JP2006224282A - 研磨パッド - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 研磨領域9及び光透過領域8を有する研磨パッドにおいて、前記研磨領域及び光透過領域は、それぞれFeの含有濃度が0.3ppm以下、Niの含有濃度が1.0ppm以下、Cuの含有濃度が0.5ppm以下、Znの含有濃度が0.1ppm以下、及びAlの含有濃度が1.2ppm以下である。
【選択図】 図8
Description
1) イソシアネート末端プレポリマーの気泡分散液を作製する撹拌工程
イソシアネート末端プレポリマーにシリコン系界面活性剤を添加し、非反応性気体と撹拌し、非反応性気体を微細気泡として分散させて気泡分散液とする。イソシアネート末端プレポリマーが常温で固体の場合には適宜の温度に予熱し、溶融して使用する。
2) 硬化剤(鎖延長剤)混合工程
上記の気泡分散液に鎖延長剤を添加し、混合撹拌する。
3) 硬化工程
鎖延長剤を混合したイソシアネート末端プレポリマーを注型し、加熱硬化させる。
作製したポリウレタン発泡体を厚み1mm以下になるべく薄くミクロトームカッターで平行に切り出したものを平均気泡径測定用試料とした。試料をスライドガラス上に固定し、画像処理装置(東洋紡社製、Image Analyzer V10)を用いて、任意の0.2mm×0.2mm範囲の全気泡径を測定し、平均気泡径を算出した。
JIS Z8807−1976に準拠して行った。作製したポリウレタン発泡体を4cm×8.5cmの短冊状(厚み:任意)に切り出したものを比重測定用試料とし、温度23℃±2℃、湿度50%±5%の環境で16時間静置した。測定には比重計(ザルトリウス社製)を用い、比重を測定した。
JIS K6253−1997に準拠して行った。作製したポリウレタン発泡体を2cm×2cm(厚み:任意)の大きさに切り出したものを硬度測定用試料とし、温度23℃±2℃、湿度50%±5%の環境で16時間静置した。測定時には、試料を重ね合わせ、厚み6mm以上とした。硬度計(高分子計器社製、アスカーD型硬度計)を用い、硬度を測定した。
作製した研磨領域用のポリウレタン発泡体及び光透過領域用のポリウレタンを炭化、灰化(550℃)後、残渣を1.2N塩酸溶液に溶解させたものを試験液とした。試験液中の元素は、ICP発光分析法(リガク社製、CIROS−120)により求めた。測定結果を表1に示す。
ICP発光分析の測定発光線
Fe:259.940nm、Ni:231.604nm、Cu:324.754nm、Zn:213.856nm、Al:396.152nm
(酸化膜耐圧の評価)
面方位(100)、抵抗率10Ωcmのn型Cz−Siウエハを作製した研磨パッドを用いて研磨した。研磨装置としてはSPP600S(岡本工作機械社製)を用いた。研磨条件としては、スラリーとしてシリカスラリー(SS12、キャボット社製)を研磨中に流量150ml/minで添加した。研磨荷重としては350g/cm2、研磨定盤回転数35rpm、ウエハ回転数30rpmとした。研磨時間は2分とした。
〔光透過領域の作製〕
アジピン酸とヘキサンジオールとエチレングリコールからなるポリエステルポリオール(数平均分子量2400)128重量部、及び1,4−ブタンジオール30重量部をフッ素コーティングした計量容器を用いて計量し、それらをフッ素コーティングした重合容器内に加えて混合し、70℃に温調した。この混合液に、予め70℃に温調した4,4’−ジフェニルメタンジイソシアネート100重量部を加え、フッ素コーティングした撹拌翼を用いて約1分間撹拌した。そして、100℃に保温され、クロムメッキされた金型中に該混合液を流し込み、100℃で8時間ポストキュアを行ってポリウレタンを作製した。作製したポリウレタンを用い、クロムメッキされた金型を用いてインジェクション成型にて光透過領域(縦56.5mm、横19.5mm、厚さ1.25mm)を作製した。ここまでの全ての工程において、原料等と直接接触する表面がフッ素コーティング又はクロムメッキされた器具を用いて製造した。
ポリエーテル系プレポリマー(ユニロイヤル社製、アジプレンL−325;イソシアネート基濃度:2.22meq/g)3000重量部、及びシリコン系ノニオン界面活性剤(東レ・ダウシリコン社製、SH192)90重量部をフッ素コーティングした計量容器を用いて計量し、それらをフッ素コーティングした重合容器内に加えて混合し、反応温度を80℃に調整した。フッ素コーティングした撹拌翼を用いて、回転数900rpmで反応系内に気泡を取り込むように激しく約4分間撹拌を行った。そこへ予め120℃の温度で溶融させた4,4’−メチレンビス(o−クロロアニリン)(イハラケミカル社製、イハラキュアミンMT)780重量部をフッ素コーティングした計量容器を用いて計量し、それを重合容器内に添加した。約4分間撹拌を続けた後、フッ素コーティングした金型へ反応溶液を流し込んだ。この反応溶液の流動性がなくなった時点で、ニクロム熱線部を別チャンバにしたオーブン内に入れ、110℃で6時間ポストキュアを行い、ポリウレタン発泡体ブロックを得た。ここまでの全ての工程において、原料等と直接接触する表面が金属でない器具を用いて製造した。
表面をバフがけし、コロナ処理したポリエチレンフォーム(東レ社製、トーレペフ、厚さ:0.8mm)からなるクッション層を、作製した両面テープ付き研磨領域の粘着面にラミ機を用いて貼り合わせた。次に、クッション層表面に両面テープを貼り合わせた。そして、光透過領域をはめ込むために打ち抜いた穴部分のうち、51mm×14mmの大きさでクッション層を打ち抜いた。そして、前記作製した光透過領域を開口部内にはめ込んで研磨パッドを作製した。
実施例1において、光透過領域の作製時にクロムメッキされていない金型を用いた以外は実施例1と同様の方法で研磨パッドを作製した。
2:研磨定盤
3:研磨剤(スラリー)
4:被研磨材(半導体ウエハ)
5:支持台(ポリシングヘッド)
6、7:回転軸
8:光透過領域
9:研磨領域
10、12:両面テープ
11:クッション層
13:離型紙(フィルム)
14:開口部を塞ぐ部材
15:レーザー干渉計
16:レーザービーム
Claims (3)
- 研磨領域及び光透過領域を有する研磨パッドにおいて、前記研磨領域及び光透過領域は、それぞれFeの含有濃度が0.3ppm以下、Niの含有濃度が1.0ppm以下、Cuの含有濃度が0.5ppm以下、Znの含有濃度が0.1ppm以下、及びAlの含有濃度が1.2ppm以下であることを特徴とする研磨パッド。
- 研磨領域及び光透過領域の形成材料が、ポリオレフィン樹脂、ポリウレタン樹脂、(メタ)アクリル樹脂、シリコン樹脂、フッ素樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、及び感光性樹脂からなる群より選択される少なくとも1種の高分子材料である請求項1記載の研磨パッド。
- 請求項1又は2記載の研磨パッドを用いて半導体ウエハの表面を研磨する工程を含む半導体デバイスの製造方法。
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