JP2006241407A - プライマー組成物及びそれを用いた電気電子部品 - Google Patents
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Abstract
R1 aR2 bR3 cR4 d(OR5)eSiO(4-a-b-c-d-e)/2 (1)
(R1はエポキシド含有一価有機基、R2は非共役二重結合基含有一価炭化水素基、R3は(メタ)アクリル官能基含有一価有機基、R4は水素原子又は一価炭化水素基、R5は水素原子又は一価炭化水素基、0.2≦a≦0.9、0.1≦b≦0.6、0≦c≦0.6、0≦d≦0.8、1.0≦e≦2.0、かつ2.0≦a+b+c+d+e≦3.0)
で示され、含有するイオン性不純物(Na,K,Cl)が2.0ppm以下であるオルガノシロキサンオリゴマー、
(B)希釈剤
を必須成分とするプライマー組成物。
【効果】 本発明のプライマー組成物は、電気電子部品における各種基板と保護層であるシリコーン樹脂との接着性が高く、部品の信頼性が向上し、各種電気電子部品に有効である。
【選択図】 なし
Description
また、封止樹脂と被着体の接着性は封止樹脂と被着体の組み合わせにより異なる。同様にプライマーも接触する被着体と封止樹脂との組み合わせにより効果が十分発揮される場合とそうでない場合があり、そのため各々の組み合わせに応じて従来多くのプライマーが調製されてきている。
〔1〕 (A)下記平均組成式(1):
R1 aR2 bR3 cR4 d(OR5)eSiO(4-a-b-c-d-e)/2 (1)
(式中、R1はエポキシドを一つ以上有する炭素原子数2〜30の一価の有機基であり、R2は非共役二重結合基を一つ以上有する炭素原子数2〜30の一価炭化水素基であり、R3は(メタ)アクリル官能基を一つ以上有する炭素原子数3〜30の一価の有機基であり、R4は水素原子又は炭素原子数1〜20の一価炭化水素基であり、R5は水素原子又は炭素原子数1〜10の非置換もしくは置換の一価炭化水素基である。a,b,c,d,eは、0.2≦a≦0.9、0.1≦b≦0.6、0≦c≦0.6、0≦d≦0.8、1.0≦e≦2.0、かつ2.0≦a+b+c+d+e≦3.0を満足する正数である。)
で示され、含有するイオン性不純物(Na,K,Cl)が2.0ppm以下であるオルガノシロキサンオリゴマー、
(B)希釈剤
を必須成分とすることを特徴とするプライマー組成物。
〔2〕 (A)成分のシロキサンオリゴマーが、下記一般式(2):
R1 XR4 YSi(OR5)4-X-Y (2)
(式中、R1、R4、R5は上記と同じである。Xは1又は2であり、Yは0又は1であり、かつX+Yは1又は2である。)
で表される1種又は2種以上のシラン化合物と、下記一般式(3):
R2 XR4 YSi(OR5)4-X-Y (3)
(式中、R2、R4、R5、X、Yは上記と同じである。)
で表される1種又は2種以上のシラン化合物と、必要に応じて、下記一般式(4):
R4 ZSi(OR5)4-Z (4)
(式中、R4、R5は上記と同じであり、Zは0〜3の整数である。)
で表される1種又は2種以上のシラン化合物とを共加水分解縮合することにより得られるものであることを特徴とする〔1〕に記載のプライマー組成物。
〔3〕 (A)成分のシロキサンオリゴマーが、上記一般式(2)で表される1種又は2種以上のシラン化合物と、上記一般式(3)で表される1種又は2種以上のシラン化合物と、下記一般式(5):
R3 XR4 YSi(OR5)4-X-Y (5)
(式中、R3は(メタ)アクリル官能基を一つ以上有する炭素原子数3〜30の一価の有機基であり、R4は水素原子又は炭素原子数1〜20の一価炭化水素基であり、R5は水素原子又は炭素原子数1〜10の非置換もしくは置換の一価炭化水素基である。Xは1又は2であり、Yは0又は1であり、かつX+Yは1又は2である。)
で表される1種又は2種以上のシラン化合物と、必要に応じて、上記一般式(4)で表される1種又は2種以上のシラン化合物とを共加水分解縮合することにより得られるものであることを特徴とする〔1〕に記載のプライマー組成物。
〔4〕 更に、(C)縮合触媒を配合してなることを特徴とする〔1〕〜〔3〕のいずれかに記載のプライマー組成物。
〔5〕 プライマー組成物が無色透明であることを特徴とする〔1〕〜〔4〕のいずれかに記載のプライマー組成物。
〔6〕 電気電子素子及び/又は回路を搭載した基板を付加硬化型シリコーン樹脂組成物を硬化することにより得られたシリコーン樹脂により被覆した電気電子部品において、基板と該シリコーン樹脂の界面が〔1〕〜〔5〕のいずれかに記載のプライマー組成物により処理された電気電子部品。
〔7〕 シリコーン樹脂の硬度(ショアーD)が35以上であることを特徴とする〔6〕に記載の電気電子部品。
〔8〕 基板がセラミックスであることを特徴とする〔6〕又は〔7〕に記載の電気電子部品。
〔9〕 基板上に形成された導通部分(回路)が金又は銀であることを特徴とする〔6〕〜〔8〕のいずれかに記載の電気電子部品。
