JP2006278067A

JP2006278067A - 有機電界発光素子の製造方法、及び有機電界発光素子

Info

Publication number: JP2006278067A
Application number: JP2005093229A
Authority: JP
Inventors: Kenjiro Nakamura; 謙次郎中村
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 2005-03-28
Filing date: 2005-03-28
Publication date: 2006-10-12

Abstract

【課題】長期間の駆動に伴う発光輝度の減衰が小さく、耐久性に優れた有機電界発光素子、及び該製造方法により得られた有機電界発光素子を提供する。
【解決手段】一対の電極間に、少なくとも発光層を含む有機化合物層を有し、該有機化合物層が蒸着法で成膜される有機化合物層を有する有機電界発光素子において、前記有機化合物層に含まれる層のうち、電荷注入層、電荷輸送層、及び発光層の少なくとも一層において、ポリシロキサンの含有量を一層当たり５質量％未満に減少させるためのクリーニング工程と、蒸着工程と、を含むことを特徴とする有機電界発光素子の製造方法、及び該製造方法により得られた有機電界発光素子。
【選択図】なし

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子と称することがある）に関する。

有機ＥＬ素子においては、当該素子の構成材料として用いる各種有機化合物の純度が、発光効率や、発光輝度劣化に強く影響を及ぼすことが知られている。
例えば、下記非特許文献１及び非特許文献２には、有機ＥＬ素子の構成材料として用いる各種有機化合物の純度が、発光効率や、発光輝度の減衰に強く影響を及ぼす旨の記載がある。
さらに、有機ＥＬ素子における実用上の課題としては、長期間の駆動に伴う有機ＥＬ素子の発光輝度の減衰を抑制し、実用的に耐え得るものとする技術を確立することが挙げられる。
しかしながら、有機ＥＬ素子に用いられる各種有機化合物の構造・性質等が、有機ＥＬ素子の性能に与える影響の詳細については、未だ明らかではなく、これらを定量的に解明する方法は確立するには至っていない。実際、発光輝度劣化は、成膜条件により大きく左右されており、また、輝度劣化の変動それ自体が極めて大きく、何がその主原因かはもとより副次的な原因も不明瞭なことが多い。
上記の状況のもと、軽量・薄型で低電圧駆動のディスプレイに適用が可能であって、しかも長期間の駆動に伴う発光輝度劣化が小さく、駆動耐久性にも優れた有機ＥＬ素子、及び、このような有機ＥＬ素子が得られる製造方法については、未だ提供されていないのが現状である。
月刊ディスプレイ、９月号、１５頁（１９９５年）応用物理、第６６巻、第２号、１１４〜１１５頁（１９９７年）

本発明は、長期間の駆動に伴う発光輝度の減衰が小さく、耐久性に優れた有機電界発光素子の製造方法、及び該製造方法により得られた有機電界発光素子を提供することを目的とする。

本発明者は、前記課題を解決するために種々検討を重ねた結果、蒸着法により成膜される有機化合物層（電荷注入層、電荷輸送層、及び有機発光層の少なくとも一層）において、層中に含有されるポリシロキサンの含有量を減少させることにより、前記目的を達成しうることを見出し、本発明を完成するに至った。
即ち、本発明は下記の手段により達成されるものである。

＜１＞一対の電極間に、少なくとも発光層を含む有機化合物層を有し、該有機化合物層が蒸着法で成膜される有機化合物層を有する有機電界発光素子において、前記有機化合物層に含まれる層のうち、電荷注入層、電荷輸送層、及び発光層の少なくとも一層において、ポリシロキサンの含有量を一層当たり５質量％未満に減少させるためのクリーニング工程を含むことを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
＜２＞前記ポリシロキサンの含有量が３質量％未満であることを特徴とする上記＜１＞に記載の有機電界発光素子の製造方法。
＜３＞前記ポリシロキサンがオルガノポリシロキサンであることを特徴とする上記＜１＞又は＜２＞に記載の有機電界発光素子の製造方法。

＜４＞前記発光層に少なくとも１種の燐光発光材料を含むことを特徴とする上記＜１＞〜＜３＞のいずれか１項に記載の有機電界発光素子の製造方法。
＜５＞前記発光層の燐光発光材料のピーク発光波長が、５５０ｎｍ以下であることを特徴とする上記＜１＞〜＜４＞のいずれか１項に記載の有機電界発光素子の製造方法。

＜６＞一対の電極間に、少なくとも発光層を含む有機化合物層を有し、該有機化合物層が蒸着法で成膜される有機化合物層を有する有機電界発光素子において、前記有機化合物層に含まれる層のうち、電荷注入層、電荷輸送層、及び発光層の少なくとも一層において、ポリシロキサンの含有量が一層当たり５質量％未満であることを特徴とする有機電界発光素子。
＜７＞前記ポリシロキサンの含有量が３質量％未満であることを特徴とする上記＜６＞に記載の有機電界発光素子。
＜８＞前記ポリシロキサンがオルガノポリシロキサンであることを特徴とする上記＜６＞又は＜７＞に記載の有機電界発光素子。

＜９＞前記発光層に少なくとも１種の燐光発光材料を含むことを特徴とする上記＜６＞〜＜８＞のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。
＜１０＞前記発光層の燐光発光材料のピーク発光波長が、５５０ｎｍ以下であることを特徴とする上記＜６＞〜＜９＞のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。

本発明によれば、長期間の駆動に伴う発光輝度の減衰が小さく、耐久性に優れた有機電界発光素子の製造方法、及び該製造方法により得られた有機電界発光素子を提供することができる。

