JP2006209019A - 配線接続方法、レチクル、及び半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ショットずれが発生する場合にも、ショット領域間を跨ぐ配線接続を正常に行い得る配線接続方法を提供すること。
【解決手段】レチクル１には、ウェハ上のチップ領域４内に転写する配線パターン５（５ａ，５ｂ）と、スクライブ領域６内に転写する配線パターン７（７ａ，７ｂ）とが形成されている。それら各配線パターン５，７のうち、ショット領域間を跨ぐ態様でチップ領域４内の配線パターン５ａに対して接続されるスクライブ領域６内の配線パターン７ａには、同配線パターン５ａとオーバーラップして接続されるオーバーラップ配線部ＯＬが形成されている。
【選択図】 図１

Description

本発明は、配線接続方法、レチクル、及び、そのレチクルを使用して製造される半導体装置に関するものである。
近年、例えば電子商取引などで使用されるＩＣカードが普及している。このＩＣカードには、個人認証や電子マネーなど、極めて機密性の高い情報が書き込まれたＩＣチップが搭載されている。ＩＣチップは、一般には不揮発性メモリ、例えば強誘電体不揮発性メモリ（ＦｅＲＡＭ）などにより構成されている。このような機密情報を扱う用途に使用されるＩＣチップにあっては、その製造工程でも高いレベルでのセキュリティーの確保が要求されている。

従来、この種のＩＣチップ（半導体装置）を製造する製造工程においては、チップ内部の記憶領域に書き込まれた機密情報を保護するための方法が種々採用されている。例えば、特許文献１に記載されているセキュリティー保護の方法では、半導体装置の試験工程で使用されるモニターパッドや記憶領域へのアクセスコードが書き込まれた認証回路などをチップ領域間のスクライブ領域に形成し、チップ加工の際に、ダイシングによりこれらを破壊することによって第三者からの不正アクセスを防止するようにしている。すなわち、スクライブ領域に形成されたモニターパッドや認証回路などが、ダイシングの際に、スクライブ領域とともに切り落とされることにより、ウェハを切断した後に、チップ内の記憶領域から書き込みデータが読み出されたり、その書き込みデータが改ざんされるのを防ぐことができる。

ところで、このようなセキュリティー保護の方法を採用するには、チップ領域内に形成される配線パターンと、スクライブ領域内に形成される配線パターンとを互いに接続する必要がある。この際、チップ領域とスクライブ領域とを配線接続する態様としては、次の２種類が考えられる。

図７（ａ）は、第１の態様による配線接続イメージを模式的に示す平面図である。この第１の態様は、ウェハ１０上の隣り合うチップ領域１１間に挟まれるスクライブ領域１２内に配置される各パッド１３を、それぞれ引き出し配線１４，１５を介して、スクライブ領域１２の片側のチップ領域１１内に配置される各回路（記憶領域）１６，１７に接続したものである。この第１の態様では、各パッド１３の引き出し配線１４，１５がスクライブ領域１２から引き出される方向が一方向のみであるため、後述するように、チップ領域１１とスクライブ領域１２との間の配線接続をショット領域（一度の露光でウェハ１０に転写することのできる範囲）間を跨いで行う際にも、それらショット領域の位置決め精度をそれほど必要とせずとも行うことができる。しかしながら、この態様では、チップ領域１１内で各回路１６，１７を配置する位置が制限されるだけでなく、チップ領域１１内で余分な配線の引き回しを行うことが必要となり、結果、レイアウト作業の長期化、チップサイズの拡大を招くといった問題があった。

図７（ｂ）は、第２の態様による配線接続イメージを模式的に示す平面図である。この第２の態様は、ウェハ１０上の隣り合うチップ領域１１間に挟まれるスクライブ領域１２内に配置される各パッド１３を、それぞれ引き出し配線１４，１８を介して、スクライブ領域１２の両側のチップ領域１１内に配置される各回路１６，１７に接続したものである。この第２の態様では、スクライブ領域１２を挟む両側のチップ領域１１に引き出し配線１４，１８が引き出されることにより、上記第１の態様で生じるようなチップレイアウトの制約（回路、配線の配置制限）を大幅に軽減することができる。こうした点から、製造コストの低減及びチップの更なる小型化を図る上では、第１の態様よりも第２の態様による接続形態のほうが好ましい。

