JP2012121766A - 窒化ガリウム反応容器の撹拌方法及び装置 - Google Patents
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 223
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 99
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 97
- 238000003756 stirring Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 24
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 204
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 196
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 90
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 90
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 79
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 62
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 19
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims abstract description 13
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 8
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 24
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 22
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 13
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 12
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 5
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 24
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 17
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 4
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 3
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000010907 mechanical stirring Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
【解決手段】 耐圧容器2内にて、反応容器3に収容したフラックスとなる液体Na5と液体Ga6の混合液体4を、窒素ガス8の存在下で加圧及び加熱して窒化ガリウム結晶を製造する窒化ガリウム結晶製造装置1における反応容器3の下部外周に、ヒータ12a,12b,12c,12dを設ける。反応容器3の中央部の上方に、ガリウム供給管10の吐出口13を配置する。ヒータ12a,12b,12c,12dによる反応容器3の下部外周に位置する混合液体4の局部加熱により、混合液体4に、反応容器3の内底部の中央部に配置した種結晶基板11の真上となる反応容器3中央部でダウンフローとなる熱対流を発生させると共に、そのダウンフローを、ガリウム供給管10より滴下供給する液体Ga6による反応容器3中央部に位置する混合液体4の局部冷却により促進して、混合液体4を撹拌させる。
【選択図】図1
Description
(1)耐圧容器内に設けた反応容器にナトリウムのフラックスとガリウムの融液からなる混合液体を収容し、上記耐圧容器内に窒素ガスを存在させた状態で、該耐圧容器内にて上記反応容器内の混合液体を加圧及び加熱して窒化ガリウムの結晶を製造するようにしてある窒化ガリウム結晶製造装置における上記反応容器に上記混合溶液を収容すると共に、該反応容器の内底部に種結晶基板を配置した状態で、該反応容器の下部外周部をヒータにより加熱して、上記反応容器内の混合液体に該反応容器内における上記種結晶基板の真上でダウンフローとなる熱対流を発生させるようにし、更に、上記反応容器の上方で且つ上記種結晶基板の真上となる位置より該反応容器内へガリウムの融液を滴下供給して、反応容器内における上記種結晶基板の上方に位置する混合溶液を冷却する窒化ガリウム反応容器の撹拌方法、及び、耐圧容器内に設けた反応容器にナトリウムのフラックスとガリウムの融液からなる混合液体を収容し、上記耐圧容器内に窒素ガスを存在させた状態で、該耐圧容器内にて上記反応容器内の混合液体を加圧及び加熱して窒化ガリウムの結晶を製造するようにしてある窒化ガリウム結晶製造装置における上記反応容器の下部外周部に、該反応容器の各側壁の下部内側に位置する部分の混合液体を加熱するためのヒータを設け、上記反応容器の内底部に種結晶基板を配置し、更に、上記反応容器の上方で且つ上記種結晶基板の真上となる位置に、該反応容器へガリウムの融液を供給するためのガリウム供給管を設けてなる構成を有する窒化ガリウム反応容器の撹拌装置としてあるので、ヒータによる反応容器の下部外周部に存在する混合液体の加熱によって該反応容器内で熱対流を発生させることに加えて、ガリウム供給管より供給するガリウムの融液を利用して反応容器内における上記種結晶基板の真上の液面付近に存在する混合液体の冷却を行うことにより、上記熱対流により種結晶基板の真上で生じているダウンフローを促進させることができる。よって、耐圧容器内に機械的な可動部を何ら要することなく、上記反応容器内の混合液体を効率よく撹拌することができ、且つ撹拌効率を、反応容器内の混合液体を局部加熱することのみによって熱対流させる場合に比して向上させることができる。
