JP2008131549A - Quartz oscillation device - Google Patents

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JP2006316820A
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Inventor
Hiroshi Maeda
浩 前田
Original Assignee
Daishinku Corp
株式会社大真空
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a quartz oscillation device which improves environment resistance performance such as impulse resistance or frequency change with time and has high operational reliability. <P>SOLUTION: A first pad electrode and a second pad electrode formed on front and rear sides of a quartz oscillation element 2 in a plane-view rectangular shape are disposed in parallel, in a plane view, on a straight line extending in a lengthwise direction of the quartz oscillation element 2 and are conductively bonded in one-to-one correspondence with a first conduction pad 13 and a second conduction pad 14 formed on the inner bottom of a ceramic package 1 via first and second conductive resin bonding materials S1, S2. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、電子機器に用いられる水晶振動デバイスに関するものである。   The present invention relates to a crystal vibration device used in an electronic apparatus.
ATカット水晶振動素子を用いた厚み振動系水晶振動子は、一般に水晶振動素子(水晶振動板)の表裏面に一対の励振電極を正対向して形成し、当該励振電極に交流電圧を印加する構成である。このような水晶振動子の諸特性は水晶振動板自体の品質、形状に依存するとともに、励振電極や引出電極の構成、ベースへの接続構成等にも依存する。水晶振動素子をベースに搭載した後の固着においては導電性接合材が用いられているが、当該導電性接合材あるいはベースの影響により水晶振動子の特性が不安定になることがあった。 In a thickness vibration type crystal resonator using an AT-cut crystal resonator element, a pair of excitation electrodes are generally formed on the front and back surfaces of a crystal resonator element (crystal resonator plate) so as to face each other, and an AC voltage is applied to the excitation electrode. It is a configuration. Such various characteristics of the crystal resonator depend on the quality and shape of the crystal plate itself, and also depend on the configuration of the excitation electrode and the extraction electrode, the connection configuration to the base, and the like. A conductive bonding material is used for fixing after mounting the crystal resonator element on the base, but the characteristics of the crystal resonator may become unstable due to the influence of the conductive bonding material or the base.
従来の表面実装型の水晶振動子においては、ベースの一対の導通パッド上にペースト状の導電性接合材または金属バンプなどの接合材を形成し、この接合材上に表裏一対の励振電極が形成された水晶振動素子が搭載される。前記励振電極からはそれぞれ引出電極が導出され、当該引出電極に接続されたパッド電極が、水晶振動板の端面に形成されている。当該引出電極部分は当該導電性接合材および金属バンプにより、電気的機械的に接合される。このような構成の水晶振動子において、落下などによる衝撃が加わった場合に水晶振動素子と導通パッドとの接続が不安定な状態となって、等価直列抵抗の増大や周波数経時変化の増大等、水晶振動子の諸特性に悪影響を及ぼしたり、水晶振動素子と導通パッドとの接続不良により、不発振となる問題があった。 In a conventional surface-mount type crystal resonator, a paste-like conductive bonding material or a bonding material such as a metal bump is formed on a pair of conductive pads on a base, and a pair of front and back excitation electrodes are formed on the bonding material. The crystal resonator element made is mounted. An extraction electrode is led out from each of the excitation electrodes, and a pad electrode connected to the extraction electrode is formed on the end face of the quartz crystal vibration plate. The extraction electrode portion is electromechanically bonded by the conductive bonding material and the metal bump. In the crystal resonator with such a configuration, when an impact due to dropping or the like is applied, the connection between the crystal resonator element and the conductive pad becomes unstable, and the equivalent series resistance increases, the frequency changes over time, etc. There is a problem that non-oscillation occurs due to adverse effects on various characteristics of the crystal resonator and poor connection between the crystal resonator element and the conductive pad.
このように外部衝撃が加わることによる圧電素子の諸特性の悪化については、例えば、特開2000−114911号(特許文献1)に開示されている。当該文献においては、断面凹状で薄肉の励振部と当該励振部周縁を包囲する厚肉環状囲繞部とを一体化した圧電素板において、振動エネルギーは薄肉部に閉じ込められるため、導電接着剤による接続位置を振動部近傍の厚肉部にすることによって、外部衝撃による圧電振動素子の自由端側の上下方向振幅を減少させ、接続部に及ぼす応力を減少させる構成が開示されている。 Such deterioration of the characteristics of the piezoelectric element due to external impact is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-114911 (Patent Document 1). In this document, in a piezoelectric base plate in which a thin-walled excitation part having a concave cross-section and a thick annular surrounding part surrounding the periphery of the excitation part are integrated, vibration energy is confined in the thin-walled part, so that connection by a conductive adhesive is used. A configuration is disclosed in which the position of the thick portion in the vicinity of the vibration portion reduces the vertical amplitude on the free end side of the piezoelectric vibration element due to external impact, thereby reducing the stress on the connection portion.
また、金属バンプによって水晶振動素子を表面実装型ベース内に片持ち保持で電気的機械的に接続する構成の水晶振動子が、特開2001−85966号(特許文献2)に開示されている。当該文献は水晶振動素子の一方の主面上に励振電極を中心とした放射線状に沿って近接して配置された2つのパッド電極と、表面実装型ベース内底面上の2つの導通パッドを金バンプを用いてフリップチップ実装にて接続することを特徴とするものである。 Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2001-85966 (Patent Document 2) discloses a crystal resonator having a structure in which a crystal resonator element is electrically and mechanically connected to a surface-mount base by a metal bump. In this document, two pad electrodes arranged close to each other along a radial shape centered on an excitation electrode on one main surface of a quartz-crystal vibrating element and two conductive pads on the inner bottom surface of a surface-mount base are made of gold. The bumps are connected by flip chip mounting.
また、特開2004−112420号(特許文献3)は、水晶振動素子の下に形成した絶縁物(セラミック)の突堤を支点として導電性接着剤の硬化時の収縮応力によって水晶振動素子の自由端側を持ち上げる構成が特徴となっている。当該文献では水晶振動素子の一短辺外周部に並列して2箇所が導電性接着剤によって接合される構成となっている。 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-112420 (Patent Document 3) discloses a free end of a quartz resonator element by a shrinkage stress at the time of curing of a conductive adhesive with a pier of an insulator (ceramic) formed under the quartz resonator element as a fulcrum. The structure which lifts the side is the feature. In this document, two portions are connected by a conductive adhesive in parallel with the outer peripheral portion of one short side of the crystal resonator element.
特開2000−114911号JP 2000-114911 A 特開2001−85966号JP 2001-85966 A 特開2004−112420号JP 2004-112420 A
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、耐衝撃性や周波数経年変化等の耐環境性能を向上させ、且つ動作信頼性の高い水晶振動デバイスを提供することを目的とするものである。 The present invention has been made in view of the above points, and has as its object to provide a crystal vibrating device with improved environmental resistance such as impact resistance and frequency aging, and high operational reliability. is there.
上記の目的を達成するために、本発明者は、ベースに対する水晶振動素子の保持構成について鋭意検討を行った結果、耐衝撃性等の耐環境性能に優れた水晶振動デバイスを次のような構成により、実現したものである。 In order to achieve the above object, the present inventor has intensively studied the holding structure of the crystal vibrating element with respect to the base. As a result, the crystal vibrating device excellent in environmental resistance such as impact resistance is configured as follows. Is realized.
