JP2014087925A - シールされた窓を有するケミカルメカニカル研磨パッド - Google Patents
シールされた窓を有するケミカルメカニカル研磨パッド Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014087925A JP2014087925A JP2013271079A JP2013271079A JP2014087925A JP 2014087925 A JP2014087925 A JP 2014087925A JP 2013271079 A JP2013271079 A JP 2013271079A JP 2013271079 A JP2013271079 A JP 2013271079A JP 2014087925 A JP2014087925 A JP 2014087925A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- polishing
- porous subpad
- subpad layer
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 307
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 409
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 claims abstract description 39
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 17
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 15
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 15
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 62
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 56
- 230000013011 mating Effects 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000035515 penetration Effects 0.000 claims description 4
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims description 4
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 239000012939 laminating adhesive Substances 0.000 claims description 2
- 239000006261 foam material Substances 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 18
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 abstract description 5
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 abstract description 4
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 14
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 11
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 239000004831 Hot glue Substances 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 3
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 150000002009 diols Chemical class 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 2
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 2
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 2
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 2
- 150000003077 polyols Chemical class 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004821 Contact adhesive Substances 0.000 description 1
- 229920002943 EPDM rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229920002396 Polyurea Polymers 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 239000012295 chemical reaction liquid Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 150000004676 glycans Chemical class 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002480 mineral oil Substances 0.000 description 1
- 235000010446 mineral oil Nutrition 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001470 polyketone Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001282 polysaccharide Polymers 0.000 description 1
