JP2006229055A - 発光装置 - Google Patents

発光装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2006229055A
JP2006229055A JP2005042543A JP2005042543A JP2006229055A JP 2006229055 A JP2006229055 A JP 2006229055A JP 2005042543 A JP2005042543 A JP 2005042543A JP 2005042543 A JP2005042543 A JP 2005042543A JP 2006229055 A JP2006229055 A JP 2006229055A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transparent resin
resin layer
light emitting
light
emitting device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2005042543A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5123466B2 (ja
Inventor
Michihide Miki
倫英 三木
Kenji Takine
研二 滝根
Ryohei Yamashita
良平 山下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Chemical Industries Ltd
Original Assignee
Nichia Chemical Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to JP2005042543A priority Critical patent/JP5123466B2/ja
Application filed by Nichia Chemical Industries Ltd filed Critical Nichia Chemical Industries Ltd
Priority to US11/356,276 priority patent/US7710016B2/en
Priority to TW095105503A priority patent/TWI419375B/zh
Priority to EP06003285.1A priority patent/EP1693904B1/en
Priority to KR1020060015762A priority patent/KR101204115B1/ko
Priority to TW104106556A priority patent/TWI521748B/zh
Priority to TW102131355A priority patent/TW201403859A/zh
Publication of JP2006229055A publication Critical patent/JP2006229055A/ja
Priority to US12/473,121 priority patent/US8558446B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5123466B2 publication Critical patent/JP5123466B2/ja
Priority to US14/025,684 priority patent/US8836210B2/en
Priority to US14/465,315 priority patent/US9093619B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3025Electromagnetic shielding

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

【課題】 発光面を構成する樹脂層にレンズを形成した発光装置であって、薄型で、配光特性が良好であり、かつ、色調のバラツキ補正が容易な発光装置を提供すること。
【解決手段】 基板2と、基板2上に形成された正及び負電極4,6と、発光ダイオード8と、透明樹脂層内に分散された蛍光体16とを有する。透明樹脂層は、蛍光体16を含む第1透明樹脂層12と、蛍光体16を実質的に含まない第2透明樹脂層14とを有し、第2透明樹脂層14は、上面がレンズを形成するように曲面状に加工されている。発光装置の互いに対向する1組の側面において、第1透明樹脂層12及び第2透明樹脂層14が略面一に裁断されて、第1透明樹脂層12が露出している。
【選択図】図1