〔10〕 電気電子部品が光部品であることを特徴とする〔6〕〜〔9〕のいずれかに記載の電気電子部品。
〔11〕 付加硬化型シリコーン樹脂組成物により電気電子素子及び/又は回路を搭載した基板を被覆する工程を圧縮成型により行うことを特徴とする〔6〕〜〔10〕のいずれかに記載の電気電子部品。
R1 aR2 bR3 cR4 d(OR5)eSiO(4-a-b-c-d-e)/2 (1)
(式中、R1はエポキシドを一つ以上有する炭素原子数2〜30の一価の有機基であり、R2は非共役二重結合基を一つ以上有する炭素原子数2〜30の一価炭化水素基であり、R3は(メタ)アクリル官能基を一つ以上有する炭素原子数3〜30の一価の有機基であり、R4は水素原子又は炭素原子数1〜20の一価炭化水素基であり、R5は水素原子又は炭素原子数1〜10の非置換もしくは置換の一価炭化水素基である。a,b,c,d,eは、0.2≦a≦0.9、0.1≦b≦0.6、0≦c≦0.6、0≦d≦0.8、1.0≦e≦2.0、かつ2.0≦a+b+c+d+e≦3.0を満足する正数である。)
で示され、含有するイオン性不純物(Na,K,Cl)が2.0ppm以下であるオルガノシロキサンオリゴマー、(B)(A)成分のオルガノシロキサンオリゴマーを溶解する希釈剤、必要に応じて(C)縮合触媒を含有してなるものである。
本発明に用いられる(A)成分のシロキサンオリゴマーは、特にエポキシドを有するオルガノキシシランを含有するシラン、また必要に応じて、非共役二重結合基を有するオルガノキシシランを含有するシラン及び/又は(メタ)アクリル構造を有するオルガノキシシランを含有するシランを混合してなるシラン混合物を(共)加水分解して得られ、エポキシドは閉環したままでシラノールを有しており、(共)加水分解させるシランに応じて、非共役二重結合基や(メタ)アクリル官能基を有する下記平均組成式(1)で示されるオルガノシロキサンオリゴマーである。
(式中、R1はエポキシドを一つ以上有する炭素原子数2〜30の一価の有機基であり、R2は非共役二重結合基を一つ以上有する炭素原子数2〜30の一価炭化水素基であり、R3は(メタ)アクリル官能基を一つ以上有する炭素原子数3〜30の一価の有機基であり、R4は水素原子又は炭素原子数1〜20の一価炭化水素基であり、R5は水素原子又は炭素原子数1〜10の非置換もしくは置換の一価炭化水素基である。a,b,c,d,eは、0.2≦a≦0.9、0.1≦b≦0.6、0≦c≦0.6、0≦d≦0.8、1.0≦e≦2.0、かつ2.0≦a+b+c+d+e≦3.0を満足する正数である。)
R2 XR4 YSi(OR5)4-X-Y (3)
R4 ZSi(OR5)4-Z (4)
R3 XR4 YSi(OR5)4-X-Y (5)
(式中、R1はエポキシドを一つ以上有する炭素原子数2〜30の一価の有機基であり、R2は非共役二重結合基を一つ以上有する炭素原子数2〜30の一価炭化水素基であり、R3は(メタ)アクリル官能基を一つ以上有する炭素原子数3〜30の一価の有機基であり、R4は水素原子又は炭素原子数1〜20の一価炭化水素基であり、R5は水素原子又は炭素原子数1〜10の非置換もしくは置換の一価炭化水素基である。Xは1又は2であり、Yは0又は1であり、かつX+Yは1又は2であり、Zは0〜3の整数である。)
本発明のオルガノシロキサンオリゴマーは、希釈剤に溶解してプライマーとして使用する。希釈剤としては、上述したオルガノシロキサンオリゴマーと相溶するものであれば特に制限はない。例えば、テトラヒドロフラン、ジグライム、トリグライムなどのエーテル類、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン類、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、2−プロパノール、1−メトキシ−2−プロパノール、2−エトキシエタノール、2−エチルヘキシルアルコール、1,4−ブタンジオール、エチレングリコール、プロピレングリコールなどのアルコール類などの溶剤が挙げられる。
本発明のプライマー組成物は、更に縮合触媒を添加して使用することができる。通常、縮合触媒として使用されているものであれば特に制限はないが、例えば、テトラブチルチタネート、テトラプロピルチタネート、チタンテトラアセチルアセトナートなどのチタン系触媒、ジブチルスズジラウレート、ジブチルスズマレエート、ジブチルスズアセテート、オクチル酸スズ、ナフテン酸スズ、ジブチルスズアセチルアセトナートなどのスズ系触媒、ジメトキシ亜鉛、ジエトキシ亜鉛、亜鉛2,4−ペンタンジオネート、亜鉛2−エチルヘキサノエート、酢酸亜鉛、ギ酸亜鉛、メタクリル酸亜鉛、ウンデシレン酸亜鉛、オクチル酸亜鉛などの亜鉛系触媒、アルミニウムトリスアセチルアセトナート、アルミニウムトリスエチルアセトアセテート、ジイソプロポキシアルミニウムエチルアセトアセテートなどのアルミニウム系触媒、その他、ジルコニウム、鉄、コバルトなどの有機金属錯体触媒、ブチルアミン、オクチルアミン、ジブチルアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