本発明の有機電界発光素子の製造方法は、一対の電極間に、少なくとも発光層を含む有機化合物層を有し、該有機化合物層が蒸着法で成膜される有機化合物層を有する有機電界発光素子において、前記有機化合物層に含まれる層のうち、電荷注入層、電荷輸送層、及び発光層の少なくとも一層において、ポリシロキサンの含有量を一層当たり５質量％未満に減少させるためのクリーニング工程と、蒸着工程と、を含むことを特徴とする（以下、単に「本発明の製造方法」ともいう。）。
尚、以下の説明においては、本発明の製造方法におけるクリーニング工程を単に「クリーニング工程」ともいう。

本発明の製造方法は、有機化合物層を蒸着法により成膜するものであり、少なくとも、クリーニング工程と、蒸着工程と、を含む。

ここで、蒸着法とは、一般的には、通常、高真空下（１０^-2Ｐａ以下）において物質を加熱蒸発させ、気体状となった物質をターゲット（基板）上に付着成膜する真空蒸着法のことを意味するが、本明細書でいう蒸着法は、さらに広い意味で、蒸着技術の総てを含むものとする。例えば、ターゲット表面上での化学反応により膜を形成するＣＶＤ法等も、本発明における蒸着法に包含される。
蒸着法の詳細については、オーム社刊、「新版・真空ハンドブック」（株式会社アルバック編）の第８章に記載されている。

本発明の製造方法は、上記のごとき蒸着法により有機化合物層を成膜する際に、当該有機化合物層に含まれる層のうち、電荷注入層、電荷輸送層、有機発光層の少なくとも一層中に、不純物として混入しうる、ポリシロキサンの存在に着目したものであり、該ポリシロキサンを減少させるためのクリーニング工程を含むことにより、長期間の駆動に伴う発光輝度の減衰が小さく、耐久性に優れた有機ＥＬ素子を製造することができる。

−クリーニング工程−
本発明におけるクリーニング工程は、蒸着工程が行われるチャンバー内をクリーニングする工程であり、蒸着工程に先立って行われる。蒸着工程については後に詳述する。

本工程におけるクリーニングの態様としては、酸素を利用した、オゾンプラズマ放電によるクリーニングが挙げられる。プラズマ放電によりオゾンを発生させることで、発生したオゾンの強い酸化力により、前記ポリシロキサンを分解して除去することができる。

ここで、プラズマ放電によるクリーニングでは、クリーニング用のガス（酸素、４フッ化シリコン等）を真空容器に導入し、真空容器内に設けた電極に高周波電力、あるいは直流電力をかけてプラズマを発生させ、プラズマのエネルギーで化学反応をさせてガスを分解し、主としてその分解したラジカルの化学活性種の反応性により真空反応容器の壁についた付着物をエッチングすることで除去する。一例をあげれば、Ａｒ１０００ｍｌ／ｍｉｎ、Ｏ₂ １０００ｍｌ／ｍｉｎ、真空度３００Ｐａ、温度２５℃、高周波電力３００Ｗにておこなった。

クリーニング工程において、除去（減少）対象となるポリシロキサンは、様々な形態で混入してくる。
例えば、作業者の化粧（化粧品、髪用スプレー等）、クリーンルームの壁の塗料、床のワックス、天井の塗料、クリーンルーム内にある機器等に用いられるシリコーンオイル、坩堝交換時に坩堝、及びチャンバー壁等に付着するクリーンルーム用手袋から発生する塵、等の様々な形態でチャンバー内に混入すると推測される。

前記ポリシロキサンは、Ｄ₂ＳｉＯを構成の基本単位とするシリコンと酸素を主成分とする有機又は無機化合物群である。Ｄはアルキル基（オルガノポリシロキサン）、通常はメチル基を表す。ポリシロキサンは分子量の非常に高いものから低いものまで各種存在し、固体・粘弾性体・液体などの様々な形態をとりうるものである。分子量の低い揮発性メチルシロキサンや分子量の大きなポリジメチルシロキサンなどがある。その具体例としては、ヘキサメチルジシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサン等がある。特に、意図せず混入しやすいものとしては分子量が１万以下のものが挙げられるが、本発明において、特に限定されるものではない。

前記クリーニング工程を行うことにより、ポリシロキサンの他、チャンバー壁内に付着した原料の有機物、チャンバー壁から出てくる金属ナトリウム等の不純物についても分解、除去することができる。

クリーニング工程は、被蒸着対象物である基板をチャンバー内に搬入する前に行う。具体的には、チャンバー内に酸素ガスを充填した後、プラズマ放電を行い、これにより発生したオゾンによりチャンバー内のクリーニングを行う。

クリーニングは、ある飽和回数に達するまでは回数が多いほど顕著な効果を発揮する。

本発明においては、有機化合物層に含まれる層のうち、電荷注入層、電荷輸送層、及び発光層の少なくとも一層において、前記ポリシロキサンの含有量を、一層当たり５質量％未満に減少させることが必要であり、３質量％未満がより好ましい。

本発明においては、電荷注入層、電荷輸送層、及び有機発光層のいずれか１層におけるポリシロキサンの含有量が、１層当たり５質量％未満であれば、本発明の効果を発揮することができるが、これら全ての層におけるポリシロキサンの含有量が５質量％未満であることがより好ましく、３質量％未満が更に好ましい。

また、本発明の製造方法により得られる有機ＥＬ素子（本発明の有機ＥＬ素子）は、有機化合物層中に有機発光層を含むことを必須とするが、電荷注入層、及び電荷輸送層については設けないこともできる。

