JP2006240959A

JP2006240959A - Ｉｉｉ族窒化物結晶成長方法およびｉｉｉ族窒化物結晶成長装置

Info

Publication number: JP2006240959A
Application number: JP2005062414A
Authority: JP
Inventors: Hiroyoshi Shoji; 浩義庄子; Shoji Sarayama; 正二皿山; Hirokazu Iwata; 浩和岩田
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 2005-03-07
Filing date: 2005-03-07
Publication date: 2006-09-14
Anticipated expiration: 2025-03-07
Also published as: JP4500186B2

Abstract

【課題】融液保持容器の外形寸法を大きくすることなく、また、大量のアルカリ金属を必要とせずに、大きなIII族窒化物単結晶を得る。
【解決手段】 III族窒化物を溶融する融液保持容器２の部分を溶融部分７とし、溶融したIII族窒化物が輸送される融液保持容器２の部分を輸送部分８とし、輸送されたIII族窒化物が再結晶化する融液保持容器２の部分を結晶成長部分９とする場合、輸送部分８の内径を結晶成長部分９の内径よりも小さくしている。これによって、融液保持容器２内の融液３の対流を抑え、ヒーター５，６によって温度差を付けやすくしている。
【選択図】図１

Description

本発明は、III族窒化物結晶成長方法およびIII族窒化物結晶成長装置に関する。

一般に、高品質の半導体層を基板上にエピタキシャル成長させる場合には、基板と半導体層の格子定数や熱膨張係数が同程度である必要がある。しかし、III族窒化物半導体はこれらを同時に満足する基板が世の中には存在しない。

従って、III族窒化物では、一般に、サファイアやＧａＡｓのようなIII族窒化物半導体とは格子定数や熱膨張係数の大きく異なる異種基板上に、ＥＬＯ等の結晶成長技術を用いて厚膜ＧａＮを成長し、それを基板として半導体レーザー結晶を作製している。

しかるに、異種基板を用いて結晶成長されたＧａＮ基板は、転位密度が１０^７ｃｍ^−２程度と非常に多くの結晶欠陥が含まれており、実用的な高出力のレーザー素子や電子デバイスを作製するには未だ十分な品質であるとはいえない。

一方、高品質なＧａＮ基板を作製するためのＧａＮバルク単結晶を作製する試みが様々な研究機関においてなされているが、いまだに数ミリ程度のものしか得られていないのが現状であり、実用化には程遠い状態である。

また、アルカリ金属中でIII族窒化物を溶融再結晶化させてIII族窒化物単結晶を作製する試みがなされているが、この方法でも数ミリ程度のものしか得られていないのが現状である。

非特許文献１（従来技術１）には、Ｎａをフラックスとして用いたＧａＮ結晶成長方法が示されている。この方法は、フラックスとしてのアジ化ナトリウム（ＮａＮ_３）と金属Ｇａとを原料として、ステンレス製の反応容器（容器内寸法；内径＝７．５ｍｍ、長さ＝１００ｍｍ）に窒素雰囲気で封入し、この反応容器を６００℃〜８００℃の温度で２４〜１００時間保持することにより、ＧａＮ結晶を成長させるものである。この方法では、６００℃〜８００℃程度の比較的低温での結晶成長が可能であり、容器内圧も高々１００ｋｇ／ｃｍ^２程度と低く出来る点が特徴である。

また、特許文献１（従来技術２）には、アルカリ金属中でIII族窒化物をIII族金属と窒素とに分解した後、III族窒化物結晶を成長させる方法が記載されている。
ＣｈｅｍｉｓｔｒｙｏｆＭａｔｅｒｉａｌｓＶｏｌ．９（１９９７）ｐ．４１３−４１６特開２００３-１６０３９９号公報

上述した従来技術では、アルカリ金属とIII族窒化物を融液保持容器内に収容し、融液保持容器に温度差をつけて高温部分でIII族窒化物をアルカリ金属中に溶融し、低温部分でIII族窒化物が再結晶化するようにしている。

しかしながら、溶融再結晶化によるIII族窒化物の単結晶成長では、大きな結晶を作製するには融液保持容器の内径を大きくすることが必要となるが、融液保持容器の内径を大きくすると、アルカリ金属の融液（溶融したIII族金属も含む）の対流によって温度差が付きにくくなる。温度差を付けるためには融液保持容器を長いものにすることが有効であるが、融液保持容器を長いものにすると大量のアルカリ金属が必要となるため、結晶成長後の処理作業に大きな負担がかかることとなる。

