JP5741085B2 - 窒化物結晶製造方法および窒化物結晶製造装置 - Google Patents
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Description
この結果より、Hf/Doの値が0.3以上になると、基板配置位置13上の流速バラツキが0.6以下になることがわかる。
2 フラックス
3 坩堝
4 加熱容器
5 耐熱耐圧容器
6 窒素含有ガス供給部
7 窒素含有ガス
8 揺動方向
9 金属元素材料
10 III族元素材料
11 揺動角
12 坩堝内面
13 基板配置位置
Claims (4)
- 種基板と、結晶材料とアルカリ金属またはアルカリ土類金属を、坩堝に収納する第1の工程と、
前記坩堝を加熱して前記結晶材料と前記アルカリ金属または前記アルカリ土類金属を含むフラックスを形成するとともに、前記坩堝に窒素含有ガスを供給して、前記種基板上に結晶を育成する第2の工程と、を備え、
前記第2の工程において、前記坩堝内のHf(フラックスの液面深さ)/Do(坩堝の内径)を0.3以上とし、水平方向の1つの軸を中心として前記坩堝を搖動することにより前記フラックスを撹拌する窒化物結晶製造方法。 - 前記第2の工程において、(基板表面の最大流量−基板表面の最小流量)/(基板表面の流量平均)で表される、前記フラックスの流速バラツキが0.6以下である請求項1に記載の窒化物結晶製造方法。
- 種基板が入れられた坩堝を加熱する加熱手段と、
前記坩堝に窒素含有ガスを供給する窒素含有ガス供給手段と、
前記坩堝を搖動させる揺動機構と、を備え、
結晶材料とアルカリ金属またはアルカリ土類金属とを含むフラックスを、Hf(フラックスの液面深さ)/Do(坩堝の内径)が0.3以上になるように前記坩堝内に配置し、
水平方向の1つの軸を中心として前記坩堝を搖動することにより前記フラックスを撹拌する窒化物結晶製造装置。 - (基板表面の最大流量−基板表面の最小流量)/(基板表面の流量平均)で表される、前記フラックスの流速バラツキが0.6以下である請求項3に記載の窒化物結晶製造装置。
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