Description

本件発明は、発光ダイオードと蛍光体との組合せによって種々の色を発光可能な発光装置に関し、特に配光特性を制御するためのレンズを備えた発光装置に関する。
近年、窒化物半導体を用いた青色発光ダイオードが開発されたことから、該発光ダイオードから出力される光の一部を吸収して異なる波長の光を出力する蛍光体と組み合わせることにより、種々の色調の発光色を有する発光装置を作製することが可能となった。特に、発光ダイオードが青色発光ダイオードであり、蛍光体が青色発光ダイオードの発光の一部を吸収して青色の補色に変換すれば、白色を発光する発光ダイオードが得られる。
これらの発光装置は、砲弾型や表面実装型などの種々の形式がある。砲弾型の場合、一般に、正及び負のリード電極の一方の先端にカップが形成され、そのカップ内に発光ダイオードが実装されると共に、蛍光体を分散させた樹脂が充填される。そして、その周囲全体を覆うように先端がレンズ状になった砲弾型のモールド樹脂が形成される(特許文献1など)
また、表面実装型の場合、正及び負電極を形成した基板上に凹状の収納部が設けられ、その収納部に発光ダイオードが実装されると共に、蛍光体を分散させた樹脂が充填される(特許文献2)。
特に、青色発光ダイオードと蛍光体の組合せによって白色を発光する場合、青色発光ダイオードの発光強度と蛍光体の発光強度のバランスによって白色の色調が決まる。ところが、発光装置内の樹脂に分散させる蛍光体を一定量にすることが難しく、蛍光体量の個体間バラツキによる色調のバラツキが問題となる。そこで、特許文献3では、蛍光体を含む樹脂層を研磨することによって、蛍光体量を調整し、色調のバラツキを補正することが開示されている。また、特許文献4には、樹脂層のうち蛍光体を含まない部分の厚みを調整することによって、色調のバラツキを補正することが開示されている。
特開平7−99345号公報 特開2002−319711号公報 特開2001−177158号公報 特開2004−186488号公報
近年、特に表面実装型の1種であるサイドビュー型発光装置において、より薄型の発光装置が求められている。サイドビュー型とは、実装面に隣接した側面から発光するタイプの発光装置である。また、表面実装型の発光装置においても、発光面を構成する樹脂層をレンズ状に加工して配光特性を良好にすることが求められている。しかしながら、従来の表面実装型発光装置において発光面にレンズを形成した場合、発光装置が大型化し、また製造工程が複雑になる問題があった。また、特許文献3又は4に記載されたように発光面を構成する樹脂層を研磨して色調のバラツキを補正しようとすると、発光面に形成されたレンズが変形し、配光特性が変化してしまう問題があった。
そこで本件発明は、発光面を構成する樹脂層にレンズを形成した発光装置であって、薄型で、配光特性が良好であり、かつ、色調のバラツキ補正が容易な発光装置を提供することを目的とする。
本件発明に係る発光装置は、基板と、前記基板上に形成された正及び負電極と、前記正及び負電極に接続された発光ダイオードと、前記発光ダイオードを覆う透明樹脂層と、前記透明樹脂層内に分散された蛍光体とを有し、前記透明樹脂層内に分散された蛍光体を前記発光ダイオードの出射光によって励起発光することにより、前記発光ダイオードの発光色と異なる色を発光する発光装置であって、
前記透明樹脂層は、前記発光ダイオードを覆い、前記蛍光体を含む第1透明樹脂層と、前記第1透明樹脂層上に形成された第2透明樹脂層とを有し、
前記第2透明樹脂層は、上面がレンズを形成するように曲面状に加工されており、
前記発光装置の互いに対向する1組の側面において、前記第1透明樹脂層及び前記第2透明樹脂層が略面一に裁断されて、前記第1透明樹脂層が露出していることを特徴とする発光装置。
本件発明によれば、発光ダイオードを封止する透明樹脂層が第1透明樹脂層と第2透明樹脂層の2層構成となっており、第1透明樹脂層に蛍光体が分散され、第2透明樹脂層にレンズが形成されている結果、優れた配光特性を示す。すなわち、まず、第2透明樹脂層の上面にレンズが形成されている結果、レンズの形状に応じて所望の配光特性を示すようになる。また、蛍光体は第1透明樹脂層に分散されているため、発光ダイオードのごく近くに分布することになる。従って、蛍光体の光散乱によって第2透明樹脂層のレンズ作用が阻害されにくく、また観察方向によって生じる色ムラが少なくなる。
また、発光装置の側面において、第1透明樹脂層と第2透明樹脂層が略面一に裁断され、蛍光体を分散した第1透明樹脂層が外部に露出している。このため、従来の凹状の収納部に蛍光体を分散させた樹脂層を充填した発光装置に比べて、収納部側壁の肉厚分だけ薄型にできる。
さらに、レンズを形成した発光面に隣接する側面において、蛍光体を分散させた第1透明樹脂層の側面が露出しているため、レンズ特性に殆ど影響を与えることなく、色調を補正することが可能である。すなわち、第1透明樹脂層の側面を研磨する等して蛍光体を分散させた透明樹脂層の厚みを変化させれば、蛍光体の量も変化させることができる。これによって発光ダイオードと蛍光体の発光強度比が変えられるため、色調の補正を行うことができる。一方で、第1透明樹脂層の側面を研磨して透明樹脂層の厚みを変化させても、第2透明樹脂層の上面に形成されたレンズの形状は殆ど変わらない。従って、レンズ特性に影響を与えることなく、色調の補正が可能となる。
尚、本件発明において「透明」とは、発光ダイオードの発光を外部から観察できる程度に透過することを指す。
以上のように、本件発明によれば、発光面を構成する樹脂層にレンズを形成した発光装置であって、薄型で、配光特性が良好であり、かつ、色調のバラツキ補正が容易な発光装置を提供できる。
実施の形態1.
図1は、本件発明の実施の形態1に係る発光装置を示す斜視図である。上面が平坦な略直方体形状の絶縁基板2上に、負電極4、正電極6が所定の間隔を空けて形成されている。負電極4及び正電極6は、絶縁基板2の裏面に形成された実装用電極(図示せず)とスルーホール(図示せず)を介して接続されている。正負一対の電極を半導体面側に備えた発光ダイオード8は、絶縁基板2の負電極4上に実装されており、発光ダイオードの負電極が絶縁基板上の負電極4と、正電極が絶縁基板上の正電極6と、各々ワイヤ10によって接続されている。この発光ダイオード8を覆うように、半円柱状の第1透明樹脂層12が形成されている。また、第1透明樹脂層12の上には、絶縁基板2の略全面を覆うように第2透明樹脂層14が形成されている。また、絶縁基板の側面2a、第1透明樹脂層12の側面12a及び第2透明樹脂層14の側面14aはほぼ面一に裁断されており、第1透明樹脂層が外部に露出している。
図2は、図1に示す発光装置1のX−X’断面を示す断面図である。図2に示すように、第1透明樹脂層12中には蛍光体16が分散されている。蛍光体16は、発光ダイオード8の発光によって励起され、発光ダイオード8よりも長波長の光に変換する。例えば、発光ダイオード8が青色を発光する場合、蛍光体16は青色の一部を吸収して、より長波長の黄色光を発光しても良い。発光ダイオード8の発光する青色と蛍光体の発光する黄色が混色して白色発光が得られる。すなわち、第1透明樹脂層12は、発光ダイオードを封止すると共に、発光ダイオードの発光の一部又は全部の発光について波長を変換する波長変換層として機能する。
また、第2透明樹脂層14は、図1及び図2に示すように、上面14bがレンズを形成するように曲面に加工されている。図1及び図2に示す例では、第2透明樹脂層の上面14bに半円柱状のシリンドリカルレンズが形成されている。この第2透明樹脂層のレンズ形成面14bが発光面となる。このシリンドリカルレンズは、発光装置1の短手方向の断面においては曲率を有しておらず、光を直進させるが、発光装置1の長手方向の断面においては曲率を有しており、光を正面方向に曲げる。従って、発光ダイオード8や蛍光体16の発光は、第2透明樹脂層14を通過する際に、発光装置1の長手方向において光線が正面方向に向かうように曲げられる。このように、第2透明樹脂層14は、発光ダイオード8等を保護する封止層として機能すると同時に、発光装置の光線方向を制御するレンズ層として機能する。本実施の形態において、第2透明樹脂層14には、蛍光体16は分散されていない。これは蛍光体16が分散されていると、蛍光体16が光散乱を起こすため、第2透明樹脂層14のレンズ作用が阻害されるからである。尚、第2透明樹脂層14のレンズ作用を阻害しない程度の少量の蛍光体を第2透明樹脂層14に分散させても良い。このとき、第2透明樹脂層14に含まれる蛍光体の平均密度は、第1透明樹脂層に含まれる蛍光体の平均密度の1/10以下、特に好ましくは1/100以下であることが好ましい。