有機化合物層中に含有されるポリシロキサンの含有量の測定方法としては、ＦＤ−ＭＳ、ＴＯＦ−ＳＩＭＳ、ＧＣ−ＭＳ、高速液体クロマトグラフィー、等の手法が挙げられるが、本明細書においては、高速液体クロマトグラフィー法を採用した。

以下に、高速液体クロマトグラフィー法を適用したポリシロキサンの測定を説明する。
＜試料の作製＞
試料は、例えば、抵抗加熱により有機化合物層を蒸着する際に、マスクに複数設けられているパターンのうちのひとつに、試料作製用のガラス基板を置き、そのガラス面に蒸着した有機化合物層（有機材料）を、素子のようには封止せずに、そのまま取り出して清浄な容器に保存することにより得ることができる。
＜定量試験＞
次に、ガラス基板に付着している有機材料をスパチュラで掻き落し、その粉体状の試料を得、溶媒で抽出した。この試料を高速液体クロマトグラフィー法により、定量測定する。
また、測定にあたっては予めポリシロキサンの分子量をＦＤ−ＭＳ、ＴＯＦ−ＳＩＭＳで測定したところ、２００〜３０００であることから、この範囲の分子量のものを高速液体クロマトグラフィーの測定対象とする。
以上のクリーニング工程を行った後、蒸着工程が行われる。

−蒸着工程−
本発明における蒸着工程とは、既述のごとく、蒸着法において、加熱等により収納容器中の蒸着材料を蒸発させて、基板等の被蒸着対象物上に、有機化合物層等の有機ＥＬ素子を構成する層を成膜する工程を言う。
加熱等とは、蒸着材料（有機材料、等）を蒸発させる方法であれば特に限定されるものではなく、加熱する方法、及び加熱以外の方法等が挙げられるが、中でも、簡便性の点で加熱する方法が好ましい。

蒸着材料を蒸発させる加熱方法としては、抵抗加熱法、高周波加熱法、電子ビーム加熱法、レーザー加熱法などがあるが、簡便性の点で、抵抗加熱法が好ましい。これらの加熱方法は、収納容器を加熱する間接加熱であっても、また、蒸着材料の直接加熱のいずれの方法であってもよいが、材料全体に均一に熱が加えられ、材料の温度分布の均一性の点で、収納容器を加熱した間接加熱であることが好ましい。

また、加熱以外の方法で材料を蒸発させる方法としては、スパッタリング法、イオンプレーティング法、分子線エピタキシ法などがあり、目的により使い分けることができる。

加熱温度としては、用いられる蒸着材料にも因るが、一般的に、１００℃〜１０００℃であり、中でも、１００℃〜５００℃が好ましい。

２種以上の物質の混合物で膜形成する場合には、１つの収納容器に複数の物質の混合物を入れて蒸発させてもよいが、この方法では蒸発気体中の物質組成を一定に保つのが難しいため、別々の蒸発源から同時に分子を飛ばす方法が一般的である。本発明においても後者が好ましい。

蒸着法で成膜した有機化合物層は、スピンコート法やインクジェット法に代表される湿式成膜法を適用した場合に比べて、溶媒やバインダ等に由来する不純物や酸素、水分を含まないため発光輝度や駆動耐久性の点で優れ、また既設の下層を溶媒により溶解する心配もなく、所望の膜厚の均一な発光層薄膜を容易に得ることができる。

さらに、蒸着時にマスキングを施すことにより、画素毎に異なる発光材料、ホスト材料を用いて異なる発光特性を持たせることができ、精細高画質のフルカラーディスプレイを作製するのに適している。

以下、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法における蒸着工程の一例を、具体的に示すが、本発明はこれに限定されるものではない。
真空蒸着機の金属製のチャンバーを、ロータリーポンプにより真空状態とし、１０^-4（Ｐａ）程度に真空を減少させ、内部の酸素、水分を除去する。しかる後に、内部の一部（下部に多い）に、複数個の坩堝とそれぞれの加熱装置（抵抗加熱型）により坩堝を加熱して坩堝中に入れておいた有機材料を蒸発させ、（上部に多い）基板ホルダーに取り付けられた、基板に有機材料を蒸着させる。坩堝と加熱装置とを順番に変えていき、有機化合部層に対応した有機材料での蒸着を繰り返す。最終的に、全有機化合物層を蒸着した後に、別の真空チャンバーに有機化合物層を成膜した基板を輸送し、金属材料を坩堝に入れ、坩堝を加熱し金属を蒸着させる。これを、再び真空チャンバーから輸送し、窒素の充満した別室に金属を蒸着した基板を輸送し、酸素、水分が入らないように基板周囲に熱可塑性樹脂を塗り、温度を上げて金属封止缶で封止する。

［有機電界発光素子］
以下、本発明の有機電界発光素子（有機ＥＬ素子）について詳細に説明する。
本発明の有機ＥＬ素子は、一対の電極間に、少なくとも発光層を含む有機化合物層を有し、該有機化合物層が蒸着法で成膜される有機化合物層を有する有機電界発光素子において、前記有機化合物層に含まれる層のうち、電荷注入層、電荷輸送層、及び発光層の少なくとも一層において、ポリシロキサンの含有量が一層当たり５質量％未満であることを特徴とする有機電界発光素子。
本発明の有機ＥＬ素子は、上記した本発明の製造方法により得ることができる。以下、本発明の有機ＥＬ素子の詳細について説明する。

