース基板５６を含む。ベース基板５６には凹部５７が形成されてなる。凹部５７は、図１３に示すように、半導体チップ３０（半導体チップを搭載するための領域３１）の外側に至るように形成されていてもよい。このとき、凹部５７は、矩形２９よりも内側の領域を避けて形成されていてもよい。ただし、凹部５７は、矩形２９の内側に至るように形成されていてもよく、矩形２９の内側の領域（半導体チップを搭載するための領域３１）の全体とオーバーラップするように形成されていてもよい（図示せず）。なお、凹部５７は、ベース基板５６の半導体チップ３０を搭載する面とは反対側に形成されていてもよい。凹部５７は、ベース基板５２の厚さを薄くすることで形成されていてもよい。つまり、凹部５７は、凹部５７以外の領域の少なくとも一部のベース基板５６の厚さよりも、ベース基板５６の厚さが薄くなっている領域であってもよい。

本変形例に係る半導体層装置の製造方法は、配線基板５４を屈曲させることを含んでいてもよい。配線基板５４を屈曲させて、図１４に示す、半導体装置９を形成してもよい。本工程によって、図１４に示すように、配線基板５４に溝状凹部５８を形成してもよい。あるいは、矩形２９に囲まれた領域が突出するように、配線基板５４を屈曲させてもよい（図示せず）。配線基板５４を利用した場合であっても、精度よく配線基板を屈曲させることができるため、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。

なお、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。

図１（Ａ）及び図１（Ｂ）は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。 図２（Ａ）及び図２（Ｂ）は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。 図３は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。 図４（Ａ）及び図４（Ｂ）は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。 図５（Ａ）及び図５（Ｂ）は、本発明を適用した第１の実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。 図６は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。 図７は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。 図８（Ａ）及び図８（Ｂ）は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。 図９は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。 図１０は、本発明を適用した第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。 図１１は、本発明を適用した第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。 図１２は、本発明を適用した第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。 図１３は、本発明を適用した第３の実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。 図１４は、本発明を適用した第３の実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。

符号の説明

１…半導体装置、 ２…半導体装置、 ３…半導体装置、 ４…半導体装置、 ５…半導体装置、 ６…半導体装置、 ７…半導体装置、 ８…半導体装置、 ９…半導体装置、 １０…配線基板、 １１…配線基板、 １２…ベース基板、 ２０…配線、 ２１…配線、 ２２…電気的接続部、 ２３…電気的接続部、 ２４…リード部、 ２６…延設部、 ２８…薄肉部、 ２９…矩形、 ３０…半導体チップ、 ３１…領域、 ３２…電極、 ３４…集積回路、 ４０…樹脂、 ４２…樹脂部、 ４３…樹脂部、 ４４…樹脂部、 ５０…配線基板、 ５２…ベース基板、 ５３…凹部、 ５４…配線基板、 ５６…ベース基板、 ５７…凹部、 ５８…溝状凹部

Claims (22)

1. ベース基板と前記ベース基板に設けられた配線とを有する配線基板の半導体チップを搭載するための領域に、電極を有する半導体チップ搭載して、前記配線の電気的接続部と前記電極とを対向させて電気的に接続することを含み、
   前記配線は、前記電気的接続部と、前記半導体チップを搭載するための領域の外周から外側に向かって延びるリード部と、前記電気的接続部と前記リード部とをつなぐ延設部とを含み、
   前記延設部は、前記リード部よりも厚みの薄い薄肉部を有する半導体装置の製造方法。
2. 請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
   前記配線基板は複数の前記配線を有し、
   それぞれの前記配線の前記薄肉部は、少なくとも一部が、すべての前記配線の前記電気的接続部を囲む最も小さい矩形よりも外側の領域とオーバーラップするように形成されてなる半導体装置の製造方法。
3. 請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
   前記薄肉部は、前記矩形の外側の領域のみに形成されてなる半導体装置の製造方法。
4. 請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
   前記薄肉部は、前記矩形の内側の領域に至るように形成されてなる半導体層装置の製造方法。
5. 請求項４記載の半導体装置の製造方法において、
   前記薄肉部は、前記電気的接続部に至るように形成されてなる半導体装置の製造方法。
6. 請求項１から請求項５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
   前記薄肉部は、前記電気的接続部よりも厚みが薄い半導体装置の製造方法。
7. 請求項１から請求項５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
   前記薄肉部は、前記電気的接続部と同じ厚みをなす半導体装置の製造方法。
8. 請求項２から請求項７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
   前記ベース基板には、少なくとも一部が、前記半導体チップを搭載するための領域の内側であって、前記矩形よりも外側の領域とオーバーラップするように配置された凹部が形成されてなる半導体装置の製造方法。
9. 請求項２から請求項８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
   前記配線基板を屈曲させて、前記矩形に囲まれた領域を、前記半導体チップが搭載される面側に突出させることをさらに含む半導体装置の製造方法。
10. 請求項１から請求項８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
    前記配線基板を屈曲させて、前記配線基板の前記半導体チップが搭載される面に、前記半導体チップを搭載するための領域の外周に沿って延びる溝状凹部を形成することをさらに含む半導体装置の製造方法。
11. 請求項９又は請求項１０記載の半導体装置の製造方法において、
    前記配線基板に前記半導体チップを搭載してから、前記配線基板を屈曲させる半導体装置の製造方法。
12. 請求項９又は請求項１０記載の半導体装置の製造方法において、
    前記配線基板を屈曲させてから、前記配線基板に前記半導体チップを搭載する半導体装置の製造方法。
13. 請求項９から請求項１２のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
    前記配線基板を屈曲させる工程の後に、前記配線基板と前記半導体チップとの間に設けられた樹脂を硬化させることをさらに含む半導体装置の製造方法。
14. 請求項１から請求項１３のいずれかに記載の方法によって製造された半導体装置。
15. 配線を有する配線基板と、
    電極を有し、前記電極が前記配線の電気的接続部と対向するように前記配線基板に搭載された半導体チップと、
    を含み、
    前記配線は、前記電気的接続部と、前記半導体チップとオーバーラップする領域の外周から外側に向かって延びるリード部と、前記電気的接続部と前記リード部とをつなぐ延設部とを含み、
    前記延設部は、前記リード部よりも厚みの薄い薄肉部を有する半導体装置。
16. 請求項１５記載の半導体装置において、
    前記配線基板は複数の前記配線を有し、
    それぞれの前記配線の前記薄肉部は、少なくとも一部が、すべての前記配線の前記電気的接続部を囲む最も小さい矩形よりも外側の領域とオーバーラップするように形成されてなる半導体装置。
17. 請求項１６記載の半導体装置において、
    前記薄肉部は、前記矩形の外側の領域のみに形成されてなる半導体装置。
18. 請求項１６記載の半導体装置において、
    前記薄肉部は、前記矩形の内側の領域に至るように形成されてなる半導体層装置。
19. 請求項１８記載の半導体装置において、
    前記薄肉部は、前記電気的接続部に至るように形成されてなる半導体装置。
20. 請求項１５から請求項１９のいずれかに記載の半導体装置において、
    前記薄肉部は、前記電気的接続部よりも厚みが薄い半導体装置。
21. 請求項１５から請求項１９のいずれかに記載の半導体装置において、
    前記薄肉部は、前記電気的接続部と同じ厚みをなす半導体装置。
22. 請求項１６から請求項２１のいずれかに記載の半導体装置において、
    前記ベース基板には、少なくとも一部が、前記半導体チップとオーバーラップする領域の内側であって、前記矩形よりも外側の領域とオーバーラップするように配置された凹部が形成されてなる半導体装置。

Images