図3は、図1及び図2に示した発光装置1をサイドビュー型発光装置として実装基板上に実装した様子を示す斜視図である。発光装置1は、該装置の長手方向に平行な側面を実装面として、実装基板3の上に実装されている。このとき発光面である第2透明樹脂層の上面14bは、実装基板に対して略垂直となる。発光装置1は、実装基板3と接する側面において、絶縁基板2、第1透明樹脂層12及び第2透明樹脂層14が全て略面一になっているため、実装面が広面積かつ平坦であり、安定した実装が可能である。実装基板3の表面には、正及び負のリード電極18及び20が形成されており、発光装置1の絶縁基板裏面に形成された実装用電極(図示せず)と半田22によって接続されている。
本実施の形態に係る発光装置は、発光ダイオード8を封止する透明樹脂層が第1透明樹脂層12と第2透明樹脂層14の2層構成となっており、第1透明樹脂層12に蛍光体16が分散され、第2透明樹脂層14にレンズが形成されている結果、サイドビュー型発光装置として優れた光学効果を示す。すなわち、まず、第2透明樹脂層の上面14bにシリンドリカルレンズが形成されている結果、発光装置1の発光は実装基板面に平行な方向において正面方向に向かうように曲げられ、正面方向の光度が高くなる。また、第2透明樹脂層14内には光を散乱する蛍光体16が実質的に分散されていないため、レンズ機能が阻害されず、正面方向に向かって光線が効率的に曲げられる。一方、第2透明樹脂層14は、実装基板面に垂直な方向にはレンズ効果を発揮しない。しかしながら、実装基板面に垂直な方向は、もともと実装基板3によって発光が遮蔽されるので、配光分布の制御は比較的重要ではない。また、蛍光体16は第1透明樹脂層12に分散されているため、発光ダイオード8のごく近くに分布することになる。従って、観察方向によって生じる色ムラが少なく、より点光源に近くなる。
また、本実施の形態に係る発光装置は、レンズを形成した発光面14bに隣接する側面において、第1透明樹脂層12と第2透明樹脂層14が略面一に裁断され、蛍光体を分散させた第1透明樹脂層の側面12aが外部に露出している。このため、従来の凹状の収納部に蛍光体を分散させた樹脂層を充填した発光装置に比べて、収納部側壁の肉厚分だけ薄型にできる。また、レンズ特性に殆ど影響を与えることなく、色調を補正することが可能である。すなわち、第1透明樹脂層の側面12aと第2透明樹脂層の側面14aを研磨する等して透明樹脂層の厚みWをW’に変化させれば、第1透明樹脂層12aに含まれる蛍光体(図示せず)の量も変化させることができる。これによって発光ダイオード8と蛍光体16の発光強度比が変えられるため、色調の補正を行うことができる。一方で、第1透明樹脂層の側面12aと第2透明樹脂層の側面14aを研磨して透明樹脂層の厚みWを変化させても、第2透明樹脂層の上面14bに形成されたレンズの形状は殆ど変わらない。従って、レンズ特性に影響を与えることなく、色調の補正が可能となる。
さらに、本実施の形態に係る発光装置は、後述するように、第1透光性樹脂14をライン塗布又は印刷法によって形成できるため、簡易に製造することができる利点もある。
以下、発光装置1の各構成について詳細に説明する。
(第1透明樹脂層12)
第1透明樹脂層12は、できるだけ発光ダイオード8の近傍に形成されることが好ましい。これは、第1透明樹脂層12の内部に分散された蛍光体16が発光するため、その分布が狭い方が理想的な点光源に近づくからである。また、第1透明樹脂層12の高さは、できるだけ低い方が好ましい。但し、ワイヤ10よりも低くなると、ワイヤ10が第1透明樹脂層12と第2透明樹脂層14にまたがることになり、ワイヤ10が切れ易くなる。従って、第1透明樹脂層10の高さは、少なくともワイヤ10を越えることが好ましい。尚、ワイヤ10の強度が十分にあれば、図4に示すように、第1透明樹脂がワイヤの一部を覆っていても良い。また、より理想的な点光源に近づける目的で、第1透明樹脂層12内において蛍光体16を沈降させることが好ましい。但し、蛍光体16が沈降し過ぎると、第1透明樹脂層12の研磨によって色調が補正しにくくなるため、適当な程度に沈降させることが好ましい。また、第1透明樹脂層12は、略半円柱状であり、実装面に平行な断面(=発光面に直交する断面)が半円状又は半楕円状であることが好ましい。これによって観察方位による色ムラが小さくなる。尚、第1透明樹脂層12を上記形状に形成するには、本実施の形態で説明するライン塗布法を用いることが好ましい。尚、第1透明樹脂層12は、実施の形態2で説明するように印刷で形成しても良い。
第1透明樹脂層12の材料は、発光ダイオードと蛍光体の発光を透過し、蛍光体16を安定に分散可能な材料であれば特に限定されない。例えば、エポキシ、シリコーン、変成シリコーン、ウレタン樹脂、オキセタン樹脂、アクリル、ポリカーボネイト、ポリイミドなどの樹脂を用いることができる。さらに、樹脂以外にガラスを用いることができる。第1透明樹脂層12中にフィラーや拡散材が分散されていても良い。尚、第1透明樹脂層12は、発光ダイオード8の熱を受け易いため、耐熱性の良好な樹脂であることが好ましい。例えば、エポキシ、シリコーン樹脂、変成シリコーン樹脂、オキセタン樹脂を用いることが好ましい。第1透明樹脂の粘度は、硬化前で100〜2000mPa・sであることが好ましい。尚、ここでいう「粘度」は、円錐平板型回転粘度計を用い、常温下で測定したものを指す。また、第1透明樹脂は、硬化条件が80℃〜180℃、数分〜数時間の下で形状を維持できる程度の硬さになる樹脂であることが望ましい。
(第2透明樹脂層14)
第2透明樹脂層に形成するレンズは、実装面に平行な方向に大きなレンズ径を有することが好ましい。これは実装面に平行な方向は、実装面に垂直な方向に比べて配光特性を制御する必要性が高いからである。一方、実装面に垂直な方向には薄型にする必要があるため、レンズ径を小さくすることが好ましい。また、実装面に垂直な方向には、レンズの曲率も小さなことが好ましい。これは、実装面に垂直な方向に大きな曲率を持ったレンズを形成すると、第1及び第2透明樹脂層の側面を研磨して色調を補正する際に、レンズ特性が変化し易くなるからである。例えば、第2透明樹脂層に形成するレンズを、実装面に平行な方向にだけ曲率を有するシリンドリカルレンズとしても良い。尚、実装面に垂直な方向における第2樹脂層14の断面は、完全に平らである必要はなく、ある程度の曲率を有していても構わない。
また、第2透明樹脂層14の材料は、発光ダイオードと蛍光体の発光を透過する材料であれば特に限定されない。例えば、エポキシ、シリコーン、変成シリコーン、ウレタン樹脂、オキセタン樹脂、アクリル、ポリカーボネイト、ポリイミド等を用いることができる。さらに、樹脂以外にガラスを用いることもできる。第2透明樹脂層14中に、フィラーや拡散剤が分散されていてもよい。第2透明樹脂層14は、第1透明樹脂層12や発光ダイオード8を保護する役割も果たすため、絶縁基板2との密着性、耐候性、硬度に優れ、ごみの付着しにくいものが好ましい。例えば、エポキシ、シリコーン、変成シリコーン、オキセタン樹脂を用いることが好ましい。
(絶縁基板2/電極4、6)
絶縁基板2は、適当な機械的強度と絶縁性を有する材料であれば特に限定されない。例えば、BTレジン、ガラスエポキシ等を用いることができる。また、エポキシ系樹脂シートを多層張り合わせたものでも良い。また、絶縁基板2に形成する負及び正電極4,6は、Cuを主成分とする金属層とすることが好ましい。例えば、負及び正電極4,6は、Cu/Ni/Agによって構成することができる。
(発光ダイオード8/蛍光体16)
発光ダイオード8と蛍光体16は、発光ダイオード8の一部又は全部の発光を蛍光体16が波長変換できるような組合せであれば特に限定されない。例として、現在最も需要の多い白色の発光装置を構成するために適した発光ダイオード8と蛍光体16の組合せについて説明する。
−発光ダイオード8
白色の発光装置を構成するために適した発光ダイオードとして、窒化物半導体(InAlGa1−X−YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)を用いたものを用いることができる。この発光ダイオードは、InGa1-xN(0<x<1)を発光層として有しており、その混晶度によって発光波長を約365nmから650nmで任意に変えることができる。
白色系の光を発光させる場合は、蛍光体から出射される光との補色関係を考慮すると、発光ダイオード8の発光波長は400nm以上530nm以下に設定することが好ましく、420nm以上490nm以下に設定することがより好ましい。なお、蛍光体の種類を選択することにより、400nmより短い紫外域の波長の光を発光するLEDチップを適用することもできる。