図８は、上記第２の態様による接続形態の配線パターンをウェハ上にパターン転写する際に使用する従来のレチクル２１（マスクともいう）を模式的に示す平面図である。このレチクル２１（レチクル基板）は、レチクルカバーとして形成される枠状の遮光帯２２を周囲に有し、露光時のショット領域となる同遮光帯２２の内部には、ウェハ２３（図９）上のチップ領域２４内に形成する配線パターン２５と、スクライブ領域２６内に形成する配線パターン２７とが形成されている。なお、レチクル２１には、一度の露光で、ウェハ２３上の複数チップ（例えば２×２の４チップ）分のチップ領域２４とその周囲のスクライブ領域２６とにそれぞれパターン転写するのに必要な配線パターン２５，２７が形成されている。

ショット領域の左端のスクライブ領域２６内には、いわゆるステップ・アンド・リピート方式によってウェハ２３を露光する際に、スクライブ領域２６内に先に露光された配線パターン２７がショット領域間での多重露光により消失するのを防ぐための遮光帯２８が形成されている。この遮光帯２８は、スクライブ幅Ｗｓに対応した幅で形成されている。

各チップ領域２４内に形成される配線パターン２５は、それぞれチップ領域２４の両側に引き出される配線パターン２５ａ，２５ｂを有している。また、スクライブ領域２６内に形成される配線パターン２７は、上記チップ領域２４内に形成される配線パターン２５ａ，２５ｂにそれぞれ接続される配線パターン２７ａ，２７ｂを有している。すなわちショット領域において、隣り合う２つのチップ領域２４の間に挟まれるスクライブ領域２６内には、その両隣のチップ領域２４のうち、一方のチップ領域２４内に形成される配線パターン２５ａに対して接続される配線パターン２７ａと、他方のチップ領域２４内に形成される配線パターン２５ｂに対して接続される配線パターン２７ｂとが形成されている。ショット領域の左側の２つのチップ領域２４内に形成される配線パターン２５ａと、ショット領域の右端のスクライブ領域２６内に形成される配線パターン２７ａとは、ショット領域間を跨いで接続される位置に配置されている。

図９は、このレチクル２１を使用してウェハ２３を露光する際のショット展開イメージを模式的に示す平面図である。なお、図は２ショット分の展開例を示す。
まず、ウェハ２３上のショット領域Ｓ１を露光する。次に、ショット領域間でスクライブ領域２６が重なり合うように、ウェハ２３を図中右方向に距離Ｌシフトさせ（具体的にはウェハ２３を載置しているステージを移動させる）、ショット領域Ｓ２を露光する。その際、ショット領域Ｓ１の露光時に右端のスクライブ領域２６内に形成される配線パターン２７ａ，２７ｂは、ショット領域Ｓ２の露光時に遮光帯２８によって多重露光が禁止される。これにより、配線パターン２７ａ，２７ｂの消失は防がれる。また、このとき遮光帯２８はスクライブ幅Ｗｓ（図８）に対応した幅で形成されているため、ショット領域間を跨ぐスクライブ領域２６内の配線パターン２７ａとチップ領域２４内の配線パターン２５ａとの接続も正常に行われる。
特開２００１−１３５５９７号公報

しかしながら、上記従来のレチクル２１を使用してウェハ２３にパターン転写する方法では、ショット領域間でステージ移動誤差等に起因した露光位置のずれ（以下「ショットずれ」という）が発生すると、それらショット領域間を跨ぐチップ領域２４とスクライブ領域２６との間の配線接続を保証できなくなるという問題があった。

例えば、図１０に示すように、ショット領域Ｓ１に対するショット領域Ｓ２の露光位置がそれらショット領域間で図中右方向にずれ量ｄでずれると、ショット領域Ｓ１の露光時に遮光帯２２（レチクルカバー：図８）により遮光される領域（図中、一点鎖線の外側の領域）と、ショット領域Ｓ２の露光時に遮光帯２８により遮光される領域とが重複することにより、その重複部分がレジストの感光されない未露光領域として発生する。その結果、図１１に示すように、その未露光領域の部分が不要なパターン２９として配線パターン２５ａ，２７ａの間に形成され、それらショット領域間を跨ぐ接続個所で接続不良（この場合はショート）が発生する。

このように、ショット領域間を跨いで配線接続を行う場合には、それら各ショット領域の露光位置にずれ（ショットずれ）が僅かでも生じると接続不良が発生する。したがって、露光時には、こうした各ショット領域の露光位置を高精度に位置決めすることが要求される。しかしながら、このようなショットずれを現実に皆無とすることは難しく、実際には露光装置の機械的な位置ずれ等に起因するショットずれが生じる。このため、接続保証の点から、上記のようなショット領域間を跨ぐ配線接続を行うことが事実上困難となっていた。

この発明は、こうした従来の実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、ショットずれが発生する場合にもショット領域間を跨ぐ配線接続を正常に行い得る配線接続方法、レチクル、及びそのレチクルを使用して製造される半導体装置を提供することにある。

上記の目的を達成するため、請求項１に記載の発明によれば、ウェハ上の複数のショット領域に順次転写されることにより同ウェハ上に形成される配線パターンのうち、ショット領域間を跨いで接続される配線パターン同士は互いにオーバーラップして接続される。これにより、ショット領域間で露光位置のずれ（いわゆるショットずれ）が発生しなかった場合はもとより、そのようなショットずれが発生した場合にも、そのずれを吸収してそれら互いの配線パターン間の接続を保証することができる。

請求項２に記載の発明によれば、ウェハ上の複数のショット領域に順次転写されることにより同ウェハ上のチップ領域とスクライブ領域とにそれぞれ形成される配線パターンのうち、ショット領域間を跨いで接続されるチップ領域内の配線パターンとスクライブ領域内の配線パターンとは互いにオーバーラップして接続される。これにより、ショット領域間で露光位置のずれ（ショットずれ）が発生しなかった場合はもとより、そのようなショットずれが発生した場合にも、そのずれを吸収してチップ領域内の配線パターンとスクライブ領域内の配線パターンとの接続を保証することができる。

請求項３に記載の発明によれば、ショット領域間を跨いで接続される互いの配線パターン間のオーバーラップ量は当該ショット領域間で生じ得る露光位置のずれを吸収することのできる値に設定されている。これにより、各ショット領域の露光位置が予想し得るショットずれの範囲内にて維持される限り、ショットずれが発生しても、そのずれを吸収して配線間の接続を保証することができる。

請求項４に記載の発明によれば、ウェハ上の複数のショット領域に順次転写するための配線パターンが形成されたレチクルにおいて、ショット領域を跨いで接続するチップ領域内の配線パターンとスクライブ領域内の配線パターンとのうちいずれか一方の配線パターンには、他方の配線パターンをオーバーラップさせて接続するためのオーバーラップ配線部が形成されている。これにより、ショット領域間で露光位置のずれ（ショットずれ）が発生しなかった場合はもとより、そのようなショットずれが発生した場合にも、そのずれを吸収して、チップ領域内の配線パターンとスクライブ領域内の配線パターンとの接続を保証することができる。

請求項５に記載の発明によれば、上記請求項４に記載のレチクルを使用して半導体装置が製造される。ここで半導体装置とは、上記レチクルを用いてパターン転写されたウェハ又はパターン転写後のウェハをダイシングにより分離したチップをいう。すなわち、上記レチクルを用いてウェハの製造を行うことにより、チップ領域とスクライブ領域との間の配線接続を保証したウェハを製作することができ、ひいては、機密情報を扱う用途に使用されるチップを製作することができるようになる。

上記した発明によれば、ショットずれが発生した場合にも、ショット領域間を跨ぐ配線接続を正常に行い得る配線接続方法、レチクル、及びそのレチクルを使用して製造される半導体装置を提供することができる。

以下、本発明にかかる配線接続方法を使用して半導体装置（ウェハ及びウェハに形成するチップ）を製造する一実施の形態を図面に従って説明する。
図１は、本実施の形態の配線接続方法において使用するレチクルを模式的に示す平面図であり、（ａ）は全体イメージ、（ｂ）は（ａ）の一部拡大イメージを示す。

このレチクル１（レチクル基板）は、レチクルカバーとして形成される枠状の遮光帯２を周囲に有し、露光時のショット領域となる同遮光帯２の内部には、ウェハ３（図２）上のチップ領域４内に形成する配線パターン５と、スクライブ領域６内に形成する配線パターン７とが形成（描画）されている。なお、このレチクル１には、一度の露光で、ウェハ３上の複数チップ（例えば２×２の４チップ）分のチップ領域４とその周囲のスクライブ領域６とにそれぞれパターン転写するのに必要な配線パターン５，７が形成されている。

ショット領域の左端のスクライブ領域６内には、いわゆるステップ・アンド・リピート方式によってウェハ３を露光する際に、スクライブ領域６内に先に露光された配線パターン７がショット領域間での多重露光により消失するのを防ぐための遮光帯８が形成されている。この遮光帯８は、スクライブ幅Ｗｓに対応した幅で形成されている。

各チップ領域４内に形成される配線パターン５は、それぞれチップ領域４の両側に引き出される配線パターン５ａ，５ｂを有している。また、スクライブ領域６内に形成される配線パターン７は、上記チップ領域４内に形成される配線パターン５ａ，５ｂにそれぞれ接続される配線パターン７ａ，７ｂを有している。すなわちショット領域において、隣り合う２つのチップ領域４の間に挟まれるスクライブ領域６内には、その両隣のチップ領域４のうち、一方のチップ領域４内に形成される配線パターン５ａに対して接続される配線パターン７ａと、他方のチップ領域４内に形成される配線パターン５ｂに対して接続される配線パターン７ｂとが形成されている。ショット領域の左側の２つのチップ領域４内に形成される配線パターン５ａと、ショット領域の右端のスクライブ領域６内に形成される配線パターン７ａとは、ショット領域間を跨いで接続される位置に配置されている。

図１（ｂ）に示すように、上記ショット領域間を跨いでチップ領域４内の配線パターン５ａと接続されるスクライブ領域６内の配線パターン７ａには、それら互いの配線パターン５ａ，７ａを所定量でオーバーラップさせて接続するためのオーバーラップ配線部ＯＬがスクライブ領域６からチップ領域４（図中破線で示す）に延出して形成されている。このオーバーラップ配線部ＯＬの配線長Ｅｘ、すなわち、配線パターン５ａ，７ａのオーバーラップ量は、ショット領域間で生じる露光位置のずれ（ショットずれ）量をあらかじめ想定（通常０．１〜０．２μｍ程度）して、そのずれを吸収し両配線間の接続を保証することのできる十分な値に設定されている。

このようなレチクル１は、遮光帯２，８の製造データ及びスクライブ領域６内に形成する配線パターン７ａ，７ｂの製造データ（一般には、これらをフレームデータとして扱う）と、チップ領域４内に形成する配線パターン５ａ，５ｂの製造データとの合成データを用いて、レチクル基板上にレチクル描画機で露光することにより製作される。

次に、上記のように構成されたレチクル１を使用してウェハ３を露光（パターン転写）し、チップ領域４内の配線パターン５ａ，５ｂと、スクライブ領域６内の配線パターン７ａ，７ｂとを接続する方法を、ショットずれが発生した場合と、ショットずれが発生しなかった場合とに分けて説明する。

まず、ショットずれが発生しなかった場合について説明する。
図２は、ショットずれが発生しなかった場合のショット展開イメージを示す平面図である。なお、図では２ショット分の展開例について示す。図３は、図２に示すパターン転写後のウェハ３の出来上がりイメージを示す平面図である。

図２に示すように、ショットずれが発生しなかった場合には、ショット領域Ｓ１の露光位置に対して、ショット領域間でスクライブ領域６が重なり合うように、ウェハ３が図中右方向に距離Ｌシフトされてショット領域Ｓ２が露光される。その際、ショット領域Ｓ１の露光時に右端のスクライブ領域６内に形成される配線パターン７ａ，７ｂは、ショット領域Ｓ２の露光時に遮光帯８によって遮光される。これにより、ショット領域Ｓ１，Ｓ２間での多重露光によって上記配線パターン７ａ，７ｂが消失することは防止される。また、このときショット領域Ｓ１，Ｓ２間を跨いで接続されるチップ領域４内の配線パターン５ａとスクライブ領域６内の配線パターン７ａとは、その配線パターン７ａに形成されているオーバーラップ配線部ＯＬが、その配線長Ｅｘ（図１参照）の分だけチップ領域４内で配線パターン５ａと重なり合って接続される。これにより、図３に示すように、上記ショット領域Ｓ１，Ｓ２間を跨ぐ配線パターン５ａ，７ａの接続は正常に行われる。

次に、ショットずれが発生した場合について説明する。
図４は、ショットずれが発生した場合のショット展開イメージを示す平面図である。なお、図では２ショット分の展開例について示す。図５は、図４に示すショットずれの発生部分を拡大して示す平面図である。図６は、図４に示すパターン転写後のウェハ３の出来上がりイメージを示す平面図である。

図４，図５に示すように、ショット領域Ｓ１に対するショット領域Ｓ２の露光位置がそれらショット領域Ｓ１，Ｓ２間で図中右方向にずれ量（ショットずれ量）ｄでずれる場合には、そのずれ量ｄが上記オーバーラップ配線部ＯＬの配線長Ｅｘを超えない限り、それらショット領域Ｓ１，Ｓ２間を跨ぐ配線パターン５ａ，７ａの接続は正常に行われる。この場合、図６に示すように、ショット領域Ｓ１，Ｓ２間を跨ぐ配線接続個所ではスクライブ幅Ｗｓがずれ量ｄに相当する分にて大きくなる。すなわち、ショット領域Ｓ１に対するショット領域Ｓ２のずれ量ｄがオーバーラップ配線部ＯＬの配線長Ｅｘよりも小さい場合には、それらショット領域Ｓ１，Ｓ２間を跨いで接続される配線パターン５ａ，７ａが、「配線長Ｅｘ−ずれ量ｄ」の分だけ重なり合って接続される。また、ショット領域Ｓ１に対するショット領域Ｓ２のずれ量ｄがオーバーラップ配線部ＯＬの配線長Ｅｘと同じである場合（図４〜図６にはこの場合を示す）には、それらショット領域Ｓ１，Ｓ２間を跨いで接続される配線パターン５ａ，７ａは重なり合うことなく接続される。

なお、ショット領域Ｓ１に対するショット領域Ｓ２のずれ量ｄがオーバーラップ配線部ＯＬの配線長Ｅｘを上回っている場合には接続不良が生じることとなるが、上記したように、オーバーラップ配線部ＯＬの配線長Ｅｘは、発生し得るショットずれの量をあらかじめ想定（通常０．１〜０．２μｍ程度）して、このずれを吸収し得る十分な値に設定されている。したがって、各ショット領域の露光位置がそのような予想し得るずれ量の範囲内に維持される限り、ショットずれが発生した場合にも、そのずれを吸収してショット領域Ｓ１，Ｓ２間を跨ぐ配線パターン５ａ，７ａの接続を保証することができる。

以上記述したように、本実施の形態によれば、以下の効果を奏する。
（１）ショット領域Ｓ１，Ｓ２間を跨いで接続するチップ領域４内の配線パターン５ａとスクライブ領域６内の配線パターン７ａとを、同配線パターン７ａに延出形成したオーバーラップ配線部ＯＬの配線長Ｅｘの分だけオーバーラップさせて接続するようにした。これにより、ショットずれが発生しなかった場合はもとより、そのようなショットずれが発生した場合にも、そのずれを吸収してそれら配線パターン５ａ，７ａ間の接続を保証することができる。

（２）オーバーラップ配線部ＯＬの配線長Ｅｘを、ショット領域Ｓ１，Ｓ２間で発生し得るショットずれのずれ量ｄを想定して、そのずれを吸収することのできる値に設定した。これにより、各ショット領域Ｓ１，Ｓ２の露光位置が予想し得るショットずれの範囲内に維持される限り、ショットずれが発生しても、そのずれを吸収して配線間の接続を保証することができる。

（３）本実施の形態のレチクル１を使用してウェハ３の製造を行うことにより、チップ領域４とスクライブ領域６との間の配線接続を保証したウェハ３を製作することができる。ひいては、機密情報を扱う用途に使用されるチップを製作することができる。

なお、上記実施の形態は、以下に示す各変形例の態様で実施してもよい。
・上記実施の形態では、ショット領域Ｓ１，Ｓ２間を跨いで接続すべき配線パターンをチップ領域４内の配線パターン５ａとスクライブ領域６内の配線パターン７ａとしたが、必ずしもこれらに限定されない。すなわち、本発明の技術的思想は、ショット領域Ｓ１，Ｓ２間を跨いで接続すべき配線パターン同士を互いにオーバーラップさせる態様で接続する点を特徴とする。

・上記実施の形態では、ショット領域Ｓ１，Ｓ２間を跨いで接続するチップ領域４内の配線パターン５ａとスクライブ領域６内の配線パターン７ａとをチップ領域４内においてオーバーラップさせる態様としたが、それら互いの配線パターン５ａ，７ａをスクライブ領域６内においてオーバーラップさせる態様としてもよい。この場合には、オーバーラップ配線部ＯＬを配線パターン５ａ側に（スクライブ領域６に向かって）延出形成するようにすればよい。

以下に、上記実施の形態及び各変形例から把握できる技術的思想を付記する。
（付記１）レチクルに描画された配線パターンをウェハ上の複数のショット領域に順次転写することにより、前記ウェハ上に形成する配線パターンを接続する配線接続方法であって、
前記ショット領域間を跨いで接続すべき配線パターン同士を互いにオーバーラップさせて接続することを特徴とする配線接続方法。
（付記２）レチクルに描画された配線パターンをウェハ上の複数のショット領域に順次転写することにより、前記ウェハ上のチップ領域内に形成する配線パターンと、前記チップ領域間のスクライブ領域内に形成する配線パターンとを接続する配線接続方法であって、
前記ショット領域間を跨いで接続する前記チップ領域内の配線パターンと前記スクライブ領域内の配線パターンとを互いにオーバーラップさせて接続することを特徴とする配線接続方法。
（付記３）前記ショット領域間を跨いで接続する前記チップ領域内の配線パターンと前記スクライブ領域内の配線パターンとを前記チップ領域内で互いにオーバーラップさせて接続する、付記２記載の配線接続方法。
（付記４）前記ショット領域間を跨いで接続する前記チップ領域内の配線パターンと前記スクライブ領域内の配線パターンとを前記スクライブ領域内で互いにオーバーラップさせて接続する、付記２記載の配線接続方法。
（付記５）前記ショット領域間を跨いで接続する互いの配線パターン間のオーバーラップ量を前記ショット領域間で生じ得る露光位置のずれを吸収する値に設定した、付記１乃至４のいずれか一記載の配線接続方法。
（付記６）ウェハ上の複数のショット領域に順次転写することにより、前記ウェハ上のチップ領域内に形成する配線パターンと、前記チップ領域間のスクライブ領域内に形成する配線パターンとを接続するための配線パターンが描画されたレチクルであって、
前記ショット領域間を跨いで接続する前記チップ領域内の配線パターンと前記スクライブ領域内の配線パターンとのうちいずれか一方の配線パターンに、他方の配線パターンをオーバーラップさせて接続するためのオーバーラップ配線部を形成したことを特徴とするレチクル。
（付記７）付記６記載のレチクルを使用して製造された半導体装置。

一実施の形態の配線接続方法で使用するレチクルを示す平面図であり、（ａ）はレチクルの全体イメージ、（ｂ）は本発明における要部を拡大したイメージを示す。 ショットずれが発生しなかった場合のショット展開イメージを示す平面図。 ショットずれが発生しなかった場合のウェハ出来上がりイメージを示す平面図。 ショットずれが発生した場合のショット展開イメージを示す平面図。 ショットずれの発生部分を拡大して示す平面図。 ショットずれが発生した場合のウェハ出来上がりイメージを示す平面図。 スクライブ領域−チップ領域間の配線接続イメージを示す平面図であり、（ａ）はスクライブ領域の片側のチップ領域に配線を引き出す例、（ｂ）はスクライブ領域の両側のチップ領域に配線を引き出す例を示す。 従来方法で使用するレチクルを示す平面図。 従来方法によるショット展開イメージを示す平面図。 従来方法によるショットずれが発生した場合のショット展開イメージを示す平面図。 従来方法によるショットずれが発生した場合のウェハ出来上がりイメージを示す平面図。

符号の説明

１ レチクル
２ 遮光帯（レチクルカバー）
３ ウェハ
４ チップ領域
５，５ａ，５ｂ チップ領域内の配線パターン
６ スクライブ領域
７，７ａ，７ｂ スクライブ領域内の配線パターン
８ 遮光帯
ＯＬ オーバーラップ配線部
Ｅｘ オーバーラップ配線部の配線長
Ｓ１，Ｓ２ ショット領域
ｄ ショット領域間のずれ量
Ｗｓ スクライブ幅
Ｌ ショット領域間の距離

Claims (5)

1. レチクルに描画された配線パターンをウェハ上の複数のショット領域に順次転写することにより、前記ウェハ上に形成する配線パターンを接続する配線接続方法であって、
   前記ショット領域間を跨いで接続すべき配線パターン同士を互いにオーバーラップさせて接続することを特徴とする配線接続方法。
2. レチクルに描画された配線パターンをウェハ上の複数のショット領域に順次転写することにより、前記ウェハ上のチップ領域内に形成する配線パターンと、前記チップ領域間のスクライブ領域内に形成する配線パターンとを接続する配線接続方法であって、
   前記ショット領域間を跨いで接続する前記チップ領域内の配線パターンと前記スクライブ領域内の配線パターンとを互いにオーバーラップさせて接続することを特徴とする配線接続方法。
3. 前記ショット領域間を跨いで接続する互いの配線パターン間のオーバーラップ量を前記ショット領域間で生じ得る露光位置のずれを吸収する値に設定した、
   請求項１又は２記載の配線接続方法。
4. ウェハ上の複数のショット領域に順次転写することにより、前記ウェハ上のチップ領域内に形成する配線パターンと、前記チップ領域間のスクライブ領域内に形成する配線パターンとを接続するための配線パターンが描画されたレチクルであって、
   前記ショット領域間を跨いで接続する前記チップ領域内の配線パターンと前記スクライブ領域内の配線パターンとのうちいずれか一方の配線パターンに、他方の配線パターンをオーバーラップさせて接続するためのオーバーラップ配線部を形成したことを特徴とするレチクル。
5. 請求項４記載のレチクルを使用して製造された半導体装置。

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