、オレイルアミン、シクロヘキシルアミン、ベンジルアミン、ジエチルアミノプロピルアミン、キシリレンジアミン、トリエチレンジアミン、グアニジン、ジフェニルグアニジン、2,4,6−トリス(ジメチルアミノメチル)フェノール、モルホリン、N−メチルモルホリン、2−エチル−4−メチルイミダゾール、DBUなどのアミン系触媒、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−(β−アミノエチル)アミノプロピルメチルジメトキシシランなどのアミノ基を有するシランカップリング剤などのシラノール縮合触媒、また、テトラアルキルアンモニウム塩などの四級アンモニウム塩、その他の酸性触媒、塩基性触媒などの公知のシラノール縮合触媒などが挙げられる。これらの触媒は単独又は2種以上併用してもよい。ただし、チタン系、アルミニウム系、アミン系の縮合触媒には有色のものも多く、好ましくはスズ系、亜鉛系、四級アンモニウム塩の縮合触媒が挙げられる。
本発明のプライマー組成物には、プライマー特性を損なわない範囲で必要により、その他の成分を均一に混合することもできる。例えば、重合禁止剤として、ハイドロキノン、ハイドロキノンモノメチルエーテル、ピロガロール、tert−ブチルカテコール、フェノチアジンなど、酸化防止剤として、BHT、ビタミンBなど、消泡剤、レベリング剤として、シリコーン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤などを適宜添加することもできる。
本発明のプライマー組成物は、前記オルガノシロキサンオリゴマーを希釈剤に溶解し、必要に応じて、縮合触媒を加え、更にまた必要に応じて重合禁止剤や酸化防止剤などのその他の必要な成分を加え、均一に混合して得ることができる。得られたプライマー組成物は、高純度でかつ無色透明であり、電気電子部品用、特にLEDなどの光部品用のプライマー組成物として有効に使用することができる。
なおここで、プライマー組成物の被膜化条件としては、特に限定されるものではないが、加熱する場合、80〜180℃で数分〜30分程度とすることが好ましく、風乾する場合、30分〜数時間程度とすることが好ましい。
ここで、保護層として使用するシリコーン樹脂組成物は、反応性が高く、保護層が硬化する時間、即ち、成型時間が短時間でよく生産性が高いという理由から、付加硬化型シリコーン樹脂組成物を用いることが好ましい。付加硬化型シリコーン樹脂組成物としては特に限定されるものではなく、高硬度なエラストプラスチックタイプのシリコーン樹脂組成物、ラバータイプのシリコーンゴム組成物、ゲルタイプのシリコーンゲル組成物などが挙げられるが、エラストプラスチックタイプ又はラバータイプのシリコーン樹脂組成物又はシリコーンゴム組成物を使用することが好ましい。
シリコーン樹脂組成物の塗布厚さとしては、50μm〜5mm程度、好ましくは100μm〜2mm程度である。
なお、シリコーン樹脂組成物の硬化条件としては、60〜180℃、好ましくは80〜160℃程度で数秒〜15分、好ましくは数秒〜5分程度である。
なお、Mwは重量平均分子量を意味する。
2−(3,4−エポキシシクロヘキシルエチル)トリメトキシシラン1.0molを仕込み、これに純水3.0molを添加し、40℃で加水分解反応を8時間行った。次に、得られた加水分解縮合物をメタノールに溶解し、その溶液を穴径0.8μmのフィルターで濾過した。濾液中の溶剤を80℃/2mmHgで減圧留去し、下記に示すオルガノシロキサンオリゴマー(1)を得た。
(R5はCH3又はH、Mw=750)
このオルガノシロキサンオリゴマーのイオン性不純物濃度(誘導結合プラズマ発光分光分析装置(ICP−AES)により測定したNa,K,Clの含有量(合計)、以下同様)は1ppm未満であった。
2−(3,4−エポキシシクロヘキシルエチル)トリメトキシシラン0.5mol、ビニルトリメトキシシラン0.5molを仕込み、これに純水3.0molを用いて合成例1と同様の操作を行い、下記に示すオルガノシロキサンオリゴマー(2)を得た。
(R5はCH3又はH、Mw=550)
このオルガノシロキサンオリゴマーのイオン性不純物濃度は1ppm未満であった。
2−(3,4−エポキシシクロヘキシルエチル)トリメトキシシラン0.5mol、3−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン0.5molを仕込み、これに純水3.0molを用いて合成例1と同様の操作を行い、下記に示すオルガノシロキサンオリゴマー(3)を得た。
(R5はCH3又はH、Mw=900)
このオルガノシロキサンオリゴマーのイオン性不純物濃度は1ppm未満であった。
2−(3,4−エポキシシクロヘキシルエチル)トリメトキシシラン0.5mol、メチルビニルジメトキシシラン0.25mol、3−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン0.25molを仕込み、これに純水2.75molを用いて合成例1と同様の操作を行い、下記に示すオルガノシロキサンオリゴマー(4)を得た。
