JP2006211089A - Piezoelectric vibration device - Google Patents

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Hiroyuki Arimura
有村  博之
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  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a piezoelectric vibration device compatible with microminiaturization, the electric characteristic of which is stabilized and wherein practical mechanical joining can be carried out. <P>SOLUTION: The surface mount type crystal vibrator comprises: a crystal diaphragm (piezoelectric diaphragm)1; a package 2 for housing the crystal diaphragm; and a lid 3 for hermitically sealing the package. The crystal diaphragm 2 is joined with connection electrodes 12, 13 of the ceramic package by a metallic minute particle paste joining material S. The metallic minute particle paste joining material S contains metallic minute particles the dispersing agent existing on the surface of which is removed by heating and a binder resin. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は移動体無線機器等に用いられる水晶振動子等の圧電振動デバイスに関し、特に圧電振動板の電気的機械的接合に関するものである。   The present invention relates to a piezoelectric vibration device such as a crystal resonator used for mobile radio equipment and the like, and more particularly to electromechanical joining of piezoelectric vibration plates.

現在汎用されている圧電振動子は圧電振動板の表裏面に励振電極が形成された構成であり、例えばATカット水晶振動板を用いた厚みすべり振動子がよく用いられている。周知のとおり、ATカット水晶振動板は高周波数に対応させることができ、その板厚で共振周波数が決定され、板厚と共振周波数は反比例する。従って、近年の移動体無線機器等において要求される高周波数化に対応する場合、高度な研磨技術を駆使した超薄の圧電振動板が用いられている。   Currently used piezoelectric vibrators have a configuration in which excitation electrodes are formed on the front and back surfaces of a piezoelectric diaphragm. For example, a thickness-shear vibrator using an AT-cut quartz diaphragm is often used. As is well known, the AT-cut quartz diaphragm can be made to correspond to a high frequency, the resonance frequency is determined by the plate thickness, and the plate thickness and the resonance frequency are inversely proportional. Therefore, in order to cope with the high frequency required in recent mobile radio equipment and the like, an ultra-thin piezoelectric diaphragm utilizing a high-level polishing technique is used.

このような極薄の圧電振動板をパッケージに搭載する際は、例えば導電フィラー を添加したシリコーン樹脂系接合材を用いる。このようなシリコーン樹脂接合材は硬化後の硬度が比較的柔らかく、パッケージとの導電接合に用いた場合、外的要因による衝撃を効率よく緩和し、圧電振動デバイスの耐衝撃性向上に寄与していた。例えば、WO01/67600(特許文献1)は、このようなシリコーン系樹脂の耐衝撃性に着目してなされた発明であり、水晶振動板とパッケージとをシリコーン系樹脂接合材により接合した構成が開示されている。   When mounting such an extremely thin piezoelectric diaphragm on a package, for example, a silicone resin-based bonding material to which a conductive filler is added is used. Such a silicone resin bonding material has a relatively soft hardness after curing, and when used for conductive bonding with a package, it effectively reduces the impact caused by external factors and contributes to improving the shock resistance of the piezoelectric vibration device. It was. For example, WO01 / 67600 (Patent Document 1) is an invention made by paying attention to the impact resistance of such a silicone-based resin, and discloses a configuration in which a crystal diaphragm and a package are bonded by a silicone-based resin bonding material. Has been.

しかしながら圧電振動デバイスが用いられる電子機器の小型化により、圧電振動デバイスも超小型化が要求され、従って圧電振動板とパッケージとの接合領域も極めて小さくなっている。このような接合領域の狭小化は機械的な接合強度が低下するとともに、樹脂比率が高くなる、いわゆる樹脂リッチの問題により導電性能が低下する問題があった。一般的には機械的な接合強度を確保しようとする場合、樹脂比率を増加させ、導電フィラーを相対的に減少させることになる。この場合接合材の抵抗値が高くなり、導電フィラーを添加した樹脂接着剤においては機械的接合性と電気的接合性はトレードオフの関係となる問題があった。特に樹脂リッチになった場合、高温環境化において抵抗値が増加するという問題があった。これは環境温度上昇により樹脂が膨張し内部の導電フィラー間の接触機会が低下するためであると考えられ、このような抵抗値の変動は圧電振動デバイスの特性を低下させ、要求仕様を満たさないことがあった。   However, due to miniaturization of electronic equipment using piezoelectric vibration devices, the piezoelectric vibration devices are also required to be ultra-miniaturized, and therefore the bonding area between the piezoelectric vibration plate and the package is extremely small. Such narrowing of the joining area has a problem that the electrical performance is lowered due to the so-called resin-rich problem that the mechanical strength is lowered and the resin ratio is increased. In general, in order to ensure mechanical bonding strength, the resin ratio is increased and the conductive filler is relatively decreased. In this case, the resistance value of the bonding material is high, and there is a problem that the mechanical bonding property and the electric bonding property are in a trade-off relationship in the resin adhesive to which the conductive filler is added. In particular, when the resin becomes rich, there is a problem that the resistance value increases in a high temperature environment. This is thought to be because the resin expands due to an increase in the environmental temperature and the contact opportunity between the conductive fillers inside decreases, and such fluctuations in resistance value deteriorate the characteristics of the piezoelectric vibration device and do not meet the required specifications. There was a thing.

このような問題を解決するために、微小領域で確実な導電接合を行う方法として接合材として金または半田等の金属バンプを用いる方法がある。これは圧電振動板の引出電極とパッケージの接続電極とを金属バンプを介して金属間接合するものであり、微小領域で電気的機械的接合を行うことができる。例えば特開2000−68777(特許文献2)には接続電極に金属バンプを形成し、圧電振動板の引出電極とを超音波溶着により電気的機械的接合する構成が開示されている。   In order to solve such a problem, there is a method of using metal bumps such as gold or solder as a bonding material as a method for performing reliable conductive bonding in a minute region. In this method, the extraction electrode of the piezoelectric diaphragm and the connection electrode of the package are bonded to each other via metal bumps, and electromechanical bonding can be performed in a minute region. For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-68777 (Patent Document 2) discloses a configuration in which metal bumps are formed on connection electrodes and an extraction electrode of a piezoelectric diaphragm is electromechanically joined by ultrasonic welding.

ところがこのような金属バンプを用いた構成は、前述のように機械的に強固な接合を行うために緩衝性が低く、外部衝撃や周辺部材との温度膨張係数との差による熱歪みの影響を受け、圧電振動デバイスとしての特性が低下することがあった。   However, the structure using such metal bumps has a low shock-absorbing property because mechanically strong bonding is performed as described above, and the influence of thermal distortion due to the difference between the external impact and the temperature expansion coefficient with the peripheral members is low. In some cases, the characteristics of the piezoelectric vibration device deteriorate.

ところで近年金属微粒子の低温焼結(融着)性および焼結後の緻密性(導電性)に着目して、当該金属微粒子を用いた導電性ペーストが開発されている。例えば特開2001−225180(特許文献3)には、金属の接合方法として表面に有機系の物質が被覆された金属微粒子を有機溶媒中に分散させたペーストを用いて導電接合する方法が開示されている。
WO01/67600 特開2000−68777 特開2001−225180
In recent years, attention has been paid to low-temperature sintering (fusion) properties of metal fine particles and denseness (conductivity) after sintering, and conductive pastes using the metal fine particles have been developed. For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-225180 (Patent Document 3) discloses a method of conducting conductive bonding using a paste in which metal fine particles whose surfaces are coated with an organic substance are dispersed in an organic solvent. ing.
WO01 / 67600 JP 2000-68777 A JP 2001-225180 A

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは圧電振動板とパッケージとの接合において、電気的特性が安定し、かつ実用的な機械的接合を行うことのできる、超小型化に対応した圧電振動デバイスを提供することを目的とするものである。   The present invention has been made in view of such a point, and the object of the present invention is to stabilize the electrical characteristics and to perform practical mechanical joining in joining the piezoelectric diaphragm and the package. An object of the present invention is to provide a piezoelectric vibration device that is compatible with ultra-miniaturization.

本発明者は圧電振動板のパッケージ(ベース)への接合について鋭意検討した結果、上述のような金属微粒子を用いた導電ペーストを圧電振動板とパッケージ(ベース)との接合に適用することを発意したものであり、次の構成により上記問題点を解決した。   As a result of intensive studies on the bonding of the piezoelectric diaphragm to the package (base), the present inventor intends to apply the conductive paste using the metal fine particles as described above to the bonding of the piezoelectric diaphragm and the package (base). The above problems were solved by the following configuration.

すなわち、請求項1に示すように、少なくとも一表面に励振電極および当該励振電極を外部に導出する引出電極が形成された圧電振動板と、当該圧電振動板を気密収納し、前記引出電極と導電接合される接続電極を有するパッケージと、当該パッケージの開口部分と気密接合されるリッドとからなる圧電振動デバイスであって、前記圧電振動板の引出電極と前記接続電極とは、平均粒径が1〜100nmで、表面には有機系被膜により被覆され、加熱により当該有機系被膜が除去される金属微粒子を有機溶媒中に分散させた金属微粒子ペースト接合材により接合したことを特徴とする構成である。 That is, as shown in claim 1, at least one surface is provided with an excitation electrode and an extraction electrode for leading the excitation electrode to the outside, and the piezoelectric oscillation plate is hermetically stored, and the extraction electrode and the conductive electrode are electrically conductive. A piezoelectric vibration device comprising a package having a connection electrode to be bonded, and an opening portion of the package and a lid to be airtightly bonded, wherein the lead electrode and the connection electrode of the piezoelectric vibration plate have an average particle size of 1 The structure is characterized in that the surface is coated with an organic coating on the surface and is bonded by a metal fine particle paste bonding material in which metal fine particles from which the organic coating is removed by heating are dispersed in an organic solvent. .