- 239000005017 polysaccharide Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 102000004169 proteins and genes Human genes 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 239000002195 soluble material Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/22—Lapping pads for working plane surfaces characterised by a multi-layered structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/205—Lapping pads for working plane surfaces provided with a window for inspecting the surface of the work being lapped
Abstract
【解決手段】研磨層界面領域と多孔性サブパッド層界面領域を形成し、該領域が接着剤なしで多孔性サブパッド層に固定し、接着剤層が多孔性サブパッド層の下面に被着され、内部開口が多層ケミカルメカニカル研磨パッド10を貫通して研磨面14まで延び、光透過性窓要素40が内部開口内に配置され、多孔性サブパッド層の内周縁に接触し、光透過性窓要素が感圧接着剤層に接着され、多孔性サブパッド層が第一の臨界圧縮力に付されて、多孔性サブパッド層の第一の不可逆的に潰された高密化領域を形成しており、多孔性サブパッド層が多孔性サブパッド層に第二の臨界圧縮力に付されて、多孔性サブパッド層に多孔性サブパッド層の第二の不可逆的に潰された高密化領域を形成しており、研磨面が基材を研磨するために適合される。
【選択図】図1
Description
研磨面を有する多層ケミカルメカニカル研磨パッドを参照して明細書及び請求の範囲で使用される「厚さ」とは、研磨面に対して垂直な方向に計測された多層ケミカルメカニカル研磨パッドの平均実厚さをいう。
Claims (10)
- 磁性基材、光学基材及び半導体基材から選択される少なくとも一つの基材を研磨するための多層ケミカルメカニカル研磨パッドであって、
研磨面、前記研磨面に対して平行な研磨層界面領域及び外周を有する研磨層、
下面、前記下面に対して平行な多孔性サブパッド層界面領域及び外周を有する多孔性サブパッド層、
感圧接着剤層、及び
光透過性窓要素
を含み、前記研磨層界面領域と前記多孔性サブパッド層界面領域とが同じ広がりを有する領域を形成し、
前記同じ広がりを有する領域が、貼り合わせ接着剤の使用なしで前記研磨層を前記多孔性サブパッド層に固定し、
前記感圧接着剤層が前記多孔性サブパッド層の前記下面に被着され、
内部開口が前記多層ケミカルメカニカル研磨パッドを貫通して前記下面から前記研磨面まで延び、前記多孔性サブパッド層の内周縁及び前記研磨層の対応する内周縁によって境界を画定され、
前記光透過性窓要素が前記内部開口内に配置され、前記多孔性サブパッド層の前記内周縁に接触し、
前記光透過性窓要素が前記感圧接着剤層に接着され、
前記多孔性サブパッド層が前記内周縁に沿って第一の臨界圧縮力に付されて、前記周縁に沿って前記多孔性サブパッド層の第一の不可逆的に潰された高密化領域を形成しており、
前記多孔性サブパッド層が前記多孔性サブパッド層の前記外周に沿って第二の臨界圧縮力に付されて、前記多孔性サブパッド層の前記外周に沿って前記多孔性サブパッド層の第二の不可逆的に潰された高密化領域を形成しており、
前記研磨面が前記基材を研磨するために適合されている多層ケミカルメカニカル研磨パッド。 - 前記多孔性サブパッド層の前記周縁と前記光透過性窓要素との間に接着剤が挿入されない、請求項1記載の多層ケミカルメカニカル研磨パッド。
- 前記研磨面が、前記基材の研磨を促進するためのマクロテキスチャの組み込みによって前記基材を研磨するように適合されており、前記マクロテキスチャが穿孔及び溝の少なくとも一つを含む、請求項2記載の多層ケミカルメカニカル研磨パッド。
- 前記多孔性サブパッド層が連続気泡発泡体材料を含む、請求項2記載の多層ケミカルメカニカル研磨パッド。
- 前記多孔性サブパッド層がポリウレタン含浸ポリエステルフェルトを含む、請求項2記載の多層ケミカルメカニカル研磨パッド。
- 前記研磨層が水性ウレタンポリマー及び中空球ポリマー微小要素を含む、請求項2記載の多層ケミカルメカニカル研磨パッド。
- 前記同じ広がりを有する領域が混在領域である、請求項2記載の多層ケミカルメカニカル研磨パッド。
- 磁性基材、光学基材及び半導体基材から選択される少なくとも一つの基材を研磨するための多層ケミカルメカニカル研磨パッドを製造する方法であって、
研磨面、前記研磨面に対して平行な研磨層界面領域及び外周を有する研磨層を提供すること、
下面、前記下面に対して平行な多孔性サブパッド層界面領域及び外周を有する多孔性サブパッド層を提供すること、
感圧接着剤層を提供すること、
光透過性窓要素を提供すること、
前記研磨層と前記多孔性サブパッド層とを対面させて、前記研磨層の前記外周が前記多孔性サブパッド層の前記外周と一致し、前記研磨層界面領域と前記多孔性サブパッド層界面領域とが同じ広がりを有する領域を形成するスタックを形成すること、
前記スタックを貫通して前記下面から前記研磨面まで延び、前記多孔性サブパッド層の内周縁及び前記研磨層の対応する内周縁によって境界を画定される内部開口を提供すること、
前記多孔性サブパッド層の前記内周縁に対応する前記スタックの領域に、前記周縁に沿って前記多孔性サブパッド層中の第一の不可逆的に潰された高密化領域を形成するのに十分である大きさの第一の臨界圧縮力を適用すること、
前記多孔性サブパッド層の前記外周に対応する前記スタックの領域に、前記多孔性サブパッド層の前記外周に沿って前記多孔性サブパッド層中の第二の不可逆的に潰された高密化領域を形成するのに十分である大きさの第二の臨界圧縮力を適用すること、
前記感圧接着剤層を前記多孔性サブパッド層の前記下層に被着させること、及び
前記光透過性窓要素を前記感圧接着剤層に接着すること
を含み、前記光透過性窓要素が前記内部開口内に配置され、前記多孔性サブパッド層の前記内周縁に接触し、
前記第一及び第二の臨界圧縮力の大きさが前記研磨層の前記不可逆な潰れを生じさせるのには不十分であり、
前記研磨面が前記基材を研磨するために適合されている方法。 - 嵌合面を提供すること、
前記第一の不可逆的に潰された高密化領域に対応する隆起形体を備えた第一のスタンパを提供すること、
前記第二の不可逆的に潰された高密化領域に対応する隆起形体を備えた第二のスタンパを提供すること
をさらに含み、前記スタックが前記嵌合面上に配置され、前記第一のスタンパが前記スタンパに押し当てられて、前記多孔性サブパッド層中の前記第一の不可逆的に潰された高密化領域を形成する前記第一の臨界圧縮力を発生させ、