−蛍光体16
蛍光物質は、例えば、窒化物系半導体を発光層とする半導体発光ダイオードからの光を吸収し異なる波長の光に波長変換するものであればよい。例えば、Eu、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体・酸窒化物系蛍光体、Eu等のランタノイド系、Mn等の遷移金属系の元素により主に付活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類ケイ酸塩、アルカリ土類硫化物、アルカリ土類チオガレート、アルカリ土類窒化ケイ素、ゲルマン酸塩、又は、Ce等のランタノイド系元素で主に付活される希土類アルミン酸塩、希土類ケイ酸塩又はEu等のランタノイド系元素で主に賦活される有機及び有機錯体等から選ばれる少なくともいずれか1以上であることが好ましい。具体例として、下記の蛍光体を使用することができるが、これに限定されない。
Eu、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体は、MSi:Eu(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。)などがある。また、MSi:EuのほかMSi10:Eu、M1.8Si0.2:Eu、M0.9Si0.110:Eu(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。)などもある。
Eu、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される酸窒化物系蛍光体は、MSi:Eu(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。)などがある。
Eu等のランタノイド系、Mn等の遷移金属系の元素により主に付活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体には、M(POX:R(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。Xは、F、Cl、Br、Iから選ばれる少なくとも1種以上である。Rは、Eu、Mn、EuとMn、のいずれか1種以上である。)などがある。
アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体には、MX:R(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。Xは、F、Cl、Br、Iから選ばれる少なくとも1種以上である。Rは、Eu、Mn、EuとMn、のいずれか1以上である。)などがある。
アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体には、SrAl:R、SrAl1425:R、CaAl:R、BaMgAl1627:R、BaMgAl1612:R、BaMgAl1017:R(Rは、Eu、Mn、EuとMn、のいずれか1種以上である。)などがある。
アルカリ土類硫化物蛍光体には、LaS:Eu、YS:Eu、GdS:Euなどがある。
Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン酸塩蛍光体には、YAl12:Ce、(Y0.8Gd0.2Al12:Ce、Y(Al0.8Ga0.212:Ce、(Y,Gd)(Al,Ga)12の組成式で表されるYAG系蛍光体などがある。また、Yの一部若しくは全部をTb、Lu等で置換したTbAl12:Ce、LuAl12:Ceなどもある。
その他の蛍光体には、ZnS:Eu、ZnGeO:Mn、MGa:Eu(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。Xは、F、Cl、Br、Iから選ばれる少なくとも1種以上である。)などがある。
上述の蛍光体は、所望に応じてEuに代えて、又は、Euに加えてTb、Cu、Ag、Au、Cr、Nd、Dy、Co、Ni、Tiから選択される1種以上を含有させることもできる。
Ca−Al−Si−O−N系オキシ窒化物ガラス蛍光体とは、モル%表示で、CaCO をCaOに換算して20〜50モル%、Alを0〜30モル%、SiOを25〜60モル%、AlNを5〜50モル%、希土類酸化物または遷移金属酸化物を0.1〜20モル%とし、5成分の合計が100モル%となるオキシ窒化物ガラスを母体材料とした蛍光体である。尚、オキシ窒化物ガラスを母体材料とした蛍光体では、窒素含有量が15wt%以下であることが好ましく、希土類酸化物イオンの他に増感剤となる他の希土類元素イオンを希土類酸化物として蛍光ガラス中に0.1〜10モル%の範囲の含有量で共賦活剤として含むことが好ましい。
また、上記蛍光体以外の蛍光体であって、同様の性能、効果を有する蛍光体も使用することができる。
(色調の補正方法)
次に、本実施の形態における色調の補正方法について説明する。同時に多数の発光装置の色調補正を行う場合、次のような方法で行うことが好ましい。
−ステップ1.
ステップ1では、第1及び第2透明樹脂層を硬化させた後の発光装置の色度を全数測定する(初期色度測定工程)。
−ステップ2.
ステップ2では、ステップ1で測定された色度に基づいて、前記測定された色度と目標色度との差があらかじめ設定された範囲内にあるものをそれぞれ1つのグループとすることにより色度範囲ごとに分類する(グループ化工程)。分類するグループ数は、調整後の色度バラツキを小さくするためには多い程よいが、要求される色度の範囲(規格)及び製造効率を考慮して適当な分類数とする。
−ステップ3.
最後に、ステップ3で、各グループごとに、目標色度との差に基づいて設定された量だけ第1及び第2透明樹脂層の側面を研磨する(研磨工程)。すなわち、同一のグループに属する発光素子は、同じ研磨量(グループごとに設定された値)だけ研磨される。以上のような調整方法によれば、グループごとに一括して色度を調整できるので、効率よく色度を調整でき、かつ色度バラツキを小さくできる。尚、研磨は実装面と逆側の側面で行うことが好ましい。実装面の平坦性を損なわないためである。
研磨は、例えば次のような方法で行うことができる。研磨装置上に複数個配列して、目標色度になるように研磨する。研磨するための工具は、回転軸の先に、例えば、円盤形状の砥石を設けたものを用い、第1透明樹脂層12及び第2透明樹脂層14を、目標色度と測定色度との差に対応した量だけ研磨する。この研磨の際、研磨装置上に配列した複数の発光装置の各々に対して砥石を設けることにより、複数の発光装置を一度に調整することができる。また、この際、削り量に応じてグルーピングして一括して削るようにもできるし、1つ1つ光センサーにより色度を測定しながら目標色度になるまで削るようにしてもよい(この場合でも、光センサーと砥石をそれぞれの発光装置に設けて各発光素子ごとに削り量を制御するようにすれば、複数の発光素子を同時に並列処理できることはいうまでもない)。
(製造方法)
次に、本実施の形態に係る発光装置の製造方法について説明する。
1、パッケージアッセンブリ
本実施の形態の製造方法において、複数の発光装置を一括して製造できるように、第2透明樹脂層を硬化させるまでは複数のパッケージが集合したパッケージアッセンブリを用いる。このパッケージアッセンブリにおいては、大面積の絶縁基板2上に、各発光ダイオード8の実装領域がマトリックス状に配置されている(図7A参照)。また、各発光ダイオード8の実装領域を両側から挟むように、各々の発光ダイオード8に対応する負電極4及び正電極6が形成されている。また、各列のパッケージは、互いの負電極同士及び正電極同士がつながっている。すなわち、各列の負電極4及び正電極6は、各々、1本の連続した電極となっている(図5A参照)。絶縁性基板2は、例えば厚さが0.06mm〜2.0mmの樹脂積層品等からなり、厚さ方向に貫通する複数のスルーホール(図示せず)が形成されている。負電極4と正電極6は、このスルーホールを介して、絶縁基板2の裏面に形成された実装用電極とつながっている。
2、発光ダイオード8の実装
上述のように構成されたパッケージアッセンブリの各負電極4の所定の位置に、発光ダイオード8をダイボンディングする。そして、ワイヤ10により所定の配線をする(図5A参照)。
3、第1透明樹脂層12の形成
次に、第1透明樹脂層12を形成する。第1透明樹脂層12には予め所定量の蛍光体16が分散されている。第1透明樹脂層12は、図5A〜Cに示すライン塗布法で形成することが好ましい。ライン塗布法によれば、第1透明樹脂層12を薄膜化できると共に、製造工程が簡易になる。また、ライン塗布法では表面張力を利用して第1透明樹脂層12を形成できるため、ワイヤ10と負電極4及び正電極6のパターンに沿って第1透明樹脂層12は形成することができる。また、負電極4及び正電極6のパターンを適切にすれば、第1透明樹脂層の形成領域を発光ダイオード8の近くに制限することができる。