また本発明はリード端子付きの圧電振動デバイスにも適用することができる。請求項2に示すように、少なくとも一表面に励振電極および当該励振電極を外部に導出する引出電極が形成された圧電振動板と、当該圧電振動板の引出電極と導電接合される複数の独立したリード端子が貫通形成されたベースと、当該ベースと気密接合され前記圧電振動板を気密封止するキャップとからなる圧電振動デバイスであって、前記圧電振動板の引出電極と前記リード端子とは、平均粒径が1〜100nmで、表面には有機系被膜により被覆され、加熱により当該有機系被膜が除去される金属微粒子を有機溶媒中に分散させた金属微粒子ペースト接合材により接合したことを特徴とする構成である。リード端子は例えば金属線からなる導電端子であり、その表面には金、銀、ニッケル等の金属膜が形成されていることが好ましい。 The present invention can also be applied to a piezoelectric vibration device with a lead terminal. According to a second aspect of the present invention, there is provided a piezoelectric diaphragm having at least one surface formed with an excitation electrode and an extraction electrode for leading the excitation electrode to the outside, and a plurality of independent electrodes that are conductively joined to the extraction electrode of the piezoelectric diaphragm. A piezoelectric vibration device comprising a base through which a lead terminal is formed and a cap that is airtightly connected to the base and hermetically seals the piezoelectric vibration plate, wherein the lead electrode of the piezoelectric vibration plate and the lead terminal are: The average particle diameter is 1 to 100 nm, the surface is coated with an organic coating, and the metal fine particles from which the organic coating is removed by heating are bonded by a metal fine particle paste bonding material dispersed in an organic solvent. The configuration is as follows. The lead terminal is a conductive terminal made of, for example, a metal wire, and a metal film such as gold, silver, or nickel is preferably formed on the surface thereof.

また本発明は、圧電振動板のみならず他の電子部品素子をパッケージに接合する場合にも適用することができる。すなわち、請求項3に示すように、少なくとも一表面に励振電極および当該励振電極を外部に導出する引出電極が形成された圧電振動板と、当該圧電振動板と回路を構成する電子部品素子と、これら圧電振動板と電子部品素子とを気密収納し、前記引出電極および電子部品素子の電極と各々導電接合される接続電極を有するパッケージと、当該パッケージの開口部分と気密接合されるリッドとからなる圧電振動デバイスであって、前記各々の導電接合は、平均粒径が1〜100nmで、表面には有機系被膜により被覆され、加熱により当該有機系被膜が除去される金属微粒子を有機溶媒中に分散させた金属微粒子ペースト接合材により接行うことを特徴とする構成である。 The present invention can also be applied to the case of bonding not only the piezoelectric diaphragm but also other electronic component elements to the package. That is, as shown in claim 3, a piezoelectric diaphragm in which an excitation electrode and an extraction electrode for leading the excitation electrode to the outside are formed on at least one surface, an electronic component element constituting a circuit with the piezoelectric diaphragm, The piezoelectric diaphragm and the electronic component element are hermetically housed, and include a package having connection electrodes that are conductively joined to the extraction electrode and the electrode of the electronic component element, respectively, and a lid that is hermetically joined to the opening of the package. A piezoelectric vibration device, wherein each of the conductive junctions has an average particle diameter of 1 to 100 nm, a surface is coated with an organic coating, and the metal fine particles from which the organic coating is removed by heating are placed in an organic solvent. It is a structure characterized in that the contact is made with a dispersed metal fine particle paste bonding material.

この場合、当該接合材の複数箇所への塗布を一度に行い、順次電子部品素子、圧電振動板を搭載して加熱接合を行ってもよい。また最初に一部の素子(圧電振動デバイスや電子部品素子)を金属微粒子ペースト接合材により加熱接合した後、他の残りの素子について金属微粒子ペースト接合材を塗布し、加熱接合するようにしてもよい。 In this case, the bonding material may be applied to a plurality of locations at once, and the electronic component element and the piezoelectric vibration plate may be sequentially mounted to perform heat bonding. In addition, after some elements (piezoelectric vibration devices and electronic component elements) are first heat-bonded with the metal fine particle paste bonding material, the other fine elements are coated with the metal fine particle paste bonding material and heat bonded. Good.

なお、請求項1や請求項3の構成において、矩形状の圧電振動板を長辺方向の一端で片持ち支持する場合に圧電振動板の水平搭載を確保する補助支持材(枕材)を同他端に形成することがあるが、このような補助支持材を本発明に開示した金属微粒子ペースト接合材により形成してもよい。当該補助支持材の形成は圧電振動板の他端に対応する位置、例えばパッケージの一部あるいは電子部品素子上部に金属微粒子ペースト接合材を塗布し、加熱により固化させればよい。このような補助支持材にはバインダ樹脂を含む金属微粒子ペースト接合材を適用すると緩衝機能を有するので好ましい。
In addition, in the structure of claim 1 or claim 3, when the rectangular piezoelectric diaphragm is cantilevered at one end in the long side direction, an auxiliary support material (pillow material) that ensures horizontal mounting of the piezoelectric diaphragm is the same. Although it may be formed at the other end, such an auxiliary support material may be formed by the metal fine particle paste bonding material disclosed in the present invention. The auxiliary support member may be formed by applying a metal fine particle paste bonding material to a position corresponding to the other end of the piezoelectric diaphragm, for example, a part of the package or the upper part of the electronic component element, and solidifying by heating. It is preferable to apply a metal fine particle paste bonding material containing a binder resin to such an auxiliary support material because it has a buffering function.

上述の金属微粒子ペースト接合材に含有される金属微粒子は例えば、金、銀、銅、ニッケル、チタン等の金属材料を例示することができるが、その微細形状が球状やだ円形状または多角形状等の多面あるいは曲率面を有する構成であると好ましい。これは多面または曲率を持った表面であると原始的な拡散すなわち融着が各方向に均一に生じるためであり、接合時において好ましい融着状態を得ることができる。 The metal fine particles contained in the above-mentioned metal fine particle paste bonding material can be exemplified by metal materials such as gold, silver, copper, nickel, titanium, etc. The fine shape is spherical or elliptical or polygonal, etc. It is preferable that the structure has multiple surfaces or curvature surfaces. This is because when the surface is multi-faced or has a curvature, primitive diffusion, that is, fusion occurs uniformly in each direction, and a preferable fusion state can be obtained at the time of joining.

なお、特許文献3にも開示されているように、当該金属微粒子の直径は小さいほうが融着が進みやすいが、金属微粒子表面への有機系被膜の形成作業を考慮すると必要以上に微粒子化する必要はなく、1〜100nmの直径を有するもので有ればよい。1nm以下であると金属微粒子間の融着が激しいため取り扱いが難しくなり、また100nm以上であると金属微粒子間の融着性が低下する。なお、導電接合領域は狭小化した場合、微小領域での確実な電気的な接合が行われることが必要であるので、粒子径は小さい方が好ましい。金属および有機系被膜の種類にもよるが、平均粒径が2〜30nmの金属微粒子であると圧電振動デバイスの接合においては、有機系被膜を形成した金属微粒子の取り扱いと加熱時の接合性(微小領域での接合性の確保)のバランスがとれ好ましい。   As disclosed in Patent Document 3, the smaller the diameter of the metal fine particles, the easier the fusion proceeds, but it is necessary to make the particles finer than necessary in consideration of the work of forming the organic coating on the surface of the metal fine particles. There is no need to have a diameter of 1 to 100 nm. When the thickness is 1 nm or less, the fusion between the metal fine particles is intense, so that handling becomes difficult. When the thickness is 100 nm or more, the fusion property between the metal fine particles is deteriorated. Note that, when the conductive bonding region is narrowed, it is necessary that reliable electrical bonding is performed in a minute region, and thus a smaller particle diameter is preferable. Depending on the type of metal and organic coating, metal fine particles with an average particle diameter of 2 to 30 nm can be used for bonding of piezoelectric vibration devices in the handling of metal fine particles on which an organic coating is formed and bonding properties during heating ( The balance of securing the bonding property in a minute region is preferable.

本発明に用いる金属微粒子ペースト接合材は、金属微粒子の表面に有機系被膜が形成され、当該有機系皮膜は金属微粒子の融着を抑制する分散剤としての役割を担っており、当該分散剤が金属微粒子を被覆している状態となっている。また当該有機系被膜は所定の温度環境下におくことで蒸散等により除去される構成であり、当該有機系被膜が除去されることにより、抑制されていた金属微粒子同士の融着が起こり、これが加速される。また金属微粒子の融着は前記圧電振動板の引出電極と前記接続電極との間でも起こり、最終的には両電極が融着し凝集した金属微粒子により金属間接合がなされる。従って微小領域で強固な導電接合を行うことができ、小型化した圧電振動デバイスに形成された複数の電極が相互に干渉することなく信頼性の高い接合を行うことができる。   In the metal fine particle paste bonding material used in the present invention, an organic coating is formed on the surface of the metal fine particles, and the organic coating plays a role as a dispersant for suppressing the fusion of the metal fine particles. The metal fine particles are covered. In addition, the organic coating is configured to be removed by transpiration or the like by placing it in a predetermined temperature environment, and by removing the organic coating, fusion of the metal fine particles that has been suppressed occurs. Accelerated. Further, the fusion of the metal fine particles also occurs between the extraction electrode of the piezoelectric diaphragm and the connection electrode, and finally, the electrodes are fused and agglomerated and the metal fine particles are agglomerated to form metal-to-metal bonding. Therefore, strong conductive bonding can be performed in a minute region, and highly reliable bonding can be performed without interference between the plurality of electrodes formed in the miniaturized piezoelectric vibration device.