(2)更に、液面付近で窒素ガスが溶解することにより窒素濃度がリッチとなり、更に、ガリウム供給管より供給されるガリウムの融液によってガリウム濃度がリッチとなる混合液体を、反応容器内における種結晶基板の真上で生じさせるダウンフローにより、該種結晶基板あるいはその上に成長する窒化ガリウム結晶の結晶成長面に速やかに導くことができるため、窒化ガリウム結晶の成長を効率よく行わせることができる。
(3)しかも、上記窒化ガリウム結晶の成長に伴って消費されるガリウムの融液は、その消費量に応じた量でガリウム供給管より連続的に供給することができるため、装置構成を大型化することなく窒化ガリウム結晶の成長を長時間に亘り行わせることができて、大きな窒化ガリウム結晶を効率よく製造することが可能になる。
2 耐圧容器
3 反応容器
3a,3b,3c,3d 側壁
4 混合液体
5 液体ナトリウム(ナトリウムのフラックス)
6 液体ガリウム(ガリウムの融液)
8 窒素ガス
10 ガリウム供給管
12a,12b,12c,12d ヒータ
14 窒化ガリウム結晶
16a,16b,16c,16d ガリウム供給位置
Claims (4)
- 耐圧容器内に設けた反応容器にナトリウムのフラックスとガリウムの融液からなる混合液体を収容し、上記耐圧容器内に窒素ガスを存在させた状態で、該耐圧容器内にて上記反応容器内の混合液体を加圧及び加熱して窒化ガリウムの結晶を製造するようにしてある窒化ガリウム結晶製造装置における上記反応容器に上記混合溶液を収容すると共に、該反応容器の内底部に種結晶基板を配置した状態で、該反応容器の下部外周部をヒータにより加熱して、上記反応容器内の混合液体に該反応容器内における上記種結晶基板の真上でダウンフローとなる熱対流を発生させるようにし、更に、上記反応容器の上方で且つ上記種結晶基板の真上となる位置より該反応容器内へガリウムの融液を滴下供給して、反応容器内における上記種結晶基板の上方に位置する混合溶液を冷却することを特徴とする窒化ガリウム反応容器の撹拌方法。
- 反応容器の下部外周部に周方向に3分割以上に複数分割されたヒータを備え、該各ヒータの出力を制御することで、上記反応容器内で発生させる熱対流におけるダウンフローの位置を、種結晶基板の結晶成長面の面内で変化させるようにする請求項1記載の窒化ガリウム反応容器の撹拌方法。
- 反応容器におけるガリウムの融液を滴下供給する位置を、種結晶基板の結晶成長面の面内と対応する個所で変位させて、上記反応容器内で発生させる熱対流におけるダウンフローの位置を、種結晶基板の結晶成長面の面内で変化させるようにする請求項1又は2記載の窒化ガリウム反応容器の撹拌方法。
- 耐圧容器内に設けた反応容器にナトリウムのフラックスとガリウムの融液からなる混合液体を収容し、上記耐圧容器内に窒素ガスを存在させた状態で、該耐圧容器内にて上記反応容器内の混合液体を加圧及び加熱して窒化ガリウムの結晶を製造するようにしてある窒化ガリウム結晶製造装置における上記反応容器の下部外周部に、該反応容器の各側壁の下部内側に位置する部分の混合液体を加熱するためのヒータを設け、上記反応容器の内底部に種結晶基板を配置し、更に、上記反応容器の上方で且つ上記種結晶基板の真上となる位置に、該反応容器へガリウムの融液を供給するためのガリウム供給管を設けてなる構成を有することを特徴とする窒化ガリウム反応容器の撹拌装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010274094A JP5533614B2 (ja) | 2010-12-08 | 2010-12-08 | 窒化ガリウム反応容器の撹拌方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2010274094A JP5533614B2 (ja) | 2010-12-08 | 2010-12-08 | 窒化ガリウム反応容器の撹拌方法及び装置 |
Publications (2)
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---|---|
JP2012121766A true JP2012121766A (ja) | 2012-06-28 |
JP5533614B2 JP5533614B2 (ja) | 2014-06-25 |
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Family Applications (1)
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JP2010274094A Expired - Fee Related JP5533614B2 (ja) | 2010-12-08 | 2010-12-08 | 窒化ガリウム反応容器の撹拌方法及び装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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