前記スタックが前記嵌合面上に配置され、前記第二のスタンパが前記スタックに押し当てられて、前記多孔性サブパッド層中の前記第二の不可逆的に潰された高密化領域を形成する前記第二の臨界圧縮力を発生させる、請求項8記載の方法。 - 基材を研磨する方法であって、
磁性基材、光学基材及び半導体基材から選択される少なくとも一つの基材を提供すること、
研磨面、前記研磨面に対して平行な研磨層界面領域及び外周を有する研磨層、下面、多孔性サブパッド層界面領域及び外周を有する多孔性サブパッド層、感圧接着剤層、及び光透過性窓要素を含み、前記研磨層界面領域と前記多孔性サブパッド層界面領域とが同じ広がりを有する領域を形成し、前記同じ広がりを有する領域が、貼り合わせ接着剤の使用なしで前記研磨層を前記多孔性サブパッド層に固定し、前記感圧接着剤層が前記多孔性サブパッド層の前記下面に被着され、内部開口がケミカルメカニカル研磨パッドを貫通して前記下面から前記研磨面まで延び、前記多孔性サブパッド層の内周縁及び前記研磨層の対応する内周縁によって境界を画定され、前記光透過性窓要素が前記内部開口内に配置され、前記多孔性サブパッド層の前記内周縁に接触し、前記光透過性窓要素が前記感圧接着剤層に接着され、前記多孔性サブパッド層が前記多孔性サブパッド層の前記内周縁に沿って第一の臨界圧縮力に付されて、前記周縁に沿って前記多孔性サブパッド層の第一の不可逆的に潰された高密化領域を形成しており、前記多孔性サブパッド層が前記多孔性サブパッド層の前記外周に沿って第二の臨界圧縮力に付されて、前記多孔性サブパッド層の前記外周に沿って前記多孔性サブパッド層の第二の不可逆的に潰された高密化領域を形成している多層ケミカルメカニカル研磨パッドを提供すること、
前記研磨層と前記基材との界面に研磨媒を提供すること、及び
前記研磨面と前記基材との界面で動的接触を生じさせること
を含み、前記多孔性サブパッド層への前記研磨媒の浸透が前記研磨層ならびに前記第一及び第二の不可逆的に潰された高密化領域によって妨げられる方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/253,385 US8083570B2 (en) | 2008-10-17 | 2008-10-17 | Chemical mechanical polishing pad having sealed window |
US12/253,385 | 2008-10-17 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009238831A Division JP5452163B2 (ja) | 2008-10-17 | 2009-10-16 | シールされた窓を有するケミカルメカニカル研磨パッド |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014087925A true JP2014087925A (ja) | 2014-05-15 |
JP5728789B2 JP5728789B2 (ja) | 2015-06-03 |
Family
ID=41559546
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009238831A Active JP5452163B2 (ja) | 2008-10-17 | 2009-10-16 | シールされた窓を有するケミカルメカニカル研磨パッド |
JP2013271079A Active JP5728789B2 (ja) | 2008-10-17 | 2013-12-27 | シールされた窓を有するケミカルメカニカル研磨パッド |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009238831A Active JP5452163B2 (ja) | 2008-10-17 | 2009-10-16 | シールされた窓を有するケミカルメカニカル研磨パッド |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8083570B2 (ja) |
EP (1) | EP2177315B1 (ja) |
JP (2) | JP5452163B2 (ja) |
KR (1) | KR101591097B1 (ja) |
CN (2) | CN101722464A (ja) |
TW (1) | TWI482684B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101596621B1 (ko) * | 2015-01-21 | 2016-02-22 | 주식회사 엘지실트론 | 웨이퍼 연마 패드 |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI481470B (zh) * | 2010-10-13 | 2015-04-21 | San Fang Chemical Industry Co | 吸附墊片及其製造方法 |
EP2641268A4 (en) * | 2010-11-18 | 2017-01-25 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing pad comprising transmissive region |
JP2014501455A (ja) * | 2011-01-03 | 2014-01-20 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 圧力制御された研磨プラテン |
US8920219B2 (en) * | 2011-07-15 | 2014-12-30 | Nexplanar Corporation | Polishing pad with alignment aperture |
US8444727B2 (en) * | 2011-08-16 | 2013-05-21 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Method of manufacturing chemical mechanical polishing layers |
JP5732354B2 (ja) | 2011-09-01 | 2015-06-10 | 東洋ゴム工業株式会社 | 研磨パッド |
US20140256231A1 (en) * | 2013-03-07 | 2014-09-11 | Dow Global Technologies Llc | Multilayer Chemical Mechanical Polishing Pad With Broad Spectrum, Endpoint Detection Window |