当該金属微粒子ペースト接合材は有機溶媒中に分散された構成であり、当該溶媒の粘度やチクソ性等を選択することによりペーストのぬれ性を調整することができる。また前記有機系被膜は加熱により蒸散等により除去されるとともに、当該有機溶媒についても加熱により除去される材料を用いることにより良好な金属間接合状態を得ることができる。また後述するように、前記有機溶媒に代えてあるいは有機溶媒に加えてバインダ樹脂を添加することにより硬化後において、当該バインダ樹脂が接合材として残ることにより、緩衝性能を向上させる構成としてもよい。 The metal fine particle paste bonding material is configured to be dispersed in an organic solvent, and the wettability of the paste can be adjusted by selecting the viscosity, thixotropy, and the like of the solvent. Further, the organic coating film is removed by transpiration or the like by heating, and a favorable metal-to-metal bonding state can be obtained by using a material that is also removed by heating for the organic solvent. Further, as described later, the binder resin may remain as a bonding material after curing by adding a binder resin instead of the organic solvent or in addition to the organic solvent, thereby improving the buffer performance.

金属微粒子ペースト接合材は、上述したとおり融着した後は金属微粒子による金属間接合を得ることができるので、従来の導電フィラーを添加した樹脂接合材を用いた樹脂による機械的接合に比べて接合材の占める厚さを極めて薄くすることができ、またその厚さの制御も比較的容易である。 Since the metal fine particle paste bonding material can obtain metal-to-metal bonding with the metal fine particles after being fused as described above, it is bonded compared to conventional mechanical bonding with resin using a resin bonding material to which a conductive filler is added. The thickness occupied by the material can be made extremely thin, and the thickness control is relatively easy.

従って、請求項4に示すように、圧電振動板には複数の励振電極および当該励振電極に対応した引出電極が形成され、少なくともこれら引出電極の一つと接続電極との接続を、前記金属微粒子ペースト接合材によりに接合した構成とすることにより、当該金属微粒子ペースト接合材により接合した領域においては、圧電振動板の機械的接合が安定しかつ電気抵抗の小さい導電接合をすることができる。 Accordingly, a plurality of excitation electrodes and extraction electrodes corresponding to the excitation electrodes are formed on the piezoelectric diaphragm, and at least one of the extraction electrodes and the connection electrode are connected to the metal fine particle paste. By adopting the configuration in which the bonding material is bonded to the bonding material, in the region bonded by the metal fine particle paste bonding material, the mechanical bonding of the piezoelectric diaphragm can be stabilized and the conductive bonding having a small electric resistance can be performed.

さらに、請求項5に示すように、上述の各構成において、圧電振動板には複数の励振電極および当該励振電極に対応した引出電極が形成され、これら引出電極と接続電極との接続を、前記金属微粒子ペースト接合材により接合した構成としてもよい。 Furthermore, as shown in claim 5, in each of the above-described configurations, the piezoelectric diaphragm is formed with a plurality of excitation electrodes and extraction electrodes corresponding to the excitation electrodes, and the connection between the extraction electrodes and the connection electrodes is performed as described above. It is good also as a structure joined by the metal fine particle paste joining material.

請求項5の構成によれば、圧電振動板と引出電極と接続電極との複数の接続を、前記金属微粒子ペースト接合材により接合した構成であるので、接合領域への金属微粒子ペースト接合材の供給作業が容易で、また圧電振動板の機械的接合がより安定しかつ電気抵抗のより小さい導電接合をすることができる。 According to the configuration of the fifth aspect, since the plurality of connections of the piezoelectric diaphragm, the extraction electrode, and the connection electrode are bonded by the metal fine particle paste bonding material, the metal fine particle paste bonding material is supplied to the bonding region. The work can be easily performed, and the mechanical bonding of the piezoelectric diaphragm can be made more stable and the conductive bonding can be performed with lower electric resistance.

本発明は複数の引出電極と接続電極の接合点がある場合、金属微粒子ペースト接合材による接合と他の接合方法を組みあわせることについても開示している。例えば、請求項6に示すように、圧電振動板には複数の励振電極および当該励振電極に対応した引出電極が形成され、少なくともこれら励振電極の一つと接続電極との接続を、前記金属微粒子ペースト接合材により接合し、他の励振電極と接続電極との接続を、金属バンプによる金属間接合を行ったことを特徴とする構成としてもよい。   The present invention also discloses combining the joining by the metal fine particle paste joining material with another joining method when there are joining points of a plurality of extraction electrodes and connection electrodes. For example, as shown in claim 6, a plurality of excitation electrodes and extraction electrodes corresponding to the excitation electrodes are formed on the piezoelectric diaphragm, and at least one of the excitation electrodes and the connection electrode are connected to the metal fine particle paste. It is good also as a structure characterized by joining by the joining material and connecting the other excitation electrode and connection electrode by the metal-metal joining by a metal bump.

金属バンプによる接合は各電極間にバンプ(小金属塊)を介在させて金属間接合により両電極を導電接合する構成であり、小領域で強固な機械的接合並びに電気的接合を行うことができる。しかしながら背景技術の項でも記載したように緩衝性能が低く、環境温度変動による熱歪みを吸収することはできない。請求項6によれば、上述のように緩衝性を有する金属微粒子ペースト接合材と金属バンプによる接合を組みあわせることにより、電気的機械的接合性を向上させ、また緩衝性も良好な圧電振動デバイスを得ることができる。   Bonding by metal bumps is a configuration in which bumps (small metal blocks) are interposed between the electrodes and both electrodes are conductively bonded by inter-metal bonding, and strong mechanical bonding and electrical bonding can be performed in a small area. . However, as described in the background art section, the buffering performance is low, and thermal distortion due to environmental temperature fluctuations cannot be absorbed. According to the sixth aspect of the present invention, by combining the metal fine particle paste bonding material having a buffering property and the bonding by the metal bump as described above, the electromechanical bonding property is improved, and the piezoelectric vibration device having a good buffering property. Can be obtained.

また請求項7に示すように、上述の各構成において、前記金属微粒子ペースト接合材の金属微粒子と、前記引出電極および接続電極の接合面の金属膜とが同種金属であることを特徴とする構成としてもよい。 According to a seventh aspect of the present invention, in each of the above-described configurations, the metal fine particles of the metal fine particle paste bonding material and the metal film on the bonding surface of the extraction electrode and the connection electrode are the same kind of metal. It is good.

金属微粒子を引出電極および接続電極の接合面の金属膜と同種金属とすることにより、加熱接合時に両者の融着性を促進することができ、両者の接合性を向上させることができる。また、接合後も両者の熱膨張係数が等しいために、接合後の雰囲気温度変動による接合領域の損傷事故をなくすることができる。 By making the metal fine particles the same metal as the metal film on the bonding surface of the extraction electrode and the connection electrode, it is possible to promote the fusion property of both at the time of heat bonding, and to improve the bonding property of both. In addition, since the thermal expansion coefficients of both are equal after bonding, it is possible to eliminate a damage accident in the bonding region due to the atmospheric temperature fluctuation after bonding.

さらに請求項8に示すように、上述の各構成において、前記金属微粒子ペースト接合材は複数層からなり、当該層の一部は銅を金属微粒子として用いた金属微粒子ペーストであることを特徴とする構成としてもよい。 Furthermore, as shown in claim 8, in each of the above-described configurations, the metal fine particle paste bonding material includes a plurality of layers, and a part of the layer is a metal fine particle paste using copper as metal fine particles. It is good also as a structure.

銅は延性に優れ熱緩衝性能が高い。従って金属微粒子の一部層に熱緩衝性が高い銅を用いることにより、接合後の雰囲気温度が変動しても、銅による緩衝性能により接合領域の損傷事故をなくすることができる。 Copper has excellent ductility and high heat buffering performance. Therefore, by using copper having a high thermal buffering property for the partial layer of the metal fine particles, even if the atmospheric temperature after the bonding varies, the damage of the bonding region can be eliminated by the buffering performance by the copper.

さらに本発明は請求項9に示すように、前記金属微粒子ペースト接合材には前記圧電振動板の引出電極と前記接続電極とを機械的接合するバインダ樹脂が含まれていることを特徴とする請求項1乃至請求項8のいずれかに記載の圧電振動デバイスについても開示している。このような構成は圧電振動板の接合や電子部品素子の接合、あるいは前述の補助支持材に適用することができる。 Further, according to the present invention, as shown in claim 9, the metal fine particle paste bonding material includes a binder resin for mechanically bonding the extraction electrode and the connection electrode of the piezoelectric diaphragm. The piezoelectric vibration device according to any one of Items 1 to 8 is also disclosed. Such a configuration can be applied to bonding of piezoelectric diaphragms, bonding of electronic component elements, or the above-described auxiliary support material.