本発明は、融液保持容器の外形寸法を大きくすることなく、また、大量のアルカリ金属を必要とせずに、大きなIII族窒化物単結晶を得ることの可能なIII族窒化物結晶成長方法およびIII族窒化物結晶成長装置を提供することを目的としている。

上記目的を達成するために、請求項１記載の発明は、温度差を設けた融液保持容器内にアルカリ金属融液とIII族窒化物原料を収容し、融液保持容器内の高温部でIII族窒化物をアルカリ金属融液中に溶融し、低温部でIII族窒化物を再結晶化させることでIII族窒化物単結晶を成長させるIII族窒化物結晶成長方法において、III族窒化物を溶融する融液保持容器の部分を溶融部分とし、溶融したIII族窒化物が輸送される融液保持容器の部分を輸送部分とし、輸送されたIII族窒化物が再結晶化する融液保持容器の部分を結晶成長部分とする場合、輸送部分の断面積を結晶成長部分の断面積よりも小さくして、III族窒化物の結晶成長を行なうことを特徴としている。

また、請求項２記載の発明は、請求項１記載のIII族窒化物結晶成長方法において、輸送部分の内径を結晶成長部分の内径よりも小さくして、III族窒化物の結晶成長を行なうことを特徴としている。

また、請求項３記載の発明は、温度差を設けた融液保持容器内にアルカリ金属融液とIII族窒化物原料を収容し、融液保持容器内の高温部でIII族窒化物をアルカリ金属融液中に溶融し、低温部でIII族窒化物を再結晶化させることでIII族窒化物単結晶を成長させるIII族窒化物結晶成長装置において、融液保持容器内における融液の対流を抑える対流抑制手段が融液保持容器内に設けられていることを特徴としている。

また、請求項４記載の発明は、請求項３記載のIII族窒化物結晶成長装置において、前記対流抑制手段は、III族窒化物を溶融する融液保持容器の部分を溶融部分とし、溶融したIII族窒化物が輸送される融液保持容器の部分を輸送部分とし、輸送されたIII族窒化物が再結晶化する融液保持容器の部分を結晶成長部分とする場合、輸送部分の断面積を結晶成長部分の断面積よりも小さくするものであることを特徴としている。

また、請求項５記載の発明は、請求項３または請求項４記載のIII族窒化物結晶成長装置において、前記対流抑制手段は、III族窒化物を溶融する融液保持容器の部分を溶融部分とし、溶融したIII族窒化物が輸送される融液保持容器の部分を輸送部分とし、輸送されたIII族窒化物が再結晶化する融液保持容器の部分を結晶成長部分とする場合、輸送部分の内径を結晶成長部分の内径よりも小さくするものであることを特徴としている。

また、請求項６記載の発明は、請求項３乃至請求項５のいずれか一項に記載のIII族窒化物結晶成長装置において、前記対流抑制手段は、融液保持容器内の輸送部分の内側に設けられた突起であることを特徴としている。

また、請求項７記載の発明は、請求項３乃至請求項５のいずれか一項に記載のIII族窒化物結晶成長装置において、前記対流抑制手段は、融液保持容器内の輸送部分の内側に設けられた複数のフィンであり、それぞれのフィンの穴が、互いに直線上からずらして配置されていることを特徴としている。

請求項１乃至請求項２記載の発明によれば、温度差を設けた融液保持容器内にアルカリ金属融液とIII族窒化物原料を収容し、融液保持容器内の高温部でIII族窒化物をアルカリ金属融液中に溶融し、低温部でIII族窒化物を再結晶化させることでIII族窒化物単結晶を成長させるIII族窒化物結晶成長方法において、III族窒化物を溶融する融液保持容器の部分を溶融部分とし、溶融したIII族窒化物が輸送される融液保持容器の部分を輸送部分とし、輸送されたIII族窒化物が再結晶化する融液保持容器の部分を結晶成長部分とする場合、輸送部分の断面積を結晶成長部分の断面積よりも小さくして、結晶成長を行なうようにしており、輸送部分の断面積を結晶成長部分の断面積よりも小さくすることで、融液保持容器内における融液の対流を抑制することができ、これによって、融液保持容器を大きくすることなく、大量のアルカリ金属を必要とせずに（少量のアルカリ金属で）、大きなIII族窒化物単結晶を得ることができる。