有機化合物層としては、発光層の他、電荷輸送層（正孔輸送層、電子輸送層）、電荷ブロック層（正孔ブロック層、電子ブロック層）、電荷注入層（正孔注入層、電子注入層）、等の各層が挙げられる。
本発明においては、これらの有機化合物層に含まれる層のうち、電荷注入層、電荷輸送層、及び有機発光層の少なくとも一層において、ポリシロキサンの含有量が、一層当たり５質量％未満であることを特徴とする。
ポリシロキサン及びその含有量についての詳細は、前述した本発明の有機ＥＬ素子の製造方法にて説明した通りである。

有機化合物層の積層の態様としては、陽極側から、正孔輸送層、発光層、電子輸送層の順に積層されている態様が好ましい。更に、正孔輸送層と発光層との間、又は、発光層と電子輸送層との間には、電荷ブロック層等を有していてもよい。陽極と正孔輸送層との間に、正孔注入層を有してもよく、陰極と電子輸送層との間には、電子注入層を有してもよい。尚、各層は複数の二次層に分かれていてもよい。
次に、本発明の有機ＥＬ素子を構成する要素について、詳細に説明する。

＜基板＞
本発明で使用する基板としては、有機化合物層から発せられる光を散乱又は減衰させない基板であることが好ましい。その具体例としては、ジルコニア安定化イットリウム（ＹＳＺ）、ガラス等の無機材料、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）等の有機材料が挙げられる。
例えば、基板としてガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合には、シリカなどのバリアコートを施したものを使用することが好ましい。有機材料の場合には、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、及び加工性に優れていることが好ましい。

基板の形状、構造、大きさ等については、特に制限はなく、発光素子の用途、目的等に応じて適宜選択することができる。一般的には、基板の形状としては、板状であることが好ましい。基板の構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、また、単一部材で形成されていてもよいし、２以上の部材で形成されていてもよい。

基板は、無色透明であっても、有色透明であってもよいが、発光層から発せられる光を散乱又は減衰等させることがない点で、無色透明であることが好ましい。

基板には、その表面又は裏面に透湿防止層（ガスバリア層）を設けることができる。
透湿防止層（ガスバリア層）の材料としては、窒化珪素、酸化珪素などの無機物が好適に用いられる。透湿防止層（ガスバリア層）は、例えば、高周波スパッタリング法などにより形成することができる。
熱可塑性基板を用いる場合には、更に必要に応じて、ハードコート層、アンダーコート層などを設けてもよい。

＜陽極＞
陽極は、通常、有機化合物層に正孔を供給する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。前述のごとく、陽極は、通常透明陽極として設けられる。

陽極の材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、導電性化合物、又はこれらの混合物が好適に挙げられる。陽極材料の具体例としては、アンチモンやフッ素等をドープした酸化錫（ＡＴＯ、ＦＴＯ）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の導電性金属酸化物、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、及びこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられる。この中で好ましいのは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からはＩＴＯが好ましい。

陽極は、例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式などの中から、陽極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って、前記基板上に形成することができる。例えば、陽極の材料として、ＩＴＯを選択する場合には、陽極の形成は、直流又は高周波スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等に従って行うことができる。

陽極の形成位置としては特に制限はなく、有機ＥＬ素子の用途、目的に応じて適宜選択することができる。が、前記基板上に形成されるのが好ましい。この場合、陽極は、基板における一方の表面の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。

なお、陽極を形成する際のパターニングとしては、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、また、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。

陽極の厚みとしては、陽極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常、１０ｎｍ〜５０μｍ程度であり、５０ｎｍ〜２０μｍが好ましい。

陽極の抵抗値としては、１０³Ω／□以下が好ましく、１０²Ω／□以下がより好ましい。陽極が透明である場合は、無色透明であっても、有色透明であってもよい。透明陽極側から発光を取り出すためには、その透過率としては、６０％以上が好ましく、７０％以上がより好ましい。

なお、透明陽極については、沢田豊監修「透明電極膜の新展開」シーエムシー刊（１９９９）に詳述があり、ここに記載される事項を本発明に適用することができる。耐熱性の低いプラスティック基材を用いる場合は、ＩＴＯ又はＩＺＯを使用し、１５０℃以下の低温で成膜した透明陽極が好ましい。

＜陰極＞
陰極は、通常、有機化合物層に電子を注入する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。

陰極を構成する材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの混合物などが挙げられる。具体例としては、アルカリ金属（例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ等）、アルカリ土類金属（たとえばＭｇ、Ｃａ等）、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−銀合金、インジウム、イッテルビウム等の希土類金属、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいが、安定性と電子注入性とを両立させる観点からは、２種以上を好適に併用することができる。

これらの中でも、陰極を構成する材料としては、電子注入性の点で、アルカリ金属やアルカリ土類金属が好ましく、保存安定性に優れる点で、アルミニウムを主体とする材料が好ましい。
アルミニウムを主体とする材料とは、アルミニウム単独、アルミニウムと０．０１〜１０質量％のアルカリ金属又はアルカリ土類金属との合金若しくはこれらの混合物（例えば、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金など）をいう。

なお、陰極の材料については、特開平２−１５５９５号公報、特開平５−１２１１７２号公報に詳述されており、これらの広報に記載の材料は、本発明においても適用することができる。

陰極の形成方法については、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができる。例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式などの中から、前記した陰極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って形成することができる。例えば、陰極の材料として、金属等を選択する場合には、その１種又は２種以上を同時又は順次にスパッタ法等に従って行うことができる。

陰極を形成するに際してのパターニングは、フォトリソグラフィーなどによる化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザーなどによる物理的エッチングによって行ってもよく、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタ等をして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。

陰極形成位置は特に制限はなく、有機化合物層上の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。
また、陰極と有機化合物層との間に、アルカリ金属又はアルカリ土類金属のフッ化物、酸化物等による誘電体層を０．１〜５ｎｍの厚みで挿入してもよい。この誘電体層は、一種の電子注入層と見ることもできる。誘電体層は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等により形成することができる。

