JP2006261487A - フィールド酸化膜形成法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】図2(C)に示すようにシリコン基板10の一方の主面にシリコン酸化膜18を介してシリコン窒化膜20を形成した後、膜20の上に素子孔パターンに従って破線対応のレジスト層22aを形成する。層22aをマスクとするイオン注入処理によりP型ウエル領域12の表面にボロンイオンを注入してイオン注入領域24を形成する。層22aに等方性ドライエッチング処理を施して層22aの厚さ及び平面的寸法を所定量Δtだけ減少させる。図2(D)に示すように層22aをマスクとするドライエッチング処理により膜20をパターニングして膜20の一部20aを残す。膜20aをマスクとする選択酸化処理により膜20a対応の素子孔を有するフィールド酸化膜と領域24に基づくP型のチャンネルストッパ領域とを形成する。
【選択図】図2
Description
一方の主面の少なくとも素子配置予定部が一導電型であるシリコン基板を用意する工程と、
前記シリコン基板の一方の主面に前記素子配置予定部を覆って酸化マスク材層を形成する工程と、
前記酸化マスク材層の上に前記素子配置予定部の一部に対応する素子孔パターンに従ってレジスト層を形成する工程と、
前記一導電型を決定する不純物を前記レジスト層をマスクとし且つ前記酸化マスク材層を介して前記シリコン基板の一方の主面にイオン注入することによりチャンネルストッパ用のイオン注入領域を形成する工程と、
前記イオン注入領域を形成した後、前記レジスト層に等方性エッチング処理を施して前記レジスト層の厚さ及び平面的寸法を所定量だけ減少させる工程と、
前記等方性エッチング処理の後、前記レジスト層をマスクとするエッチング処理により前記酸化マスク材層をパターニングして前記酸化マスク材層の残存部からなる酸化マスクを形成する工程と、
前記レジスト層を除去した後、前記酸化マスクを用いる選択酸化処理により前記シリコン基板の一方の主面に前記酸化マスクに対応する素子孔を有するフィールド酸化膜と、前記イオン注入領域に基づいて前記一導電型を有するチャンネルストッパ領域とを形成する工程と
を含むものである。
一方の主面の少なくとも素子配置予定部が一導電型であり、該一方の主面には該一導電型とは反対導電型のウエル領域が形成されたシリコン基板を用意する工程と、
前記シリコン基板の一方の主面に前記素子配置予定部及び前記ウエル領域を覆って酸化マスク材層を形成する工程と、
前記酸化マスク材層の上に前記素子配置予定部の一部に対応する第1の素子孔パターンと前記ウエル領域の一部に対応する第2の素子孔パターンとにそれぞれ従って第1のレジスト層と第2のレジスト層とを形成する工程と、
前記一導電型を決定する不純物を前記第1及び第2のレジスト層をマスクとし且つ前記酸化マスク材層を介して前記シリコン基板の一方の主面にイオン注入することによりチャンネルストッパ用の第1のイオン注入領域を形成する工程と、
前記第1のイオン注入領域を形成した後、前記第1及び第2のレジスト層に等方性エッチング処理を施して各レジスト層の厚さ及び平面的寸法を所定量だけ減少させる工程と、
前記等方性エッチング処理の後、前記第1及び第2のレジスト層をマスクとするエッチング処理により前記酸化マスク材層をパターニングしてそれぞれ前記酸化マスク材層の残存部からなる第1及び第2の酸化マスクを形成する工程と、
前記素子配置予定部及び前記第1のレジスト層を覆うように第3のレジスト層を形成すると共に、前記第1のイオン注入領域の一部として前記ウエル領域内に存在するイオン注入部を覆わず且つ前記第2の酸化マスクの側部及び前記第2のレジスト層を覆うように第4のレジスト層を形成する工程と、
前記反対導電型を決定する不純物を前記第3及び第4のレジスト層をマスクとして前記ウエル領域にイオン注入することにより前記第1のイオン注入領域の一部として前記ウエル領域内に存在するイオン注入部の代りにチャンネルストッパ用の第2のイオン注入領域を形成する工程と、
前記第3及び第4のレジスト層並びに前記第1及び第2のレジスト層を除去した後、前記第1及び第2の酸化マスクを用いる選択酸化処理により前記シリコン基板の一方の主面に前記第1及び第2の酸化マスクにそれぞれ対応する第1及び第2の素子孔を有するフィールド酸化膜と、前記第1のイオン注入領域に基づいて前記一導電型を有する第1のチャンネルストッパ領域と、前記第2のイオン注入領域に基づいて前記反対導電型を有する第2のチャンネルストッパ領域とを形成する工程と
を含むものである。
ガス流量:O2=100sccm
圧力:0.3Torr
RFパワー:125W
とすることができる。
エッチングガス:CF4/CHF4
圧力:160mTorr
RFパワー:700W(13.56MHz)
とすることができる。
Claims (2)
- 一方の主面の少なくとも素子配置予定部が一導電型であるシリコン基板を用意する工程と、
前記シリコン基板の一方の主面に前記素子配置予定部を覆って酸化マスク材層を形成する工程と、
前記酸化マスク材層の上に前記素子配置予定部の一部に対応する素子孔パターンに従ってレジスト層を形成する工程と、
前記一導電型を決定する不純物を前記レジスト層をマスクとし且つ前記酸化マスク材層を介して前記シリコン基板の一方の主面にイオン注入することによりチャンネルストッパ用のイオン注入領域を形成する工程と、