当該バインダ樹脂を含む金属微粒子ペースト接合材は金属微粒子がバインダ樹脂内に分散され、加熱により金属微粒子同士が融着する。この各粒子が融着した状態は微視的にみて各粒子が鎖状につながった状態になりやすい。従って、樹脂中に鎖状の粒子が存在する構成であるので、機械的には緩衝性のある接合状態となっており、電気的にも実用的な導通性を得ることができる。 In the metal fine particle paste bonding material containing the binder resin, the metal fine particles are dispersed in the binder resin, and the metal fine particles are fused together by heating. The state in which the particles are fused is likely to be a state in which the particles are connected in a chain form. Accordingly, since the chain-like particles are present in the resin, the bonded state is mechanically buffered, and practical electrical continuity can be obtained.

ところで本発明は金属微粒子の融着性を制御する他の方法についても開示している。例えば請求項10には、前記金属微粒子ペースト接合材には金属微粒子に対する還元剤が添加されていることを特徴とする請求項1乃至請求項9のいずれかに記載の圧電振動デバイスについて開示しており、当該還元剤の例として、請求項11に示すように、金属微粒子ペースト接合材に対して1〜10重量%添加したパラジウムを例示している。   By the way, the present invention also discloses another method for controlling the fusing property of metal fine particles. For example, claim 10 discloses the piezoelectric vibration device according to any one of claims 1 to 9, wherein a reducing agent for the metal fine particles is added to the metal fine particle paste bonding material. As an example of the reducing agent, as shown in claim 11, palladium added in an amount of 1 to 10% by weight to the metal fine particle paste bonding material is exemplified.

金属微粒子は例えば金、銀、銅、ニッケル、チタン等の金属材料を例示することができるが、これら金属に対して還元剤を添加することにより、融着性を向上させることができる。パラジウムはこれら金属に対して還元剤として機能する。すなわち各金属微粒子表面の融着の防げとなる酸化被膜を除去し、金属微粒子の表面を活性化させ融着性を向上させる。   Examples of the metal fine particles include metal materials such as gold, silver, copper, nickel, and titanium. By adding a reducing agent to these metals, the fusion property can be improved. Palladium functions as a reducing agent for these metals. That is, the oxide film that prevents fusion of the surface of each metal fine particle is removed, and the surface of the metal fine particle is activated to improve the fusion property.

なお、パラジウムの粒径を微小とすることにより、その還元剤としての活性をあげることができ、請求項12に示すように、前記パラジウムの平均粒径を1〜60nmにするとよい。平均粒径が60nm以下とすることにより還元剤としての活性を高めることができるとともに、1nm以上とすることにより融着性が高くなりすぎる等の問題を抑制し、その取り扱いを実用的にすることができる。   In addition, the activity as a reducing agent can be increased by making the particle size of palladium minute, and as shown in claim 12, the average particle size of palladium is preferably 1 to 60 nm. By reducing the average particle size to 60 nm or less, the activity as a reducing agent can be enhanced, and by setting the average particle size to 1 nm or more, problems such as too high fusibility are suppressed, and handling thereof is made practical. Can do.

本発明によれば、電気的特性が安定し、かつ実用的な機械的接合を行うことのできる、超小型化に対応した圧電振動デバイスを得ることができる。   According to the present invention, it is possible to obtain a piezoelectric vibration device corresponding to ultra-miniaturization, which has stable electrical characteristics and can perform practical mechanical joining.

以下、本発明による好ましい実施の形態について図面に基づいて説明する。
本発明による第1の実施の形態を表面実装型の水晶振動子を例にとり、図1および図2とともに説明する。図1は本実施の形態を示す断面図、図2は本実施の形態を示す平面図である。表面実装型水晶振動子は、水晶振動板(圧電振動板)1と当該水晶振動板を収納するパッケージ2と、当該パッケージを気密封止するリッド3とからなる。
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2 by taking a surface-mounted crystal resonator as an example. FIG. 1 is a sectional view showing the present embodiment, and FIG. 2 is a plan view showing the present embodiment. The surface-mounted crystal resonator includes a crystal diaphragm (piezoelectric diaphragm) 1, a package 2 that houses the crystal diaphragm, and a lid 3 that hermetically seals the package.

水晶振動板2は平板で矩形状のATカット水晶振動板であり、その表裏面には励振電極21,31(31は図示せず)が形成されている。当該各励振電極21,31は矩形形状であり、各励振電極から引出電極21a,31a(31aは図示せず)が水晶振動板の長辺方向一端の外縁に引き出されている。なお、当該水晶振動板2は電極形成前に大きなウェハを所定の厚さまで研磨し、その後多数個に分割したり、あるいは多数個の個片に分割した後、個々に研磨を行うことにより得ることができる。ウェハからの分割、切り出しはワイヤーソーによる切断やダイシング法あるいはレーザービームによる切断を行えばよい。また水晶振動板に形成された各電極材料は、例えば水晶振動板に接してクロムが形成され、その上部に金あるいは銀が形成された構成である。   The quartz crystal plate 2 is a flat and rectangular AT-cut crystal plate, and excitation electrodes 21 and 31 (31 is not shown) are formed on the front and back surfaces thereof. Each of the excitation electrodes 21 and 31 has a rectangular shape, and extraction electrodes 21a and 31a (31a not shown) are drawn from each excitation electrode to the outer edge at one end in the long side direction of the quartz crystal vibration plate. The quartz crystal plate 2 can be obtained by polishing a large wafer to a predetermined thickness before electrode formation and then dividing it into a large number of pieces, or dividing it into a large number of pieces and then individually polishing them. Can do. Dividing and cutting out from the wafer may be performed using a wire saw, a dicing method, or a laser beam. Each electrode material formed on the quartz diaphragm has a configuration in which, for example, chromium is formed in contact with the quartz diaphragm, and gold or silver is formed thereon.

水晶振動板2を搭載するパッケージ1は、電極配線の施されたセラミックパッケージである。当該パッケージはアルミナ等を用い、上方が開口した箱形構成であり、パッケージ内部に形成された段差部には接続電極12,13が形成されている。また当該接続電極12,13は図示しない連結電極を介してパッケージ1の外部底面に形成された外部接続電極14,15に各々電気的接続されている。当該パッケージ1の各電極および開口部分にある金属膜層11の構成は、セラミック面にタングステンやモリブデンの厚膜層が形成され、その上面にニッケル層、さらにその上部に金層がそれぞれメッキ等の手法により形成されている。   The package 1 on which the crystal diaphragm 2 is mounted is a ceramic package provided with electrode wiring. The package is made of alumina or the like and has a box-shaped configuration with an open top, and connection electrodes 12 and 13 are formed at the stepped portion formed inside the package. The connection electrodes 12 and 13 are electrically connected to external connection electrodes 14 and 15 formed on the external bottom surface of the package 1 through connection electrodes (not shown). Each electrode of the package 1 and the metal film layer 11 in the opening are configured such that a thick film layer of tungsten or molybdenum is formed on the ceramic surface, a nickel layer is formed on the upper surface, and a gold layer is further plated thereon. It is formed by a technique.

水晶振動板2は金属微粒子ペースト接合材Sによりセラミックパッケージの接続電極12,13に接合される。本実施の形態においては、金属微粒子ペースト接合材として、バインダ樹脂にハリマ化成社製ナノペースト(商品名)を含んだ構成のものを用いている。当該接合材に用いる金属微粒子は銀の金属微粒子を用いており、その平均粒径は7μmである。また当該銀の金属微粒子の表面には加熱により除去される有機系被膜(分散剤)が形成されており、当該金属微粒子ペースト接合材はこれら有機系被膜を有する金属微粒子がエポキシ系樹脂からなる熱硬化性有機溶媒(バインダ)中に分散された構成である。 The crystal diaphragm 2 is bonded to the connection electrodes 12 and 13 of the ceramic package by the metal fine particle paste bonding material S. In the present embodiment, as the metal fine particle paste bonding material, a binder resin containing a nanopaste (trade name) manufactured by Harima Kasei Co., Ltd. in a binder resin is used. The metal fine particles used for the bonding material are silver metal fine particles having an average particle diameter of 7 μm. Further, an organic coating (dispersing agent) that is removed by heating is formed on the surface of the silver metal fine particles, and the metal fine particle paste bonding material is a heat in which the metal fine particles having the organic coating are made of an epoxy resin. The structure is dispersed in a curable organic solvent (binder).

なお、本実施の形態においては、バインダ樹脂の硬化温度と、金属微粒子の融着温度がほぼ同じになるよう調整しており、例えばこれら温度を約200℃に設定した場合は、当該温度まで加熱することにより、電気的機械的接合を同時にスムーズに行うことができる。 In the present embodiment, the curing temperature of the binder resin and the fusion temperature of the metal fine particles are adjusted to be substantially the same. For example, when these temperatures are set to about 200 ° C., the heating is performed to the temperature. By doing so, electromechanical joining can be performed smoothly simultaneously.

