JP2006261485A5

JP2006261485A5 -

Info

Publication number: JP2006261485A5
Application number: JP2005078581A
Authority: JP
Filing date: 2005-03-18
Publication date: 2008-04-24

Claims

主面と、前記主面と反対側の裏面と、前記主面および裏面に形成された複数の導体部と、前記複数の導体部のそれぞれの一部を露出するように、前記主面および裏面のそれぞれに形成されたフィルム状の絶縁膜とを有する配線基板と、
複数の電極が形成された主面、および前記主面と反対側の裏面を有し、前記配線基板の前記主面の前記絶縁膜上にダイボンド用フィルムを介して固定された半導体チップと、
前記配線基板の前記複数の導体部のうち、前記絶縁膜からそれぞれ露出する前記一部と前記半導体チップの前記複数の電極とを電気的に接続する複数のワイヤと、
前記半導体チップおよび前記複数のワイヤを封止する封止体と、
前記配線基板の前記裏面上に設けられ、前記複数の導体部と電気的に接続する複数の外部端子と、
を含むことを特徴とする半導体装置。
請求項１記載の半導体装置において、前記配線基板の前記主面と前記裏面のうち、前記導体部の面積が小さい方の面に形成される前記絶縁膜の厚さを、前記導体部の面積が大きい方の面に形成される前記絶縁膜より厚くすることを特徴とする半導体装置。
請求項１記載の半導体装置において、前記配線基板の前記主面と前記裏面のうち、前記導体部の長さが短い方の面に形成される前記絶縁膜の厚さを、前記導体部の長さが長い方の面に形成される前記絶縁膜より厚くすることを特徴とする半導体装置。
請求項１記載の半導体装置において、前記配線基板の前記導体部は、銅配線を含むことを特徴とする半導体装置。
請求項１記載の半導体装置において、前記半導体チップの上に、第２の半導体チップがダイボンド用フィルムを介して固定されていることを特徴とする半導体装置。
請求項５記載の半導体装置において、前記半導体チップおよび前記第２の半導体チップは、それぞれ前記配線基板の電極とワイヤによって電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
請求項１記載の半導体装置において、前記半導体チップは、主面と、前記主面に対向する裏面と、前記主面に形成された複数の電極とを有し、前記半導体チップは前記半導体チップの前記主面と前記配線基板の前記主面が対向するように搭載されていることを特徴とする半導体装置。
以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
（ａ）主面と、前記主面と反対側の裏面と、前記主面および裏面に形成された複数の導体部と、前記複数の導体部のそれぞれの一部を露出するように、前記主面および裏面のそれぞれに形成されたフィルム状の絶縁膜とを有する配線基板を準備する工程；
（ｂ）複数の電極が形成された主面、および前記主面と反対側の裏面を有する半導体チップを前記配線基板の前記主面の前記絶縁膜上にダイボンド用フィルムを介して固定する工程；
（ｃ）前記配線基板の前記複数の導体部のうち、前記絶縁膜からそれぞれ露出する前記一部と前記半導体チップの前記複数の電極とを複数のワイヤを介して電気的に接続する工程；
（ｄ）前記半導体チップおよび前記複数のワイヤを封止する工程；
（ｅ）前記配線基板の前記裏面上に複数の外部端子を形成する工程。
請求項８記載の半導体装置の製造方法において、前記（ａ）工程で、それぞれに半導体装置を形成可能な複数の領域が区画形成された前記配線基板である多数個取り基板を準備し、さらに前記（ｄ）工程において、樹脂成形金型の１つのキャビティで前記多数個取り基板の前記複数の領域を一括して覆った状態で樹脂封止を行い、前記（ｅ）工程の後、個片化を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項８記載の半導体装置の製造方法において、前記配線基板の前記主面および裏面のそれぞれに形成された前記絶縁膜は、以下の工程により形成されたことを特徴とする；
（ａ１）銅配線が形成されたコア材を準備する工程；
（ａ２）前記（ａ１）工程の後、前記コア材の表面および裏面のそれぞれに前記フィルム状の絶縁膜を配置する工程；
（ａ３）前記（ａ２）工程の後、真空吸着により前記コア材の表面および裏面のそれぞれに前記フィルム状の絶縁膜を圧着する工程；
（ａ４）前記（ａ３）工程の後、プレス機を用いて熱と荷重を前記フィルム状の絶縁膜が圧着された前記コア材に付与し、前記フィルム状の絶縁膜を前記コア材に熱圧着する工程；
（ａ５）前記（ａ４）工程の後、前記フィルム状の絶縁膜が熱圧着された前記コア材を冷却する工程。