US9446497B2 (en) * | 2013-03-07 | 2016-09-20 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Broad spectrum, endpoint detection monophase olefin copolymer window with specific composition in multilayer chemical mechanical polishing pad |
US9108290B2 (en) * | 2013-03-07 | 2015-08-18 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Multilayer chemical mechanical polishing pad |
US9186772B2 (en) * | 2013-03-07 | 2015-11-17 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad with broad spectrum, endpoint detection window and method of polishing therewith |
US9238295B2 (en) * | 2013-05-31 | 2016-01-19 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Soft and conditionable chemical mechanical window polishing pad |
US9233451B2 (en) * | 2013-05-31 | 2016-01-12 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Soft and conditionable chemical mechanical polishing pad stack |
US20150065013A1 (en) * | 2013-08-30 | 2015-03-05 | Dow Global Technologies Llc | Chemical mechanical polishing pad |
US9064806B1 (en) * | 2014-03-28 | 2015-06-23 | Rohm and Haas Electronics Materials CMP Holdings, Inc. | Soft and conditionable chemical mechanical polishing pad with window |
US9259820B2 (en) * | 2014-03-28 | 2016-02-16 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad with polishing layer and window |
US9216489B2 (en) * | 2014-03-28 | 2015-12-22 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad with endpoint detection window |
US20150375361A1 (en) * | 2014-06-25 | 2015-12-31 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing method |
US9466659B2 (en) * | 2014-07-09 | 2016-10-11 | Globalfoundries Inc. | Fabrication of multilayer circuit elements |
USD785339S1 (en) * | 2014-10-23 | 2017-05-02 | Griot's Garage, Inc. | Hand applicator buffing pad |
TW201623381A (zh) * | 2014-12-29 | 2016-07-01 | 陶氏全球科技責任有限公司 | 製造化學機械拋光墊的方法 |
US9446498B1 (en) * | 2015-03-13 | 2016-09-20 | rohm and Hass Electronic Materials CMP Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad with window |
US10688621B2 (en) * | 2016-08-04 | 2020-06-23 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Low-defect-porous polishing pad |
KR101945869B1 (ko) * | 2017-08-07 | 2019-02-11 | 에스케이씨 주식회사 | 우수한 기밀성을 갖는 연마패드 |
KR102080840B1 (ko) * | 2018-03-29 | 2020-02-24 | 에스케이씨 주식회사 | 누수 방지된 연마패드 및 이의 제조방법 |
CN109202693B (zh) * | 2017-10-16 | 2021-10-12 | Skc索密思株式会社 | 防泄漏抛光垫及其制造方法 |
CN108972381A (zh) * | 2018-07-26 | 2018-12-11 | 成都时代立夫科技有限公司 | 一种cmp抛光垫封边工艺 |
CN108818300A (zh) * | 2018-08-03 | 2018-11-16 | 成都时代立夫科技有限公司 | 一种分体式窗口cmp抛光垫的制备方法及cmp抛光垫 |
CN112757153B (zh) * | 2021-03-09 | 2022-07-12 | 万华化学集团电子材料有限公司 | 一种多结构体化学机械抛光垫、制造方法及其应用 |
KR102641899B1 (ko) * | 2021-11-25 | 2024-02-27 | 에스케이엔펄스 주식회사 | 연마패드 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
KR102531707B1 (ko) * | 2022-04-14 | 2023-05-11 | 케이피엑스케미칼 주식회사 | 연마패드용 서브패드, 이를 포함하는 연마패드, 및 상기 연마패드용 서브패드의 제조방법 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006224282A (ja) * | 2005-02-21 | 2006-08-31 | Toyo Tire & Rubber Co Ltd | 研磨パッド |
