JP2006213561A - Iii族窒化物結晶、及び、その結晶成長方法、結晶成長装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 フラックスとIII族金属又はIII族金属化合物とからなる混合融液21と、窒素又は窒素化合物と、からIII族窒化物23を結晶成長させるIII族窒化物の結晶成長方法であって、混合融液21中のフラックスの量を可変して、混合融液21中における窒素の溶解度を制御する制御工程を備える。
【選択図】 図2
Description
一方、特許文献3等には、アジ化ナトリウム(NaN3)と金属(Ga)とを原料として、それをステンレス製の反応容器内に窒素雰囲気で封入して、その反応容器を600〜800℃の温度で24〜100時間保持することによって、GaN結晶を成長させる技術が開示されている。
これに対して、特許文献5等の技術では、窒素圧力と成長温度とを制御してIII族窒化物結晶の成長と分解とを繰り返して優先核を成長させて、原料効率の向上と結晶サイズの大型化とを図っている。しかし、窒素圧力や成長温度を変化させると結晶品質にバラツキが生じる可能性があった。また、III族窒化物結晶の成長の進展とともにIII族金属が消費されて、フラックスとIII族金属との量比が変化してしまうことによっても、結晶品質にバラツキが生じる可能性があった。
図1及び図2にて、この発明の実施の形態1について詳細に説明する。
図1は、フラックス法を用いたIII族窒化物結晶の成長装置(III族窒化物結晶成長装置)1を示す構成図である。図2は、図1のIII族窒化物結晶成長装置1内に設置される反応容器5(混合融液保持容器)を示す図である。
第1加熱装置7は反応容器5に対して下側に設置され、第2加熱装置8は反応容器5に対して上側(蓋6側である。)に設置されている。第1加熱装置7及び第2加熱装置8は、それぞれ、独立して加熱制御される。これにより、反応容器5(又は第2容器3)の内部における、下部(第1領域)の温度と上部(第2領域)の温度とが、それぞれ別々に可変されることになる。
また、反応容器5の上方には蓋6が設置されている。反応容器5と蓋6との間には、気体が流出入できる程度の僅かな隙間が設けられている。なお、反応容器5は、窒化ホウ素(BN)等で形成されている。
図2(A)を参照して、上述の条件で装置1が稼動開始すると、反応容器5の内表面(混合融液21と接する面である。)に多数のGaN結晶が核発生する。その後、GaN結晶の結晶成長の進行とともに、混合融液21中のGa濃度が低下する。これは、混合融液21中のGaがGaNとして結晶化する一方、Na(フラックス)が混合融液21中にそのまま存在するためである。
ここで、混合融液21中のNaは蒸気圧を有していて、反応容器5内の第2領域22(空間)に蒸気として存在している。そのため、反応容器5の上部の温度が下部の温度よりも低く制御されると、Na蒸気が反応容器5の上部(蓋6の表面である。)の第3領域24に液体として付着することになる(図2(B)の状態である。)。このように、本実施の形態1では、GaN結晶の結晶成長の進行とともに、混合融液21中(第1領域)から第2領域22を経て第3領域24に向けてNaが気相輸送される。
本実施の形態1におけるIII族窒化物結晶成長装置1は、比較的低廉にGaN結晶を成長させることができる。GaN結晶の結晶サイズが大きくなればなるほど、III族窒化物半導体デバイスの製造効率が高くなって、半導体デバイスの低コスト化を達成することができる。III族窒化物半導体デバイスとしては、例えば、発光ダイオード、半導体レーザ、フォトダイオード等の光デバイスや、トランジスタ等の電子デバイスがある。
また、本実施の形態1では、混合融液21に含有されるIII族金属としてGaを用いたが、III族金属としてB、Al、In等を用いることもできるし、III族金属の代わりにIII族金属化合物を用いることもできる。なお、本願において、III族金属とはIII族窒化物を形成しうるIII族の物質と定義する。したがって、金属ではない上述のB(ホウ素)もIII族金属であるものと定義する。
また、本実施の形態1では、III族窒化物を結晶させるために混合融液21に対して窒素を反応させたが、混合融液21に対してアジ化ナトリウム、アンモニア等の窒素化合物を反応させることもできる。
