JP5286616B2 - AlxGa1−xN結晶の製造方法 - Google Patents
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Description
高品位のAlGaNを結晶成長させるため、従来から種々の工夫がなされている。
まず、AlGaNは、AlNとGaNのいわば混晶(しばしば固溶体と呼ばれる)であるので、その比率を明示的にするために、AlxGa1−xNと記載する場合が多い。ここで、xは、結晶中のAlNの比率であり、0以上1以下の値を取りうる。そして、0から1の全ての値に対して原子レベルで結合し、いわゆる固溶体を形成する。xが0の場合は、AlNの組成比率は0であるので、全てGaNである。一方、xが1の場合は、全てAlNである。
(1)本発明は、上記課題を解決するために、アルミニウムの原料と、ガリウムの原料と、窒素の原料と、水素を含むキャリアガスと、を混合したガス中に基板結晶を配置し、前記基板結晶上にAlxGa1−xNを結晶成長させる方法において、前記キャリアガス中の水素濃度(分圧比)を変化させて、前記結晶組成値xの値を調節する工程、を含むことを特徴とするAlGaN結晶の気相成長方法である。
(6)本発明は、上記課題を解決するために、基板結晶が配置されている成長部と、アルミニウムの原料をキャリアガスと共に成長部に供給するアルミニウム原料供給手段と、ガリウムの原料をキャリアガスと共に前記成長部に供給するガリウム原料供給手段と、窒素の原料をキャリアガスと共に前記成長部に供給する窒素原料供給手段と、水素を含むキャリアガスを前記成長部に供給する水素ガス供給手段であって、前記キャリアガスの供給量を調整可能な水素ガス供給手段と、を備え、前記成長部に配置された基板結晶上にAlGaNを結晶成長させるAlGaN結晶の気相成長装置である。
気相成長装置の構成
図1には、本実施の形態で利用する気相成長装置10を模式的に表した模式図が示されている。この図1を参照して、本実施の形態で使用するHVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy)法用の気相成長装置10を説明する。
アルミニウム原料供給部12は、図1に示すように、所定の反応室内に金属アルミニウムが収容された反応室である。このアルミニウム原料供給部12には、第1ガス導入路12aが設けられており、この第1ガス導入路12aを介してHClと、水素ガスH2と、キャリアガス(IG)が導入される。この結果、金属アルミニウムとこれらガスとが反応し、AlGaNのアルミニウム原料であるAlCl3が生成されるのである。AlCl3が生成される際の反応式は以下の通りである。
Al + 3HCl → AlCl3 + 3/2H2
このようにして得られたAlCl3は、キャリアガスと共に混合部18に移送される。
ガリウム原料供給部14は、図1に示すように、所定の反応室内に金属ガリウムが収容された反応室である。このガリウム原料供給部14には、第2ガス導入路14aが設けられており、この第2ガス導入路14aを介してHClと、水素ガスH2と、キャリアガス(IG)が導入される。この結果、金属ガリウムとこれらガスとが反応し、AlGaNのガリウム原料であるGaClが生成されるのである。GaClが生成される際の反応式は以下の通りである。
Ga + HCl → GaCl + 1/2H2
このようにして得られたGaClは、キャリアガスと共に混合部18に移送される。
窒素原料供給部16は、図1に示すように、所定の反応室である。この窒素原料供給部16には、第3ガス導入路16aが設けられており、この第3ガス導入路16aを介して水素ガスH2と、キャリアガス(IG)と、アンモニアNH3が導入される。
混合部18は、上述したアルミニウム原料供給部12、ガリウム原料供給部14、窒素原料供給部16、の各原料部から供給されてくる原料ガスが混合される。また、所定の温度に維持するため、不図示の所定の加熱装置が設けられている。
上記混合部18には、水素ガス供給ポート30によって、別途H2+IGの供給源から水素ガスを含んだキャリアガス(IG)が供給されている。これによって、混合ガス中の水素濃度(分圧比)を調節することができる。