陰極の厚みは、陰極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常１０ｎｍ〜５μｍ程度であり、５０ｎｍ〜１μｍが好ましい。
また、陰極は、透明であってもよいし、不透明であってもよい。なお、透明な陰極は、陰極の材料を１〜１０ｎｍの厚さに薄く成膜し、更にＩＴＯやＩＺＯ等の透明な導電性材料を積層することにより形成することができる。

＜有機化合物層＞
本発明における有機化合物層について説明する。
本発明の有機ＥＬ素子は、発光層を含む少なくとも一層の有機化合物層を有しており、有機発光層以外の他の有機化合物層としては、前述したごとく、正孔輸送層、電子輸送層、電荷ブロック層（正孔ブロック層、電子ブロック層）、電荷注入層（正孔注入層、電子注入層）、等の各層が挙げられる。

−有機化合物層の形成−
本発明の有機ＥＬ素子において、有機化合物層を構成する各層は、蒸着法によりに形成される。

−発光層−
発光層は、電界印加時に、陽極、正孔注入層、又は正孔輸送層から正孔を受け取り、陰極、電子注入層、又は電子輸送層から電子を受け取り、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層である。

発光層は、発光材料のみで構成されていてもよく、ホスト材料と発光材料の混合層とした構成でもよい。発光材料は、蛍光発光材料でも燐光発光材料であってもよく、１種であっても２種以上であってもよい。本発明における発光材料としては、燐光発光材料であることが好ましい。ホスト材料は電荷輸送材料であることが好ましい。
ホスト材料は１種であっても２種以上であってもよい。２種以上のホスト材料を用いる態様として、例えば、電子輸送性のホスト材料とホール輸送性のホスト材料とを混合した態様が挙げられる。さらに、発光層中に電荷輸送性を有さず、発光しない材料を含んでいてもよい。
また、発光層は１層であっても２層以上であってもよく、それぞれの層が異なる発光色で発光してもよい。

本発明に使用できる蛍光発光材料の例としては、例えば、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、スチリルベンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジフェニルブタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ナフタルイミド誘導体、クマリン誘導体、縮合芳香族化合物、ペリノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサジン誘導体、アルダジン誘導体、ピラリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体、キナクリドン誘導体、ピロロピリジン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、スチリルアミン誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、芳香族ジメチリディン化合物、８−キノリノール誘導体の金属錯体やピロメテン誘導体の金属錯体に代表される各種金属錯体等、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン誘導体などの化合物等が挙げられる。

発光層中に、発光材料として、蛍光発光材料を含む場合は、蛍光発光材料のみで発光層を形成することも好適に用いることができるし、また、ホスト材料中に蛍光発光材料を混合して発光層を形成することも好適に用いることができる。ホスト材料と蛍光発光材料の混合層の場合の蛍光発光材料の濃度は、発光層１層当たり、０．１〜９９．９質量％含有されることが好ましく、１〜９９質量％含有されることがより好ましく、１０〜９０質量％含有されることが更に好ましい。

発光層に含まれる燐光発光材料としては、そのピーク発光波長が、５５０ｎｍ以下のものが好ましく、５００ｎｍ以下のものがより好ましい。
該ピーク発光波長は、分光光度計（Ｕ−３３１０、（株）日立製作所製）により測定した値を採用する。

本発明に好ましく使用できる燐光発光材料は、例えば、遷移金属原子又はランタノイド原子を含む錯体が挙げられる。
遷移金属原子としては、特に限定されないが、好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、及び白金が挙げられ、より好ましくは、レニウム、イリジウム、及び白金である。
ランタノイド原子としては、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテシウムが挙げられる。これらのランタノイド原子の中でも、ネオジム、ユーロピウム、及びガドリニウムが好ましい。

錯体の配位子としては、例えば、Ｇ．Ｗｉｌｋｉｎｓｏｎ等著，ＣｏｍｐｒｅｈｅｎｓｉｖｅＣｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎＣｈｅｍｉｓｔｒｙ，ＰｅｒｇａｍｏｎＰｒｅｓｓ社１９８７年発行、Ｈ．Ｙｅｒｓｉｎ著，「ＰｈｏｔｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙａｎｄＰｈｏｔｏｐｈｙｓｉｃｓｏｆＣｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎＣｏｍｐｏｕｎｄｓ」Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ社１９８７年発行、山本明夫著「有機金属化学−基礎と応用−」裳華房社１９８２年発行等に記載の配位子などが挙げられる。
具体的な配位子としては、好ましくは、ハロゲン配位子（好ましくは塩素配位子）、含窒素ヘテロ環配位子（例えば、フェニルピリジン、ベンゾキノリン、キノリノール、ビピリジル、フェナントロリンなど）、ジケトン配位子（例えば、アセチルアセトンなど）、カルボン酸配位子（例えば、酢酸配位子など）、一酸化炭素配位子、イソニトリル配位子、シアノ配位子であり、より好ましくは、含窒素ヘテロ環配位子である。上記錯体は、化合物中に遷移金属原子を一つ有してもよいし、また、２つ以上有するいわゆる複核錯体であってもよい。異種の金属原子を同時に含有していてもよい。

燐光発光材料は、発光層中に、０．１〜４０質量％含有されることが好ましく、０．５〜２０質量％含有されることがより好ましい。

また、本発明における発光層に含有されるホスト材料としては、例えば、カルバゾール骨格を有するもの、ジアリールアミン骨格を有するもの、ピリジン骨格を有するもの、ピラジン骨格を有するもの、トリアジン骨格を有するもの及びアリールシラン骨格を有するものや、後述の正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層の項で例示されている材料が挙げられる。