接続電極12,13上に予め上記金属微粒子ペースト接合材Sを適量塗布し、その上部に水晶振動板の引出電極21a,31aが重なるように搭載する。必要に応じて引出電極21a,31a上にさらに塗布してもよい。この状態で加熱し金属微粒子ペースト接合材を硬化させかつ内部の金属微粒子を融着させる。この加熱は、真空雰囲気あるいは窒素ガス等の不活性ガス雰囲気中で行えばよい。これにより前述の金属微粒子表面に形成された有機系被膜は溶融し、隣接する金属微粒子との相互融着(焼結)が起こり、これが加速することにより、金属微粒子間および励振電極、接続電極に用いられる金属膜間で金属間結合が行われる。本実施の形態においては、有機溶媒が熱硬化して残るので補助的な接合を行うことができる。 An appropriate amount of the metal fine particle paste bonding material S is applied on the connection electrodes 12 and 13 in advance, and mounted so that the extraction electrodes 21a and 31a of the quartz crystal plate overlap the upper portions thereof. You may apply | coat further on the extraction electrodes 21a and 31a as needed. In this state, heating is performed to cure the metal fine particle paste bonding material and fuse the internal metal fine particles. This heating may be performed in a vacuum atmosphere or an inert gas atmosphere such as nitrogen gas. As a result, the organic coating formed on the surface of the metal fine particles is melted, and mutual fusion (sintering) with adjacent metal fine particles occurs. Intermetallic bonding is performed between the metal films used. In this embodiment, since the organic solvent remains after being thermally cured, auxiliary bonding can be performed.

ところで、金属微粒子に金を用い、接続電極および引出電極の表面金属にも金を用いることにより、金どうしの同種金属の融着によって、金属間接合をスムーズに行わしめることができ、接合性が向上する。なお、他の同種金属の組み合わせであってもよい。   By the way, gold is used for the metal fine particles, and gold is also used for the surface metal of the connection electrode and the extraction electrode, so that the metal-to-metal bonding can be smoothly performed by fusing the same kind of metal to each other, and the bonding property is improved. improves. A combination of other similar metals may be used.

接合が完了した後は、必要な安定化作業および洗浄作業を行い、真空雰囲気あるいは不活性ガス雰囲気中でリッド3と金属膜層11とを接合し、パッケージを気密封止する。気密封止方法は公知のシーム溶接、ビーム溶接あるいはろう材を用いた接合を用いればよい。   After the joining is completed, necessary stabilization work and cleaning work are performed, the lid 3 and the metal film layer 11 are joined in a vacuum atmosphere or an inert gas atmosphere, and the package is hermetically sealed. As a hermetic sealing method, known seam welding, beam welding, or joining using a brazing material may be used.

本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、圧電振動板の接合あるいは電子部品素子の接合等について様々な変形例に適用することができる。図3は表面実装型の水晶振動子に関する第2の実施形態を示す断面図であり、水晶振動板2が長辺方向の両端で保持される両持ち構成を示している。なお、第1の実施の形態と同じ構造部分については同番号を用いて説明するとともに、一部説明を割愛している。   The present invention is not limited to the above-described embodiments, and can be applied to various modified examples such as bonding of piezoelectric diaphragms or bonding of electronic component elements. FIG. 3 is a cross-sectional view showing a second embodiment of the surface-mount type crystal resonator, and shows a both-end supported structure in which the crystal diaphragm 2 is held at both ends in the long side direction. In addition, about the same structure part as 1st Embodiment, while using the same number, it demonstrates and a part of description is omitted.

水晶振動板2は平板で矩形状のATカット水晶振動板であり、その表裏面には励振電極(図示せず)が形成されている。当該各励振電極は矩形形状であり、水晶振動板の表面に形成された励振電極は引出電極により水晶振動板の長辺方向一端の外縁に引き出され、水晶振動板の裏面に形成された励振電極は引出電極により水晶振動板の長辺方向他端の外縁に引き出されている。なお水晶振動板に形成された各電極材料は、例えば水晶振動板に接してクロムが形成され、その上部に金あるいは銀が形成された構成である。   The quartz diaphragm 2 is a flat and rectangular AT-cut quartz diaphragm, and excitation electrodes (not shown) are formed on the front and back surfaces thereof. Each excitation electrode has a rectangular shape, and the excitation electrode formed on the surface of the crystal diaphragm is drawn out to the outer edge of one end in the long side of the crystal diaphragm by the extraction electrode, and is formed on the back surface of the crystal diaphragm Is drawn out to the outer edge of the other end in the long side direction of the quartz crystal diaphragm by a lead electrode. Each electrode material formed on the quartz diaphragm has a configuration in which, for example, chromium is formed in contact with the quartz diaphragm and gold or silver is formed on the top thereof.

水晶振動板2を搭載するパッケージ1は、電極配線の施されたセラミックパッケージである。当該パッケージはアルミナ等を用い、上方が開口した箱形構成であり、パッケージ内部に形成された長辺方向に対向して形成された段差部には接続電極16,17が形成されている。また当該接続電極16,17は図示しない連結電極を介してパッケージの外部底面に形成された外部接続電極18,19に各々電気的接続されている。当該パッケージの各電極および開口部分にある金属膜層11の構成は、セラミック面にタングステンやモリブデンの厚膜層が形成され、その上面にニッケル層、さらにその上部に金層がそれぞれメッキ等の手法により形成されている。   The package 1 on which the crystal diaphragm 2 is mounted is a ceramic package provided with electrode wiring. The package is made of alumina or the like and has a box-shaped configuration with an opening at the top, and connection electrodes 16 and 17 are formed in stepped portions formed inside the package and facing each other in the long side direction. The connection electrodes 16 and 17 are electrically connected to external connection electrodes 18 and 19 formed on the outer bottom surface of the package via connection electrodes (not shown). Each electrode of the package and the structure of the metal film layer 11 at the opening are formed by a method in which a thick film layer of tungsten or molybdenum is formed on the ceramic surface, a nickel layer is formed on the upper surface, and a gold layer is further plated thereon. It is formed by.

本実施の形態においては、水晶振動板2の一方の引出電極が金属微粒子ペースト接合材Sにより導電接合され、他方は金属バンプBにより接合されている。従って、金属バンプにて導電接合する接続電極17上には予め1つまたは複数の金属バンプが形成されている。当該金属バンプは例えば金からなり、ワイヤボンディング技術を応用したワイヤバンプにより形成したり、金層を積層形成する等の手法により形成すればよい。   In the present embodiment, one extraction electrode of the crystal diaphragm 2 is conductively bonded by the metal fine particle paste bonding material S, and the other is bonded by the metal bump B. Therefore, one or a plurality of metal bumps are formed in advance on the connection electrode 17 that is conductively bonded with the metal bumps. The metal bump is made of, for example, gold, and may be formed by a method such as forming a wire bump using a wire bonding technique or by laminating a gold layer.

また金属微粒子ペースト接合材Sは還元剤が添加された構成である。より詳しくは金属微粒子に銀を用い、還元剤として3重量%の割合でパラジウムを添加した金属微粒子ペースト接合材を用いている。当該パラジウムはその平均粒径が30nmと微小であり、融着時の活性を上げ、加熱接合時の接合強度を向上させることができる。   Further, the metal fine particle paste bonding material S has a configuration in which a reducing agent is added. More specifically, a metal fine particle paste bonding material in which silver is used for the metal fine particles and palladium is added as a reducing agent in a proportion of 3% by weight is used. The palladium has an average particle size as small as 30 nm, can increase the activity during fusion, and can improve the bonding strength during heat bonding.

なお、粒子径は1〜60nm程度のサイズを選択すると接合性と取り扱いのバランスがとれて好ましい。また添加量は1〜10重量%が好ましく1重量%以下であると還元剤としての能力が低下し、導電性が低下する可能性がある。また10重量%以上になると還元性能が過度になり、接合剤の早期硬化あるいは粘性が高くなり接合材供給時に不都合が生じる等、取り扱いが面倒になる可能性がある。   In addition, it is preferable to select a particle size of about 1 to 60 nm because a balance between bondability and handling is obtained. Further, the addition amount is preferably 1 to 10% by weight, and if it is 1% by weight or less, the ability as a reducing agent is lowered, and the conductivity may be lowered. On the other hand, when the amount is 10% by weight or more, the reducing performance becomes excessive, and the handling may be troublesome, such as early curing of the bonding agent or high viscosity, resulting in inconvenience when supplying the bonding material.

そして、接続電極16上に予め上記金属微粒子ペースト接合材Sを適量塗布し、その上部に水晶振動板の引出電極が接続電極16,17に重なるように搭載する。この状態でまず接続電極17側の水晶振動板に対し超音波を印加することにより前記金属バンプを融着させ、導電接合を行う。超音波の印加は周知の超音波接合機を用いればよい。   Then, an appropriate amount of the metal fine particle paste bonding material S is applied on the connection electrode 16 in advance, and the extraction electrode of the crystal diaphragm is mounted on the connection electrode 16 and 17 so as to overlap the upper part. In this state, first, an ultrasonic wave is applied to the crystal diaphragm on the connection electrode 17 side to fuse the metal bumps and conduct conductive bonding. The application of ultrasonic waves may be performed using a known ultrasonic bonding machine.