ところで、調節できる範囲を広くするために、アルミニウム原料供給部12、ガリウム原料供給部14、窒素原料供給部16、等の原料部側に供給する水素濃度(分圧比)は、低めに設定しておき、水素ガス供給ポート30を介して供給されるH2+IGガス中の水素濃度(分圧比)を高めに設定することが好ましい。
なお、水素ガス供給ポート30を介して供給されるH2+IGの供給量は変化させずにH2+IG中の水素濃度(分圧比)を変化させて、混合部18や成長部20における水素ガスの濃度(分圧比)F0を調節することも好ましい。
成長部20には、結晶が成長するための基板結晶22が収容されている。また、結晶の成長に適した温度とするために、図示されていない所定の加熱装置が設けられている。このような加熱装置は、従来から知られている種々の構成を採用することが可能である。例えば、電熱線による加熱や、高周波加熱等を利用することができる。
以上のような装置の構成によって、基板結晶22上にAlN及びGaNの混晶であるAlxGa1−xN(0≦x≦1)の固溶体を成長させることができる。
まず、上記アルミニウム原料供給部12の温度TAlsourceは、図2に示すように500℃の温度に保たれている。これによって、AlClの生成が抑制され、AlCl3が多く発生する。その結果、反応容器が石英で構成されている場合でも、石英を腐食してしまう恐れが少ない。
本実施の形態におけるキャリアガスとしては、N2やHe又はArガス等の不活性ガスに所定量のH2を混合させたガスを用いた。
本実施の形態では、水素濃度(分圧比)F0を調節することによって、成長する結晶の組成を速やかに且つ正確に設定することができ、この原理を用いて組成グレーディングを容易に実行することが可能である。本願発明者らは、下記のような条件で結晶を成長させ、いずれの場合も迅速に且つ高品質のAlGaNが得られた。
以上述べたように、本実施の形態においては、キャリアガス中の水素濃度(分圧比)の値F0を調整することによって、原料の供給比を変化させずに、成長させるAlxGa1−xNの結晶中の結晶組成値であるxの値を調節することができた。
12 アルミニウム原料供給部
12a 第1ガス導入路
14 ガリウム原料供給部
14a 第2ガス導入路
16 窒素原料供給部
16a 第3ガス導入路
18 混合部
20 成長部
20a 排気ポート
22 基板結晶
24 カーボンサセプタ
30 水素ガス供給ポート
30a 調整バルブ
Claims (3)
- アルミニウムの原料と、ガリウムの原料と、窒素の原料と、水素を含むキャリアガスと、を混合したガス中に基板結晶を配置し、前記基板結晶上にAlxGa1−xNを結晶成長させる方法において、
前記キャリアガス中の水素濃度(分圧比)を所望の値に設定し、前記結晶組成値xの値を調節することによって、前記基板結晶の格子定数と整合するAlxGa1−xN結晶を成長させる初期工程と、
前記キャリアガス中の水素濃度(分圧比)を変化させ、前記結晶組成値xの値を変化させながら、
所望の結晶組成値xを持つAlxGa1−xN結晶に成長させるグレーディング工程と、
前記結晶組成値を維持することにより所望のAlxGa1−xN結晶を成長させる結晶成長工程と、
を備え、前記アルミニウム原料、前記ガリウム原料、及び前記窒素原料の供給比を一定に維持し、
前記各工程を連続的に行うことを特徴とするAlxGa1−xN結晶の気相成長方法。 - 請求項1記載のAlxGa1−xN結晶の気相成長方法において、
前記グレーディング工程は、
前記キャリアガス中の水素濃度(分圧比)を時間の経過に伴ってステップ状に変化させるステップ状変化工程、
を含むことを特徴とするAlxGa1−xN結晶の気相成長方法。 - 請求項1記載のAlxGa1−xN結晶の気相成長方法において、
前記グレーディング工程は、
前記キャリアガス中の水素濃度(分圧比)を時間の経過に伴って連続的に変化させる連続変化工程、
を含むことを特徴とするAlxGa1−xN結晶の気相成長方法。
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