ライン塗布法とは、図5Aに示すように、ディスペンサ24から所定量の第1透明樹脂を吐出させながら、ディスペンサ24を発光ダイオード8の配列に沿って移動させ、ライン状につながった樹脂層を形成する方法である。ライン塗布法で形成した場合、第1透明樹脂層12の形状を、樹脂の表面張力によって決めることができる。例えば、電極4及び正電極6の外縁は、その厚み分だけ絶縁基板2の表面よりも高い位置にある。従って、両者の高さの差が十分にあれば、図5B及び図5Cに示すように、第1透明樹脂12は表面張力によって負電極4及び正電極6の外縁4a及び6aから先には流れ出さない。また、第1透明樹脂12は、吐出量を適切にすれば、表面張力によってワイヤ10を少し越えた高さで維持させることができる。さらに、第1透明樹脂12の断面形状は、図5Cに示すように、略半円形又は略半楕円形となる。このようにライン塗布法によれば、極めて簡易な構成によって短時間に多数のチップを同時処理でき、しかも形状が安定する。従って、ライン塗布法によって第1透明樹脂層12を形成すれば、量産性が高く、また色調バラツキが少なくなるという利点が得られる。
尚、第1透明樹脂の表面張力が小さい場合は、電極4,6の厚み分の段差だけでは形状が維持できない場合がある。そこで、第1透明樹脂の流れだしを防止するための構造を設けても良い。例えば、図6Aでは、負電極4及び正電極6の外側に、レジスト等からなる壁32を形成している。図6Bでは、負電極4及び正電極6の外側に、溝34を形成している。さらに、図6Cでは、負電極4及び正電極の外側に、絶縁基板2を高くした段差36を設けている。
第1透明樹脂12をライン塗布した後、第1透明樹脂12を硬化させる。第1透明樹脂が熱硬化性の樹脂であれば、常温でライン塗布した後、加熱して硬化させれば良い。第1透明樹脂12内における蛍光体16の沈降程度は、例えば、ライン塗布が終了してから硬化開始までの時間や、硬化前又は硬化途中における透明樹脂の粘度によって制御できる。すなわち、ライン塗布が終了してから硬化開始までの時間が長いほど、第1透明樹脂12内における蛍光体16の沈降が進行する。また、硬化前における第1透明樹脂12の粘性が低いほど、蛍光体16の沈降が進行する。硬化前に粘性が高い透明樹脂であっても、エポキシのように加熱によって一旦粘性が低下する材料であれば、粘性が低下したときに蛍光体16の沈降を進行させることができる。
4、第2透明樹脂層14の形成
次に、第2透明樹脂層14を形成する。第2透明樹脂層14の形成には、トランスファモールド、圧縮成形、射出成形などの方法を用いることができる。トランスファモールドの場合を例にして、説明する。まず、図7Aに示すように、第1透明樹脂層12を形成したパッケージアッセンブリ5を準備する。次に、図7Bに示すように、パッケージアッセンブリ5の上下をトランスファモールド用の金型26及び28で挟む。図7Bに示す例では、下側金型26は平坦であり、上側金型28には第2透明樹脂層を形成するためのレンズ型28aが設けられている。次に、図7Cに示すように、上側金型26とパッケージアセンブリ5の間に形成された樹脂の注入口を通じて第2透明樹脂14を流し込む。このとき、第2透明樹脂14は、半溶性のペレットとして準備し、注入口から圧入しながら樹脂を溶かす。そして、金型内で短時間加熱して硬化させた後、金型を外してさらに加熱することにより、第2透明樹脂層14が形成できる。トランスファモールドで形成する場合、第2透明樹脂14は、ある程度粘度が高い樹脂であることが必要である。例えば、エポキシ樹脂等がトランスファ成形に適している。
トランスファモールドに代えて、圧縮成形で第2透明樹脂層14を形成しても良い。特に使用する樹脂が、液状である場合は、トランスファモールドではなく、圧縮成形で第2透明樹脂層14を形成することが好ましい。第2透明樹脂層14を圧縮成形で形成する場合、第2透明樹脂をパッケージアッセンブリ5の全面に塗布した後、圧縮成形用の金型で上面から押さえつけ、加熱して硬化させる。
5、ダイシング
次に、図7Dに示すように、パッケージアセンブリ5を2方向からダイシングし、所定幅と所定長さで発光装置を切り出すことによって、発光装置が完成する。
実施の形態2.
本実施の形態では、第1透明樹脂層12を印刷法によって形成する例について説明する。その他の事項は、実施の形態1と同様である。
まず、図8Aに示すように、パッケージアッセンブリ5の全面に印刷によって第1透明樹脂層12を形成する。第1透明樹脂層12は、絶縁基板2の全面に形成されており、かつ、上面が平坦になる。尚、第1透明樹脂層12の印刷によってワイヤ10の折れ、切断などが起きないように、第1透明樹脂層12の厚さをワイヤ10の高さよりも十分大きくなるようにする。その後、第1透明樹脂層12を加熱して硬化させる。
次に、絶縁基板2の全面に形成された第1透明樹脂層12の上に、実施の形態1と同様の方法によってレンズ付きの第2透明樹脂層14を形成する。そして、第2透明樹脂層14を硬化した後、パッケージアッセンブリを2方向からダイシングすれば、図8Bに示すように、発光装置1が得られる。尚、本実施の形態の方法によって形成された第1透明樹脂層14は、絶縁基板2と略同一面積の直方体状となる。
本実施の形態のように印刷法によって第1透明樹脂層12を形成すれば、実施の形態1のライン塗布に比べて短時間で第1透明樹脂層12を形成することができる。しかしながら、印刷法では、第1透明樹脂層の上面がワイヤ10よりも十分高いところに位置するようにしないとならないため、ライン塗布法に比べて、第1透明樹脂層12の厚さが厚くなり易い。また、図8A及びBに示すように、蛍光体16の分布が絶縁基板2の全面に広がるため、観察方向に依存した色ムラが発生し易くなる。
実施の形態3.
そこで実施の形態3では、印刷法によって第1透明樹脂層を形成しながら、蛍光体16の広がりを抑制する方法について説明する。
まず、図9Aに示すように、第1透明樹脂層12を印刷する前に、第1透明樹脂層12の印刷範囲を制限するためのマスク30を絶縁基板2上に形成する。マスク30は、例えばレジスト等から成る。またマスク30は、第1透明樹脂の印刷範囲を発光ダイオード8の近傍に制限するように、発光ダイオード8の配列を左右から挟む平行なストライプ状にすることができる。
第1透明樹脂層12を硬化した後、マスク30を除去する。そして実施の形態1と同様の方法によって、第2透明樹脂層14を形成する。第2透明樹脂層を硬化した後、パッケージアッセンブリ5を2方向からダイシングすれば、図9Bに示すように、発光装置1が得られる。
本実施の形態において形成された第1透明樹脂層12は、図9Bに示すように、略直方体形状をしており、発光装置の長手方向における幅が絶縁基板2よりも短い。すなわち、第1透明樹脂層12の形成範囲は、発光ダイオード8の近傍に制限されている。従って、実施の形態2に比べて、観察方向に依存した色ムラが抑制される。
尚、上記実施の形態では印刷法で第1透明樹脂層12を形成する例について説明したが、スプレーや金型による成形を用いて第1透明樹脂層12を形成することもできる。
以上の実施の形態1〜3の発光装置では、発光ダイオード8として電極側から光を出射するものを用い、発光ダイオード8の電極と絶縁基板2上の電極とをワイヤーボンディングした例について示した。しかしながら、本発明はこれに限られるものではなく、発光ダイオード8を絶縁基板2上にフリップチップボンディングするようにしてもよい。具体的には、発光ダイオード8のp側の電極とn側の電極とがそれぞれ、絶縁基板2上に形成された正負の電極に対向するように発光ダイオードを載置して、対向する電極間をそれぞれ半田等の導電性接着部材で接合することにより実装する。
尚、フリップチップボンディング用の発光ダイオードは、基本的にはワイヤーボンディング用の発光ダイオードと同様に構成される。例えば、窒化物半導体発光素子の場合では、光透光性の基板の一方の主面上にn型およびp型窒化物半導体層を含む複数の窒化物半導体層を積層して、最上層のp型窒化物半導体層(p型コンタクト層)の上にp側の電極を形成し、p型窒化物半導体層の一部を除去することにより露出させたn型窒化物半導体層上にn側の電極を形成することにより構成し、光透光性基板の他方の主面を主光取り出し面とすればよい。
本実施例では、図1に示す構造の発光装置を以下の方法で作製した。
(i) ダイボンド/ワイヤーボンド
(ii)エポキシ樹脂にYAG蛍光体を所定の割合で混合しライン塗布。

