JP5136186B2 - Iii族窒化物結晶の製造装置及びそれを用いた製造方法 - Google Patents
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る。特に、ナトリウムフラックス法を用いて、良質なGaN結晶を得ることができる結晶成長装置とその製造方法に関するものである。
デバイス、発光ダイオード(LED)およびレーザーダイオード(LD)など半導体デバイスへの需要が急拡大している。LDやLED等のGaN系デバイスの基板は、通常、サファイアが用いられ、同基板上に気相エピタキシャル成長法を用いてGaNをヘテロエピタキシャル成長させることによって形成されている。
況を把握できるので、結晶成長条件の最適化を図ることが可能となる。すなわち、単一の結晶インゴットにおいて、結晶の厚み方向において非常に均質なインゴットを製造することが可能となる。
施の形態を図面とともに詳細に説明する。
図1に、本発明にかかるIII族窒化物結晶の製造装置を示す。耐圧容器1、耐圧容器
1内に設けられた結晶成長容器2、窒素源フローライン3、ヒーター4、排気ポンプ5からなり、窒素源フローライン3のイン側、アウト側各々に流量計6が具備されている。耐圧容器1はステンレス等の金属材料から構成され、本プロセスの常用圧である数十気圧から百気圧程度までの耐圧性を有する。ヒーター4は、耐圧容器1内部に設置され、本プロセスの常用温度である数百度から千度程度までの加熱性能を有し、高圧下においても本製造装置の温度を精密に制御できるものを使用する。排気ポンプ5は、結晶成長前における結晶成長容器2内の真空ベークに使用されるものである。結晶成長容器2内へのオイル成分等の飛散防止のためには、ターボ分子ポンプ、クライオポンプ等のオイルフリーポンプを使用することが望ましい。窒素源フローライン3は、III族窒化物結晶が成長する坩
堝10内にその窒素源を供給し、また装置の加圧にも用いられるものであるが、窒素源としては、窒素ガス、アンモニアガス等があげられる。
リウム等のアルカリ金属又はアルカリ土類金属7、又はガリウム等のIII族元素8の化
合物で覆われている。ナトリウムは、他のアルカリ金属、アルカリ土類金属もしくはその混合物でもよく、アルカリ金属としては、リチウム、ナトリウム、カリウム等が用いられ、アルカリ土類金属としては、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム等を用いることができる。また、III族元素8としては、アルミニウム、ガリウム、インジウム、ホウ素もしくはその混合物等を用いることができる。また、ドーパント11としてゲルマニウム、マグネシウムもしくはシリコン等を坩堝内にあらかじめ添加しておくこともできる。
反応によるものである。Ga+1/2N2→GaN したがって、III族窒化物結晶の
生成に比例して窒素源ガスは消費される。図3に、種結晶として直径2インチのGaN基板を3枚仕込んだ場合における、窒素ガス流量差と結晶成長速度の関係を示す。図3の縦軸は結晶成長速度で横軸は流量差である。窒素ガス流量差は、図1で示した窒素源フローライン3のイン側とアウト側に各々接続した流量計6aと6bとの流量差を測定して求めたものである。ここで、GaNの密度6.1g/cm3、GaNの分子量69.72、窒素の原子量14.01より、GaN中の窒素原子の密度は1.02g/cm3となる。すなわち、図3で示すように、窒素ガス流量差とGaN結晶の成長速度とは正比例の関係が有るので、予めこの関係を求めれば、窒素ガス流量差を制御することで、GaN結晶の成長速度を制御することが出来る。
ることができる。また、これにより、単一の結晶インゴットにおいて、成長初期、成長中期、成長末期で成長状況を把握、コントロールできるため、結晶の厚み方向において均質なインゴットを製造することができる。
次に、本発明のIII族窒化物結晶の製造装置の他の実施の形態を、図5に示す。第1の実施の形態と異なるのは、加圧用ガスボンベ14が追加されたことである。また、第1の実施の形態で使用されたバルブ付き窒素源ボンベ13は、バルブ無し窒素源ボンベ13に変更されている。すなわち、結晶成長容器2のみに独立に接続された窒素源ボンベ13と、耐圧容器1に対しては加圧用ガスライン12として接続された加圧用ガスボンベ14とに、分離して窒素源ボンベが設けられている。これにより、窒素源ガスが耐圧容器1を介さず直接結晶成長容器2に供給されるため、窒素源ガス中に不純物が混入する危険性を低減できる。
次に、本発明のIII族窒化物結晶の製造装置の他の実施の形態を図6に示す。第1の
実施の形態と異なるのは、耐圧容器1の内部に流量計6aと6bとを設置したことにある。このように、イン、アウトの流量計間の距離を短くすると、流量計間に存在する構成部材の量が減少し、部材窒化による窒素消費が生じる可能性を低減できる。
次に、本発明の第4の実施の形態を詳細に説明する。III族窒化物結晶の製造方法に