また、請求項３乃至請求項７記載の発明では、温度差を設けた融液保持容器内にアルカリ金属融液とIII族窒化物原料を収容し、融液保持容器内の高温部でIII族窒化物をアルカリ金属融液中に溶融し、低温部でIII族窒化物を再結晶化させることでIII族窒化物単結晶を成長させるIII族窒化物結晶成長装置において、融液保持容器内における融液の対流を抑える対流抑制手段が融液保持容器内に設けられているので、融液保持容器を大きくすることなく（これにより、グローブボックス内での作業に支障を生じさせずに済み）、大量のアルカリ金属を必要とせずに（少量のアルカリ金属で）、大きなIII族窒化物単結晶を得ることができる。

以下、本発明を実施するための最良の形態を説明する。なお、以下、本発明において「融液」とは、アルカリ金属の融液（溶融したIII族金属も含む）を意味するものとする。

（第１の形態）
本発明の第１の形態は、温度差を設けた融液保持容器内にアルカリ金属融液とIII族窒化物原料を収容し、融液保持容器内の高温部でIII族窒化物をアルカリ金属融液中に溶融し、低温部でIII族窒化物を再結晶化させることでIII族窒化物単結晶を成長させるIII族窒化物結晶成長方法において、III族窒化物を溶融する融液保持容器の部分を溶融部分とし、溶融したIII族窒化物が輸送される融液保持容器の部分を輸送部分とし、輸送されたIII族窒化物が再結晶化する融液保持容器の部分を結晶成長部分とする場合、輸送部分の断面積を結晶成長部分の断面積よりも小さくして、III族窒化物の結晶成長を行なうことを特徴としている。

（第２の形態）
本発明の第２の形態は、第１の形態のIII族窒化物結晶成長方法において、輸送部分の内径を結晶成長部分の内径よりも小さくして、III族窒化物の結晶成長を行なうことを特徴としている。

本発明の第１，第２の形態では、輸送部分の断面積を結晶成長部分の断面積よりも小さくして、III族窒化物の結晶成長を行なうので、融液保持容器内における融液の対流を抑制することができ、これによって、融液保持容器を大きくすることなく、大量のアルカリ金属を必要とせずに（少量のアルカリ金属で）、大きなIII族窒化物単結晶を得ることができる。

（第３の形態）
本発明の第３の形態は、温度差を設けた融液保持容器内にアルカリ金属融液とIII族窒化物原料を収容し、融液保持容器内の高温部でIII族窒化物をアルカリ金属融液中に溶融し、低温部でIII族窒化物を再結晶化させることでIII族窒化物単結晶を成長させるIII族窒化物結晶成長装置において、融液保持容器内における融液の対流を抑える対流抑制手段が融液保持容器内に設けられていることを特徴としている。

（第４の形態）
本発明の第４の形態は、第３の形態のIII族窒化物結晶成長装置において、前記対流抑制手段は、III族窒化物を溶融する融液保持容器の部分を溶融部分とし、溶融したIII族窒化物が輸送される融液保持容器の部分を輸送部分とし、輸送されたIII族窒化物が再結晶化する融液保持容器の部分を結晶成長部分とする場合、輸送部分の断面積を結晶成長部分の断面積よりも小さくするものであることを特徴としている。

（第５の形態）
本発明の第５の形態は、第３または第４の形態のIII族窒化物結晶成長装置において、前記対流抑制手段は、III族窒化物を溶融する融液保持容器の部分を溶融部分とし、溶融したIII族窒化物が輸送される融液保持容器の部分を輸送部分とし、輸送されたIII族窒化物が再結晶化する融液保持容器の部分を結晶成長部分とする場合、輸送部分の内径を結晶成長部分の内径よりも小さくするものであることを特徴としている。

（第６の形態）
本発明の第６の形態は、第３乃至第５のいずれかの形態のIII族窒化物結晶成長装置において、前記対流抑制手段は、融液保持容器内の輸送部分の内側に設けられた突起であることを特徴としている。