発光層の厚さは、特に限定されるものではないが、通常、１ｎｍ〜５００ｎｍであることが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであることがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであることが更に好ましい。

−正孔注入層、正孔輸送層−
正孔注入層、正孔輸送層は、陽極又は陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。正孔注入層、正孔輸送層は、具体的には、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、有機シラン誘導体、カーボン、等を含有する層であることが好ましい。
正孔注入層、正孔輸送層の厚さは、駆動電圧を下げるという観点から、各々５００ｎｍ以下であることが好ましい。
正孔輸送層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであることが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであることがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであることが更に好ましい。また、正孔注入層の厚さとしては、０．１ｎｍ〜２００ｎｍであることが好ましく、０．５ｎｍ〜１００ｎｍであることがより好ましく、１ｎｍ〜１００ｎｍであることが更に好ましい。
正孔注入層、正孔輸送層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。

−電子注入層、電子輸送層−
電子注入層、電子輸送層は、陰極又は陰極側から電子を受け取り陽極側に輸送する機能を有する層である。電子注入層、電子輸送層は、具体的には、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン誘導体、等を含有する層であることが好ましい。

電子注入層、電子輸送層の厚さは、駆動電圧を下げるという観点から、各々５０ｎｍ以下であることが好ましい。
電子輸送層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであることが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであることがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであることが更に好ましい。また、電子注入層の厚さとしては、０．１ｎｍ〜２００ｎｍであることが好ましく、０．２ｎｍ〜１００ｎｍであることがより好ましく、０．５ｎｍ〜５０ｎｍであることが更に好ましい。
電子注入層、電子輸送層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。

−正孔ブロック層−
正孔ブロック層は、陽極側から発光層に輸送された正孔が、陰極側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。本発明において、発光層と陰極側で隣接する有機化合物層として、正孔ブロック層を設けることができる。
正孔ブロック層を構成する有機化合物の例としては、ＢＡｌｑ等のアルミニウム錯体、トリアゾール誘導体、ＢＣＰ等のフェナントロリン誘導体、等が挙げられる。
正孔ブロック層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであることが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであることがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであることが更に好ましい。
正孔ブロック層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。

＜保護層＞
本発明において、有機ＥＬ素子全体は、保護層によって保護されていてもよい。
保護層に含まれる材料としては、水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであればよい。
その具体例としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＧｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＴｉＯ２等の金属酸化物、ＳｉＮｘ、ＳｉＮｘＯｙ等の金属窒化物、ＭｇＦ２、ＬｉＦ、ＡｌＦ３、ＣａＦ２等の金属フッ化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも１種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質等が挙げられる。

保護層の形成方法については、特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシ）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーティング法）、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法、コーティング法、印刷法、転写法を適用できる。

＜封止＞
さらに、本発明の有機ＥＬ素子は、封止容器を用いて素子全体を封止してもよい。
また、封止容器と発光素子の間の空間に水分吸収剤又は不活性液体を封入してもよい。水分吸収剤としては、特に限定されることはないが、例えば、酸化バリウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、五酸化燐、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、塩化銅、フッ化セシウム、フッ化ニオブ、臭化カルシウム、臭化バナジウム、モレキュラーシーブ、ゼオライト、酸化マグネシウム等を挙げることができる。不活性液体としては、特に限定されることはないが、例えば、パラフィン類、流動パラフィン類、パーフルオロアルカンやパーフルオロアミン、パーフルオロエーテル等のフッ素系溶剤、塩素系溶剤、シリコーンオイル類が挙げられる。

本発明の有機ＥＬ発光素子は、陽極と陰極との間に直流（必要に応じて交流成分を含んでもよい）電圧（通常２ボルト〜１５ボルト）、又は直流電流を印加することにより、発光を得ることができる。
本発明の有機電界発光素子の駆動方法については、特開平２−１４８６８７号、同６−３０１３５５号、同５−２９０８０号、同７−１３４５５８号、同８−２３４６８５号、同８−２４１０４７号の各公報、特許第２７８４６１５号、米国特許５８２８４２９号、同６０２３３０８号の各明細書、等に記載の駆動方法を適用することができる。

以下に、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれにより限定されるものではない。

［実施例１］
実施例１の有機ＥＬ素子として以下の素子を作製し、素子の作製に際して、前記したプラズマ放電によるクリーニング工程（チャンバークリーニング）を単数回行った場合と、複数回、重複して行った場合とにおける「不純物量（ポリシロキサン）」と「輝度半減時間」について評価を行った。

＜有機ＥＬ素子の作製＞
２５ｍｍ×２５ｍｍ×０．７ｍｍのサイズの白板ガラス基板上にＩＴＯ電極を１００ｎｍの厚さで作製したものを透明電極基板とした。
この基板をイソプロピルアルコールにて３０分間超音波洗浄した後、超純水で３０分間超音波洗浄し、さらにイソプロピルアルコールで３０分間超音波洗浄した。この透明電極基板を市販の蒸着装置（トッキ製）の基板ホルダに固定し、坩堝にＣｕＰＣを５０ｍｇ入れ、また別の坩堝にＮＰＤを５０ｍｇ、また、別の坩堝にＣＢＰとＩｒ（ｐｐｙ）₃（ピーク発光波長：５１６ｎｍ）の混合物を４０ｍｇと２ｍｇ、それぞれ入れ、別の坩堝にＢａｌｑ₂を８０ｍｇ、また、別の坩堝にＡｌｑを８０ｍｇ入れて真空層を１×１０^-4Ｐａまで減圧した。
その後、ＣｕＰＣ入りの前記ボートを３００〜３１５℃まで加熱し、蒸着速度０．３〜０．６ｎｍ／秒で透明電極基板上に蒸着して、膜厚１０ｎｍの正孔注入層を製膜した。この時の基板温度は室温であった。これを真空層より取り出すことなく、正孔注入層の上に、もう一つの坩堝よりＮＰＤを３００℃〜３２０℃まで加熱し、蒸着速度０．３〜０．６ｎｍ／秒で膜厚３０ｎｍの正孔輸送層を蒸着した。