ついて説明する点が、第1から第3の実施の形態と異なる。
。次に、この坩堝10を結晶成長容器2にいれ、結晶成長容器2の蓋をした後、ボルトを用い所定のトルクで蓋を固定する。本結晶成長容器2をグローブボックスから取り出し、耐圧容器1に装填し、耐圧容器1の蓋をした後、ボルトを用い所定のトルクで耐圧容器1の蓋を固定する。ここで、ナトリウムの他に、アルカリ金属としてリチウム、カリウム等が用いられ、アルカリ土類金属としてベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム等を用いることができる。また、III族元素8としてはガリウムの他
に、アルミニウム、インジウム、ホウ素もしくはそれらの混合物等を用いることもできる。また、ドーパント11としてゲルマニウム、マグネシウムもしくはシリコン等を坩堝内にあらかじめ添加しておくこともできる。また、坩堝材として、アルミナの他にサファイア、窒化ホウ素、ジルコニアもしくはイットリアを用いることもできる。
窒化物結晶の製造において、結晶インゴットの厚み方向において均質な製品を製造することができるため、GaN単結晶の製造装置および製造方法として有用である。
2 結晶成長容器
3a窒素源フローライン(イン側)
3b窒素源フローライン(アウト側)
4 ヒーター
5 排気ポンプ
6a流量計(イン側)
6b流量計(アウト側)
7 アルカリ金属、アルカリ土類金属
8 III族元素
9 種結晶
10アルミナ坩堝
11ドーパント
12加圧用ガスライン
13窒素源ボンベ
14加圧用ガスボンベ
15圧力調整弁
Claims (11)
- 窒素源をフローラインにより耐圧容器内に内蔵した結晶成長容器内に流し込み、アルカリ金属又はアルカリ土類金属をフラックスとして用いた液相成長法によりIII族窒化物結晶を製造するIII族窒化物結晶製造装置であって、
前記結晶成長容器に前記窒素源が流入する側の前記フローラインに設けられて前記窒素源の前記結晶成長容器への供給量を検出する第1の流量計と、
前記結晶成長容器から前記耐圧容器の外部へ前記窒素源が流出する側の前記フローラインに設けられて前記窒素源の前記結晶成長容器からの流出量を検出する第2の流量計と、
前記結晶成長容器に前記窒素源が流入する側の前記フローラインに設けられて前記窒素源の供給量を調節する供給量可変バルブと、
前記結晶成長容器から前記耐圧容器の外部へ前記窒素源が流出する側の前記フローラインに設けられて前記窒素源の流出量を調節する流出量可変バルブと、
前記第1と第2の流量計との流量差を予め与えた値と一致するように前記供給量可変バルブと前記流出量可変バルブを操作する制御手段と
を備えたIII族窒化物結晶の製造装置。 - 前記結晶成長容器に接続した前記フローラインとは独立して、前記耐圧容器を加圧する加圧用ガスラインを設けた、請求項1に記載のIII族窒化物結晶の製造装置。
- 前記第1の流量計と前記第2の流量計を前記耐圧容器内に設けた、請求項1に記載のIII族窒化物結晶の製造装置。
- 前記III族窒化物結晶は、窒化ガリウムである請求項1に記載のIII族窒化物結晶の製造装置。
- 前記フローラインの内部表面が、窒化処理されている請求項1に記載のIII族窒化物結晶の製造装置。
- 前記窒素源は窒素である請求項1に記載のIII族窒化物結晶の製造装置。
- 窒素源をフローラインにより耐圧容器内に内蔵した結晶成長容器内に流し込み、アルカリ金属又はアルカリ土類金属をフラックスとして用いた液相成長法によりIII族窒化物結晶を製造するIII族窒化物結晶の製造方法であって、
前記結晶成長容器に前記窒素源が流入する側の前記フローラインに設けられた第1の流量計により前記窒素源の前記結晶成長容器への供給量を検出する供給量検出ステップと、
前記結晶成長容器から前記耐圧容器の外部へ前記窒素源が流出する側の前記フローラインに設けられた第2の流量計により前記結晶成長容器から前記窒素源が流出する流出量を検出する流出量検出ステップと、
前記供給量と前記流出量との差である流量差を演算する流量演算ステップと、
前記流量差が予め与えた値と一致するように、前記結晶成長容器に前記窒素源が流入する側の前記フローライン上における前記窒素源の供給量と、前記結晶成長容器から前記耐圧容器の外部へ前記窒素源が流出する側の前記フローライン上における前記窒素源の流出量とを調整する調整ステップと
からなるIII族窒化物結晶の製造方法。 - 前記III族窒化物結晶は、窒化ガリウムである請求項7に記載のIII族窒化物結晶の製造方法。
- 前記窒素源は窒素である請求項7に記載のIII族窒化物結晶の製造方法。
- 前記フラックスはナトリウムである請求項1に記載のIII族窒化物結晶の製造装置。
- 前記フラックスはナトリウムである請求項7に記載のIII族窒化物結晶の製造方法。
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