JP2007176718A - 炭化珪素単結晶の製造方法及び製造装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】欠陥や歪みが多く存在する種結晶の側面及び外縁部を昇華エッチングして前記種結晶の口径を縮小する工程と、口径が縮小された前記種結晶を、所望の大きさにまで口径拡大する単結晶成長工程を順次実施することにより、種結晶外縁部に起因する欠陥や歪みの発生や伝播を抑制して単結晶成長させることができ、高品質な炭化珪素単結晶を製造することができる。
【選択図】図1
Description
単結晶成長用坩堝容器内の蓋部に種結晶を配置するための第1の口径dの円柱形状の台座と、
前記台座に第1の口径dより大きい第2の口径Aの略円柱形状若しくは多角形柱形状の炭化珪素種結晶を配置し、当該種結晶に対し所定の距離離して前記種結晶面に対抗する開口部を有する突起状のガイド部と、を備え、
前記ガイド部は、前記蓋部に対抗し前記台座と所定の距離hだけ離間する平面部と前記炭化珪素種結晶の厚みtの方向と所定の角度θをなす円錐状部を有し、前記炭化珪素原材料を加熱昇華し炭化珪素成長させる際に、炭化珪素種結晶を口径縮小して成長した後に、前記ガイド部の円錐状部に沿って口径拡大して成長さすことを特徴としたものである。
に前記台座に第1の口径dより大きい第2の口径Aの略円柱形状若しくは多角形柱形状の炭化珪素種結晶を配置し、
前記台座から水平方向にはみ出した前記種結晶外縁部を昇華エッチングし前記種結晶の口径を縮小して炭化珪素を成長し、
前記炭化珪素種結晶を口径縮小して成長した後に前記ガイド部の円錐状部に沿って口径拡大して成長さすことを特徴としたものである。
2 台座
3 種結晶
4 種結晶外縁部
5 ガイド部
6 坩堝
7 原料粉末
8 単結晶
9 多結晶
10 台座側の種結晶表面
11 単結晶が成長する側の種結晶表面
Claims (8)
- 炭化珪素原材料を加熱昇華させ、炭化珪素単結晶からなる種結晶上に供給し、この炭化珪素結晶上に炭化珪素を成長させる炭化珪素製造装置において、
単結晶成長用坩堝容器内の蓋部に種結晶を配置するための第1の口径dの円柱形状の台座と、
前記台座に第1の口径dより大きい第2の口径Aの略円柱形状若しくは多角形柱形状の炭化珪素種結晶を配置し、当該種結晶に対し所定の距離離して前記種結晶面に対抗する開口部を有する突起状のガイド部と、を備え、
前記ガイド部は、前記蓋部に対向し前記台座と所定の距離hだけ離間する平面部と前記炭化珪素種結晶の厚みtの方向と所定の角度θをなす円錐状部を有し、前記炭化珪素原材料を加熱昇華し炭化珪素成長させる際に、炭化珪素種結晶を口径縮小して成長した後に、前記ガイド部の円錐状部に沿って口径拡大して成長さすことを特徴とする炭化珪素製造装置。 - 前記ガイド部の開口部である第3の口径Dは、前記第1の口径dの間に、d<D≦d+2mmで表される関係を有することを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素単結晶製造装置。
- 前記ガイド部の平面部と前記台座との距離hと前記種結晶の厚みtとの間に、t<h≦t+1mmで表される関係を有することを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素単結晶製造装置。
- 前記所定の角度θは、15°以上60°以下であることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素単結晶製造装置。
- 炭化珪素原材料を加熱昇華させ、炭化珪素単結晶からなる種結晶上に供給し、この炭化珪素種結晶上に当該種結晶近傍に当該種結晶面に対抗する口径Dの開口部と所定の角度θをなす円錐状部を有する突起状のガイド部を介して炭化珪素を成長させる炭化珪素製造方法において、単結晶成長用坩堝容器内の蓋部に種結晶を配置するための第1の口径dの円柱形状の台座
に前記台座に第1の口径dより大きい第2の口径Aの略円柱形状若しくは多角形柱形状の炭化珪素種結晶を配置し、
前記台座から水平方向にはみ出した前記種結晶外縁部を昇華エッチングし前記種結晶の口径を縮小して炭化珪素を成長し、
前記炭化珪素種結晶を口径縮小して成長した後に前記ガイド部の円錐状部に沿って口径拡大して成長さすことを特徴とする炭化珪素単結晶製造方法。 - 前記ガイド部の開口部である第3の口径Dは、前記第1の口径dの間に、d<D≦d+2mmで表されることを特徴とする請求項5に記載の炭化珪素単結晶製造方法。
- 前記ガイド部の平面部と前記台座との距離hと前記種結晶の厚みtとの間に、t<h≦t+1mmで表される関係を有することを特徴とする請求項5に記載の炭化珪素単結晶製造方法。
- 前記所定の角度θは、15°以上60°以下であることを特徴とする請求項5に記載の炭化珪素単結晶製造方法。
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