(iii)熱風オーブンにて硬化。
硬化条件:150℃ 4時間
(iv)透明エポキシ樹脂を用いてトランスファモールドにてレンズ成形。
トランスファ硬化条件:150℃ 5分(金型温度を制御する)
(v) 金型から取り出して、追硬化。
追硬化条件:150℃ 4時間
(vi)ダイシングにて、個片に切り分ける。
[比較例1]
また、比較例として、透明樹脂層が1層から成る発光装置を以下の方法で作成した。
(i) ダイボンド/ワイヤーボンド
(ii) 予め蛍光体を所定の割合で混合させたエポキシ樹脂を用いてトランスファ成形でレンズ成形。

トランスファ硬化条件:150℃ 5分(金型温度を制御する)
(iii)金型から取り出して、追硬化。
追硬化条件:150℃ 4時間
(iv) ダイシングにて、個片に切り分ける。
作製した実施例、比較例について、実装面に平行な0°方向(図3中のx方向)の配光特性を図10Aに、実装面に垂直な90°方向(図3中のy方向)の配光特性を図10Bに示す。図10A及び図10Bにおいて、符号40は実施例の配光特性を示し、符号42は比較例の配光特性を示す。図10A及び10Bに示すように、0°方向、90°方向共に本件発明の実施例の方が比較例よりも指向性に優れ、正面方向の光度が高い(1.6倍以上)ことがわかる。これは、比較例ではレンズを形成した透明樹脂層の全体に蛍光体が分散されているため、蛍光体の光散乱によって光が広がっているため、と推定される。本件発明の実施例では、第2透明樹脂層に蛍光体が実質的に含まれていないため、指向性が高く、正面方向の光度が高くなっている。
本実施例では、図4に示す構造の発光装置を実施例1と同様の方法で作製した。本実施例では、第2透明樹脂層に形成するレンズの形状を3通りに変えながらサンプルの作製を行った。レンズの形状は、トランスファモールドに用いる金型によって制御した。
尚、作製条件は実施例1と同様とした。
作製した3種類のサンプルの断面図を図11A〜Cに示す。
サンプル1〜3の初期光学、電気特性は以下の通りであった。
Figure 2006229055
サンプル1〜3の実装面に平行な0°方向(図3中のx方向)の配光特性を図12Aに、実装面に垂直な90°方向(図3中のy方向)の配光特性を図12Bに示す。図12A及び図12Bにおいて、符号44、46及び48は、各々、サンプル1、サンプル2及びサンプル3の配光特性を示す。また、各サンプルの配光特性の半値角(平均値)を表2に示す。
Figure 2006229055
以上の結果から、第2透明樹脂層に形成するレンズの曲率が大きくなる程、指向性が良好となり、正面方向の光度が高くなることがわかる。
図1は、本件発明の実施の形態1に係る発光装置を示す斜視図である。 図2は、図1に示す発光装置のX−X’断面を示す断面図である。 図3は、図1に示す発光装置を実装基板上に実装した様子を模式的に示す斜視図である。 図4は、実施の形態1に係る発光装置の別例を示す断面図である。 図5Aは、第1透明樹脂層をライン塗布法で形成する様子を示す模式図である。 図5Bは、第1透明樹脂層をライン塗布法で形成する様子を示す平面図である。 図5Cは、第1透明樹脂層をライン塗布法で形成する様子を示す断面図である。 図6Aは、図5Cに示すライン塗布法のバリエーションを示す断面図である。 図6Bは、図5Cに示すライン塗布法の別のバリエーションを示す断面図である。 図6Cは、図5Cに示すライン塗布法のさらに別のバリエーションを示す断面図である。 図7Aは、第1透明樹脂層を形成したパッケージアッセンブリを模式的に示す斜視図である。 図7Bは、第2樹脂層をトランスファモールド法によって形成する様子を模式的に示す断面図である。 図7Cは、第2樹脂層をトランスファモールド法によって形成する様子を模式的に示す断面図である。 図7Dは、ダイシング工程を模式的に示す断面図である。 図8Aは、実施の形態2の途中工程を示す断面図である。 図8Bは、実施の形態2に係る発光装置を示す断面図である。 図9Aは、実施の形態3の途中工程を示す断面図である。 図9Bは、実施の形態3に係る発光装置を示す断面図である。 図10Aは、実施例1及び比較例1の0°方向の配光特性を示すグラフである。 図10Bは、実施例1及び比較例1の90°方向の配光特性を示すグラフである。 図11Aは、実施例2の発光装置(サンプル1)の断面図である。 図11Bは、実施例2の発光装置(サンプル2)の断面図である。 図11Cは、実施例2の発光装置(サンプル3)の断面図である。 図12Aは、実施例2の0°方向の配光特性を示すグラフである。 図12Bは、実施例2の90°方向の配光特性を示すグラフである。
符号の説明
1 発光装置、2 絶縁基板、4 負電極、6 正電極、8 発光ダイオード、10 ワイヤ、12 第1透明樹脂層、14 第2透明樹脂層、16 蛍光体