（第７の形態）
本発明の第７の形態は、第３乃至第５のいずれかの形態のIII族窒化物結晶成長装置において、前記対流抑制手段は、融液保持容器内の輸送部分の内側に設けられた複数のフィンであり、それぞれのフィンの穴が、互いに直線上からずらして配置されていることを特徴としている。

本発明の第３乃至第７の形態では、融液保持容器内における融液の対流を抑える対流抑制手段が融液保持容器内に設けられているので、融液保持容器を大きくすることなく（これにより、グローブボックス内での作業に支障を生じさせずに済み）、大量のアルカリ金属を必要とせずに（少量のアルカリ金属で）、大きなIII族窒化物単結晶を得ることができる。

具体的に、第６の形態のように、対流抑制手段として、輸送部分の内側に突起を設けることで、融液の対流を抑制することができ、これによって、融液保持容器を大きくすることなく、また、少量のアルカリ金属で、大きなIII族窒化物単結晶を得ることができる。

また、第７の形態のように、輸送部分に複数のフィンを設け、それぞれのフィンの穴を直線からずらして設置することによっても、融液の対流を抑制することができ、これによって、融液保持容器を大きくすることなく、また、少量のアルカリ金属で、大きなIII族窒化物単結晶を得ることができる。

次に、本発明の実施例を説明する。

図１は従来のIII族窒化物結晶成長装置を示す図である。図１を参照すると、反応容器１内には融液保持容器２が保持され、融液保持容器２内には、アルカリ金属３とIII族窒化物４が収容されている。また、図１の装置では、２つのヒーター５，６によって融液保持容器２の上下間で温度差を付けられる構造となっている。

図１の装置で溶融再結晶化を行なうには、ヒーター５の温度を高く設定し、ヒーター６を低い温度に設定する。これにより、融液保持容器２の下側が高温となり、III族窒化物４が溶融しアルカリ金属３が拡散することで上側に移動していき、温度が低い部分で再結晶化する。この温度差を得るためには融液保持容器２の長さ（高さ）をある程度長くすることが必要となる。大きな結晶を得るために融液保持容器２の内径を大きくすると、図１に示した矢印のようにアルカリ金属の融液３（溶融したIII族金属も含む）が対流することで温度差が少なくなるため、融液保持容器２の長さをさらに長いものにすることが必要となる。すなわち、図１に示すような従来のIII族窒化物結晶成長装置では、融液３が対流することで、大きな結晶を得るためには、融液保持容器２を大きくしなければならず、また、大量のアルカリ金属を必要とした。

図２は実施例１のIII族窒化物結晶成長装置を示す図である。

実施例１では、図２に示すように、融液保持容器２を溶融部分７，輸送部分８，結晶成長部分９と分けたとき（すなわち、III族窒化物を溶融する融液保持容器の部分を溶融部分とし、溶融したIII族窒化物が輸送される融液保持容器の部分を輸送部分とし、輸送されたIII族窒化物が再結晶化する融液保持容器の部分を結晶成長部分とする場合）、輸送部分８の内径を結晶成長部分９の内径よりも小さくしている。これによって、融液保持容器２内の融液３の対流を抑え、ヒーター５，６によって温度差を付けやすくしている。そして、結晶成長部分９は内径が小さくなっていないので、この結晶成長部分９で大きな結晶が得られるようになっている。

このように対流を抑えることで温度差を付きやすくすると、所定の大きさの結晶を得るのに、従来に比べて融液保持容器２の長さを抑えることが可能となり、グローブボックス内での原料の仕込みが容易となるばかりか、アルカリ金属３の量を減らすことができる。

具体的に、図２の例では、融液保持容器２は、内径がφ５０ｍｍで、深さが８０ｍｍの円筒形となっており、輸送部分８に突起１０を設けてこの部分の内径を小さくしている。すなわち、この実施例１では、輸送部分８の突起１０は、融液保持容器２の底から１０ｍｍのところから高さ５０ｍｍまでにわたり内径がφ２０ｍｍとなるように形成されている。なお、融液保持容器２の突起１０は、融液保持容器２と一体である必要はなく、後述のように、例えば図４に示すようなスペーサ１１を融液保持容器２内に設置するものでも良い。