(R5はCH3又はH、Mw=600)
このオルガノシロキサンオリゴマーのイオン性不純物濃度は1ppm未満であった。
2−(3,4−エポキシシクロヘキシルエチル)トリメトキシシラン0.25mol、メチルビニルジメトキシシラン0.25mol、フェニルトリメトキシシラン0.5molを仕込み、これに純水2.75molを用いて合成例1と同様の操作を行い、下記に示すオルガノシロキサンオリゴマー(5)を得た。
(R5はCH3又はH、Mw=600)
このオルガノシロキサンオリゴマーのイオン性不純物濃度は1ppm未満であった。
2−(3,4−エポキシシクロヘキシルエチル)トリメトキシシラン0.25mol、3−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン0.25mol、フェニルトリメトキシシラン0.5molを仕込み、これに純水3.0molを用いて合成例1と同様の操作を行い、下記に示すオルガノシロキサンオリゴマー(6)を得た。
(R5はCH3又はH、Mw=1,000)
このオルガノシロキサンオリゴマーのイオン性不純物濃度は1ppm未満であった。
2−(3,4−エポキシシクロヘキシルエチル)トリメトキシシラン0.5mol、メチルビニルジメトキシシラン0.25mol、トリメトキシシラン0.25molを仕込み、これに純水2.75molを用いて合成例1と同様の操作を行い、下記に示すオルガノシロキサンオリゴマー(7)を得た。
(R5はCH3又はH、Mw=1,000)
このオルガノシロキサンオリゴマーのイオン性不純物濃度は1ppm未満であった。
2−(3,4−エポキシシクロヘキシルエチル)トリメトキシシラン0.5mol、メチルビニルジメトキシシラン0.25mol、テトラメトキシシラン0.25molを仕込み、これに純水3.0molを用いて合成例1と同様の操作を行い、下記に示すオルガノシロキサンオリゴマー(8)を得た。
(R5はCH3又はH、Mw=1,000)
このオルガノシロキサンオリゴマーのイオン性不純物濃度は1ppm未満であった。
合成例及び比較合成例で得られたオルガノシロキサンオリゴマー(1)〜(8)7質量部に対し、それぞれオクチル酸亜鉛3質量部と希釈剤ジグライム90質量部を均一に混ぜ、プライマー組成物1〜8を得た。
得られたプライマー組成物1〜8をシリコンウエハー、ガラス、金メッキ基板、銀メッキ基板、窒化アルミニウム基板、ガラスエポキシ基板、アルミニウム基板、ニッケルメッキ基板、ステンレス基板上に、それぞれスピンコート法により乾燥後の膜厚が1.0μmになるように塗布し、150℃乾燥機で10分乾燥させ、完全に被膜化した。この被膜上にシリコーン樹脂組成物を厚さ500μmとなるように塗布して硬化させ、シリコーン樹脂硬化物を形成した。なお、シリコーン樹脂組成物には、硬化後の硬度がShoreDで80のもの(LPS−5500(信越化学工業(株)製))とShoreDで40のもの(LPS−5520(信越化学工業(株)製))を用いた。
Claims (11)
- (A)下記平均組成式(1):
R1 aR2 bR3 cR4 d(OR5)eSiO(4-a-b-c-d-e)/2 (1)
(式中、R1はエポキシドを一つ以上有する炭素原子数2〜30の一価の有機基であり、R2は非共役二重結合基を一つ以上有する炭素原子数2〜30の一価炭化水素基であり、R3は(メタ)アクリル官能基を一つ以上有する炭素原子数3〜30の一価の有機基であり、R4は水素原子又は炭素原子数1〜20の一価炭化水素基であり、R5は水素原子又は炭素原子数1〜10の非置換もしくは置換の一価炭化水素基である。a,b,c,d,eは、0.2≦a≦0.9、0.1≦b≦0.6、0≦c≦0.6、0≦d≦0.8、1.0≦e≦2.0、かつ2.0≦a+b+c+d+e≦3.0を満足する正数である。)
で示され、含有するイオン性不純物(Na,K,Cl)が2.0ppm以下であるオルガノシロキサンオリゴマー、
(B)希釈剤
を必須成分とすることを特徴とするプライマー組成物。 - (A)成分のシロキサンオリゴマーが、下記一般式(2):
R1 XR4 YSi(OR5)4-X-Y (2)
(式中、R1はエポキシドを一つ以上有する炭素原子数2〜30の一価の有機基であり、R4は水素原子又は炭素原子数1〜20の一価炭化水素基であり、R5は水素原子又は炭素原子数1〜10の非置換もしくは置換の一価炭化水素基である。Xは1又は2であり、Yは0又は1であり、かつX+Yは1又は2である。)
で表される1種又は2種以上のシラン化合物と、下記一般式(3):
R2 XR4 YSi(OR5)4-X-Y (3)
(式中、R2は非共役二重結合基を一つ以上有する炭素原子数2〜30の一価炭化水素基であり、R4は水素原子又は炭素原子数1〜20の一価炭化水素基であり、R5は水素原子又は炭素原子数1〜10の非置換もしくは置換の一価炭化水素基である。Xは1又は2であり、Yは0又は1であり、かつX+Yは1又は2である。)
で表される1種又は2種以上のシラン化合物と、必要に応じて、下記一般式(4):