Claims (11)

  1. 基板と、前記基板上に形成された正及び負電極と、前記正及び負電極に接続された発光ダイオードと、前記発光ダイオードを覆う透明樹脂層と、前記透明樹脂層内に分散された蛍光体とを有し、前記透明樹脂層内に分散された蛍光体を前記発光ダイオードの出射光によって励起発光することにより、前記発光ダイオードの発光色と異なる色を発光する発光装置であって、
    前記透明樹脂層は、前記発光ダイオードを覆い、前記蛍光体を含む第1透明樹脂層と、前記第1透明樹脂層上に形成される第2透明樹脂層とを有し、
    前記第2透明樹脂層は、上面がレンズを形成するように曲面状に加工されており、
    前記発光装置の互いに対向する1組の側面において、前記第1透明樹脂層及び前記第2透明樹脂層が略面一に裁断されて、前記第1透明樹脂層が露出していることを特徴とする発光装置。
  2. 前記第1透明樹脂層は、略半円柱状であることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
  3. 前記透明樹脂層を上面から平面視して、前記第1透明樹脂層の外縁が前記正及び負電極の外縁とほぼ一致していることを特徴とする請求項1又は2に記載の発光装置。
  4. 前記第1透明樹脂層は、略直方体状であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の発光装置。
  5. 前記第1透明樹脂層は、前記発光ダイオードと前記正及び負電極を接続するワイヤ全体を覆うことを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の発光装置。
  6. 前記第1透明樹脂層は、エポキシ、シリコーン、変成シリコーン、ウレタン樹脂、オキセタン樹脂から成る群から選択された1種であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の発光装置。
  7. 前記第2透明樹脂層は、上面がシリンドリカルレンズを形成するように曲面状に加工されていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の発光装置。
  8. 前記第2透明樹脂層は、エポキシ、シリコーン、変成シリコーン、ウレタン樹脂、オキセタン樹脂から成る群から選択された1種であることを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載の発光装置。
  9. 前記発光装置は、前記互いに対向する1組の側面の一方を実装面とするサイドビュー型発光装置であることを特徴とする請求項1乃至8のいずれかに記載の発光装置。
  10. 前記発光ダイオードは、窒化物半導体から成る青色発光層を有することを特徴とする請求項1乃至9のいずれかに記載の発光装置。
  11. 前記蛍光体粒子が、前記発光ダイオードの発光と混色することにより、白色を発光可能であることを特徴とする請求項1乃至10のいずれかに記載の発光装置。


JP2005042543A 2005-02-18 2005-02-18 発光装置 Expired - Fee Related JP5123466B2 (ja)

Priority Applications (10)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005042543A JP5123466B2 (ja) 2005-02-18 2005-02-18 発光装置
TW095105503A TWI419375B (zh) 2005-02-18 2006-02-17 具備控制配光特性用之透鏡之發光裝置
EP06003285.1A EP1693904B1 (en) 2005-02-18 2006-02-17 Light emitting device provided with lens for controlling light distribution characteristic
KR1020060015762A KR101204115B1 (ko) 2005-02-18 2006-02-17 배광 특성을 제어하기 위한 렌즈를 구비한 발광 장치
TW104106556A TWI521748B (zh) 2005-02-18 2006-02-17 具備控制配光特性用之透鏡之發光裝置
TW102131355A TW201403859A (zh) 2005-02-18 2006-02-17 具備控制配光特性用之透鏡之發光裝置
US11/356,276 US7710016B2 (en) 2005-02-18 2006-02-17 Light emitting device provided with lens for controlling light distribution characteristic
US12/473,121 US8558446B2 (en) 2005-02-18 2009-05-27 Light emitting device provided with lens for controlling light distribution characteristic
US14/025,684 US8836210B2 (en) 2005-02-18 2013-09-12 Light emitting device provided with lens for controlling light distribution characteristic
US14/465,315 US9093619B2 (en) 2005-02-18 2014-08-21 Light emitting device provided with lens for controlling light distribution characteristic

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005042543A JP5123466B2 (ja) 2005-02-18 2005-02-18 発光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006229055A true JP2006229055A (ja) 2006-08-31
JP5123466B2 JP5123466B2 (ja) 2013-01-23

Family

ID=36990130

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005042543A Expired - Fee Related JP5123466B2 (ja) 2005-02-18 2005-02-18 発光装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5123466B2 (ja)

Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008141145A (ja) * 2006-11-07 2008-06-19 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2008159753A (ja) * 2006-12-22 2008-07-10 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びそれを用いたバックライト
JP2008205462A (ja) * 2007-02-12 2008-09-04 Cree Inc フロントコンタクトを有するパッケージ化された半導体発光デバイスを圧縮成形により形成する方法
JP2009038315A (ja) * 2007-08-03 2009-02-19 Sharp Corp 発光装置の製造方法
JP2009135381A (ja) * 2007-10-31 2009-06-18 Sharp Corp チップ部品型led及びその製造方法
JP2009231510A (ja) * 2008-03-21 2009-10-08 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明装置
JP2010114406A (ja) * 2008-10-08 2010-05-20 Sony Corp 照明装置、液晶表示装置、及び照明装置の製造方法
WO2010092707A1 (ja) 2009-02-10 2010-08-19 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置
US7915090B2 (en) 2007-03-20 2011-03-29 Nichia Corporation Method for manufacturing a semiconductor device
JP2011515819A (ja) * 2008-03-28 2011-05-19 クリー インコーポレイテッド 発光器を組み合わせるための装置および方法
JP2011109134A (ja) * 2007-02-12 2011-06-02 Cree Inc 複数の光学要素を有するパッケージ化された半導体発光デバイスを圧縮成形により形成する方法
KR20110107631A (ko) * 2010-03-25 2011-10-04 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛
US8068194B2 (en) 2007-06-13 2011-11-29 Sharp Kabushiki Kaisha Line light source device, plane light emission device, plane light source device, and liquid crystal display
JP2012015319A (ja) * 2010-06-30 2012-01-19 Sharp Corp 発光素子パッケージおよびその製造方法、発光素子アレイ、および表示装置
WO2012029912A1 (ja) 2010-09-03 2012-03-08 日亜化学工業株式会社 発光装置、及び発光装置用パッケージアレイ
JP2012049229A (ja) * 2010-08-25 2012-03-08 Sharp Corp 発光装置および発光装置の製造方法
WO2012029911A1 (ja) 2010-09-03 2012-03-08 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
WO2012063704A1 (ja) 2010-11-11 2012-05-18 日亜化学工業株式会社 発光装置と、回路基板の製造方法
US8206999B2 (en) 2007-10-31 2012-06-26 Sharp Kabushiki Kaisha Chip-type LED and method for manufacturing the same
WO2012108356A1 (ja) 2011-02-10 2012-08-16 日亜化学工業株式会社 発光装置、発光装置の製造方法、及びパッケージアレイ
JP2012256908A (ja) * 2010-03-11 2012-12-27 Panasonic Corp 発光モジュール、光源装置、液晶表示装置および発光モジュールの製造方法
JP2013055309A (ja) * 2010-09-30 2013-03-21 Nitto Denko Corp 発光ダイオード封止材、および、発光ダイオード装置の製造方法
JP2013138148A (ja) * 2011-12-28 2013-07-11 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその製造方法
JP2013179148A (ja) * 2012-02-28 2013-09-09 Unistar Opto Corp 発光ダイオードエリアライトモジュールおよびそのパッケージ方法
JP2014220490A (ja) * 2013-04-12 2014-11-20 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2016517186A (ja) * 2013-05-10 2016-06-09 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH 発光半導体素子および発光半導体素子の製造方法
JP2016167518A (ja) * 2015-03-09 2016-09-15 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光装置、及び、照明装置
JP2017533598A (ja) * 2014-09-01 2017-11-09 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH 発光ダイオード素子

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1995000268A1 (fr) * 1993-06-25 1995-01-05 Daikin Industries, Ltd. Mandrin d'elargissement de tubes, procede d'elargissement de tubes et appareil d'elargissement de tubes mettant en ×uvre ce mandrin, et echangeur de chaleur comportant un tube d'echange de chaleur soumis a un elargissement par ce procede