その後加熱し金属微粒子ペースト接合材を硬化させかつ内部の金属微粒子を融着させる。この加熱は、真空雰囲気あるいは窒素ガス等の不活性ガス雰囲気中で行えばよい。これにより前述の金属微粒子表面に形成された有機系被膜は溶融し、隣接する金属微粒子との相互融着(焼結)が起こり、これが加速することにより、還元剤による酸化抑制効果と相まって金属微粒子間および励振電極、接続電極に用いられる金属膜間で金属間結合が行われる。本実施の形態においては、バインダ樹脂を含有している金属微粒子ペースト接合材を用いているので、補助的な接合を行うことができる。また金属バンプによる強固な接合に対し樹脂による緩衝作用により各種歪みを緩和することができるので、表面実装型水晶振動子の特性を良好に保つことができる。 Thereafter, heating is performed to cure the metal fine particle paste bonding material and fuse the internal metal fine particles. This heating may be performed in a vacuum atmosphere or an inert gas atmosphere such as nitrogen gas. As a result, the organic coating formed on the surface of the metal fine particles is melted and mutual fusion (sintering) with adjacent metal fine particles occurs, and this accelerates the metal fine particles in combination with the effect of suppressing oxidation by the reducing agent. Metal-to-metal bonding is performed between the metal films used for the intermediate electrode and the excitation electrode and the connection electrode. In the present embodiment, since a metal fine particle paste bonding material containing a binder resin is used, auxiliary bonding can be performed. Moreover, since various distortions can be relieved by the buffering action of the resin against the strong bonding by the metal bumps, the characteristics of the surface-mount type crystal resonator can be kept good.

本発明による第3の実施の形態について、表面実装型の水晶発振器を例にとり、図4とともに説明する。図4は表面実装型の水晶発振器を示す内部断面図であり、必要な内部配線の形成されたセラミックパッケージ4に水晶振動板と、当該水晶振動板2と発振回路を構成する集積回路素子(電子部品素子)Pを収納した構成である。   A third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 4 using a surface-mount crystal oscillator as an example. FIG. 4 is an internal cross-sectional view showing a surface-mounted crystal oscillator, in which a ceramic package 4 on which necessary internal wiring is formed is provided with a crystal diaphragm and an integrated circuit element (electronic) constituting the crystal diaphragm 2 and the oscillation circuit. The component element) P is housed.

セラミックパッケージ4は集積回路素子Pを収納する領域4aとその上方に水晶振動板2を収納する領域4bを有しており、これら各領域は空間的につながっている。領域4aの底部には複数の微小電極パッド44が形成されている。これら微小電極パッド44は集積回路素子Pを導電接合するもので、セラミックパッケージ内で適宜配線されている。領域4bには段差部上に接続電極42,43(43は図示せず)が形成されている。また堤部の上面には金属膜層41がパッケージの開口部分に周状に形成されている。 The ceramic package 4 has a region 4a for storing the integrated circuit element P and a region 4b for storing the crystal diaphragm 2 above the region, and these regions are spatially connected. A plurality of microelectrode pads 44 are formed at the bottom of the region 4a. These microelectrode pads 44 are for conductively bonding the integrated circuit element P and are appropriately wired in the ceramic package. In the region 4b, connection electrodes 42 and 43 (43 is not shown) are formed on the stepped portion. In addition, a metal film layer 41 is formed on the upper surface of the bank portion in a circumferential shape in the opening of the package.

水晶振動板2は第1の実施形態に示した構成と同様、平板で矩形状のATカット水晶振動板であり、その表裏面には励振電極21,31(31は図示せず)が形成されている。当該各励振電極21,31は矩形形状であり、各励振電極から引出電極21a,31a(31aは図示せず)が水晶振動板の長辺方向一端の外縁に引き出されている。   The crystal diaphragm 2 is a flat and rectangular AT-cut crystal diaphragm similar to the configuration shown in the first embodiment, and excitation electrodes 21 and 31 (31 is not shown) are formed on the front and back surfaces thereof. ing. Each of the excitation electrodes 21 and 31 has a rectangular shape, and extraction electrodes 21a and 31a (31a not shown) are drawn from each excitation electrode to the outer edge at one end in the long side direction of the quartz crystal vibration plate.

また集積回路素子Pは直方体のチップ型であり、下面に複数の引出電極(図示せず)が形成されている。これら引出電極とセラミックパッケージの微小電極パッドが導電接合されることにより、パッケージ内に形成された配線により一部が水晶振動板2と電気的に接続され、水晶振動板2とともに発振回路等が形成される。   The integrated circuit element P is a rectangular parallelepiped chip type, and a plurality of extraction electrodes (not shown) are formed on the lower surface. The lead electrodes and the microelectrode pads of the ceramic package are conductively joined, so that a part of the lead electrodes is electrically connected to the crystal diaphragm 2 by wiring formed in the package, and an oscillation circuit and the like are formed together with the crystal diaphragm 2. Is done.

集積回路素子Pを接合する際は、まず前記各微小電極パッド44上に金属微粒子ペースト接合材Sを塗布し、集積回路素子Pを搭載する。そして、当該金属微粒子ペースト接合材Sを所定温度に加熱することにより、電気的機械的接合を行う。なお、ここで用いる金属微粒子ペースト接合材は例えばエポキシ樹脂等の熱硬化型バインダ樹脂が入っているものでもよい。またバインダ樹脂にはエポキシ樹脂以外にシリコーン系樹脂やウレタン系樹脂あるいはポリイミド系樹脂を用いることができる。特にシリコーン系樹脂やウレタン系樹脂は比較的柔軟性に優れているので、緩衝性能を得ることができ、圧電振動デバイスとしての耐衝撃性向上に寄与する。   When bonding the integrated circuit element P, first, the metal fine particle paste bonding material S is applied on the microelectrode pads 44, and the integrated circuit element P is mounted. And the electromechanical joining is performed by heating the said metal fine particle paste joining material S to predetermined temperature. Note that the metal fine particle paste bonding material used here may contain a thermosetting binder resin such as an epoxy resin. In addition to the epoxy resin, a silicone resin, a urethane resin, or a polyimide resin can be used as the binder resin. In particular, since silicone resins and urethane resins are relatively excellent in flexibility, buffer performance can be obtained, which contributes to an improvement in impact resistance as a piezoelectric vibration device.

また集積回路素子Pの接合においてはバインダ樹脂の入っていない金属微粒子ペースト接合材を用い、水晶振動板の接合においてはバインダ樹脂の入っているものを用いてもよいし、また接合条件によってはその逆の組み合わせを適用してもよい。   In addition, in the bonding of the integrated circuit element P, a metal fine particle paste bonding material not containing a binder resin may be used, and in the bonding of the crystal diaphragm, a material containing a binder resin may be used. The reverse combination may be applied.

さらに集積回路素子Pと水晶振動板2の金属微粒子ペースト接合材による加熱接合を同時に行ってもよい。すなわち、金属微粒子ペースト接合材を微小電極パッド44と接続電極42,43上に塗布し、集積回路素子Pと水晶振動板2をそれぞれの電極に搭載し、一括加熱により電気的機械的接合を行ってもよい。   Further, the heat bonding of the integrated circuit element P and the crystal diaphragm 2 with the metal fine particle paste bonding material may be performed simultaneously. That is, a metal fine particle paste bonding material is applied on the microelectrode pad 44 and the connection electrodes 42 and 43, the integrated circuit element P and the crystal diaphragm 2 are mounted on the respective electrodes, and electromechanical bonding is performed by batch heating. May be.

なお、図4においては、集積回路素子Pの上面に補助支持材S1が形成されている。この補助支持材S1は水晶振動板の支持側とは反対側に対応する位置に配置するもので、予め集積回路素子上に形成したシリコーン樹脂からなる緩衝支持体であってもよいし、上述の金属微粒子ペースト接合材を用いてもよい。この場合、集積回路素子Pを微小電極パッド44に搭載後、集積回路素子Pの上面の所定位置に金属微粒子ペースト接合材を塗布し、集積回路素子接合時の加熱により硬化させてもよい。   In FIG. 4, an auxiliary support material S <b> 1 is formed on the upper surface of the integrated circuit element P. This auxiliary support material S1 is disposed at a position corresponding to the side opposite to the support side of the crystal diaphragm, and may be a buffer support made of silicone resin previously formed on the integrated circuit element. A metal fine particle paste bonding material may be used. In this case, after the integrated circuit element P is mounted on the microelectrode pad 44, a metal fine particle paste bonding material may be applied to a predetermined position on the upper surface of the integrated circuit element P and cured by heating at the time of bonding the integrated circuit element.

接合が完了した後は、必要な安定化作業および洗浄作業を行い、真空雰囲気あるいは不活性ガス雰囲気中でリッド3と金属膜層11とを接合し、パッケージを気密封止する。気密封止方法は公知のシーム溶接、ビーム溶接あるいはろう材を用いた接合を用いればよい。   After the joining is completed, necessary stabilization work and cleaning work are performed, the lid 3 and the metal film layer 11 are joined in a vacuum atmosphere or an inert gas atmosphere, and the package is hermetically sealed. As a hermetic sealing method, known seam welding, beam welding, or joining using a brazing material may be used.

本発明はリード端子を有するベースに圧電振動板を接合した構成についても適用することができる。第4の実施の形態はこのリード端子を有するベースに適用した例を示すもので、図5(a)(b)を例にとり説明する。図5各図はリード端子を有するベースに水晶振動板を金属微粒子ペースト接合材により接合した例を示す図であり、図5(a)は正面から、図5(b)は側面から見た図である。   The present invention can also be applied to a configuration in which a piezoelectric diaphragm is joined to a base having lead terminals. The fourth embodiment shows an example applied to a base having this lead terminal, and will be described with reference to FIGS. 5 (a) and 5 (b). 5 is a diagram showing an example in which a crystal diaphragm is joined to a base having a lead terminal with a metal fine particle paste joining material, FIG. 5 (a) is a view from the front, and FIG. 5 (b) is a view from the side. It is.