R4 ZSi(OR5)4-Z (4)
(式中、R4は水素原子又は炭素原子数1〜20の一価炭化水素基であり、R5は水素原子又は炭素原子数1〜10の非置換もしくは置換の一価炭化水素基であり、Zは0〜3の整数である。)
で表される1種又は2種以上のシラン化合物とを共加水分解縮合することにより得られるものであることを特徴とする請求項1に記載のプライマー組成物。 - (A)成分のシロキサンオリゴマーが、下記一般式(2):
R1 XR4 YSi(OR5)4-X-Y (2)
(式中、R1はエポキシドを一つ以上有する炭素原子数2〜30の一価の有機基であり、R4は水素原子又は炭素原子数1〜20の一価炭化水素基であり、R5は水素原子又は炭素原子数1〜10の非置換もしくは置換の一価炭化水素基である。Xは1又は2であり、Yは0又は1であり、かつX+Yは1又は2である。)
で表される1種又は2種以上のシラン化合物と、下記一般式(3):
R2 XR4 YSi(OR5)4-X-Y (3)
(式中、R2は非共役二重結合基を一つ以上有する炭素原子数2〜30の一価炭化水素基であり、R4は水素原子又は炭素原子数1〜20の一価炭化水素基であり、R5は水素原子又は炭素原子数1〜10の非置換もしくは置換の一価炭化水素基である。Xは1又は2であり、Yは0又は1であり、かつX+Yは1又は2である。)
で表される1種又は2種以上のシラン化合物と、下記一般式(5):
R3 XR4 YSi(OR5)4-X-Y (5)
(式中、R3は(メタ)アクリル官能基を一つ以上有する炭素原子数3〜30の一価の有機基であり、R4は水素原子又は炭素原子数1〜20の一価炭化水素基であり、R5は水素原子又は炭素原子数1〜10の非置換もしくは置換の一価炭化水素基である。Xは1又は2であり、Yは0又は1であり、かつX+Yは1又は2である。)
で表される1種又は2種以上のシラン化合物と、必要に応じて、下記一般式(4):
R4 ZSi(OR5)4-Z (4)
(式中、R4は水素原子又は炭素原子数1〜20の一価炭化水素基であり、R5は水素原子又は炭素原子数1〜10の非置換もしくは置換の一価炭化水素基であり、Zは0〜3の整数である。)
で表される1種又は2種以上のシラン化合物とを共加水分解縮合することにより得られるものであることを特徴とする請求項1に記載のプライマー組成物。 - 更に、(C)縮合触媒を配合してなることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のプライマー組成物。
- プライマー組成物が無色透明であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のプライマー組成物。
- 電気電子素子及び/又は回路を搭載した基板を付加硬化型シリコーン樹脂組成物を硬化することにより得られたシリコーン樹脂により被覆した電気電子部品において、基板と該シリコーン樹脂の界面が請求項1乃至5のいずれか1項に記載のプライマー組成物により処理された電気電子部品。
- シリコーン樹脂の硬度(ショアーD)が35以上であることを特徴とする請求項6に記載の電気電子部品。
- 基板がセラミックスであることを特徴とする請求項6又は7に記載の電気電子部品。
- 基板上に形成された回路が金又は銀であることを特徴とする請求項6乃至8のいずれか1項に記載の電気電子部品。
- 電気電子部品が光部品であることを特徴とする請求項6乃至9のいずれか1項に記載の電気電子部品。
- 付加硬化型シリコーン樹脂組成物により電気電子素子及び/又は回路を搭載した基板を被覆する工程を圧縮成型により行うことを特徴とする請求項6乃至10のいずれか1項に記載の電気電子部品。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008102060A2 (en) * | 2007-02-22 | 2008-08-28 | Silecs Oy | High silicon content siloxane polymers for integrated circuits |
WO2008106379A1 (en) * | 2007-02-26 | 2008-09-04 | Honeywell International Inc. | Compositions, coatings and films for tri-layer patterning applications and methods of preparation thereof |
US7678462B2 (en) | 1999-06-10 | 2010-03-16 | Honeywell International, Inc. | Spin-on-glass anti-reflective coatings for photolithography |
KR20100086955A (ko) * | 2009-01-23 | 2010-08-02 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 프라이머 조성물 및 그것을 이용한 광 반도체 장치 |
