JP2006221976A - 有機elディスプレイ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 透明基板20と、この透明基板20上に形成されたバッファ層22と、このバッファ層上22に形成された有機EL素子10とを備えた有機ELディスプレイにおいて、バッファ層22は有機EL素子10の透明電極11と同等の屈折率を有する材料からなり、該バッファ層22の基板側の表面に、異なる2種の格子周期を有する2次元の回折格子が形成されている。
【選択図】 図1
Description
2)透明電極(陽極)/発光層/電子注入層/電極(陰極)
3)透明電極(陽極)/正孔注入層/発光層/電子注入層/電極(陰極)
4)透明電極(陽極)/正孔注入層/発光層/電極(陰極)
陽極としての透明電極11は、例えばインジウム錫酸化物(ITO)等の仕事関数の大きな導電性材料から形成することができ、その厚さは、通常100〜300nm程度である。
ここで、k1 =n1 ×2π/λ、k2 =n2 ×2π/λであり、n1 は高屈折率部位の屈折率、n2 は放出部の屈折率、θ1 は高屈折率部位の入射角、θ2 は放出部の出射角、λは発光波長である。
I(赤)∝L-4×(R1 2+R2 2) …(2)
となる。同様に、青の波長の光の回折効率は、
I(青)∝(L/√2)-4×(R1 ×R2 )×2 …(3)
となる。
I(赤)∝L-4×12R1 2 …(4)
となる。同様に、青の波長の光の回折効率は、
I(青)∝(L/√3)-4×(3R2 2+9R1 ×R2 )…(5)
となる。
ガラス基板20に電子線用レジスト60(フジフィルム製:FEP−301)を300nm形成した。そして、パターンジェネレーターを装備した50kVの加速電圧を持つ電子線露光装置で、レジスト60に前記図3のパターンを形成した。ここでは、L=650nm、R1 =250nm、R2 =100nm、大きい散乱体の面積比率:大きい散乱体の面積比率=1:1のパターンとした。続いて、CF4 流量30sccm、圧力1.33Pa(10mTorr)、パワー100Wで2分間RIEした。RIE後、残留したレジストをO2 アッシャーにより除去した(図6(c))。エッチングした深さは100nmであった。
ITO膜11上に正孔注入層12としてのN,N’−ジフェニル−N,N’−bis(3−メチルフェニル)1−1’ビフェニル−4,4’ジアミン(以下TPD)を、蒸着法により50nm形成した。そして、その上に発光層13であるトリス−(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウム(以下Alq3 )に2%DCM2をドープしたものを蒸着法により100nm形成した。最後に、Mg:Ag(5%)電極14を蒸着法により150nm形成して赤色素子を作製した。ピーク波長は650nmであった。
ITO膜11上に正孔注入層12としてのTPDを、蒸着法により50nm形成した。そして、その上に発光層13であるAlq3 を蒸着法により100nm形成した。最後に、Mg:Ag(5%)電極14を蒸着法により150nm形成して緑色素子を作製した。ピーク波長は530nmであった。
ITO膜11上に正孔注入層12であるトリフェニルアミン・テトラマー(TPTE)を蒸着法により50nm形成した。そして、その上に発光層13であるピレンアダマンタン誘導体を100nm形成した。その上に電子注入層(図示せず)であるAlq3 を蒸着法により100nm形成し、電極14であるLiF(1nm)/Al(150nm)を蒸着法により形成して青色素子を作製した。ピーク波長は450nmであった。
実施例1と同様に、ガラス基板20上に電子線用レジスト60を形成し、前記図3のパターンを形成した。そのマスクパターンを用いて、CF4 流量30sccm、圧力1.33Pa(10mTorr)、パワー100Wで2分間RIEした。RIE後、残留したレジストパターン61をO2 アッシャーにより除去した。これにより、図7(a)に示すように、ガラス基板20の表面に、2種の大きさの溝(回折格子)21が得られる。エッチングした深さは100nmであった。
図8(a)に示すように、ガラス基板20にSiN(n=1.9)膜82をプラズマCVD法により200nm堆積した。その上に、実施例1と同様に、電子線用レジスト60を形成し、描画、現像を行うことにより、前記図3に示すパターンを有するレジストパターン61を形成した。
ガラス基板20に電子線用レジスト60(フジフィルム製:FEP−301)を300nm形成した(図6(a))。そして、パターンジェネレーターを装備した50kVの加速電圧を持つ電子線露光装置で、前記図5の三角格子状のパターン(レジストパターン61)を形成した(図6(b))。そのマスクパターンを用いて、CF4 流量30sccm、圧力1.33Pa(10mTorr)、パワー100Wで2分間RIEした。RIE後、残留したレジストをO2 アッシャーにより除去した(図6(c))。エッチングした深さは100nmであった。
ここでは、RGBの輝度のバランスの制御について述べる。
なお、本発明は上述した実施形態に限定されるものではない。実施形態では、回折格子の配列を四角格子又は三角格子としたが、これ以外にも格子周期が異なる2種の配列が可能な2次元の回折格子に適用することができる。
11…透明電極(陽極)
12…正孔注入層(正孔輸送層)
13…有機膜(発光層)
14…陰極
20…ガラス基板(透明基板)
21,23…回折格子
22,82…SiN膜(高屈折率層)
60…レジスト
61…レジストパターン
83…SOG膜
Claims (8)
- 透明基板と、この透明基板上に形成され、該基板側に透明電極を有する有機EL素子とを具備し、
前記透明電極の前記基板側の表面に、異なる2種の格子周期を有する2次元の回折格子が形成されていることを特徴とする有機ELディスプレイ。 - 透明基板と、この透明基板上に形成されたバッファ層と、このバッファ層上に形成された有機EL素子とを具備し、
前記バッファ層は前記有機EL素子の透明電極と同等の屈折率を有する材料からなり、該バッファ層の前記基板側の表面に、異なる2種の格子周期を有する2次元の回折格子が形成されていることを特徴とする有機ELディスプレイ。 - 前記回折格子の2種の格子周期は、一方が赤色近傍の600〜700nmに対応した長さであり、他方が青,青紫,紫外近傍の350〜460nmに対応した長さであることを特徴とする請求項1又は2記載の有機ELディスプレイ。
- 前記回折格子は、複数の四角格子又は複数の三角格子で形成されていることを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の有機ELディスプレイ。
- 前記回折格子は、X方向及びY方向の格子間隔が等しい第1の四角格子と、X方向及びY方向の格子間隔が第1の四角格子と等しく、第1の四角格子とはX方向及びY方向にそれぞれ1/2ピッチずつずれた第2の四角格子と、を含んで構成されることを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の有機ELディスプレイ。
- 第1の四角格子と第2の四角格子とは、X方向及びY方向に前記格子間隔で配列すべき散乱体の大きさが互いに異なることを特徴とする請求項5記載の有機ELディスプレイ。
- 前記回折格子は、X方向及びY方向の格子間隔が等しい四角格子の各格子点に、2種の大きさの散乱体の何れかを配置し、且つ隣接する格子点で該散乱体の大きさが互いに異なるように配置して構成されることを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の有機ELディスプレイ。
- 第1の四角格子と第2の四角格子の面積比率が、大きい散乱体:小さい散乱体=5:1から1:1の範囲であることを特徴とする請求項6記載の有機ELディスプレイ。
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