その上に坩堝を２９０℃〜３１０℃まで加熱し、発光層としてＣＢＰとＩｒ（ｐｐｙ）₃の混合膜を蒸着速度０．３〜０．６ｎｍ／秒で蒸着した。
また、その上に、坩堝を加熱してＢａｌｑ₂を正孔ブロッキング層として３００℃〜３２０℃まで加熱し、蒸着速度０．３〜０．６ｎｍ／秒で膜厚１０ｎｍ蒸着した。
また、その上にＡｌｑを電子輸送層として、坩堝を３００℃〜３２０℃まで加熱し、蒸着速度０．３〜０．６ｎｍ／秒で膜厚４０ｎｍ蒸着した。以上は真空中で膜を取り出すことなく蒸着した。基板温度は室温であった。
次にモリブデン製の抵抗加熱ボートにＬｉＦリボン１．１ｇを入れ、また別のモリブデン製の抵抗加熱ボートにＡｌ、１．３ｇを装着した。その後、真空層を２×１０^-4Ｐａまで減圧してからＬｉＦのボートを５００℃まで加熱して、ＬｉＦを蒸着速度０．１〜０．２ｎｍ／秒で蒸着させ、その後、抵抗加熱法により、もう一方のボートからＡｌの入ったボートを８００℃まで加熱して、Ａｌを蒸着速度１．２〜１．７ｎｍ／秒で蒸着した。以上の条件で、ＬｉＦとＡｌの金属電極を電子輸送層上にそれぞれ１ｎｍ、４００ｎｍずつ積層蒸着させ対向電極とした。
得られた有機ＥＬ素子のＩＴＯ電極を陽極、Ａｌ電極を陰極として電流密度１０ｍＡ／ｃｍ²で発光させたところ、Ｉｒ（ｐｐｙ）₃に起因する約２０００ｃｄ／ｍ²の輝度の均一な緑色発光を観察した。

＜ポリシロキサンの含有量の測定＞
ポリシロキサンの含有量の測定方法としては、高速液体クロマトグラフィー法を採用した。
＜試料の作製＞
試料は、抵抗加熱により有機化合物層を蒸着する際に、マスクに複数設けられているパターンのうちのひとつに、試料作製用のガラス基板を置き、そのガラス面に蒸着した有機化合物層（有機材料）を、素子のようには封止せずに、そのまま取り出して清浄な容器に保存することにより作製した。
＜定量試験＞
次に、ガラス基板に付着している有機材料をスパチュラで掻き落し、その粉体状の試料を、溶媒で抽出した。この試料を高速液体クロマトグラフィーで測定した。
ここで、測定にあたっては予めポリシロキサンの分子量をＴＯＦ−ＳＩＭＳで測定したところ、２００〜３０００であることから、この範囲の分子量のものを高速液体クロマトグラフィーの測定対象とした。
実際には、数多くの上記範囲の分子量のものが検出され、個々の分子量のものの含有量の総和をポリシロキサンの含有量として算出した。

発光輝度の測定は、輝度測定計（ＢＭ−８、トプコン社製）により行った。

以下に、測定結果を示す。
高速クロマトグラフィーでの測定によれば、ポリシロキサンは、クリーニングなし又は１回の場合は、６〜８質量％、２回の場合は５〜３質量％、３回の場合は１〜２質量％、４回の場合は１質量％以下になった。
同様に、シロキサンについても、クリーニングなしの場合は５〜９質量％、１回の場合は３〜４質量％、２回の場合は１〜２質量％、３回の場合は１質量％以下になった。
チャンバークリーニングが１回の場合は、高速液体クロマトグラフィー法で成分分析したところポリシロキサンが６〜８％程度入っており、この場合の輝度半減時間は、２００時間程度であった。
一方で、チャンバークリーニングを２回行った場合は、ポリシロキサンが４質量％程度混入されていることが分かった。これらの素子を連続発光させた場合の輝度半減時間は平均５８０時間であった。
チャンバークリーニングを３回行った場合は、ポリシロキサンが２質量％程度混入されていることが分かった。これらの素子を連続発光させた場合の輝度半減時間は平均６８０時間であった。
また、チャンバークリーニングを４回以上行った場合は、ポリシロキサンが１質量％未満（検出限界以下）であることが分った。これらの素子を連続発光させた場合の輝度半減時間は平均７００時間であった。結果をまとめて表１に示す。

表１より明らかな通り、不純物の含有量が少ない方が初期輝度が半減する時間が長く、含有量が多い方が初期輝度の半減する時間が短くなることが分かった。

［実施例２］
実施例１において、発光材料としてＩｒ（ｐｐｙ）₃を用いる代わりに、Ｆｉｒｐｉｃ（ピーク発光波長：５１６ｎｍ）を用いた以外は、実施例１と同様に行い有機ＥＬ素子を作製し、同様に評価した。