JP2010532792A (ja) * | 2007-04-10 | 2010-10-14 | ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド | オプトエレクトロニクスデバイス用の組成物、層、及びフィルム、並びにこれらの使用 |
US8053159B2 (en) | 2003-11-18 | 2011-11-08 | Honeywell International Inc. | Antireflective coatings for via fill and photolithography applications and methods of preparation thereof |
JP2013028713A (ja) * | 2011-07-28 | 2013-02-07 | Daicel Corp | プライマー組成物および該プライマー組成物を用いた光半導体装置 |
US8557877B2 (en) | 2009-06-10 | 2013-10-15 | Honeywell International Inc. | Anti-reflective coatings for optically transparent substrates |
US8864898B2 (en) | 2011-05-31 | 2014-10-21 | Honeywell International Inc. | Coating formulations for optical elements |
US9069133B2 (en) | 1999-06-10 | 2015-06-30 | Honeywell International Inc. | Anti-reflective coating for photolithography and methods of preparation thereof |
US10544329B2 (en) | 2015-04-13 | 2020-01-28 | Honeywell International Inc. | Polysiloxane formulations and coatings for optoelectronic applications |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS641762A (en) * | 1987-06-25 | 1989-01-06 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Silicone composition |
JPS6485224A (en) * | 1987-09-25 | 1989-03-30 | Toray Silicone Co | Adhesion accelerator |
JPH0411634A (ja) * | 1990-04-28 | 1992-01-16 | Toray Dow Corning Silicone Co Ltd | 接着促進剤 |
-
2005
- 2005-03-07 JP JP2005062493A patent/JP4513966B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS641762A (en) * | 1987-06-25 | 1989-01-06 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Silicone composition |
JPS6485224A (en) * | 1987-09-25 | 1989-03-30 | Toray Silicone Co | Adhesion accelerator |
JPH0411634A (ja) * | 1990-04-28 | 1992-01-16 | Toray Dow Corning Silicone Co Ltd | 接着促進剤 |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7678462B2 (en) | 1999-06-10 | 2010-03-16 | Honeywell International, Inc. | Spin-on-glass anti-reflective coatings for photolithography |
US9069133B2 (en) | 1999-06-10 | 2015-06-30 | Honeywell International Inc. | Anti-reflective coating for photolithography and methods of preparation thereof |