これらの場合にも、本実施の形態1と同様の効果を得ることができる。
図3にて、この発明の実施の形態2について詳細に説明する。
図3は、実施の形態2におけるIII族窒化物結晶成長装置内に設置される反応容器5を示す図であって、前記実施の形態1の図2に相当する図である。本実施の形態2は、反応容器5内における温度差の形成手順が前記実施の形態1のものと相違する。
ここで、混合融液21中のNaは蒸気圧を有していて、反応容器5内の第2領域22に蒸気として存在している。そのため、反応容器5の上部の温度が下部の温度よりも低く制御されると、Na蒸気が反応容器5の上部の第3領域24に液体として付着することになる(図3(B)の状態である。)。このように、混合融液21中(第1領域)から第2領域22を経て第3領域24に向けてNaが気相輸送される。
さらに、反応容器5の下部の温度が高くなることから、混合融液21中のGaNの飽和溶解量が増加する。その結果、図3(B)に示すように、図3(A)で発生したGaN結晶23が溶解して、一部の優先核結晶23のみが残存する。このとき、混合融液21の量も減少する。
図4にて、この発明の実施の形態3について詳細に説明する。
図4は、実施の形態3におけるIII族窒化物結晶成長装置内に設置される反応容器5を示す図であって、前記実施の形態2の図3に相当する図である。本実施の形態3は、反応容器5内に予めGaN結晶30が設置されている点が、前記実施の形態2のものと相違する。
そして、前記実施の形態2と同様に、第1容器2及び第2容器3の内部の窒素圧力を5MPaとして、反応容器5の下部の温度を775℃に設定する。また、反応容器5内に収容された混合融液21におけるNaとGaとのモル比率を5:5とする。
ここで、混合融液21中のNaは蒸気圧を有していて、反応容器5内の第2領域22に蒸気として存在している。そのため、反応容器5の上部の温度が下部の温度よりも低く制御されると、Na蒸気が反応容器5の上部の第3領域24に液体として付着することになる(図4(B)の状態である。)。このように、混合融液21中(第1領域)から第2領域22を経て第3領域24に向けてNaが気相輸送される。
さらに、反応容器5の下部の温度が高くなることから、混合融液21中のGaNの飽和溶解量が増加する。その結果、図4(B)に示すように、図4(A)で発生したGaN結晶23が溶解して、一部の優先核結晶23Aのみが残存する。この優先核結晶23Aは、予め埋め込まれたGaN結晶30表面に核発生した結晶である。
図5にて、この発明の実施の形態4について詳細に説明する。
図5は、実施の形態4におけるIII族窒化物結晶成長装置内に設置される反応容器5を示す図であって、前記実施の形態3の図4に相当する図である。本実施の形態4は、反応容器5内に低濡れ性物質としてのサファイア31が設置されている点が、前記実施の形態3のものと相違する。
そして、図5(A)〜(C)に示すように、前記実施の形態3と同様の条件と手順とで、GaN結晶の結晶成長がおこなわれる。
なお、本実施の形態4では、第3領域24に貫通路32を形成するためにサファイア31を用いたが、サファイア以外の材料であってもNa融液に対して濡れ性が悪い材料を用いることができる。その場合にも、本実施の形態4と同様の効果を得ることができる。
2 第1容器、 3 第2容器、
5 反応容器(基体)、 6 蓋、
7 第1加熱装置(温度可変手段)、
8 第2加熱装置(温度可変手段)、 11、12 熱電対、
13 窒素ガス容器、 14 調整弁、
15 ガス供給管、 16 圧力センサ、
21 混合融液(第1領域)、 22 第2領域(窒素)、
23、23A、23B、30 III族窒化物(GaN)、
24 第3領域(Na)、
31 サファイア(低濡れ性物質)、 32 貫通路。
Claims (18)
- フラックスとIII族金属又はIII族金属化合物とからなる混合融液と、窒素又は窒素化合物と、からIII族窒化物を結晶成長させるIII族窒化物の結晶成長方法であって、
前記混合融液中の前記フラックスの量を可変して当該混合融液中における窒素の溶解度を制御する制御工程を備えたことを特徴とするIII族窒化物の結晶成長方法。 - 前記制御工程は、前記混合融液中の前記III族金属の量が可変しても前記フラックスの比率が所定範囲内になるように前記フラックスの量を可変して当該混合融液中における窒素の溶解度を制御する工程であることを特徴とする請求項1に記載のIII族窒化物の結晶成長方法。