得られた有機ＥＬ素子のＩＴＯ電極を陽極、Ａｌ電極を陰極として電流密度２．５ｍＡ／ｃｍ²で、フィルピックに起因する約３６０ｃｄ／ｍ²の輝度の均一な青色発光を観察した。

以下に、測定結果を示す。
高速クロマトグラフィーでの測定によれば、チャンバークリーニングが１回の場合は、ポリシロキサンが６〜８質量％程度入っており、この場合の輝度半減時間は、１０時間程度であった。
一方で、チャンバークリーニングを２回行った場合は、ポリシロキサンが４質量％程度混入されていることが分かった。これらの素子を連続発光させた場合の輝度半減時間は平均、２０時間であった。
チャンバークリーニングを３回行った場合は、ポリシロキサンが３質量％程度混入されていることが分かった。これらの素子を連続発光させた場合の輝度半減時間は平均５０時間であった。
また、チャンバークリーニングを４回以上行った場合は、ポリシロキサンが１質量％未満（検出限界以下）であることが分った。これらの素子を連続発光させた場合の輝度半減時間は平均６０時間であった。結果をまとめて下記表２に示す。

表２より明らかな通り、不純物の含有量が少ない方が初期輝度が半減する時間が長く、含有量が多い方が初期輝度の半減する時間が短くなることが分かった。

上記の実施例１及び２の結果より、緑色の発光波長より短い青色発光では不純物濃度が低いところで、効果が顕著となることがわかる。

［実施例３］
実施例１において、発光材料としてＩｒ（ｐｐｙ）₃を用いる代わりに、Ｆｉｒｐｉｃを用いた以外は、実施例１と同様に行い有機ＥＬ素子を作製し、同様に評価した。

得られた有機ＥＬ素子のＩＴＯ電極を陽極、Ａｌ電極を陰極として電流密度２．５ｍＡ／ｃｍ²で、約３６０ｃｄ／ｍ²の輝度の均一な青色発光を観察した。

以下に、測定結果を示す。
高速クロマトグラフィーでの測定によれば、チャンバークリーニングが１回の場合は、ポリシロキサンが７質量％程度入っており、この場合の輝度半減時間は、４００時間程度であった。
一方で、チャンバークリーニングを２回行った場合は、ポリシロキサンが５質量％程度混入されていることが分かった。これらの素子を連続発光させた場合の輝度半減時間は平均、６００時間であった。
チャンバークリーニングを３回行った場合は、ポリシロキサンが２質量％程度混入されていることが分かった。これらの素子を連続発光させた場合の輝度半減時間は平均、７００時間であった。
また、チャンバークリーニングを４回行った場合は、ポリシロキサンが１質量％未満（検出限界以下）であることが分った。これらの素子を連続発光させた場合の輝度半減時間は平均、７３０時間であった。結果をまとめて表３に示す。
上記ポリシロキサンは、高速液体クロマトグラフィーにより、分子量１００００以下のジメチルシロキサンの混合物であることが同定された。

表３より明らかな通り、不純物の含有量が少ない方が初期輝度が半減する時間が長く、含有量が多い方が初期輝度の半減する時間が短くなることが分かった。

［実施例４］
実施例１において、発光層に更に１種類のジメチルシロキサン（分子量約９０００）を加えて行った以外は、実施例１と同様に行い有機ＥＬ素子を作製し、同様に評価した。
なお、導入量は発光層質量に対して２、４、９質量％の３種類とした。

以下に、測定結果を示す。
高速クロマトグラフィーでの測定によれば、チャンバークリーニングが含有量なしでは７００時間、に対して、約２質量％で６８０時間、約４質量％で６００時間、約９質量％で２９０時間であることがわかった。結果をまとめて表４に示す。

表４から明らかなように、輝度半減時間は発光層中のポリシロキサン（オルガノポリシロキサン）の層中含有量に関係していることが確認できた。
前記表１〜４から明らかな通り、ポリシロキサンを除去された本発明の有機ＥＬ素子は駆動耐久性に優れていることが分かる。

Claims

一対の電極間に、少なくとも発光層を含む有機化合物層を有し、該有機化合物層が蒸着法で成膜される有機化合物層を有する有機電界発光素子において、前記有機化合物層に含まれる層のうち、電荷注入層、電荷輸送層、及び発光層の少なくとも一層において、ポリシロキサンの含有量を一層当たり５質量％未満に減少させるためのクリーニング工程と、蒸着工程と、を含むことを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
前記ポリシロキサンの含有量が３質量％未満であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子の製造方法。
前記ポリシロキサンがオルガノポリシロキサンであることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機電界発光素子の製造方法。
前記発光層に少なくとも１種の燐光発光材料を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機電界発光素子の製造方法。
前記発光層の燐光発光材料のピーク発光波長が、５５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機電界発光素子の製造方法。
一対の電極間に、少なくとも発光層を含む有機化合物層を有し、該有機化合物層が蒸着法で成膜される有機化合物層を有する有機電界発光素子において、前記有機化合物層に含まれる層のうち、電荷注入層、電荷輸送層、及び発光層の少なくとも一層において、ポリシロキサンの含有量が一層当たり５質量％未満であることを特徴とする有機電界発光素子。
前記ポリシロキサンの含有量が３質量％未満であることを特徴とする請求項６に記載の有機電界発光素子。
前記ポリシロキサンがオルガノポリシロキサンであることを特徴とする請求項６又は７に記載の有機電界発光素子。
前記発光層に少なくとも１種の燐光発光材料を含むことを特徴とする請求項６〜８のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。
前記発光層の燐光発光材料のピーク発光波長が、５５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項６〜９のいずれか１項に記載の有機電界発光素子。