ベース6は中央部分が上下に貫通したシェル61内に絶縁ガラス62を充填し、このガラス62に線状のリード端子63,64を上下に貫通させた構成である。これによりインナーリード部631,641がベース上面に突出した構成となっている。当該インナーリード部は後述の水晶振動板と面接触させるために平板形状に加工する等、水晶振動板との接触部分を平面加工してもよい。   The base 6 has a structure in which an insulating glass 62 is filled in a shell 61 whose central portion penetrates vertically, and linear lead terminals 63 and 64 are vertically penetrated through the glass 62. As a result, the inner lead portions 631 and 641 protrude from the upper surface of the base. The inner lead portion may be flattened at the contact portion with the crystal diaphragm, such as processing into a flat plate shape so as to make a surface contact with the crystal diaphragm described later.

ベースに接する水晶振動板5は屈曲モードで振動する音叉型水晶振動板であり、図示していないが音叉部の表裏および側面には一対の励振電極が形成され、基部の一面にそれぞれ引き出されている。 The crystal diaphragm 5 in contact with the base is a tuning-fork type quartz diaphragm that vibrates in a bending mode. Although not shown, a pair of excitation electrodes are formed on the front and back surfaces and side surfaces of the tuning fork section, and are drawn out to one surface of the base section. Yes.

水晶振動板5のベースとの接合部分あるいはベースのインナーリード部631,641に金属微粒子ペースト接合材Sを塗布し、両者を接触させた状態で加熱接合する。当該構成においてはリード端子が緩衝機能を有しているので、バインダ樹脂による緩衝作用をさほど必要としない。よって、当該接合に用いる金属微粒子ペースト接合材はバインダ樹脂を含有しないものであってもよい。 The metal fine particle paste bonding material S is applied to the joint portion of the crystal diaphragm 5 with the base or the inner lead portions 631 and 641 of the base, and the two are brought into contact with each other by heat bonding. In this configuration, since the lead terminal has a buffering function, the buffering action by the binder resin is not so required. Therefore, the metal fine particle paste bonding material used for the bonding may not contain a binder resin.

なお、図示していないが、水晶振動板6とリード端子を導電接合した後は、有底筒状のキャップをベースに圧入することにより、水晶振動板を被覆し、気密封止することができる。   Although not shown, after the crystal diaphragm 6 and the lead terminal are conductively joined, the quartz diaphragm can be covered and hermetically sealed by press-fitting a bottomed cylindrical cap into the base. .

なお、金属微粒子ペースト接合材の接続電極等への塗布をインクジェット印刷法により行ってもよい。ンクジェット印刷法は例えば圧電素子による機械的な振動によりノズル内のインクを微小吐出させ、所定のパターンを描画する印刷方法であるが、接合材の粘度を低くする等、微小吐出に適した液状に特性調整する必要がある。インクジェット印刷法を用いると所望の塗布パターンを微細にし、かつ高速に塗布することができる利点を有している。特に第1乃至第3の実施の形態に示したセラミックパッケージ上の接続電極等に接合材を供給する場合、当該インクジェット印刷法が適している。   In addition, you may perform application | coating to the connection electrode etc. of a metal fine particle paste bonding material by the inkjet printing method. The ink jet printing method, for example, is a printing method in which a predetermined pattern is drawn by minutely ejecting ink in a nozzle by mechanical vibration by a piezoelectric element, but a liquid suitable for minute ejection such as lowering the viscosity of a bonding material. It is necessary to adjust the characteristics. When an ink jet printing method is used, there is an advantage that a desired coating pattern can be made fine and applied at high speed. In particular, when the bonding material is supplied to the connection electrode or the like on the ceramic package described in the first to third embodiments, the ink jet printing method is suitable.

なお、上記各実施形態の例示においては、ATカット水晶振動板を用いた表面実装型の水晶振動子を例示したが、水晶フィルタ素子に適用することが可能である。また圧電振動板もATカット水晶振動板以外にSCカット水晶振動板や圧電セラミック振動板等、他の圧電材料を用いてもよい。   In each of the above embodiments, a surface-mount type crystal resonator using an AT-cut crystal diaphragm is illustrated, but it can be applied to a crystal filter element. In addition to the AT-cut quartz diaphragm, the piezoelectric diaphragm may use other piezoelectric materials such as an SC-cut quartz diaphragm and a piezoelectric ceramic diaphragm.

また各実施の形態に用いた金属微粒子ペースト接合材に用いる金属微粒子は、金を例示したが、銀、銅等の単一微粒子を用いてもよい。また、ペースト層を複数複数の金属微粒子を用いてもよい。なお、金属微粒子に銅を用いた場合は、銅の高い延性により熱緩衝性能を高くすることができる。   The metal fine particles used for the metal fine particle paste bonding material used in each embodiment are exemplified by gold, but single fine particles such as silver and copper may be used. A plurality of metal fine particles may be used for the paste layer. In addition, when copper is used for the metal fine particles, the heat buffering performance can be increased due to the high ductility of copper.

なお、本発明は、その精神または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形
で実施することができる。そのため、上述の実施の形態はあらゆる点で単なる例示にすぎ
ず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示すものであ
って、明細書本文には、なんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属す
る変形や変更は、全て本発明の範囲内のものである。
The present invention can be implemented in various other forms without departing from the spirit or main features thereof. Therefore, the above-described embodiment is merely an example in all respects and should not be interpreted in a limited manner. The scope of the present invention is indicated by the scope of claims, and is not restricted by the text of the specification. Further, all modifications and changes belonging to the equivalent scope of the claims are within the scope of the present invention.

水晶振動子、水晶フィルタ、水晶発振器等の圧電振動デバイスの量産に適用できる。   It can be applied to mass production of piezoelectric vibration devices such as crystal resonators, crystal filters, and crystal oscillators.

本発明による第1の実施形態を示す内部断面図。1 is an internal cross-sectional view showing a first embodiment according to the present invention. 本発明による第1の実施形態を示す平面図。The top view which shows 1st Embodiment by this invention. 本発明による第2の実施形態を示す内部断面図。The internal sectional view showing the 2nd embodiment by the present invention. 本発明による第3の実施形態を示す内部断面図。The internal sectional view showing the 3rd embodiment by the present invention. 本発明による第4の実施形態を示す図。The figure which shows 4th Embodiment by this invention.

符号の説明Explanation of symbols

セラミックパッケージ
2,5 水晶振動板(圧電振動板)
3 リッド
S、S1 金属微粒子ペースト接合材

Ceramic package 2, 5 Crystal diaphragm (piezoelectric diaphragm)
3 Lid S, S1 Metal fine particle paste bonding material

Claims (12)