このような融液保持容器２にアルカリ金属としてＮａを７０ｇ入れ、また、III族窒化物としてＧａＮを３ｇ入れて、結晶成長を行った。結晶成長温度はＧａＮの溶融部分７が８００℃、結晶成長部分９が７５０℃になるよう、ヒーター５，６を調節している。なお、上記温度は、融液３の温度を直接測ることができないため、融液保持容器２に近接させた熱電対２本で測ったものである。この状態で１５０時間保持して結晶成長を行ったところ、結晶成長部分９にＧａＮ単結晶を得ることができた。

比較のため、融液保持容器２に突起１０を設けないで結晶成長を行ったが、Ｎａの仕込み量は１３０ｇ必要となり、実施例１の約２倍にも達した。また、実施例１と同じ条件で結晶成長を行ったが、ＧａＮ結晶を得ることはできなかった。これは、おそらく融液３の対流によって温度差が十分に付かなかったためであると考えられ、温度差を付けるためには融液保持容器２の長さをもっと長くする必要があると考えられる。これらのことから、実施例１では、融液保持容器２の突起１０によるＮａ量を少なくする効果と、融液保持容器２の長さを短くできることからくる全体のＮａ量を少なくする効果との両方の効果がある。

このように、実施例１では、輸送部分８に突起１０を設けてこの部分の内径を小さくしていることにより、融液保持容器内における融液の対流を抑制することができ、これによって、融液保持容器を大きくすることなく、大量のアルカリ金属を必要とせずに（少量のアルカリ金属で）、大きなIII族窒化物単結晶を得ることができる。

図３は実施例２のIII族窒化物結晶成長装置を示す図である。

実施例２では、図３に示すように、融液３の対流を抑制するために輸送部分８に複数のフィン１２を設け、それぞれのフィン１２の穴１３を直線からずらして配置している。

より具体的に、実施例３では、フィン１２を３段にし、融液保持容器２の底から１５ｍｍの所に１段目のフィンを設け、２段目と３段目もそれぞれ１５ｍｍの間隔となるようにした。また、フィン１２の穴１３は直径２ｃｍとし、それぞれ直線に並ばないようにした。

このような融液保持容器２にアルカリ金属としてＮａを１２０ｇ入れ、また、III族窒化物としてＧａＮを３ｇ入れて、結晶成長を行った。結晶成長温度はＧａＮの溶融部分７が８００℃、結晶成長部分９が７５０℃になるよう、ヒーター５，６を調節している。なお、上記温度は、融液３の温度を直接測ることができないため、融液保持容器２に近接させた熱電対２本で測ったものである。この状態で１５０時間保持して結晶成長を行ったところ、結晶成長部分９にＧａＮ単結晶を得ることができた。

このように、実施例２では、輸送部分８に複数のフィン１２を設け、それぞれのフィン１２の穴１３を直線からずらして配置していることにより、融液保持容器内における融液の対流を抑制することができ、これによって、融液保持容器を大きくすることなく、大量のアルカリ金属を必要とせずに（少量のアルカリ金属で）、大きなIII族窒化物単結晶を得ることができる。

図４は実施例３のIII族窒化物結晶成長装置を示す図である。図４を参照すると、実施例３では、実施例１のように融液保持容器２に突起を設けるのに、突起（スペーサ）１１は、個別に作製され、融液保持容器２内に挿入可能に構成されたものとなっている。

より具体的に、実施例３では、突起（スペーサ）１１は、外形がφ４９ｍｍ、高さが５０ｍｍのＢＮ（ボロンナイトライド）を図４のように加工し、ＢＮ(ボロンナイトライド)製の融液保持容器２（内径がφ５０ｍｍ、深さが８０ｍｍ）内に挿入している。

このような突起（スペーサ）１１を用いて実施例１に示す条件で結晶成長させた結果、結晶成長部分９にＧａＮ単結晶を得ることができた。

このように実施例３では、実施例１において、突起を個別に作製し、融液保持容器内に挿入することで、輸送部分の内径が小さい融液保持容器を簡単に作製することができる。

図５は実施例４のIII族窒化物結晶成長装置を示す図である。図５を参照すると、実施例４では、実施例２のように融液保持容器２にフィンを設けるのに、フィン１２は、個別に作製され、融液保持容器２内に挿入可能に構成されたものとなっている。