すなわち請求項1に示すように、平面視矩形形状の水晶振動素子を保持するベースと当該水晶振動素子を気密封止する蓋体を有してなる水晶振動デバイスにおいて、前記ベースは内底面上に、外部端子に導出する第1と第2の導通パッドからなる2つの導通パッドを具備しており、前記水晶振動素子は表裏面に一対の励振電極および当該励振電極と接続された引出電極と、当該引出電極に接続された一対のパッド電極とを有しており、前記一対のパッド電極は水晶振動素子の裏面側に形成された第1のパッド電極と、水晶振動素子の表面側の短辺近傍に形成された第2のパッド電極とから成り、第1のパッド電極と第2のパッド電極は水晶振動素子の長辺方向に延びる直線上に、平面視で並列して形成されており、前記第1の導通パッド上に第1の導電性樹脂接合材を介して前記第1のパッド電極が接合され、前記第2の導通パッド上に第2の導電性樹脂接合材を介して前記水晶振動素子の短辺側の一端部と前記第2のパッド電極とが接合されていることを特徴とする。 That is, according to a first aspect of the present invention, in the crystal resonator device having a base that holds the crystal resonator element having a rectangular shape in plan view and a lid that hermetically seals the crystal resonator element, the base is on the inner bottom surface. The first and second conductive pads led out to the external terminal, the quartz resonator element has a pair of excitation electrodes on the front and back surfaces and an extraction electrode connected to the excitation electrodes; A pair of pad electrodes connected to the extraction electrode, wherein the pair of pad electrodes is a first pad electrode formed on the back surface side of the crystal resonator element and a short side on the surface side of the crystal resonator element The first pad electrode and the second pad electrode are formed in parallel in a plan view on a straight line extending in the long side direction of the crystal resonator element; On the first conductive pad The first pad electrode is bonded through one conductive resin bonding material, and one end portion on the short side of the crystal resonator element via the second conductive resin bonding material on the second conductive pad And the second pad electrode are bonded to each other.
上記構成により、導電性樹脂接合材によって接合される水晶振動素子の表裏面上の2つのパッド電極は、水晶振動板の長辺方向に延びる直線上に平面視で並列して配置されることから、水晶振動板の短辺方向に直交する直線上での保持となり、従来の水晶振動板の1短辺側を2点で保持する方法と比較して、水晶振動板に及ぼす導電性樹脂接合材の昇温硬化に伴う収縮応力を緩和することができる。さらに前記2箇所の保持点(固定点)間を結ぶ線に垂直な領域には励振領域(励振電極)が存在しないので、固定点間で発生する応力が励振領域に伝搬し難いため保持による悪影響を与えない。さらに前記水晶振動素子の2つのパッド電極と前記ベース内底面上の2つの導通パッドとの接続を導電性樹脂接合材にて行っているため、前記接続を金属バンプにて行った場合に比べて外部衝撃を吸収しやすく、応力を緩和することができるため耐衝撃性が向上する。 With the above configuration, the two pad electrodes on the front and back surfaces of the crystal resonator element bonded by the conductive resin bonding material are arranged in parallel on a straight line extending in the long side direction of the crystal resonator plate in plan view. The conductive resin bonding material exerted on the quartz diaphragm compared with the conventional method of holding the short side of the quartz diaphragm at two points, which is held on a straight line orthogonal to the short side direction of the quartz diaphragm. It is possible to relieve the shrinkage stress associated with the temperature-hardening. Further, since there is no excitation region (excitation electrode) in the region perpendicular to the line connecting the two holding points (fixed points), the stress generated between the fixed points is difficult to propagate to the excitation region, and the adverse effect due to the holding. Not give. Furthermore, since the connection between the two pad electrodes of the crystal resonator element and the two conductive pads on the inner bottom surface of the base is performed by a conductive resin bonding material, compared with the case where the connection is performed by a metal bump. Impact resistance is improved because it is easy to absorb external impact and can relieve stress.
また、前記水晶振動素子の裏面側に形成される第1のパッド電極は平面視で第2のパッド電極と近接し、水晶振動素子の1短辺側に偏在して振動領域から離間して形成することにより、等価直列抵抗等の水晶振動デバイスの諸特性の悪影響を抑制することができる。 Further, the first pad electrode formed on the back surface side of the crystal resonator element is formed close to the second pad electrode in plan view, unevenly distributed on one short side of the crystal resonator element, and separated from the vibration region. By doing so, it is possible to suppress adverse effects of various characteristics of the quartz-crystal vibrating device such as equivalent series resistance.
また、本発明によれば従来の水晶振動素子の一短辺外周部の2箇所の保持構成に比べて水晶振動素子の中心方向寄りを保持することになる。このような構成により、外部衝撃を受けた際に水晶振動素子自由端側の上下振幅が抑制され、前記パッド電極と前記導通パッドとの接合部が受ける応力を低減させることができる。 In addition, according to the present invention, the quartz vibration element is held closer to the center direction than the conventional two holding structures on the outer periphery of the short side of the crystal vibration element. With such a configuration, when an external impact is applied, the vertical amplitude on the free end side of the crystal resonator element is suppressed, and the stress applied to the joint between the pad electrode and the conductive pad can be reduced.
さらに、請求項2に示すように前記第1と第2のパッド電極が平面視で水晶振動素子の2短辺の中心を結ぶ直線上に形成されていれば、2箇所の接合は水晶振動素子短辺の中心ライン上で行われ、水晶振動板2の短辺方向のバランスが最良となる。このような構成においては従来の水晶振動素子の一短辺外周部の2箇所の保持構成よりも水晶振動板は自由に膨張収縮でき、温度変化に起因して発生する熱応力を低減できる。よって、水晶振動素子の周波数温度特性に与える影響を軽減することができる。 Further, if the first and second pad electrodes are formed on a straight line connecting the centers of the two short sides of the crystal resonator element in a plan view, the junction at the two locations is the crystal resonator element. It is performed on the center line of the short side, and the balance in the short side direction of the crystal diaphragm 2 is the best. In such a configuration, the quartz diaphragm can be freely expanded and contracted, and the thermal stress generated due to a temperature change can be reduced as compared with the conventional holding configuration of two places on the outer periphery of the short side of the quartz resonator element. Therefore, the influence on the frequency-temperature characteristics of the crystal resonator element can be reduced.
また、請求項3に示すように、前記第1と第2の導通パッドの間に絶縁材が形成されていてもよい。前記絶縁材は、前記第1と第2の導電性樹脂接合材の流出による第1と第2の接合部位間の相互短絡防止の役割を果たすものであり、樹脂やセラミックなどの絶縁材料から構成される。なお、前記絶縁材はベース上への樹脂の塗布または、ベースと一体成型にて形成されてもよい。 According to a third aspect of the present invention, an insulating material may be formed between the first and second conductive pads. The insulating material plays a role of preventing a mutual short circuit between the first and second bonding portions due to the outflow of the first and second conductive resin bonding materials, and is made of an insulating material such as resin or ceramic. Is done. The insulating material may be formed by applying a resin on the base or integrally molding with the base.
