JP2012140285A - シリコン単結晶インゴットの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】CZ法の多結晶シリコンの充填工程において、供給される多結晶シリコン塊Sとしてスモールサイズ多結晶シリコンS1は用いられておらず、ミドルサイズ多結晶シリコン塊S2とラージサイズ多結晶シリコン塊S3のみが用いられている。また、多結晶シリコンの充填工程において、多結晶シリコン塊Sを無作為に坩堝1内へ供給する。
【選択図】図1
Description
S 多結晶シリコン塊
S1 スモールサイズ多結晶シリコン塊
S2 ミドルサイズ多結晶シリコン塊
S3 ラージサイズ多結晶シリコン塊
Claims (5)
- 坩堝内に多結晶シリコンを充填する充填工程と、前記坩堝内において前記充填された多結晶シリコンを溶解してシリコン融液にする溶融工程と、前記シリコン融液に種結晶を接触させ、該接触させられた種結晶を引き上げることによりシリコン単結晶インゴットを製造する引上工程とを有するシリコン単結晶インゴットの製造方法において、
前記充填工程において、複数の多結晶シリコンの塊を前記坩堝内に無作為に供給することにより前記坩堝内に前記多結晶シリコンを充填し、前記多結晶シリコンの塊は大きさの大きな多結晶シリコンの塊であることを特徴とするシリコン単結晶インゴットの製造方法。 - 前記大きさが大きな多結晶シリコンの塊は、20mm以上の大きさの多結晶シリコンの塊から成り、前記大きさが大きな多結晶シリコンの塊は、大きさが50mmより大きい多結晶シリコンの塊、及び大きさが20mm以上50mm以下の多結晶シリコンの塊の少なくともいずれか1つを有していることを特徴とする請求項2記載のシリコン単結晶インゴットの製造方法。
- 前記供給される多結晶シリコンの塊は少なくとも前記大きさが50mmより大きい多結晶シリコンの塊を含むことを特徴とする請求項2記載のシリコン単結晶インゴットの製造方法。
- 前記供給される多結晶シリコンの塊は少なくとも前記大きさが20mm以上50mm以下の多結晶シリコンの塊を含むことを特徴とする請求項2記載のシリコン単結晶インゴットの製造方法。
- 前記大きさが大きな多結晶シリコンの塊は、前記大きさが50mmより大きい多結晶シリコンの塊と前記大きさが20mm以上50mm以下の多結晶シリコンの塊とからなり、前記50mmより大きい多結晶シリコンの塊が70重量%であり、前記大きさが20mm以上50mm以下の多結晶シリコンの塊が30重量%であることを特徴とする請求項2記載のシリコン単結晶インゴットの製造方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010293964A JP2012140285A (ja) | 2010-12-28 | 2010-12-28 | シリコン単結晶インゴットの製造方法 |
TW100146161A TW201226640A (en) | 2010-12-28 | 2011-12-14 | Method for producing silicon single crystal ingot |
SG2011092921A SG182096A1 (en) | 2010-12-28 | 2011-12-15 | Method for producing silicon single crystal ingot |
EP11194298A EP2471980A1 (en) | 2010-12-28 | 2011-12-19 | Method for producing silicon single crystal ingot |
US13/329,378 US20120160154A1 (en) | 2010-12-28 | 2011-12-19 | Method For Producing Silicon Single Crystal Ingot |
CN2011104612658A CN102560622A (zh) | 2010-12-28 | 2011-12-26 | 硅单晶锭的制造方法 |
KR1020110143698A KR20120075427A (ko) | 2010-12-28 | 2011-12-27 | 실리콘 단결정 잉곳을 제조하는 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010293964A JP2012140285A (ja) | 2010-12-28 | 2010-12-28 | シリコン単結晶インゴットの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012140285A true JP2012140285A (ja) | 2012-07-26 |
Family
ID=45400968
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010293964A Pending JP2012140285A (ja) | 2010-12-28 | 2010-12-28 | シリコン単結晶インゴットの製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120160154A1 (ja) |
EP (1) | EP2471980A1 (ja) |
JP (1) | JP2012140285A (ja) |
KR (1) | KR20120075427A (ja) |
CN (1) | CN102560622A (ja) |
SG (1) | SG182096A1 (ja) |
TW (1) | TW201226640A (ja) |
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FI3940124T3 (fi) | 2020-07-14 | 2024-04-03 | Siltronic Ag | Kidekappale yksikiteisestä piistä |
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-
2010
- 2010-12-28 JP JP2010293964A patent/JP2012140285A/ja active Pending
-
2011
- 2011-12-14 TW TW100146161A patent/TW201226640A/zh unknown
- 2011-12-15 SG SG2011092921A patent/SG182096A1/en unknown
- 2011-12-19 EP EP11194298A patent/EP2471980A1/en not_active Withdrawn
- 2011-12-19 US US13/329,378 patent/US20120160154A1/en not_active Abandoned
- 2011-12-26 CN CN2011104612658A patent/CN102560622A/zh active Pending
- 2011-12-27 KR KR1020110143698A patent/KR20120075427A/ko not_active Application Discontinuation
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2471980A1 (en) | 2012-07-04 |
TW201226640A (en) | 2012-07-01 |
US20120160154A1 (en) | 2012-06-28 |
CN102560622A (zh) | 2012-07-11 |
SG182096A1 (en) | 2012-07-30 |
KR20120075427A (ko) | 2012-07-06 |
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Date | Code | Title | Description |
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A711 | Notification of change in applicant |
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