より具体的に、実施例４では、フィン１２は、外形がφ４９ｍｍ、高さが１５ｍｍのＢＮ（ボロンナイトライド）を図５のように加工しており、ＢＮの肉厚は５ｍｍとし、穴１３はセンターからずらして開口され、融液保持容器２に挿入する際に直線上にならないように角度をずらして設置している。

このようなフィン１２を用いて実施例２に示す条件で結晶成長させた結果、結晶成長部分９にＧａＮ単結晶を得ることができた。

このように実施例４では、実施例２において、フィンを個別に作製し、融液保持容器内に挿入することで、輸送部分の内径が小さい融液保持容器を簡単に作製することができる。

本発明は、光ディスク用青紫色光源、紫外光源（ＬＤ、ＬＥＤ）、電子写真用青紫色光源、III族窒化物電子デバイスなどに利用可能である。

従来のIII族窒化物結晶成長装置を示す図である。実施例１のIII族窒化物結晶成長装置を示す図である。実施例２のIII族窒化物結晶成長装置を示す図である。実施例３のIII族窒化物結晶成長装置を示す図である。実施例４のIII族窒化物結晶成長装置を示す図である。

符号の説明

１反応容器
２融液保持容器
３アルカリ金属（融液）
４ＩＩＩ族窒化物
５，６ヒーター
７溶融部分
８輸送部分
９結晶成長部分
１０突起
１１スペーサ
１２フィン
１３フィンの穴

Claims

温度差を設けた融液保持容器内にアルカリ金属融液とIII族窒化物原料を収容し、融液保持容器内の高温部でIII族窒化物をアルカリ金属融液中に溶融し、低温部でIII族窒化物を再結晶化させることでIII族窒化物単結晶を成長させるIII族窒化物結晶成長方法において、III族窒化物を溶融する融液保持容器の部分を溶融部分とし、溶融したIII族窒化物が輸送される融液保持容器の部分を輸送部分とし、輸送されたIII族窒化物が再結晶化する融液保持容器の部分を結晶成長部分とする場合、輸送部分の断面積を結晶成長部分の断面積よりも小さくして、III族窒化物の結晶成長を行なうことを特徴とするIII族窒化物結晶成長方法。
請求項１記載のIII族窒化物結晶成長方法において、輸送部分の内径を結晶成長部分の内径よりも小さくして、III族窒化物の結晶成長を行なうことを特徴とするIII族窒化物結晶成長方法。
温度差を設けた融液保持容器内にアルカリ金属融液とIII族窒化物原料を収容し、融液保持容器内の高温部でIII族窒化物をアルカリ金属融液中に溶融し、低温部でIII族窒化物を再結晶化させることでIII族窒化物単結晶を成長させるIII族窒化物結晶成長装置において、融液保持容器内における融液の対流を抑える対流抑制手段が融液保持容器内に設けられていることを特徴とするIII族窒化物結晶成長装置。
請求項３記載のIII族窒化物結晶成長装置において、前記対流抑制手段は、III族窒化物を溶融する融液保持容器の部分を溶融部分とし、溶融したIII族窒化物が輸送される融液保持容器の部分を輸送部分とし、輸送されたIII族窒化物が再結晶化する融液保持容器の部分を結晶成長部分とする場合、輸送部分の断面積を結晶成長部分の断面積よりも小さくするものであることを特徴とするIII族窒化物結晶成長装置。
請求項３または請求項４記載のIII族窒化物結晶成長装置において、前記対流抑制手段は、III族窒化物を溶融する融液保持容器の部分を溶融部分とし、溶融したIII族窒化物が輸送される融液保持容器の部分を輸送部分とし、輸送されたIII族窒化物が再結晶化する融液保持容器の部分を結晶成長部分とする場合、輸送部分の内径を結晶成長部分の内径よりも小さくするものであることを特徴とするIII族窒化物結晶成長装置。
請求項３乃至請求項５のいずれか一項に記載のIII族窒化物結晶成長装置において、前記対流抑制手段は、融液保持容器内の輸送部分の内側に設けられた突起であることを特徴とするIII族窒化物結晶成長装置。
請求項３乃至請求項５のいずれか一項に記載のIII族窒化物結晶成長装置において、前記対流抑制手段は、融液保持容器内の輸送部分の内側に設けられた複数のフィンであり、それぞれのフィンの穴が、互いに直線上からずらして配置されていることを特徴とするIII族窒化物結晶成長装置。