請求項4に示すように、平面視で第1の導電性樹脂接合材の形成領域が、第2の導電性樹脂接合材の形成領域内に包含されるように配置されることにより、水晶振動素子が受ける導電性樹脂接合材の昇温硬化時の収縮応力は1箇所だけとなり、応力による歪を軽減することができ、水晶振動デバイスの周波数経年変化を抑制することができる。 According to a fourth aspect of the present invention, the first conductive resin bonding material forming region is disposed so as to be included in the second conductive resin bonding material forming region in a plan view, whereby the crystal vibration The shrinkage stress at the time of temperature-setting curing of the conductive resin bonding material received by the element is only one place, the strain due to the stress can be reduced, and the frequency aging of the crystal vibrating device can be suppressed.
従来の導通パッドはベース内底部の一短辺方向に並列して2箇所形成され、水晶振動素子の表裏面に形成される2つのパッド電極も水晶振動素子1短辺端部に並列して2箇所形成されている。そして前記2箇所の導通パッドと前記2箇所のパッド電極が導電性樹脂接合材によって接合されるが、水晶振動素子は導電性樹脂接合材の昇温硬化に伴う収縮応力を2つの接合箇所から受けることになる。この応力に起因する歪は水晶振動デバイスの周波数経年変化に悪影響を与える一因となっている。特にATカット水晶振動素子のように厚さで周波数が決定される水晶振動素子においては、発振周波数が高周波になるにしたがって水晶振動素子の厚みが薄くなるため、この影響力が顕著になるが、前記構成により水晶振動デバイスの周波数経年変化を抑制することができるとともに、接合部間の応力の問題を極めて抑制することができる。 Conventional conductive pads are formed in two locations in parallel with one short side of the inner bottom portion of the base, and two pad electrodes formed on the front and back surfaces of the crystal resonator element are also connected in parallel with the crystal resonator element 1 short side end. The place is formed. The two conductive pads and the two pad electrodes are bonded to each other by a conductive resin bonding material, and the crystal resonator element receives shrinkage stress accompanying the temperature hardening of the conductive resin bonding material from the two bonding points. It will be. The strain caused by this stress is one factor that adversely affects the frequency aging of the crystal vibrating device. In particular, in a crystal resonator element whose frequency is determined by thickness, such as an AT-cut crystal resonator element, the influence of the crystal resonator element becomes thinner as the oscillation frequency becomes higher, so this influence becomes significant. With the above-described configuration, it is possible to suppress the secular change of the frequency of the quartz crystal vibration device, and it is possible to extremely suppress the problem of stress between the joints.
以上のように、本発明によれば、水晶振動素子が受ける導電性樹脂接合材の硬化時の収縮応力を減少させることができ、周波数経年変化および周波数温度特性を良好にすることができる。また耐衝撃性に優れた信頼性の高い水晶振動デバイスを得ることができる。 As described above, according to the present invention, it is possible to reduce the shrinkage stress during curing of the conductive resin bonding material received by the crystal resonator element, and it is possible to improve the frequency aging and the frequency temperature characteristics. In addition, it is possible to obtain a highly reliable crystal vibration device having excellent impact resistance.
以下、本発明による実施形態について図面に基づいて説明する。本発明の第1の実施形態を表面実装型の水晶振動子を例にとり、図1乃至図3とともに説明する。図1は第1の実施形態を示すベース長辺方向の断面図であり、図2は蓋体3による気密封止前の表面実装型の水晶振動子の図である。図2(a)はベース開口面から見たベースの平面図で、同図(b)は同図(a)に水晶振動素子が搭載された状態を示す平面図で、同図(c)は同図(b)のA−A断面図である。図3は水晶振動素子のベースへの搭載手順を示す図である。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. The first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3 by taking a surface-mounted crystal resonator as an example. FIG. 1 is a cross-sectional view in the direction of the long side of the base showing the first embodiment, and FIG. 2 is a view of a surface-mounted crystal resonator before hermetic sealing with a lid 3. 2A is a plan view of the base as viewed from the base opening surface, FIG. 2B is a plan view showing a state in which the crystal resonator element is mounted in FIG. 2A, and FIG. It is AA sectional drawing of the figure (b). FIG. 3 is a diagram showing a procedure for mounting the crystal resonator element on the base.
前記表面実装型水晶振動子は、上部が開口した断面凹状のベース1と、当該ベースの内底面上に搭載される水晶振動板2と、ベース開口部に接合される蓋体3から構成されている。なお、図1と図2(c)および図3の各図においては水晶振動板2に形成された励振電極および引出電極とパッド電極の記載を省略している。 The surface-mount type crystal resonator is composed of a base 1 having a concave cross section with an upper opening, a crystal diaphragm 2 mounted on the inner bottom surface of the base, and a lid 3 joined to the base opening. Yes. In FIG. 1, FIG. 2C, and FIG. 3, the description of the excitation electrode, the extraction electrode, and the pad electrode formed on the crystal diaphragm 2 is omitted.
図1においてベース1は、平面視矩形形状でアルミナ等のセラミックを主体として内外部に導体配線が形成された断面凹状の上部が開口した圧電振動素子を収納するベースである。前記ベース1は圧電素子収納部4とその周囲に形成された提部11を有する構成となっており、当該堤部11の上面12は平坦で、当該堤部上面には周状に第1の金属膜層11aが形成されている。前記金属膜層11aの上面も平坦になるように形成されており、例えば堤部11上にタングステン、ニッケル、金の順序で構成されている。タングステンはメタライズ技術により、セラミック焼成時に一体的に形成され、ニッケル、金の各層はメッキ技術により形成される。 In FIG. 1, a base 1 is a base that houses a piezoelectric vibration element having a rectangular shape in a plan view and having an open upper portion having a concave cross section in which a conductor wiring is formed inside and outside mainly made of ceramic such as alumina. The base 1 has a structure including a piezoelectric element housing portion 4 and a pedestal portion 11 formed around the piezoelectric element housing portion 4. An upper surface 12 of the bank portion 11 is flat, and a first circumferential shape is formed on the upper surface of the bank portion. A metal film layer 11a is formed. The upper surface of the metal film layer 11a is also formed so as to be flat. For example, the metal film layer 11a is formed on the bank portion 11 in the order of tungsten, nickel, and gold. Tungsten is integrally formed during ceramic firing by metallization technology, and the nickel and gold layers are formed by plating technology.
図2に示すようにベース1の外周の4角には上下方向に伸長するキャスタレーションC1,C2,C3,C4が形成されている。当該キャスタレーションは円弧状の切り欠きが上下方向に形成された構成であり、ウェハからの小割切断時に必要となる。   As shown in FIG. 2, castellations C1, C2, C3, and C4 extending in the vertical direction are formed at the four corners of the outer periphery of the base 1. The castellation has a configuration in which arc-shaped cutouts are formed in the vertical direction, and is required when cutting a small portion from a wafer.