- 前記III族窒化物の結晶核を基体に生じさせる発生工程を備え、
前記制御工程は、前記発生工程後に前記混合融液中の前記フラックスの量を可変して当該混合融液中における窒素の溶解度を低減して増加する工程であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のIII族窒化物の結晶成長方法。 - 前記窒素の溶解度の低減と増加とをおこなう前記制御工程を複数回繰り返すことを特徴とする請求項3に記載のIII族窒化物の結晶成長方法。
- 前記制御工程は、前記混合融液が収容された反応容器内に形成した温度差によって前記フラックスを気相輸送する工程を備えたことを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれかに記載のIII族窒化物の結晶成長方法。
- 前記反応容器内に、前記混合融液が保持される第1領域と、前記フラックスが気相輸送される第2領域と、が形成され、
前記制御工程は、前記第1領域の温度をT1として前記第2領域の温度をT2としたときに、T1≦T2なる温度差を形成した後にT1>T2なる温度差に可変する工程を備えたことを特徴とする請求項5に記載のIII族窒化物の結晶成長方法。 - 前記制御工程は、T1≦T2なる温度差を形成した後にT1>T2なる温度差に可変する前記工程を複数回繰り返すことを特徴とする請求項6に記載のIII族窒化物の結晶成長方法。
- 前記反応容器内に、気相輸送された前記フラックスが融液状態で保持される第3領域がさらに形成され、
前記制御工程は、前記第3領域に保持された前記フラックス中に貫通路を形成して前記混合融液中に窒素又は窒素化合物を供給する工程を備えたことを特徴とする請求項6又は請求項7に記載のIII族窒化物の結晶成長方法。 - 前記フラックスに対して濡れ性が低い低濡れ性物質を前記反応容器内に設置して、
前記貫通路は、前記低濡れ性物質の近傍に形成されることを特徴とする請求項8に記載のIII族窒化物の結晶成長方法。 - 前記制御工程前に、前記混合融液に接する位置に前記III族窒化物を予め設置する工程を備えたことを特徴とする請求項1〜請求項9のいずれかに記載のIII族窒化物の結晶成長方法。
- 請求項1〜請求項10のいずれかに記載のIII族窒化物の結晶成長方法によって形成されたことを特徴とするIII族窒化物結晶。
- フラックスとIII族金属又はIII族金属化合物とからなる混合融液と、窒素又は窒素化合物と、から反応容器内でIII族窒化物を結晶成長させるIII族窒化物の結晶成長装置であって、
前記反応容器内に、前記混合融液が保持される第1領域と、前記フラックスが気相輸送される第2領域と、を形成して、
前記第1領域の温度と前記第2領域の温度とをそれぞれ別々に可変する温度可変手段を備えたことを特徴とするIII族窒化物の結晶成長装置。 - 前記温度可変手段は、前記第1領域の温度をT1として前記第2領域の温度をT2としたときに、T1≦T2なる温度差を形成してT1>T2なる温度差に可変する手段であることを特徴とする請求項12に記載のIII族窒化物の結晶成長装置。
- 前記温度可変手段は、前記温度差の可変を複数回繰り返すことを特徴とする請求項13に記載のIII族窒化物の結晶成長装置。
- 前記反応容器内に、気相輸送された前記フラックスが融液状態で保持される第3領域をさらに形成することを特徴とする請求項12〜請求項14のいずれかに記載のIII族窒化物の結晶成長装置。
- 前記第3領域に保持された前記フラックス中に貫通路を形成して前記混合融液中に窒素又は窒素化合物を供給することを特徴とする請求項15に記載のIII族窒化物の結晶成長装置。
- 前記フラックスに対して濡れ性が低い低濡れ性物質を前記反応容器内に設置して、
前記貫通路は、前記低濡れ性物質の近傍に形成されることを特徴とする請求項16に記載のIII族窒化物の結晶成長装置。 - 前記反応容器内であって前記混合融液に接する位置に前記III族窒化物を予め設置したことを特徴とする請求項12〜請求項17のいずれかに記載のIII族窒化物の結晶成長装置。
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