JP2006527923A (ja) * | 2003-06-17 | 2006-12-07 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | Cmp用多層研磨パッド材料 |
JP2007229811A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-13 | Toyo Tire & Rubber Co Ltd | 研磨パッド |
JP2007245308A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Toray Ind Inc | 低発泡領域を有する研磨パッドおよびその製造方法 |
JP2008539093A (ja) * | 2005-04-25 | 2008-11-13 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | Cmp用の多層研磨パッド材料 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5893796A (en) * | 1995-03-28 | 1999-04-13 | Applied Materials, Inc. | Forming a transparent window in a polishing pad for a chemical mechanical polishing apparatus |
DE69809265T2 (de) * | 1997-04-18 | 2003-03-27 | Cabot Microelectronics Corp | Polierkissen fur einen halbleitersubstrat |
US6439968B1 (en) | 1999-06-30 | 2002-08-27 | Agere Systems Guardian Corp. | Polishing pad having a water-repellant film theron and a method of manufacture therefor |
US6464576B1 (en) * | 1999-08-31 | 2002-10-15 | Rodel Holdings Inc. | Stacked polishing pad having sealed edge |
US6524164B1 (en) | 1999-09-14 | 2003-02-25 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad with transparent window having reduced window leakage for a chemical mechanical polishing apparatus |
WO2001023141A1 (en) | 1999-09-29 | 2001-04-05 | Rodel Holdings, Inc. | Polishing pad |
WO2002102547A1 (en) * | 2001-06-15 | 2002-12-27 | Rodel Holdings, Inc. | Polishing apparatus that provides a window |
US7175503B2 (en) * | 2002-02-04 | 2007-02-13 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining a characteristic of polishing within a zone on a specimen from combined output signals of an eddy current device |
WO2003103959A1 (en) * | 2002-06-07 | 2003-12-18 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Controlled penetration subpad |
US7201647B2 (en) | 2002-06-07 | 2007-04-10 | Praxair Technology, Inc. | Subpad having robust, sealed edges |
US7264536B2 (en) * | 2003-09-23 | 2007-09-04 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad with window |
US7654885B2 (en) * | 2003-10-03 | 2010-02-02 | Applied Materials, Inc. | Multi-layer polishing pad |
US6984163B2 (en) | 2003-11-25 | 2006-01-10 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Polishing pad with high optical transmission window |
US20060089095A1 (en) | 2004-10-27 | 2006-04-27 | Swisher Robert G | Polyurethane urea polishing pad |
JP3769581B1 (ja) * | 2005-05-18 | 2006-04-26 | 東洋ゴム工業株式会社 | 研磨パッドおよびその製造方法 |
US7210980B2 (en) * | 2005-08-26 | 2007-05-01 | Applied Materials, Inc. | Sealed polishing pad, system and methods |
US7497763B2 (en) * | 2006-03-27 | 2009-03-03 | Freescale Semiconductor, Inc. | Polishing pad, a polishing apparatus, and a process for using the polishing pad |
-
2008
- 2008-10-17 US US12/253,385 patent/US8083570B2/en active Active
-
2009
- 2009-03-13 EP EP09155155A patent/EP2177315B1/en active Active
- 2009-10-12 TW TW098134451A patent/TWI482684B/zh active
- 2009-10-15 CN CN200910208017A patent/CN101722464A/zh active Pending