少なくとも一表面に励振電極および当該励振電極を外部に導出する引出電極が形成された圧電振動板と、当該圧電振動板を気密収納し、前記引出電極と導電接合される接続電極を有するパッケージと、当該パッケージの開口部分と気密接合されるリッドとからなる圧電振動デバイスであって、
前記圧電振動板の引出電極と前記接続電極とは、平均粒径が1〜100nmで、表面には有機系被膜により被覆され、加熱により当該有機系被膜が除去される金属微粒子を有機溶媒中に分散させた金属微粒子ペースト接合材により接合したことを特徴とする圧電振動デバイス。
A piezoelectric diaphragm in which an excitation electrode and an extraction electrode for leading the excitation electrode to the outside are formed on at least one surface; a package having a connection electrode that is hermetically housed and electrically conductively joined to the extraction electrode; A piezoelectric vibration device comprising an opening portion of the package and a lid to be airtightly joined,
The extraction electrode and the connection electrode of the piezoelectric diaphragm have an average particle diameter of 1 to 100 nm, the surface is coated with an organic coating, and the metal fine particles from which the organic coating is removed by heating are contained in an organic solvent. A piezoelectric vibration device characterized by being bonded with a dispersed metal fine particle paste bonding material.
少なくとも一表面に励振電極および当該励振電極を外部に導出する引出電極が形成された圧電振動板と、当該圧電振動板の引出電極と導電接合される複数の独立したリード端子が貫通形成されたベースと、当該ベースと気密接合され前記圧電振動板を気密封止するキャップとからなる圧電振動デバイスであって、
前記圧電振動板の引出電極と前記リード端子とは、平均粒径が1〜100nmで、表面には有機系被膜により被覆され、加熱により当該有機系被膜が除去される金属微粒子を有機溶媒中に分散させた金属微粒子ペースト接合材により接合したことを特徴とする圧電振動デバイス。
A piezoelectric diaphragm in which an excitation electrode and an extraction electrode for leading the excitation electrode to the outside are formed on at least one surface, and a base in which a plurality of independent lead terminals that are conductively joined to the extraction electrode of the piezoelectric diaphragm are formed to penetrate And a piezoelectric vibration device comprising a cap hermetically bonded to the base and hermetically sealing the piezoelectric diaphragm,
The lead electrode and the lead terminal of the piezoelectric diaphragm have an average particle diameter of 1 to 100 nm, the surface is coated with an organic coating, and the metal fine particles from which the organic coating is removed by heating are placed in an organic solvent. A piezoelectric vibration device characterized by being bonded with a dispersed metal fine particle paste bonding material.
少なくとも一表面に励振電極および当該励振電極を外部に導出する引出電極が形成された圧電振動板と、当該圧電振動板と回路を構成する電子部品素子と、これら圧電振動板と電子部品素子とを気密収納し、前記引出電極および電子部品素子の電極と各々導電接合される接続電極を有するパッケージと、当該パッケージの開口部分と気密接合されるリッドとからなる圧電振動デバイスであって、
前記各々の導電接合は、平均粒径が1〜100nmで、表面には有機系被膜により被覆され、加熱により当該有機系被膜が除去される金属微粒子を有機溶媒中に分散させた金属微粒子ペースト接合材により行うことを特徴とする圧電振動デバイス。
A piezoelectric diaphragm in which an excitation electrode and an extraction electrode for leading the excitation electrode to the outside are formed on at least one surface, an electronic component element constituting the piezoelectric diaphragm and a circuit, and the piezoelectric diaphragm and the electronic component element. A piezoelectric vibration device that is hermetically housed and includes a package having a connection electrode that is conductively bonded to each of the extraction electrode and the electrode of the electronic component element, and a lid that is airtightly bonded to an opening portion of the package,
Each of the conductive joints has an average particle diameter of 1 to 100 nm, and is coated with an organic coating on the surface. Metal particulate paste bonding in which metal fine particles from which the organic coating is removed by heating are dispersed in an organic solvent A piezoelectric vibration device characterized by being made of a material.
圧電振動板には複数の励振電極および当該励振電極に対応した引出電極が形成され、少なくともこれら引出電極の一つと接続電極との接続を、前記金属微粒子ペースト接合材により接合したことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の圧電振動デバイス。 A plurality of excitation electrodes and extraction electrodes corresponding to the excitation electrodes are formed on the piezoelectric diaphragm, and at least one connection between the extraction electrodes and the connection electrode is bonded by the metal fine particle paste bonding material. The piezoelectric vibration device according to claim 1. 圧電振動板には複数の励振電極および当該励振電極に対応した引出電極が形成され、これら引出電極と接続電極との接続を、前記金属微粒子ペースト接合材により接合したことを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の圧電振動デバイス。 The piezoelectric vibration plate is formed with a plurality of excitation electrodes and extraction electrodes corresponding to the excitation electrodes, and the connection between the extraction electrodes and the connection electrodes is bonded by the metal fine particle paste bonding material. The piezoelectric vibration device according to claim 4. 圧電振動板には複数の励振電極および当該励振電極に対応した引出電極が形成され、少なくともこれら引出電極の一つと接続電極との接続を、前記金属微粒子ペースト接合材により接合し、他の引出電極と接続電極との接続を、金属バンプによる金属間接合を行ったことを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の圧電振動デバイス。 A plurality of excitation electrodes and extraction electrodes corresponding to the excitation electrodes are formed on the piezoelectric diaphragm, and at least one of the extraction electrodes is connected to the connection electrode by the metal fine particle paste bonding material, and the other extraction electrode 6. The piezoelectric vibration device according to claim 1, wherein the connection between the electrode and the connection electrode is performed by metal bonding by metal bumps. 前記金属微粒子ペースト接合材の金属微粒子と、前記引出電極および接続電極の接合面の金属膜とが同種金属であることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の圧電振動デバイス。 7. The piezoelectric vibration device according to claim 1, wherein the metal fine particles of the metal fine particle paste bonding material and the metal film on the bonding surface of the extraction electrode and the connection electrode are the same kind of metal. . 前記金属微粒子ペースト接合材は複数層からなり、当該層の一部は銅を金属微粒子として用いた金属微粒子ペーストであることを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれかに記載の圧電振動デバイス。 The piezoelectric vibration according to any one of claims 1 to 7, wherein the metal fine particle paste bonding material includes a plurality of layers, and a part of the layer is a metal fine particle paste using copper as metal fine particles. device. 前記金属微粒子ペースト接合材には前記圧電振動板の引出電極と前記接続電極とを機械的接合するバインダ樹脂が含まれていることを特徴とする請求項1乃至請求項8のいずれかに記載の圧電振動デバイス。 9. The binder according to claim 1, wherein the metal fine particle paste bonding material includes a binder resin that mechanically bonds the extraction electrode of the piezoelectric diaphragm and the connection electrode. 10. Piezoelectric vibration device. 前記金属微粒子ペースト接合材には金属微粒子に対する還元剤が添加されていることを特徴とする請求項1乃至請求項9のいずれかに記載の圧電振動デバイス。 The piezoelectric vibration device according to any one of claims 1 to 9, wherein a reducing agent for the metal fine particles is added to the metal fine particle paste bonding material. 前記還元剤が金属微粒子ペースト接合材に対して1〜10重量%のパラジウムであることを特徴とする請求項10に記載の圧電振動デバイス。 The piezoelectric vibration device according to claim 10, wherein the reducing agent is 1 to 10% by weight of palladium with respect to the metal fine particle paste bonding material. 前記パラジウムの平均粒径が1〜60nmであることを特徴とする請求項10または請求項11に記載の圧電振動デバイス。

The piezoelectric vibration device according to claim 10 or 11, wherein an average particle diameter of the palladium is 1 to 60 nm.

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100930144B1 (en) * 2007-03-22 2009-12-07 엡슨 토요콤 가부시키 가이샤 Modified device and its sealing method
JP2014165290A (en) * 2013-02-23 2014-09-08 Kyocera Corp Electronic apparatus, and method for manufacturing electronic apparatus
WO2014136473A1 (en) * 2013-03-07 2014-09-12 株式会社村田製作所 Quartz oscillation device
KR20160098644A (en) * 2015-02-10 2016-08-19 (주)파트론 Crystal oscillator and method of manufacturing thereof
WO2016190539A1 (en) * 2015-05-27 2016-12-01 (주)파트론 Crystal oscillator and production method therefor
WO2016190540A1 (en) * 2015-05-27 2016-12-01 (주)파트론 Crystal oscillator and production method therefor

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08139426A (en) * 1994-11-11 1996-05-31 Daishinku Co Surface mount type electronic component
JPH0993073A (en) * 1995-09-26 1997-04-04 Kinseki Ltd Piezoelectric oscillator
JPH11274892A (en) * 1998-03-19 1999-10-08 Daishinku:Kk Piezoelectric vibrator and production thereof
JP2001274653A (en) * 2000-03-24 2001-10-05 Seiko Epson Corp Piezoelectric device
JP2002111437A (en) * 2000-09-29 2002-04-12 Daishinku Corp Quartz piece and quartz oscillator
JP2002299833A (en) * 2001-03-30 2002-10-11 Harima Chem Inc Multilayered wiring board and its forming method
JP2003110398A (en) * 2001-09-28 2003-04-11 Kyocera Corp Piezoelectric device
JP2003158211A (en) * 2001-11-19 2003-05-30 Daishinku Corp Package for electronic component and piezoelectric vibration device using the same
JP2004128357A (en) * 2002-10-04 2004-04-22 Ebara Corp Electrode arranged substrate and its electrode connection method
JP2004327908A (en) * 2003-04-28 2004-11-18 Ricoh Co Ltd Method and structure for bonding electro-optical devices

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08139426A (en) * 1994-11-11 1996-05-31 Daishinku Co Surface mount type electronic component
JPH0993073A (en) * 1995-09-26 1997-04-04 Kinseki Ltd Piezoelectric oscillator
JPH11274892A (en) * 1998-03-19 1999-10-08 Daishinku:Kk Piezoelectric vibrator and production thereof
JP2001274653A (en) * 2000-03-24 2001-10-05 Seiko Epson Corp Piezoelectric device
JP2002111437A (en) * 2000-09-29 2002-04-12 Daishinku Corp Quartz piece and quartz oscillator
JP2002299833A (en) * 2001-03-30 2002-10-11 Harima Chem Inc Multilayered wiring board and its forming method
JP2003110398A (en) * 2001-09-28 2003-04-11 Kyocera Corp Piezoelectric device
JP2003158211A (en) * 2001-11-19 2003-05-30 Daishinku Corp Package for electronic component and piezoelectric vibration device using the same
JP2004128357A (en) * 2002-10-04 2004-04-22 Ebara Corp Electrode arranged substrate and its electrode connection method
JP2004327908A (en) * 2003-04-28 2004-11-18 Ricoh Co Ltd Method and structure for bonding electro-optical devices

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100930144B1 (en) * 2007-03-22 2009-12-07 엡슨 토요콤 가부시키 가이샤 Modified device and its sealing method
JP2014165290A (en) * 2013-02-23 2014-09-08 Kyocera Corp Electronic apparatus, and method for manufacturing electronic apparatus
WO2014136473A1 (en) * 2013-03-07 2014-09-12 株式会社村田製作所 Quartz oscillation device
US9509275B2 (en) 2013-03-07 2016-11-29 Murata Manufacturing Co., Ltd. Quartz vibrating device with conductive adhesive layers having specific bonding surface area
JP6075441B2 (en) * 2013-03-07 2017-02-08 株式会社村田製作所 Crystal vibrator
KR20160098644A (en) * 2015-02-10 2016-08-19 (주)파트론 Crystal oscillator and method of manufacturing thereof
KR101689589B1 (en) 2015-02-10 2017-01-03 (주)파트론 Crystal oscillator and method of manufacturing thereof
WO2016190539A1 (en) * 2015-05-27 2016-12-01 (주)파트론 Crystal oscillator and production method therefor
WO2016190540A1 (en) * 2015-05-27 2016-12-01 (주)파트론 Crystal oscillator and production method therefor

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