なお、第1の金属膜層11aはベース1に形成されたビアホール(図示せず)あるいは前記キャスタレーション部分に形成された導電膜(図示せず)により、ベース下面(裏面)に形成された外部接続電極(図示せず)に電気的に接続され、最終的にアース接続される。   The first metal film layer 11a is externally formed on the bottom surface (back surface) of the base by a via hole (not shown) formed in the base 1 or a conductive film (not shown) formed in the castellation portion. It is electrically connected to a connection electrode (not shown) and finally connected to ground.
前記ベース1の内底部には、第1の導通パッド13と第2の導通パッド14が形成されており、これら導通パッドは連結電極(図示せず)を介して、ベース外部の底面に形成された外部接続電極17,18にそれぞれ入出力用端子(外部端子)として引き出されている。前記導通パッド13,14は例えばタングステンメタライズ層の上面にニッケル、金の順でメッキ等の手法により金属層が形成されている。ここで前記導通パッド13,14は当該ベース1の長辺方向に直線上に並列して形成される。本実施例では前記第1の導通パッド13と前記第2の導通パッド14は、平面視で前記ベース1の内底部上に圧電素子収納部の2短辺の中心を結ぶ直線上に形成されている。 A first conductive pad 13 and a second conductive pad 14 are formed on the inner bottom portion of the base 1, and these conductive pads are formed on the bottom surface outside the base via a connection electrode (not shown). The external connection electrodes 17 and 18 are led out as input / output terminals (external terminals), respectively. For example, the conductive pads 13 and 14 have a metal layer formed on the upper surface of the tungsten metallized layer by a technique such as plating in the order of nickel and gold. Here, the conductive pads 13 and 14 are formed in parallel on a straight line in the long side direction of the base 1. In this embodiment, the first conductive pad 13 and the second conductive pad 14 are formed on a straight line connecting the centers of the two short sides of the piezoelectric element storage portion on the inner bottom portion of the base 1 in a plan view. Yes.
また、第1の導通パッド13と第2の導通パッド14との間隙には堤状の絶縁材料からなる突起15が形成されており、当該突起15は導電性樹脂接合材の流出による第1と第2の導通パッド間の相互短絡を防止する機能を有している。前記突起15は樹脂やセラミックなどの絶縁材料から構成され、前記ベース1と一体成型されることによって形成されるが、前記ベース1の内底部上へ樹脂を塗布した後、硬化することによって形成してもよい。また、前記第1と第2の導通パッド13,14上へ水晶振動板2が第1と第2の導電性樹脂接合材によって導通接合された状態において、水晶振動板2と前記突起15との間には空隙が存在していることが好ましい。また本発明において前記突起15が形成されていないベースであってもよい。 In addition, a protrusion 15 made of a bank-like insulating material is formed in the gap between the first conductive pad 13 and the second conductive pad 14, and the protrusion 15 is formed in the first and second conductive pads due to the outflow of the conductive resin bonding material. It has a function of preventing mutual short circuit between the second conductive pads. The protrusion 15 is made of an insulating material such as resin or ceramic, and is formed by being integrally molded with the base 1. The protrusion 15 is formed by applying resin on the inner bottom of the base 1 and then curing it. May be. Further, in the state in which the crystal vibrating plate 2 is conductively bonded onto the first and second conductive pads 13 and 14 by the first and second conductive resin bonding materials, the crystal vibrating plate 2 and the protrusion 15 It is preferable that a gap exists between them. In the present invention, a base on which the protrusions 15 are not formed may be used.
図2において、水晶振動板2は例えば厚みすべり振動で駆動するATカット水晶振動板であり、X軸が長辺、Z軸が短辺、Y軸が厚み方向となる直方体形状となっている。当該水晶振動板2の表裏面には対向して平面視矩形形状の励振電極211,221(211は図示せず)が形成されており、当該励振電極各々から引出電極212,222が延出され、当該引出電極にパッド電極213,223が各々接続されている。パッド電極223(第2のパッド電極)は前記水晶振動板2の短辺端縁部分に形成されている。そして、前記2つのパッド電極213,223は水晶振動板の長辺方向に延びる直線上に平面視で並列して配置されている。本実施例では前記第1と第2のパッド電極は平面視で水晶振動板2の2短辺の中心を結ぶ直線上に形成されている。 In FIG. 2, a crystal diaphragm 2 is, for example, an AT-cut quartz diaphragm that is driven by thickness shear vibration, and has a rectangular parallelepiped shape in which the X axis is a long side, the Z axis is a short side, and the Y axis is a thickness direction. Exciting electrodes 211 and 221 (211 are not shown) having a rectangular shape in plan view are formed on the front and back surfaces of the quartz crystal plate 2 so as to face each other, and extraction electrodes 212 and 222 are extended from the respective excitation electrodes. The pad electrodes 213 and 223 are connected to the extraction electrode, respectively. The pad electrode 223 (second pad electrode) is formed on the short side edge portion of the crystal diaphragm 2. The two pad electrodes 213 and 223 are arranged in parallel on a straight line extending in the long side direction of the quartz crystal plate in plan view. In this embodiment, the first and second pad electrodes are formed on a straight line connecting the centers of the two short sides of the crystal diaphragm 2 in plan view.
当該水晶振動板2は当該導通パッド13,14上に片持ち支持される。当該片持支持構成は導電性樹脂接合材S1,S2を用いて、パッド電極213,223と導通パッド13,14とを一対一で電気的機械的に接続する。当該導電性樹脂接合材の形成は、例えば図3(a)に示すように、ペースト状のシリコーン系樹脂導電接合材からなる第1の導電性樹脂接合材S1を第1の導通パッド13上に、前記第1の導電性樹脂接合材S1と同種の第2の導電性樹脂接合材S21(下塗り)を第2の導通パッド14上に塗布する。その後、第2の導電性樹脂接合材S21(下塗り)に第2の導電性樹脂接合材S22(上塗り)が接合されるように搭載される。具体的には図3(b)に示すように、第2の導電性樹脂接合材S22が一体的に形成された水晶振動板2を、ベース1の導通パッド13,14上に形成された第1の導電性樹脂接合材S1上と第2の導電性樹脂接合材S21上に搭載して導電接合する。ここで前記第2の導電性樹脂接合材S22も前記第2の導電性樹脂接合材S21と同一のものである。より具体的には、水晶振動板保持ツールTにより、水晶振動板2の主面を吸引し、吸引保持した状態で前記第2のパッド電極223部分に第2の導電性樹脂接合材S22をディスペンサ等により塗布する。塗布後、図3(c)に示すように直ちに導通パッド13,14上に形成された第1の導電性樹脂接合材S1上と第2の導電性樹脂接合材S21上に水平搭載し、導電接合を行う。前記導電接合した後、本実施例では所定温度プロファイルで制御されたトンネル炉を用いて導電性樹脂接合材の硬化が行われる。 The crystal diaphragm 2 is cantilevered on the conductive pads 13 and 14. In the cantilever support configuration, the pad electrodes 213 and 223 and the conductive pads 13 and 14 are electrically and mechanically connected to each other using the conductive resin bonding materials S1 and S2. For example, as shown in FIG. 3A, the conductive resin bonding material is formed by placing a first conductive resin bonding material S <b> 1 made of a paste-like silicone resin conductive bonding material on the first conductive pad 13. The second conductive resin bonding material S21 (undercoat) of the same type as the first conductive resin bonding material S1 is applied onto the second conductive pad 14. Thereafter, the second conductive resin bonding material S22 (overcoating) is mounted so as to be bonded to the second conductive resin bonding material S21 (undercoating). Specifically, as shown in FIG. 3B, the quartz diaphragm 2 on which the second conductive resin bonding material S22 is integrally formed is formed on the conductive pads 13 and 14 of the base 1. The first conductive resin bonding material S1 and the second conductive resin bonding material S21 are mounted and conductively bonded. Here, the second conductive resin bonding material S22 is also the same as the second conductive resin bonding material S21. More specifically, the main surface of the quartz diaphragm 2 is sucked by the quartz diaphragm holding tool T, and the second conductive resin bonding material S22 is dispensed to the second pad electrode 223 portion in a state of being sucked and held. Apply by etc. After application, as shown in FIG. 3 (c), it is immediately mounted horizontally on the first conductive resin bonding material S1 and the second conductive resin bonding material S21 formed on the conductive pads 13 and 14, and conductive. Join. After the conductive bonding, in this embodiment, the conductive resin bonding material is cured using a tunnel furnace controlled by a predetermined temperature profile.
ベース1を気密封止する蓋体3は平面視矩形形状の平板構成である。当該蓋体3は、図示しないコバールからなるコア材に、第2の金属膜層31として金属ろう材が形成された構成であり、例えば上面からニッケル層、コバールコア材、銅層、銀ろう層の順の多層構成であり、第2の金属膜層である銀ろう層がベース1の第1の金属膜層11aと接合される構成となる。なお、蓋体の平面視外形はベース1の当該外形とほぼ同じである。   The lid 3 for hermetically sealing the base 1 has a flat plate configuration having a rectangular shape in plan view. The lid 3 has a structure in which a metal brazing material is formed as a second metal film layer 31 on a core material made of Kovar (not shown). For example, a nickel layer, a kovar core material, a copper layer, and a silver brazing layer are formed from the upper surface. This is a sequential multilayer structure, in which the silver brazing layer as the second metal film layer is joined to the first metal film layer 11 a of the base 1. The outer shape of the lid in plan view is substantially the same as the outer shape of the base 1.
以上のように構成されたベース1と蓋体1は、真空雰囲気中あるいは不活性ガス雰囲気中にて気密封止される。本実施の形態においては、シーム溶接法を用いて前述の銀ろう層を溶融硬化させ、気密封止されている。   The base 1 and the lid 1 configured as described above are hermetically sealed in a vacuum atmosphere or an inert gas atmosphere. In the present embodiment, the above-mentioned silver brazing layer is melt-cured using a seam welding method and hermetically sealed.
本発明による第2の実施形態について表面実装型の水晶振動子を例にとり、図4乃至図5とともに説明する。図4は第2の実施形態を示すベース長辺方向の図であり、同図(a)はベース開口面から見たベースの平面図で、同図(b)は同図(a)に水晶振動素子が搭載された状態を示す平面図で、同図(c)は同図(b)のB−B断面図である。図5は水晶振動素子2のベースへの搭載手順を示す図である。なお、前記第1の実施形態との同様部分については、同番号を付すとともに説明の一部を割愛した。 A second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 4 to 5 by taking a surface-mount type crystal resonator as an example. FIG. 4 is a view in the direction of the long side of the base showing the second embodiment. FIG. 4A is a plan view of the base viewed from the base opening surface, and FIG. It is a top view which shows the state in which the vibration element was mounted, The figure (c) is BB sectional drawing of the figure (b). FIG. 5 is a diagram showing a procedure for mounting the crystal resonator element 2 on the base. In addition, about the same part as the said 1st Embodiment, the same number was attached | subjected and some description was omitted.
前記表面実装型水晶振動子は、上部が開口した断面凹状のベース1と、当該ベースの内底面上に搭載される水晶振動板2と、ベース開口部に接合される蓋体3から構成されている。なお、図4(c)と図5の各図においては水晶振動板2に形成された励振電極および引き出しにおいては水晶振動板2に形成された励振電極および引出電極とパッド電極の記載を省略している。 The surface-mount type crystal resonator is composed of a base 1 having a concave cross section with an upper opening, a crystal diaphragm 2 mounted on the inner bottom surface of the base, and a lid 3 joined to the base opening. Yes. In FIG. 4C and FIG. 5, the description of the excitation electrode formed on the crystal diaphragm 2 and the extraction of the excitation electrode, the extraction electrode and the pad electrode formed on the crystal diaphragm 2 are omitted. ing.
図4(a)に示すように前記ベース1の内底部には、第1の導通パッド13と第2の導通パッド14が形成されており、これら導通パッドは連結電極(図示せず)を介して、ベース外部の底面に形成された外部接続電極17,18にそれぞれ入出力用端子として引き出されている。前記導通パッド13,14は例えばタングステンメタライズ層の上面にニッケル、金の順でメッキ等の手法により金属層が形成されている。ここで前記導通パッド13,14は当該ベース1の長辺方向に直線上に並列して形成され、本実施例では前記第1の導通パッド13と前記第2の導通パッド14は、平面視で前記ベース1の内底部上に圧電素子収納部の2短辺の中心を結ぶ直線上に形成されている。前記2つの導通パッド13,14の間隙は、前記第1の実施例での2つの導通パッド13,14の間隙よりも狭くなるように形成される。さらに第1の導通パッド13と第2の導通パッド14との間隙には樹脂16が形成される。当該樹脂16は導電性樹脂接合材の流出による第1と第2の導通パッド間の相互短絡を防止する機能を有しており、前記ベース1の内底部上へ樹脂を塗布した後、硬化することによって形成される。なお、前記樹脂は絶縁材料からなる突起であってもよい。また、前記第1と第2の導通パッド13,14上へ水晶振動板2が第1と第2の導電性樹脂接合材によって導通接合された状態において、水晶振動板2と前記樹脂16との間には空隙が存在していることが好ましい。また本発明において前記突起16が形成されていないベースであってもよい。 As shown in FIG. 4A, a first conductive pad 13 and a second conductive pad 14 are formed on the inner bottom portion of the base 1, and these conductive pads are connected via a connecting electrode (not shown). The external connection electrodes 17 and 18 formed on the bottom surface outside the base are led out as input / output terminals, respectively. For example, the conductive pads 13 and 14 have a metal layer formed on the upper surface of the tungsten metallized layer by a technique such as plating in the order of nickel and gold. Here, the conductive pads 13 and 14 are formed in parallel on a straight line in the long side direction of the base 1, and in the present embodiment, the first conductive pad 13 and the second conductive pad 14 are viewed in a plan view. It is formed on a straight line connecting the centers of the two short sides of the piezoelectric element housing portion on the inner bottom portion of the base 1. The gap between the two conductive pads 13 and 14 is formed to be narrower than the gap between the two conductive pads 13 and 14 in the first embodiment. Further, a resin 16 is formed in the gap between the first conductive pad 13 and the second conductive pad 14. The resin 16 has a function of preventing a mutual short circuit between the first and second conductive pads due to the outflow of the conductive resin bonding material, and is cured after the resin is applied onto the inner bottom portion of the base 1. Formed by. The resin may be a protrusion made of an insulating material. Further, in the state where the crystal diaphragm 2 is conductively bonded onto the first and second conductive pads 13 and 14 by the first and second conductive resin bonding materials, the crystal vibration plate 2 and the resin 16 are It is preferable that a gap exists between them. In the present invention, a base on which the protrusion 16 is not formed may be used.
本実施例では前記第1と第2の導通パッドは樹脂16を挟んで対向して形成されており、前記2つの導通パッドは突起を有する断面視階段状の段差構成となっている。当該突起は前記2つの導通パッドが対向する面側に形成されている。これにより前記2つの導電性樹脂接合材の流出による第1と第2の導通パッド間の相互短絡を防止する機能をさらに向上させるためのものであり、前記2つの導通パッドの形状は前記段差部を設けた形状に限定されるものではない。 In the present embodiment, the first and second conductive pads are formed to face each other with the resin 16 in between, and the two conductive pads have a stepped step structure with protrusions. The protrusion is formed on the surface side where the two conductive pads face each other. This is to further improve the function of preventing the mutual short circuit between the first and second conductive pads due to the outflow of the two conductive resin bonding materials, and the shape of the two conductive pads is the stepped portion. It is not limited to the shape provided with
また、本実施例では前記2つの導通パッドの間隔が前記第一の実施例における2つの導通パッドの間隙よりも小さいため、第1の実施例に比べて水晶振動素子2の保持領域がより短辺端部寄りに位置することになり、耐衝撃性能の低下を招く可能性がある。これを抑制する目的でベース内底部上には枕5が形成されている。当該枕5は前記ベース1内底部上に搭載保持された状態の水晶振動素子2の自由端側の2つのコーナー部分近傍領域の下方向の位置に2箇所形成され、樹脂やセラミックなどの絶縁材料からなる。また、枕5は水晶振動素子2の短辺方向の傾きを抑制する作用も有している。 Further, in this embodiment, since the interval between the two conductive pads is smaller than the gap between the two conductive pads in the first embodiment, the holding region of the crystal resonator element 2 is shorter than that in the first embodiment. It will be located closer to the edge and may cause a drop in impact resistance. A pillow 5 is formed on the inner bottom of the base for the purpose of suppressing this. The pillow 5 is formed at two positions in the lower area of the vicinity of the two corner portions on the free end side of the crystal resonator element 2 mounted and held on the inner bottom of the base 1, and is made of an insulating material such as resin or ceramic. Consists of. Further, the pillow 5 also has an action of suppressing the inclination of the quartz resonator element 2 in the short side direction.
図4において、水晶振動板2は例えば厚みすべり振動で駆動するATカット水晶振動板であり、X軸が長辺、Z軸が短辺、Y軸が厚み方向となる直方体形状となっている。当該水晶振動板2の表裏面には対向して平面視矩形形状の励振電極211,221(211は図示せず)が形成されており、当該励振電極各々から引出電極212,222が延出され、当該引出電極にパッド電極213,223が各々接続されている。パッド電極223(第2のパッド電極)は前記水晶振動板2の短辺端縁部分に形成されている。そして、前記2つのパッド電極213,223は水晶振動板の長辺方向(X軸方向)に延びる直線上に平面視で並列して配置されており、本実施例では前記第1と第2のパッド電極は平面視で水晶振動板2の2短辺の中心を結ぶ直線上に形成されている。前記2つのパッド電極213と223との間隙は、前記第1の実施例におけるパッド電極213と223との間隙よりも狭くなるように形成される。 In FIG. 4, a crystal diaphragm 2 is, for example, an AT-cut quartz diaphragm that is driven by thickness shear vibration, and has a rectangular parallelepiped shape in which the X axis is the long side, the Z axis is the short side, and the Y axis is the thickness direction. Exciting electrodes 211 and 221 (211 are not shown) having a rectangular shape in plan view are formed on the front and back surfaces of the quartz crystal plate 2 so as to face each other, and extraction electrodes 212 and 222 are extended from the respective excitation electrodes. The pad electrodes 213 and 223 are connected to the extraction electrode, respectively. The pad electrode 223 (second pad electrode) is formed on the short side edge portion of the crystal diaphragm 2. The two pad electrodes 213 and 223 are arranged in parallel in a plan view on a straight line extending in the long side direction (X-axis direction) of the crystal diaphragm. In the present embodiment, the first and second pads are arranged in parallel. The pad electrode is formed on a straight line connecting the centers of the two short sides of the crystal diaphragm 2 in plan view. The gap between the two pad electrodes 213 and 223 is formed to be narrower than the gap between the pad electrodes 213 and 223 in the first embodiment.
当該水晶振動板2は当該導通パッド13,14上に片持ち支持される。当該片持支持構成は導電性樹脂接合材S1,S2を用いて、パッド電極213,223と導通パッド13,14とを一対一で電気的機械的に接続する。図5(a)に示すように前記導電性樹脂接合材は、例えばペースト状のシリコーン系樹脂導電接合材であり、第1の導電性樹脂接合材S1を第1の導通パッド13上に、前記第1の導電性樹脂接合材S1と同種材料である第2の導電性樹脂接合材S21(下塗り)を第2の導通パッド14上に塗布する。その後、第2の導電性樹脂接合材S21(下塗り)に第2の導電性樹脂接合材S22(上塗り)が接合されるように搭載される。具体的には図5(b)に示すように、水晶振動板2をベース1の導通パッド13,14上に形成された第1の導電性樹脂接合材S1上と第2の導電性樹脂接合材S21上に搭載した後、第2の導電性樹脂接合材S22を介して、前記第2の導電性樹脂接合材S21と第2のパッド電極223と水晶振動板2の側端部とを導電接合する。ここで前記第2の導電性樹脂接合材S22は前記第2の導電性樹脂接合材S21と同一のものである。より具体的には水晶振動板保持ツールTにより、水晶振動板2の主面を吸引保持した状態で導通パッド13,14上に形成された第1の導電性樹脂接合材S1上と第2の導電性樹脂接合材S21上に水平搭載する。その後、図5(c)に示すように第2の導電性樹脂接合材S22が、第2のパッド電極223を覆い、第1の導電性樹脂接合材S1と対向する位置までディスペンサ等により塗布されるとともに、第2の導電性樹脂接合材S21の上に重なって水晶振動板2の一短辺端部側と接合塗布される。このとき前記第2の導電性樹脂接合材S2の形成領域は前記第1の導電性樹脂接合材S1の形成領域よりも平面視で大きく、かつ平面視で前記第1の導電性樹脂接合材S1の形成領域が、第2の導電性樹脂接合材S2の形成領域内に包含される位置にて塗布される。 The crystal diaphragm 2 is cantilevered on the conductive pads 13 and 14. In the cantilever support configuration, the pad electrodes 213 and 223 and the conductive pads 13 and 14 are electrically and mechanically connected to each other using the conductive resin bonding materials S1 and S2. As shown in FIG. 5A, the conductive resin bonding material is, for example, a paste-like silicone-based resin conductive bonding material. The first conductive resin bonding material S1 is placed on the first conductive pad 13, and the A second conductive resin bonding material S21 (undercoat), which is the same material as the first conductive resin bonding material S1, is applied onto the second conductive pad. Thereafter, the second conductive resin bonding material S22 (overcoating) is mounted so as to be bonded to the second conductive resin bonding material S21 (undercoating). Specifically, as shown in FIG. 5B, the quartz diaphragm 2 is bonded to the first conductive resin bonding material S1 formed on the conductive pads 13 and 14 of the base 1 and the second conductive resin bonding. After mounting on the material S21, the second conductive resin bonding material S21, the second pad electrode 223, and the side end portion of the crystal diaphragm 2 are electrically connected through the second conductive resin bonding material S22. Join. Here, the second conductive resin bonding material S22 is the same as the second conductive resin bonding material S21. More specifically, the first surface of the conductive resin bonding material S1 formed on the conductive pads 13 and 14 in a state where the main surface of the crystal diaphragm 2 is sucked and held by the crystal diaphragm holding tool T and the second electrode. It is horizontally mounted on the conductive resin bonding material S21. Thereafter, as shown in FIG. 5 (c), the second conductive resin bonding material S22 covers the second pad electrode 223 and is applied by a dispenser or the like up to a position facing the first conductive resin bonding material S1. At the same time, it is applied to the one side of the short side of the quartz diaphragm 2 so as to overlap the second conductive resin bonding material S21. At this time, the formation region of the second conductive resin bonding material S2 is larger in plan view than the formation region of the first conductive resin bonding material S1, and the first conductive resin bonding material S1 in plan view. The formation region is applied at a position included in the formation region of the second conductive resin bonding material S2.
ベース1の圧電素子収納部4に水晶振動板2を格納し、前述のように導電性樹脂接合材S1,S2により導電接合している。その後、必要な接合材硬化処理を行い真空雰囲気中あるいは不活性ガス雰囲気中にて気密封止を行う。本実施の形態においては、シーム溶接法を用いて前述の銀ろう層を溶融硬化させ、気密封止されている。   The crystal diaphragm 2 is housed in the piezoelectric element housing portion 4 of the base 1 and is conductively bonded by the conductive resin bonding materials S1 and S2 as described above. Thereafter, necessary bonding material curing treatment is performed, and hermetic sealing is performed in a vacuum atmosphere or an inert gas atmosphere. In the present embodiment, the above-mentioned silver brazing layer is melt-cured using a seam welding method and hermetically sealed.
本実施の形態においては平面視で水晶振動板の表面側に形成される前記第2の導電性樹脂接合材S2の形成領域内に、水晶振動板2の裏面側に形成され前記第1の導電性樹脂接合材S1の形成領域が内包され、相互にはみ出さないことが好ましい。このように前記第2の導電性樹脂接合材S2の形成領域内に、前記第1の導電性樹脂接合材S1の形成領域が内包されることから実質1点だけで水晶振動板2と前記導通パッドが接合されることになり、従来のように水晶振動板の一短辺方向に並列して2箇所が導電性樹脂接合材によってベースと接合される場合よりも、水晶振動素子に及ぼす導電性樹脂接合材の硬化による収縮応力が1点に集中し、収縮応力の影響を減少させることができる。これにより前記収縮応力に起因する歪を抑制することができるため周波数経年変化(エージング特性)を改善することができる。 In the present embodiment, the first conductive material is formed on the back surface side of the crystal diaphragm 2 in the formation region of the second conductive resin bonding material S2 formed on the front surface side of the crystal diaphragm in plan view. It is preferable that the formation region of the conductive resin bonding material S1 is included and does not protrude from each other. As described above, since the formation region of the first conductive resin bonding material S1 is included in the formation region of the second conductive resin bonding material S2, the continuity between the quartz diaphragm 2 and the crystal diaphragm 2 is substantially reduced. Compared to the case where the pad is bonded and the two places are bonded to the base by the conductive resin bonding material in parallel with one short side direction of the quartz diaphragm as in the conventional case, the conductivity exerted on the quartz vibrating element The shrinkage stress due to the hardening of the resin bonding material is concentrated at one point, and the influence of the shrinkage stress can be reduced. Thereby, since the distortion resulting from the said contraction stress can be suppressed, a frequency secular change (aging characteristic) can be improved.
なお、上記実施の形態において、気密封止方法として蓋体に形成された金属ろう材をシーム溶接により接合した構成であるが、金属リング体をベースの開口部に形成し、当該金属リング体と蓋体とをシーム溶接あるいは電子ビーム等のエネルギービーム溶接により接合してもよいし、ベースと蓋体とを金属ろう材により加熱雰囲気下で接合する方法を採用することも可能である。 In the above embodiment, the metal brazing material formed on the lid body is joined by seam welding as an airtight sealing method, but the metal ring body is formed at the opening of the base, and the metal ring body and The lid may be joined by seam welding or energy beam welding such as an electron beam, or a method of joining the base and the lid in a heated atmosphere with a metal brazing material may be employed.
また、上述した実施の形態においては、ベースを用いた表面実装型の水晶振動子について例示したが、本発明はガラスを主材料としたベースや金属を主体としたベースに適用することもできる。また水晶フィルタや他の電子素子を一体的に収納した水晶発振器についても適用することができる。 Further, in the above-described embodiment, the surface mount type crystal resonator using the base is exemplified, but the present invention can be applied to a base mainly made of glass or a base mainly made of metal. The present invention can also be applied to a crystal oscillator in which a quartz filter and other electronic elements are integrally stored.
本発明は、その精神または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形で実施することができる。そのため、上述の実施の形態はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示すものであって、明細書本文には、なんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内のものである。   The present invention can be implemented in various other forms without departing from the spirit or main features thereof. Therefore, the above-described embodiment is merely an example in all respects and should not be interpreted in a limited manner. The scope of the present invention is indicated by the claims, and is not restricted by the text of the specification. Further, all modifications and changes belonging to the equivalent scope of the claims are within the scope of the present invention.
水晶振動デバイスの量産に適用できる。   Applicable for mass production of crystal vibrating devices.
本発明による第1の実施形態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows 1st Embodiment by this invention. 本発明による第1の実施形態を示す図である。It is a figure which shows 1st Embodiment by this invention. 本発明による第1の実施形態の製造方法を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of 1st Embodiment by this invention. 本発明による第2の実施形態を示す図である。It is a figure which shows 2nd Embodiment by this invention. 本発明による第2の実施形態の製造方法を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing method of 2nd Embodiment by this invention.
符号の説明Explanation of symbols
1 ベース
2 水晶振動板(水晶振動素子)
3 蓋体
4 圧電素子収納部
5 枕
11 堤部
11a 第1の金属膜層
12 開口部
13 第1の導通パッド
14 第2の導通パッド
15 突起(絶縁材)
16 樹脂
17,18 外部接続電極
31 第2の金属膜層
211,221 励振電極
212,222 引出電極
213 第1のパッド電極
223 第2のパッド電極
S1 第1の導電性樹脂接合材
S2 第2の導電性樹脂接合材
S21 第2の導電性樹脂接合材(下塗り)
S22 第2の導電性樹脂接合材(上塗り)
1 Base 2 Crystal diaphragm (Crystal oscillator)
3 Lid 4 Piezoelectric Element Storage Unit 5 Pillow 11 Bank 11a First Metal Film Layer 12 Opening 13 First Conductive Pad 14 Second Conductive Pad 15 Protrusion (Insulating Material)
16 Resins 17 and 18 External connection electrode 31 Second metal film layers 211 and 221 Excitation electrodes 212 and 222 Extraction electrode 213 First pad electrode 223 Second pad electrode S1 First conductive resin bonding material S2 Second Conductive resin bonding material S21 Second conductive resin bonding material (undercoat)
S22 Second conductive resin bonding material (overcoating)

Claims (4)

  1. 平面視矩形形状の水晶振動素子を保持するベースと当該水晶振動素子を気密封止する蓋体を有してなる水晶振動デバイスにおいて、前記ベースは内底面上に、外部端子に導出する第1と第2の導通パッドからなる2つの導通パッドを具備しており、
    前記水晶振動素子は表裏面に一対の励振電極および当該励振電極と接続された引出電極と、当該引出電極に接続された一対のパッド電極とを有しており、前記一対のパッド電極は水晶振動素子の裏面側に形成された第1のパッド電極と、水晶振動素子の表面側の短辺近傍に形成された第2のパッド電極とから成り、第1のパッド電極と第2のパッド電極は水晶振動素子の長辺方向に延びる直線上に、平面視で並列して形成されており、
    前記第1の導通パッド上に第1の導電性樹脂接合材を介して前記第1のパッド電極が接合され、前記第2の導通パッド上に第2の導電性樹脂接合材を介して前記水晶振動素子の短辺側の一端部と前記第2のパッド電極とが接合されていることを特徴とする水晶振動デバイス。
    In a crystal resonator device having a base for holding a crystal resonator element having a rectangular shape in plan view and a lid for hermetically sealing the crystal resonator element, the base is provided on the inner bottom surface and led to an external terminal. Comprising two conductive pads comprising a second conductive pad;
    The quartz resonator element has a pair of excitation electrodes on the front and back surfaces, an extraction electrode connected to the excitation electrode, and a pair of pad electrodes connected to the extraction electrode. The first pad electrode formed on the back side of the element and the second pad electrode formed in the vicinity of the short side on the surface side of the crystal resonator element. The first pad electrode and the second pad electrode are It is formed in parallel on a straight line extending in the long side direction of the crystal resonator element in plan view,
    The first pad electrode is bonded to the first conductive pad via a first conductive resin bonding material, and the quartz crystal is bonded to the second conductive pad via a second conductive resin bonding material. A quartz-crystal vibrating device, characterized in that one end on the short side of a vibrating element and the second pad electrode are joined.
  2. 前記第1のパッド電極と第2のパッド電極が、平面視で前記水晶振動素子の2短辺の中心を結ぶ直線上に形成されていることを特徴とする請求項1記載の水晶振動デバイス。 2. The crystal vibration device according to claim 1, wherein the first pad electrode and the second pad electrode are formed on a straight line connecting the centers of two short sides of the crystal vibration element in a plan view.
  3. 前記第1と第2の導通パッド間に絶縁材が形成されていることを特徴とする請求項1及至2のいずれか1項記載の水晶振動デバイス。 The quartz crystal vibration device according to claim 1, wherein an insulating material is formed between the first and second conductive pads.
  4. 前記第2の導電性樹脂接合材が、前記第1の導電性樹脂接合材より大きく形成され、平面視で第1の導電性樹脂接合材の形成領域が第2の導電性樹脂接合材の形成領域内に包含されるように配置されてなる請求項1及至3のいずれか1項記載の水晶振動デバイス。   The second conductive resin bonding material is formed larger than the first conductive resin bonding material, and a formation region of the first conductive resin bonding material is formed as a second conductive resin bonding material in a plan view. 4. The crystal resonator device according to claim 1, wherein the crystal resonator device is disposed so as to be included in the region.
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010067729A (en) * 2008-09-10 2010-03-25 Ngk Spark Plug Co Ltd Manufacturing method of ceramic package
JP2010081308A (en) * 2008-09-26 2010-04-08 Seiko Epson Corp Mounting structure of electronic component and method of manufacturing electronic component
JP2010087715A (en) * 2008-09-30 2010-04-15 Kyocera Kinseki Corp Piezoelectric device
JP2010109879A (en) * 2008-10-31 2010-05-13 Kyocera Kinseki Corp Piezoelectric device
JP2010178114A (en) * 2009-01-30 2010-08-12 Kyocera Kinseki Corp Piezoelectric device
JP2011176884A (en) * 2011-06-02 2011-09-08 Seiko Epson Corp Mounting structure of electronic component and method of manufacturing electronic component
WO2015155995A1 (en) * 2014-04-11 2015-10-15 セイコーエプソン株式会社 Electronic device, electronic apparatus, and moving body
JP2015204479A (en) * 2014-04-11 2015-11-16 セイコーエプソン株式会社 Electronic device, electronic equipment and mobile object
JP2015204480A (en) * 2014-04-11 2015-11-16 セイコーエプソン株式会社 Electronic device, electronic equipment and mobile object

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010067729A (en) * 2008-09-10 2010-03-25 Ngk Spark Plug Co Ltd Manufacturing method of ceramic package
JP2010081308A (en) * 2008-09-26 2010-04-08 Seiko Epson Corp Mounting structure of electronic component and method of manufacturing electronic component
JP2010087715A (en) * 2008-09-30 2010-04-15 Kyocera Kinseki Corp Piezoelectric device
JP2010109879A (en) * 2008-10-31 2010-05-13 Kyocera Kinseki Corp Piezoelectric device
JP2010178114A (en) * 2009-01-30 2010-08-12 Kyocera Kinseki Corp Piezoelectric device
JP2011176884A (en) * 2011-06-02 2011-09-08 Seiko Epson Corp Mounting structure of electronic component and method of manufacturing electronic component
WO2015155995A1 (en) * 2014-04-11 2015-10-15 セイコーエプソン株式会社 Electronic device, electronic apparatus, and moving body
JP2015204479A (en) * 2014-04-11 2015-11-16 セイコーエプソン株式会社 Electronic device, electronic equipment and mobile object
JP2015204480A (en) * 2014-04-11 2015-11-16 セイコーエプソン株式会社 Electronic device, electronic equipment and mobile object
CN106134076A (en) * 2014-04-11 2016-11-16 精工爱普生株式会社 Electronic device, electronic equipment and moving body
TWI657659B (en) * 2014-04-11 2019-04-21 日商精工愛普生股份有限公司 Electronic device, electronic device and moving body
CN106134076B (en) * 2014-04-11 2019-06-07 精工爱普生株式会社 Electronic device, electronic equipment and moving body
US10418969B2 (en) 2014-04-11 2019-09-17 Seiko Epson Corporation Electronic device, electronic apparatus, and vehicle

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