US8053159B2 (en) | 2003-11-18 | 2011-11-08 | Honeywell International Inc. | Antireflective coatings for via fill and photolithography applications and methods of preparation thereof |
WO2008102060A3 (en) * | 2007-02-22 | 2009-03-05 | Silecs Oy | High silicon content siloxane polymers for integrated circuits |
WO2008102060A2 (en) * | 2007-02-22 | 2008-08-28 | Silecs Oy | High silicon content siloxane polymers for integrated circuits |
US8642246B2 (en) | 2007-02-26 | 2014-02-04 | Honeywell International Inc. | Compositions, coatings and films for tri-layer patterning applications and methods of preparation thereof |
WO2008106379A1 (en) * | 2007-02-26 | 2008-09-04 | Honeywell International Inc. | Compositions, coatings and films for tri-layer patterning applications and methods of preparation thereof |
JP2010532792A (ja) * | 2007-04-10 | 2010-10-14 | ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド | オプトエレクトロニクスデバイス用の組成物、層、及びフィルム、並びにこれらの使用 |
TWI454540B (zh) * | 2009-01-23 | 2014-10-01 | Shinetsu Chemical Co | A primer composition, and an optical semiconductor device using the same |
JP2010168496A (ja) * | 2009-01-23 | 2010-08-05 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | プライマー組成物およびそれを用いた光半導体装置 |
KR20100086955A (ko) * | 2009-01-23 | 2010-08-02 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 프라이머 조성물 및 그것을 이용한 광 반도체 장치 |
KR101717782B1 (ko) * | 2009-01-23 | 2017-03-17 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 프라이머 조성물 및 그것을 이용한 광 반도체 장치 |
US8557877B2 (en) | 2009-06-10 | 2013-10-15 | Honeywell International Inc. | Anti-reflective coatings for optically transparent substrates |
US8784985B2 (en) | 2009-06-10 | 2014-07-22 | Honeywell International Inc. | Anti-reflective coatings for optically transparent substrates |
US8864898B2 (en) | 2011-05-31 | 2014-10-21 | Honeywell International Inc. | Coating formulations for optical elements |
JP2013028713A (ja) * | 2011-07-28 | 2013-02-07 | Daicel Corp | プライマー組成物および該プライマー組成物を用いた光半導体装置 |
US10544329B2 (en) | 2015-04-13 | 2020-01-28 | Honeywell International Inc. | Polysiloxane formulations and coatings for optoelectronic applications |
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Publication number | Publication date |
---|---|
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