前記イオン注入領域を形成した後、前記レジスト層に等方性エッチング処理を施して前記レジスト層の厚さ及び平面的寸法を所定量だけ減少させる工程と、
前記等方性エッチング処理の後、前記レジスト層をマスクとするエッチング処理により前記酸化マスク材層をパターニングして前記酸化マスク材層の残存部からなる酸化マスクを形成する工程と、
前記レジスト層を除去した後、前記酸化マスクを用いる選択酸化処理により前記シリコン基板の一方の主面に前記酸化マスクに対応する素子孔を有するフィールド酸化膜と、前記イオン注入領域に基づいて前記一導電型を有するチャンネルストッパ領域とを形成する工程と
を含むフィールド酸化膜形成法。 - 一方の主面の少なくとも素子配置予定部が一導電型であり、該一方の主面には該一導電型とは反対導電型のウエル領域が形成されたシリコン基板を用意する工程と、
前記シリコン基板の一方の主面に前記素子配置予定部及び前記ウエル領域を覆って酸化マスク材層を形成する工程と、
前記酸化マスク材層の上に前記素子配置予定部の一部に対応する第1の素子孔パターンと前記ウエル領域の一部に対応する第2の素子孔パターンとにそれぞれ従って第1のレジスト層と第2のレジスト層とを形成する工程と、
前記一導電型を決定する不純物を前記第1及び第2のレジスト層をマスクとし且つ前記酸化マスク材層を介して前記シリコン基板の一方の主面にイオン注入することによりチャンネルストッパ用の第1のイオン注入領域を形成する工程と、
前記第1のイオン注入領域を形成した後、前記第1及び第2のレジスト層に等方性エッチング処理を施して各レジスト層の厚さ及び平面的寸法を所定量だけ減少させる工程と、
前記等方性エッチング処理の後、前記第1及び第2のレジスト層をマスクとするエッチング処理により前記酸化マスク材層をパターニングしてそれぞれ前記酸化マスク材層の残存部からなる第1及び第2の酸化マスクを形成する工程と、
前記素子配置予定部及び前記第1のレジスト層を覆うように第3のレジスト層を形成すると共に、前記第1のイオン注入領域の一部として前記ウエル領域内に存在するイオン注入部を覆わず且つ前記第2の酸化マスクの側部及び前記第2のレジスト層を覆うように第4のレジスト層を形成する工程と、
前記反対導電型を決定する不純物を前記第3及び第4のレジスト層をマスクとして前記ウエル領域にイオン注入することにより前記第1のイオン注入領域の一部として前記ウエル領域内に存在するイオン注入部の代りにチャンネルストッパ用の第2のイオン注入領域を形成する工程と、
前記第3及び第4のレジスト層並びに前記第1及び第2のレジスト層を除去した後、前記第1及び第2の酸化マスクを用いる選択酸化処理により前記シリコン基板の一方の主面に前記第1及び第2の酸化マスクにそれぞれ対応する第1及び第2の素子孔を有するフィールド酸化膜と、前記第1のイオン注入領域に基づいて前記一導電型を有する第1のチャンネルストッパ領域と、前記第2のイオン注入領域に基づいて前記反対導電型を有する第2のチャンネルストッパ領域とを形成する工程と
を含むフィールド酸化膜形成法。
Priority Applications (5)
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---|---|---|---|
JP2005078628A JP2006261487A (ja) | 2005-03-18 | 2005-03-18 | フィールド酸化膜形成法 |
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JP2005078628A JP2006261487A (ja) | 2005-03-18 | 2005-03-18 | フィールド酸化膜形成法 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013247300A (ja) * | 2012-05-28 | 2013-12-09 | Canon Inc | 半導体装置、半導体装置の製造方法及び液体吐出装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60180158A (ja) * | 1984-02-27 | 1985-09-13 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH07321193A (ja) * | 1994-05-27 | 1995-12-08 | Nippon Steel Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH10284479A (ja) * | 1997-04-07 | 1998-10-23 | Nittetsu Semiconductor Kk | 半導体集積回路の製造方法 |
-
2005
- 2005-03-18 JP JP2005078628A patent/JP2006261487A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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