- 2009-10-15 CN CN201310066166.9A patent/CN103286675B/zh active Active
- 2009-10-16 KR KR1020090098556A patent/KR101591097B1/ko active IP Right Grant
- 2009-10-16 JP JP2009238831A patent/JP5452163B2/ja active Active
-
2013
- 2013-12-27 JP JP2013271079A patent/JP5728789B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006527923A (ja) * | 2003-06-17 | 2006-12-07 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | Cmp用多層研磨パッド材料 |
JP2006224282A (ja) * | 2005-02-21 | 2006-08-31 | Toyo Tire & Rubber Co Ltd | 研磨パッド |
JP2008539093A (ja) * | 2005-04-25 | 2008-11-13 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | Cmp用の多層研磨パッド材料 |
JP2007229811A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-13 | Toyo Tire & Rubber Co Ltd | 研磨パッド |
JP2007245308A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Toray Ind Inc | 低発泡領域を有する研磨パッドおよびその製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101596621B1 (ko) * | 2015-01-21 | 2016-02-22 | 주식회사 엘지실트론 | 웨이퍼 연마 패드 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103286675B (zh) | 2016-02-17 |
TW201020068A (en) | 2010-06-01 |
JP2010099828A (ja) | 2010-05-06 |
EP2177315B1 (en) | 2011-06-29 |
JP5452163B2 (ja) | 2014-03-26 |
KR101591097B1 (ko) | 2016-02-02 |
JP5728789B2 (ja) | 2015-06-03 |
EP2177315A1 (en) | 2010-04-21 |
US8083570B2 (en) | 2011-12-27 |
CN101722464A (zh) | 2010-06-09 |
CN103286675A (zh) | 2013-09-11 |
US20100099344A1 (en) | 2010-04-22 |
KR20100043024A (ko) | 2010-04-27 |
TWI482684B (zh) | 2015-05-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5728789B2 (ja) | シールされた窓を有するケミカルメカニカル研磨パッド | |
JP2010099828A5 (ja) | ||
US9108290B2 (en) | Multilayer chemical mechanical polishing pad | |
US8257142B2 (en) | Chemical mechanical polishing method | |
KR100767429B1 (ko) | 연마 패드용 기재 패드 | |
TWI276504B (en) | Polishing pad with recessed window | |
US11938584B2 (en) | Chemical mechanical planarization pads with constant groove volume | |
US20140256231A1 (en) | Multilayer Chemical Mechanical Polishing Pad With Broad Spectrum, Endpoint Detection Window | |
TW201524676A (zh) | 化學機械硏磨基材之方法 | |
TWI621501B (zh) | 研磨墊及研磨裝置 | |
US9446497B2 (en) | Broad spectrum, endpoint detection monophase olefin copolymer window with specific composition in multilayer chemical mechanical polishing pad | |
JP2005538571A5 (ja) | ||
KR20210158808A (ko) | 균일 윈도우를 갖는 cmp 폴리싱 패드 | |
KR102492448B1 (ko) | 윈도우를 갖는 화학적 기계적 연마 패드 | |
EP2025455A2 (en) | Chemical mechanical polishing method | |
TWI510526B (zh) | 具有低缺陷一體成型窗之化學機械研磨墊 | |
KR20210119896A (ko) | 지지체 상에 폴리싱 요소를 갖는 cmp 폴리싱 패드 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20141114 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141125 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150217 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150310 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150320 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5728789 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |