KR20120075427A - 실리콘 단결정 잉곳을 제조하는 방법 - Google Patents

실리콘 단결정 잉곳을 제조하는 방법 Download PDF

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실트로닉 아게
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Abstract

본 발명의 목적은, 핀홀의 형성을 크게 억제하도록 할 수 있으며 실질적으로 핀홀의 형성을 억제하도록 할 수 있는 잉곳 제조 방법을 제공하는 것이다.
CZ 방법의 다결정 실리콘 충전 단계에 있어서, 공급되는 다결정 실리콘 덩어리(S)로서 소형 다결정 실리콘 덩어리(S1)가 사용되지 않으며, 단지 중형 다결정 실리콘 덩어리(S2) 및 대형 다결정 실리콘 덩어리(S3)만이 사용된다. 더욱이, 다결정 실리콘 충전 단계에 있어서, 다결정 실리콘 덩어리(S)는 도가니(1) 내로 무작위적으로 공급된다.

Description

실리콘 단결정 잉곳을 제조하는 방법{METHOD FOR PRODUCING SILICON SINGLE CRYSTAL INGOT}
본 발명은 쵸크랄스키법(이하에서는 "CZ 방법"이라고 함)을 이용하는 실리콘 단결정 잉곳(이하에서는 "잉곳"이라고 함)을 제조하는 방법에 관한 것이며, 특히 원료 다결정 실리콘으로 도가니를 충전하는 방법에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하기 위해 사용되는 반도체 기판은 단결정 실리콘 웨이퍼로 제조되며, CZ 방법은 잉곳을 성장시키기 위해 널리 사용된다. CZ 방법에 따르면, 도가니는 다결정 실리콘으로 충전되며, 이러한 다결정 실리콘은 실리콘 용융물(silicon melt)을 획득하기 위해 용융된다. 다음으로, 모결정(seed crystal)이 이러한 실리콘 용융물과 접촉하게 되며, 잉곳은 모결정을 인상함으로써 성장된다. 이러한 과정에 있어서, 실리콘 용융물 내에 포함되는 기포는 실리콘 용융물의 표면으로부터 빠져나가지 않고 실리콘 용융물 내에 남게 된다. 이때, 상기 기포는 잉곳에 의해 취해질 수 있다. 이로 인해, 성장된 잉곳 상에, 기포에 기초한 공동인 핀홀(pinhole)이 형성된다.
실리콘 웨이퍼는 잉곳을 슬라이싱(slicing)함으로써 제조되며, 핀홀이 형성되어 있는 웨이퍼로부터 원하는 구성을 갖는 반도체 소자를 제조할 수 없다는 문제가 있다.
잉곳을 성장시키는 동안 핀홀의 형성을 감소시키기 위해, 통상적으로 다양한 방법이 제안된 바 있다. 예를 들면, 핀홀의 발생을 감소시키기 위해 5 내지 60 mbar의 노 압력으로 다결정 실리콘 재료를 용융하는 방법이 개시된 바 있다[예컨대, 일본 특허 출원 공보 (공개) 제H5-9097호 참고]. 다결정 실리콘 재료의 덩어리(chunk)를 그 크기에 따라 3가지 분류로 구분하는 방법이 또한 개시되어 있는데, 여기서 핀홀의 발생을 감소시키기 위해 큰 덩어리는 도가니의 측면을 따라 배치되고 작은 덩어리는 도가니의 중앙에 배치되며 중간 덩어리는 상기 작은 덩어리 상에 배치된다[예컨대, 일본 특허 출원 공보 (공개) 제2002-535223호 참고]. 더욱이, 실리콘 용융물을 형성하도록 다결정 실리콘을 용융하는 단계와 모결정이 실리콘 용융물과 접촉하게 되도록 함으로써 잉곳을 성장시키는 단계 사이에서 도가니를 지지하는 도가니 축에 진동을 부여하며, 이에 따라 핀홀의 형성을 감소시키는 것인 방법이 또한 개시되어 있다[예컨대, 일본 특허 출원 공보 (공개) 제2007-210803호 참고].
최근에, 반도체 장치는 더욱 정교해졌으며 그 두께는 더욱 얇아졌고, 반도체 장치의 제작 시에, 잉곳에 형성되는 핀홀은 더욱 심각한 문제를 야기하였다. 더욱이, 핀홀의 검사를 위해 많은 노동 시간이 요구된다. 이러한 이유로, 핀홀은 더욱 감소되어야 할 필요가 있지만, 앞서의 통상적인 방법은 불충분하였다.
본 발명의 목적은, 핀홀의 형성을 크게 억제하고 실질적으로 핀홀의 형성을 방지하는 것이 가능하도록 하는, 잉곳 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 발명자는 핀홀의 형성을 크게 억제하고 실질적으로 핀홀의 형성을 방지하는 것이 가능하도록 하는 잉곳 제조 방법을 집중적으로 연구하였다. 그 결과로서, 본 발명자는 다음의 지식을 획득하였다.
즉, 본 발명의 발명자는, 핀홀의 생성 원인이 실리콘 용융물 내에 남아있는 최대 1 mm의 작은 기포에 있다고 가정하였다. 구체적으로, 더 큰 기포는 부력이 크고, 실리콘 용융물의 표면으로 상승하며, 즉시 사라진다. 그러나, 작은 기포는 부력이 작고 실리콘 용융물의 유동에 포획되기 때문에, 이러한 작은 기포는 용융물에 남게 되고, 이들 잔류 기포는 잉곳이 성장되는 동안 결정에 자리잡는다. 즉, 본 발명자는 상기 핀홀의 생성 원인이 다음에 있다고 가정하였다. 다결정 실리콘 원료의 용융 과정에 있어서, 작은 기포는 실리콘 용융물에 남게 되는데, 왜냐하면 상기 작은 기포가 용융 과정 동안 다결정 실리콘 원료의 표면에 형성되고, 다결정 실리콘의 용융은 이들 기포가 다결정 실리콘의 표면에 부착된 상태에서 진행되며, 이들 기포는 대류하는 실리콘 용융물의 유동에 자리잡기 때문이다. 생성 원인에 대한 이러한 가정에 기초하여, 본 발명의 발명자는 도가니에 충전되는 다결정 실리콘 덩어리의 중량에 대한 표면적의 비율, 즉 다결정 실리콘 덩어리의 전체 중량에 대한 전체 표면적의 비율이 감소되면, 이에 따라 핀홀의 형성이 극적으로 억제될 수 있으며 성장된 잉곳에서 핀홀의 형성이 실질적으로 방지될 수 있다는 것을 확인하였다. 본 발명은 이러한 방식으로 구현되었다.
즉, 상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따라 잉곳을 제조하는 방법은, 다결정 실리콘으로 도가니를 충전하는 충전 단계와, 도가니 내에 실리콘 용융물을 형성하도록 하기 위해 충전된 다결정 실리콘을 용융시키는 용융 단계와, 모결정이 실리콘 용융물과 접촉하도록 하고 접촉하게 된 모결정을 인상하는 인상 단계를 포함하며, 이에 따라 잉곳을 성장시키고, 이때 충전 단계에서, 무작위로 도가니에 공급되는 복수 개의 다결정 실리콘 덩어리에 의해 상기 도가니는 다결정 실리콘으로 충전되고, 상기 다결정 실리콘 덩어리는, 크기가 큰 다결정 실리콘 덩어리이다.
본 발명에 따라 잉곳을 제조하는 방법에 따르면, 상기 크기가 큰 다결정 실리콘 덩어리는, 크기가 적어도 20 mm인 다결정 실리콘 덩어리로 이루어지며, 상기 크기가 큰 다결정 실리콘 덩어리는, 크기가 50 mm 초과인 다결정 실리콘 덩어리의 유형 및 크기가 20 mm 내지 50 mm인 다결정 실리콘 덩어리의 유형 중 적어도 하나의 유형의 다결정 실리콘 덩어리를 포함한다.
본 발명에 따라 잉곳을 제조하는 방법에 따르면, 공급되는 다결정 실리콘 덩어리는 크기가 50 mm 초과인 다결정 실리콘의 덩어리를 적어도 포함한다.
본 발명에 따라 잉곳을 제조하는 방법에 따르면, 공급되는 다결정 실리콘 덩어리는 크기가 20 mm 내지 50 mm인 다결정 실리콘 덩어리를 적어도 포함한다.
본 발명에 따라 잉곳을 제조하는 방법에 따르면, 크기가 큰 다결정 실리콘 덩어리는, 크기가 50 mm 초과인 다결정 실리콘 덩어리 및 크기가 20 mm 내지 50 mm인 다결정 실리콘 덩어리로 이루어지며, 크기가 50 mm 초과인 다결정 실리콘 덩어리의 함량은 70 중량%인 반면, 크기가 20 mm 내지 50 mm인 다결정 실리콘 덩어리의 함량은 30 중량%이다.
본 발명에 따라 잉곳을 제조하는 방법에 따르면, 다결정 실리콘으로 도가니를 충전하는 충전 단계에 있어서, 크기가 큰 다결정 실리콘 덩어리가 도가니에 공급되기 때문에, 종래 기술에 비해, 충전될 다결정 실리콘의 중량에 대한 표면적의 비율을 감소시키는 것, 그리고 충전된 다결정 실리콘이 용융될 때 다결정 실리콘에 대한 기포의 부착을 크게 억제하는 것이 가능하다. 따라서, 종래 기술에 비해 다음의 문제, 즉 기포가 실리콘 용융물 내에 자리잡고 기포가 실리콘 용융물 내에 존재하는 것인 문제를 크게 억제하는 것이 가능하다. 이에 따라, 종래 기술에 비해 성장된 잉곳에서 핀홀의 형성을 크게 억제하는 것, 그리고 핀홀의 형성을 실질적으로 억제하는 것이 가능하다.
이러한 방식으로, 다결정 실리콘으로 도가니를 충전하는 충전 단계에서, 종래 기술에서와 같은 도가니 내의 다결정 실리콘 덩어리의 배치와는 무관하게, 다결정 실리콘 덩어리가 도가니에 무작위적으로 공급될 수 있다. 그 결과로서, 상기 충전 단계는 간단해질 수 있고 문제는 해소될 수 있다.
본 발명에 따르면, 핀홀의 형성을 크게 억제하고 실질적으로 핀홀의 형성을 방지하는 것이 가능하도록 하는, 잉곳 제조 방법을 얻을 수 있다.
도 1은 CZ 방법에서 다결정 실리콘으로 도가니를 충전하는 통상적인 방법을 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따라 잉곳을 제조하는 방법에서 다결정 실리콘으로 도가니를 충전하는 방법을 나타내는 도면이다.
도 3은 원료인 다결정 실리콘 덩어리의 종류를 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명에 따른 예 1 및 예 2와 비교예 1 사이에서 핀홀의 생성률의 상대적인 비율을 나타내는 그래프를 보이는 도면이다.
본 발명의 바람직한 실시예를 나타내는 도면을 참고하여 이하에서 본 발명을 상세하게 설명할 것이다.
CZ 방법에 따르면, 도가니는 원료인 다결정 실리콘으로 충전된다. 다음으로, 불활성 가스, 예컨대 아르곤 가스의 분위기에서, 도가니 내에 충전된 다결정 실리콘은 실리콘 용융물을 형성하기 위해 용융되며, 모결정은 이러한 실리콘 용융물과 접촉하게 되고, 실리콘 용융물과 접촉하게 된 모결정이 인상되며, 이에 따라 잉곳이 성장된다.
도 1은, CZ 방법의 다결정 실리콘 충전 단계에서 원료인 다결정 실리콘으로 도가니를 충전하는 통상적인 방법을 나타내는 도면이다. 도 1에 나타낸 바와 같이, 도가니(1)는, 통상적인 방법에서 사용되는 다결정 실리콘 덩어리인 복수 개의 다결정 실리콘 덩어리(S)로 충전된다. 상기 다결정 실리콘 덩어리는, 작은 덩어리 크기를 갖는 소형 다결정 실리콘 덩어리(S1) 및 중간 덩어리 크기를 갖는 중형 다결정 실리콘 덩어리(S2)를 포함한다. 소형 다결정 실리콘 덩어리(S1) 및 중형 다결정 실리콘 덩어리(S2)는, CZ 방법에서 일반적으로 사용되었던 다결정 실리콘 덩어리(S)에 포함되는 크기의 다결정 실리콘 덩어리이다.
도 3에 나타낸 바와 같이, 다결정 실리콘 덩어리(S)의 크기는 그 최대 폭(h)에 기초하여 정의된다. 소형 다결정 실리콘 덩어리(S1)는 최대 폭(h)이 20 mm 미만인 다결정 실리콘 덩어리이며, 중형 다결정 실리콘 덩어리(S2)는 최대 폭(h)이 20 mm 내지 50 mm인 다결정 실리콘 덩어리이다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 다결정 실리콘을 충전하는 통상적인 방법에 있어서, 그 크기 때문에, 소형 다결정 실리콘 덩어리(S1)는 도가니(1)의 더 낮은 부분에 놓이고, 중형 다결정 실리콘 덩어리(S2)는 이러한 소형 다결정 실리콘 덩어리(S1) 상에 놓인다. 잉곳 크기 면에서의 증가로 인한 비용 절감의 관점으로부터, 다결정 실리콘 덩어리로 도가니를 고속 충전하는 것이 요구된다. 다결정 실리콘을 충전하는 통상적인 방법에 있어서, 크기가 큰 다결정 실리콘 덩어리는 결코 액티브하게(actively) 충전되지 않았다.
도가니(1)는, 예를 들어, 석영으로 제작되는 석영 도가니이며, 도면에는 나타내지 않은 노 내에 마련된다. 다결정 실리콘 덩어리(S)로 충전된 도가니(1)는 불활성 가스 분위기, 예컨대 아르곤(Ar) 가스 분위기에 노출된다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 잉곳의 제조 방법에 있어서 다결정 실리콘으로 도가니를 충전하는 방법을 나타내는 도면이다.
도 2에 나타낸 바와 같이, 본 발명에서 다결정 실리콘을 충전하는 방법에 있어서, CZ 방법의 다결정 실리콘 충전 단계에서는, 공급되는 다결정 실리콘 덩어리(S)로서 소형 다결정 실리콘 덩어리(S1)가 사용되지 않는다. 단지 중형 다결정 실리콘 덩어리(S2) 및 대형 다결정 실리콘 덩어리(S3)만이 사용된다. 도 3에 나타낸 바와 같이, 대형 다결정 실리콘 덩어리(S3)는 최대 폭(h)이 50 mm 초과인 다결정 실리콘 덩어리이다.
본 실시예에서 다결정 실리콘을 충전하는 단계에 있어서, 다결정 실리콘 덩어리(S)는 도가니(1) 내로 무작위적으로 공급된다. 즉, 다결정 실리콘 덩어리(S)의 배치를 고려하지 않을 뿐만 아니라, 중형 다결정 실리콘 덩어리(S2) 및 대형 다결정 실리콘 덩어리(S3)의 배치와 분포 등을 고려하지 않고, 다결정 실리콘 덩어리(S)는 도가니(1) 내로 공급된다. 예를 들면, 다결정 실리콘 덩어리(S)가 무작위적으로 놓여있는 용기를 기울임으로써, 다결정 실리콘 덩어리(S)는 도가니(1) 내로 무작위적으로 공급된다.
도 2에 나타낸 바와 같이, 본 실시예에서 다결정 실리콘 덩어리(S)를 충전하는 방법에 있어서, 충전될 다결정 실리콘 덩어리(S)의 크기는, 도 1에 나타낸 다결정 실리콘 덩어리(S)의 통상적인 충전 방법의 경우에서보다 더 크다. 이러한 이유로, 본 실시예의 충전 방법에 있어서, 충전될 다결정 실리콘 덩어리(S)의 전체 중량에 대한 충전될 다결정 실리콘 덩어리(S)의 전체 표면적의 비율은 도 1에서의 통상적인 충전 방법의 경우에서보다 더 작아질 수 있다. 이에 따라, 앞서 설명된 바와 같이, 종래 기술에 비해 성장될 잉곳에서의 핀홀의 형성을 극적으로 억제하고 실질적으로 방지하는 것이 가능하다.
본 실시예에 따른 잉곳의 제조 방법에 있어서, 도가니(1)에 충전되는 다결정 실리콘 덩어리(S)는 대형 다결정 실리콘 덩어리(S3) 및 중형 다결정 실리콘 덩어리(S2)로 이루어진다. 그러나, 다결정 실리콘 덩어리(S)는 전술한 바로 한정되지 않는다. 다결정 실리콘 덩어리(S)는 단지 적어도 중형 다결정 실리콘 덩어리의 크기인 다결정 실리콘 덩어리로 이루어지면 된다. 더욱이, 앞서 설명된 바와 같이, 충전될 다결정 실리콘 덩어리(S)는 크기가 큰 것이 바람직하고, 도가니(1) 내에 충전될 다결정 실리콘 덩어리(S)에 있어서 중형 다결정 실리콘 덩어리(S2)에 대한 대형 다결정 실리콘 덩어리(S3)의 비율은 크다. 그러나, 대형 다결정 실리콘 덩어리(S3)의 최대 크기는, 덩어리가 여전히 도가니 내로 충전될 수 있는 크기이다.
예
이하에서 본 발명의 예를 설명할 것이다.
본 실시예에 따라 잉곳을 제조하는 방법을 사용함으로써, 잉곳은 원료인 2가지 종류의 다결정 실리콘 덩어리(S)로부터 성장되었다(예 1 및 예 2).
예 1에 있어서, 다음의 다결정 실리콘 덩어리(S)가 원료로서 사용되었다. 중형 다결정 실리콘 덩어리(S2) 및 대형 다결정 실리콘 덩어리(S3)의 함량 비율(중량 분포)은, 중형 다결정 실리콘 덩어리(S2)가 100 중량%이었고, 대형 다결정 실리콘 덩어리(S3)가 0 중량%이었다.
예 2에 있어서, 다음의 다결정 실리콘 덩어리(S)가 원료로서 사용되었다. 중형 다결정 실리콘 덩어리(S2) 및 대형 다결정 실리콘 덩어리(S3)의 함량 비율은, 중형 다결정 실리콘 덩어리(S2)가 30 중량%이었고, 대형 다결정 실리콘 덩어리(S3)가 70 중량%이었다.
비교예로서, 도 1에 나타낸 다결정 실리콘의 충전을 위한 통상적인 방법을 사용함으로써, 잉곳을 제조하였다(비교예 1). 비교예 1에 있어서, 다음의 다결정 실리콘 덩어리(S)가 원료로서 사용되었다. 소형 다결정 실리콘 덩어리(S1) 및 중형 다결정 실리콘 덩어리(S2)의 함량 비율은, 소형 다결정 실리콘 덩어리(S1)가 30 중량%이었고, 중형 다결정 실리콘 덩어리(S2)가 70 중량%이었다.
앞서의 예 1 및 예 2 그리고 비교예 1에 있어서, 원료인 다결정 실리콘 덩어리(S)의 전체 중량은 서로 동일하였으며 130 kg에 해당하였다. 더욱이 동일한 제조 조건 하에서, 잉곳은 CZ 방법에 의해 성장되었다. 부수적으로, 석영 도가니에는, 석영 도가니의 제조 동안 혼입되는 기포가 포함되며, 이후, 잉곳을 성장시킴에 있어서, 상기 기포는 석영 도가니로부터 실리콘 용융물 내로 방출될 수 있다. 따라서, 이는 핀홀의 생성을 초래할 수 있다. 본 예 및 비교예 1에 있어서, 모두 품질 레벨이 동일한 석영 도가니가 사용되었으며, 이에 따라 석영 도가니에 있어서의 차이는 핀홀의 생성률에 아무런 차이를 발생시키지 않는다고 간주될 수 있다.
예 1 및 예 2 그리고 비교예 1에서 성장된, 길이가 약 1500 mm인 잉곳은, 실리콘 웨이퍼를 제조하기 위해 슬라이싱되었다. 예 1 및 예 2 그리고 비교예 1에 따라 제조된 각각의 실리콘 웨이퍼에 대해서, 핀홀 테스트가 실시되었다. 핀홀 테스트는 시각적인 관찰에 의한 총량 테스트(total amount test)이었다. 테스트 결과는 도 4에 제시되어 있다.
도 4는 비교예 1에 대한 핀홀의 생성률의 상대적인 비율을 나타낸다. 도 4에 나타낸 바와 같이, 예 1에 있어서, 비교예 1과 비교할 때 핀홀의 생성은 77% 만큼 억제될 수 있다는 것을 알 수 있다. 예 2에서는, 핀홀이 식별되지 않았고 핀홀 생성률은 0%이다.
예 2에서는, 도가니(1)에 충전되는 모든 다결정 실리콘 덩어리(S)에서 크기가 큰 다결정 실리콘 덩어리(S)가 최대 분률(percentage)로 포함되며, 예 1에서는 크기가 큰 다결정 실리콘 덩어리(S)가 두번째로 큰 분률로 마련된다. 비교예 1에서는, 도가니(1) 내에 충전되는 모든 다결정 실리콘 덩어리(S)에서, 크기가 큰 다결정 실리콘 덩어리가 최소 분률로 포함된다. 즉, 예 2는, 도가니(1) 내에 충전된 다결정 실리콘 덩어리(S)의 전체 중량에 대해 도가니(1) 내에 충전된 다결정 실리콘 덩어리(S)의 전체 표면적의 비율(중량 대 표면적 비율)이 최소이며, 예 1은 두번째로 작은 중량 대 표면적 비율을 갖고, 비교예 1은 가장 큰 중량 대 표면적 비율을 갖는다. 앞서 설명된 바와 같이, 충전 단계 동안 도가니(1) 내에 충전되는 다결정 실리콘 덩어리가 크기가 큰 다결정 실리콘 덩어리를 더 많이 포함하면 할수록, 핀홀 생성률은 더 낮아진다는 것이 도 4로부터 명확해진다.
앞서 설명된 바와 같이, 본 실시예에 따라 잉곳을 제조하는 방법에 있어서, 도가니(1) 내에 충전될 다결정 실리콘 덩어리(S)의 크기는 크고, 본 실시예에 따른 충전 방법을 사용함으로써, 도가니(1) 내로 충전될 다결정 실리콘 덩어리(S)의 전체 중량에 대해 충전될 다결정 실리콘 덩어리(S)의 전체 표면적의 비율은 더 작아질 수 있다. 이러한 이유로, 통상적인 기술과 비교할 때 제조된 잉곳에 형성되는 핀홀의 개수를 극적으로 감소시킬 수 있으며, 실질적으로 핀홀의 형성을 방지할 수 있다.
도가니(1) 내로 충전될 다결정 실리콘 덩어리(S)의 크기를 증가시킴으로써, 본 실시예의 잉곳을 제조하는 방법은, 충전 단계 동안 다결정 실리콘 덩어리(S)가 도가니(1) 내로 무작위적으로 공급될 수 있도록 한다. 따라서, 간단하고 복잡하지 않은 충전 단계가 달성될 수 있다. 이런 이유로, 통상적인 기술과 비교할 때 간단하고 복잡하지 않은 잉곳 제조 방법이 달성될 수 있으며, 제조 비용이 절감될 수 있다.
본 발명은 앞서의 실시예로 한정되지 않는다는 것에 주의해야 한다. 오히려, 앞서의 실시예 및 예는 본 발명에 포함되는 예이다. 예를 들면, 도가니(1)에 충전되는 원료인 다결정 실리콘 덩어리(S)의 크기 분포는 앞서의 크기 분포로 한정되지 않는다. 더욱이, 잉곳을 제조하는 이러한 방법은 앞서의 방법으로 한정되지 않고 실리콘이 아닌 재료 및 자기장을 이용하는 MCZ 방법에 적용될 수 있다.
1 : 도가니
S : 다결정 실리콘 덩어리
S1 : 소형 다결정 실리콘 덩어리
S2 : 중형 다결정 실리콘 덩어리
S3 : 대형 다결정 실리콘 덩어리

Claims (5)

  1. 실리콘 단결정 잉곳을 제조하는 방법으로서, 다결정 실리콘으로 도가니를 충전하는 충전 단계와, 도가니 내에 실리콘 용융물(silicon melt)을 형성하기 위해 충전된 다결정 실리콘을 용융시키는 용융 단계와, 모결정(seed crystal)이 실리콘 용융물과 접촉하게 되도록 하고 접촉하게 된 모결정을 인상하는 인상 단계를 포함하며, 이에 따라 잉곳을 성장시키며,
    상기 충전 단계에서, 도가니는, 도가니에 무작위적으로 공급되는 복수 개의 다결정 실리콘 덩어리(chunk)에 의해 다결정 실리콘으로 충전되고, 상기 다결정 실리콘 덩어리는, 크기가 큰 다결정 실리콘 덩어리인 것인 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 크기가 큰 다결정 실리콘 덩어리는, 크기가 20 mm 이상인 다결정 실리콘 덩어리로 이루어지며, 상기 크기가 큰 다결정 실리콘 덩어리는, 크기가 50 mm 초과인 다결정 실리콘 덩어리의 유형 및 크기가 20 mm 내지 50 mm인 다결정 실리콘 덩어리의 유형 중 하나의 유형 또는 양자 모두의 다결정 실리콘 덩어리를 포함하는 것인 방법.
  3. 제2항에 있어서, 공급되는 다결정 실리콘 덩어리는 크기가 50 mm 초과인 다결정 실리콘 덩어리를 포함하는 것인 방법.
  4. 제2항에 있어서, 공급되는 다결정 실리콘 덩어리는 크기가 20 mm 내지 50 mm인 다결정 실리콘 덩어리를 포함하는 것인 방법.
  5. 제2항에 있어서, 상기 크기가 큰 다결정 실리콘 덩어리는, 크기가 50 mm 초과인 다결정 실리콘 덩어리 및 크기가 20 mm 내지 50 mm인 다결정 실리콘 덩어리로 이루어지며, 크기가 50 mm 초과인 다결정 실리콘 덩어리의 함량 비율은 70 중량%인 반면, 크기가 20 mm 내지 50 mm인 다결정 실리콘 덩어리의 함량 비율은 30 중량%인 것인 방법.
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