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000124507A (ja) * 1998-10-20 2000-04-28 Citizen Electronics Co Ltd 表面実装型発光ダイオード
JP2001077432A (ja) * 1999-09-08 2001-03-23 Matsushita Electronics Industry Corp 面実装発光素子及びその製造方法
JP2001177156A (ja) * 1999-12-14 2001-06-29 Koha Co Ltd 側面発光型ledランプ
JP2004087812A (ja) * 2002-08-27 2004-03-18 Sanyo Electric Co Ltd 発光体

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000124507A (ja) * 1998-10-20 2000-04-28 Citizen Electronics Co Ltd 表面実装型発光ダイオード
JP2001077432A (ja) * 1999-09-08 2001-03-23 Matsushita Electronics Industry Corp 面実装発光素子及びその製造方法
JP2001177156A (ja) * 1999-12-14 2001-06-29 Koha Co Ltd 側面発光型ledランプ
JP2004087812A (ja) * 2002-08-27 2004-03-18 Sanyo Electric Co Ltd 発光体

Cited By (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008141145A (ja) * 2006-11-07 2008-06-19 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2008159753A (ja) * 2006-12-22 2008-07-10 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びそれを用いたバックライト
JP2011109134A (ja) * 2007-02-12 2011-06-02 Cree Inc 複数の光学要素を有するパッケージ化された半導体発光デバイスを圧縮成形により形成する方法
JP2008205462A (ja) * 2007-02-12 2008-09-04 Cree Inc フロントコンタクトを有するパッケージ化された半導体発光デバイスを圧縮成形により形成する方法
US9061450B2 (en) 2007-02-12 2015-06-23 Cree, Inc. Methods of forming packaged semiconductor light emitting devices having front contacts by compression molding
US8822245B2 (en) 2007-02-12 2014-09-02 Cree, Inc. Packaged semiconductor light emitting devices having multiple optical elements and methods of forming the same
US8669573B2 (en) 2007-02-12 2014-03-11 Cree, Inc. Packaged semiconductor light emitting devices having multiple optical elements
US7915090B2 (en) 2007-03-20 2011-03-29 Nichia Corporation Method for manufacturing a semiconductor device
US8068194B2 (en) 2007-06-13 2011-11-29 Sharp Kabushiki Kaisha Line light source device, plane light emission device, plane light source device, and liquid crystal display
JP2009038315A (ja) * 2007-08-03 2009-02-19 Sharp Corp 発光装置の製造方法
US8206999B2 (en) 2007-10-31 2012-06-26 Sharp Kabushiki Kaisha Chip-type LED and method for manufacturing the same
JP2009135381A (ja) * 2007-10-31 2009-06-18 Sharp Corp チップ部品型led及びその製造方法
JP2009231510A (ja) * 2008-03-21 2009-10-08 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明装置
JP2011515819A (ja) * 2008-03-28 2011-05-19 クリー インコーポレイテッド 発光器を組み合わせるための装置および方法
US8350461B2 (en) 2008-03-28 2013-01-08 Cree, Inc. Apparatus and methods for combining light emitters
US8513871B2 (en) 2008-03-28 2013-08-20 Cree, Inc. Apparatus and methods for combining light emitters
JP2010114406A (ja) * 2008-10-08 2010-05-20 Sony Corp 照明装置、液晶表示装置、及び照明装置の製造方法
WO2010092707A1 (ja) 2009-02-10 2010-08-19 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置
US9261246B2 (en) 2010-03-11 2016-02-16 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light-emitting module, light source device, liquid crystal display device, and method of manufacturing light-emitting module
JP2012256908A (ja) * 2010-03-11 2012-12-27 Panasonic Corp 発光モジュール、光源装置、液晶表示装置および発光モジュールの製造方法
KR20110107631A (ko) * 2010-03-25 2011-10-04 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛
KR101646262B1 (ko) * 2010-03-25 2016-08-12 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛
JP2012015319A (ja) * 2010-06-30 2012-01-19 Sharp Corp 発光素子パッケージおよびその製造方法、発光素子アレイ、および表示装置
JP2012049229A (ja) * 2010-08-25 2012-03-08 Sharp Corp 発光装置および発光装置の製造方法
US8486731B2 (en) 2010-08-25 2013-07-16 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device and method for manufacturing light-emitting device
WO2012029911A1 (ja) 2010-09-03 2012-03-08 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
WO2012029912A1 (ja) 2010-09-03 2012-03-08 日亜化学工業株式会社 発光装置、及び発光装置用パッケージアレイ
JP2013055309A (ja) * 2010-09-30 2013-03-21 Nitto Denko Corp 発光ダイオード封止材、および、発光ダイオード装置の製造方法
WO2012063704A1 (ja) 2010-11-11 2012-05-18 日亜化学工業株式会社 発光装置と、回路基板の製造方法
WO2012108356A1 (ja) 2011-02-10 2012-08-16 日亜化学工業株式会社 発光装置、発光装置の製造方法、及びパッケージアレイ
JP2013138148A (ja) * 2011-12-28 2013-07-11 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその製造方法
JP2013179148A (ja) * 2012-02-28 2013-09-09 Unistar Opto Corp 発光ダイオードエリアライトモジュールおよびそのパッケージ方法
JP2014220490A (ja) * 2013-04-12 2014-11-20 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2020010053A (ja) * 2013-04-12 2020-01-16 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2016517186A (ja) * 2013-05-10 2016-06-09 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH 発光半導体素子および発光半導体素子の製造方法
US9837591B2 (en) 2013-05-10 2017-12-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light-emitting semiconductor component and method of producing light-emitting semiconductor components
JP2017533598A (ja) * 2014-09-01 2017-11-09 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH 発光ダイオード素子
JP2016167518A (ja) * 2015-03-09 2016-09-15 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光装置、及び、照明装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP5123466B2 (ja) 2013-01-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5123466B2 (ja) 発光装置
KR101204115B1 (ko) 배광 특성을 제어하기 위한 렌즈를 구비한 발광 장치
JP4953578B2 (ja) 発光装置
JP4956977B2 (ja) 発光装置
JP5103831B2 (ja) 半導体の製造方法
KR100983428B1 (ko) 발광 장치
JP5311582B2 (ja) Led素子並びにこのled素子を用いたバックライト装置及びディスプレー装置
JP5315607B2 (ja) 発光装置及びその製造方法
US10569487B2 (en) Method of manufacturing light emitting device
CN107275457A (zh) 发光装置的制造方法
JP2006269778A (ja) 光学装置
JP2007234968A (ja) 発光装置の製造方法および発光装置
JP4617761B2 (ja) 発光装置の製造方法
US12078343B2 (en) Light emitting device
US20180269363A1 (en) Method for manufacturing light-transmissive member and method for manufacturing light-emitting device
JP5447407B2 (ja) 発光装置
JP5205773B2 (ja) 発光装置
JP5309749B2 (ja) 発光装置
US20240105888A1 (en) Method of manufacturing light emitting device
JP2008098429A (ja) 発光装置及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20060912

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20060912

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20060915

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20071228

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100629

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100928

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101129

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20101129

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20110517

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120810

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120924

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20121026

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151102

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 5123466

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees