JP2006196925A - 配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 薄型で配線パターンが高密度に形成された配線基板を製造可能とする。
【解決手段】 コア基板１０の基板面上に接着層４０ａを介して第１の金属層４１を接着し、該第１の金属層４１に第２の金属層４２を真空吸着し、該第２の金属層４２の表面上に、ビルドアップ法により絶縁層４６を介して層間で配線パターン４４が電気的に接続された積層体５０を形成した後、前記第１の金属層４１と第２の金属層４２との間の真空を破ることにより、前記第１の金属層４１から、前記第２の金属層４２を前記積層体５０とともに分離し、該積層体５０に所要の処理を施して配線基板を形成することを特徴とする。
【選択図】 図３

Description

本発明は配線基板の製造方法に関し、より詳細には、薄型で高密度配線が可能な配線基板の製造方法に関する。

図８、９は、コア基板の両面にビルドアップ法によって配線パターンを積層して形成するプリント配線板の一般的な製造方法を示す。
図８は、配線パターンを表裏面に積層して形成するコア部の製造工程を示す。図８(a)は、銅張り積層板からなるコア基板１０を示す。このコア基板１０は、ガラスクロス入りのエポキシ樹脂からなる基材１０ａの両面に銅箔１１を被着したものである。図８(b)は、コア基板１０にドリル加工を施し、コア基板１０を貫通する貫通孔１２を形成した状態を示す。貫通孔１２の内径は２５０μｍ程度である。図８(c)は、コア基板１０の表裏面に形成される配線パターンの電気的導通をとるために、スルーホールめっき（銅めっき）を施した状態を示す。１４がスルーホールめっきによって形成された銅めっき層である。

図８(d)は、コア基板１０の表裏面に配線パターンを形成するため、貫通孔１２を孔埋め用の樹脂１６によって充填した状態を示す。図８(e)は、次に、蓋めっきとして銅めっきをコア基板１０の表面に施した状態である。この蓋めっきにより、樹脂１６が露出する端面を含むコア基板１０の両面の全面が銅めっき層１８によって被覆される。
図８(f)は、コア基板１０の両面に被着している銅めっき層１８、１４および銅箔１１をエッチングしてコア基板１０の両面に配線パターン２０を形成し、コア部２２を形成した状態を示す。なお、この場合、配線パターン２０はサブトラクト法によって形成するから、配線パターン２０の高密度配置が制約されるという問題がある。

図９は、コア部２２の両面に配線パターンを形成してプリント配線板を製造するまでの製造工程を示す。
図９(a)は、コア部２２の両面にビルドアップ法によって配線パターン２４を形成した状態を示す。２６が絶縁層、２８が層間で配線パターン２４を電気的に接続するビアである。図９(b)は、配線パターン２４が形成された基板の表面に感光性のソルダーレジスト３０を塗布し、露光および現像して基板の表面の所要部位をソルダーレジスト３０によって被覆した状態である。図９(c)は、配線パターン２４の表面に、表面処理として無電解ニッケルめっきと無電解金めっきを施し、配線パターン２４の露出面を保護めっき３２によって被覆した状態である。図９(d)は、配線パターン２４の電極にはんだバンプ３４を形成してプリント配線板３６を得た状態を示す。
特開平６−２１６５２４号公報

ところで、半導体装置の小型化、薄型化に対する要請から、半導体チップを搭載する配線基板に対して薄型化、配線パターンの高密度化が強く求められている。しかしながら、上述したドリル加工によって基板に貫通孔を形成する方法の場合は貫通孔の孔径が２５０μｍ程度となり、貫通孔の配置間隔を狭間隔に設計することができないことから、配線パターンを高密度に形成することが制約される。このため、コア基板を用いて形成する従来のプリント配線板では、コア基板の一方の面のビルドアップ層で、搭載する半導体チップの電極端子間隔（たとえば、２００μｍ）から外部接続端子の配置間隔（たとえば、５００μｍ）に広げるように配線パターンを引き回して設計する必要があり、プリント配線板の設計上の大きな制約となっている。

また、プリント配線板を薄型にするには、コア基板１０を薄く形成する必要がある。しかし、薄いコア基板１０を扱うには薄い基板を搬送等することができる特殊な製造ラインが必要になるという製造設備上の問題がある。また、薄型材は、配線基板の製造工程で、絶縁層を形成したり、めっき層を形成したりした際に生じる応力によって収縮やうねり等の変形をおこしやすく、基板の寸法コントロールが難しく、高密度に配線パターンを形成するプリント配線板の精度上で問題となる。

そこで、本発明はこれらの課題を解決すべくなされたものであり、その目的とするところは、基板の変形等を抑えて所定の寸法精度を確保して好適に薄型化を図ることができるとともに、高密度に配線パターンを形成することができて、半導体装置の小型化、薄型化、高機能化に好適に対応することができる配線基板の製造方法を提供するにある。

本発明は、上記目的を達成するため次の構成を備える。
すなわち、配線基板の製造方法において、コア基板の基板面上に、ビルドアップ法により絶縁層を介して層間で配線パターンが電気的に接続された積層体を形成し、前記コア基板の基板面から、前記積層体を分離し、該積層体に所要の処理を施して、絶縁層を介して配線パターンが層間で電気的に接続された配線基板を形成することを特徴とする。
なお、コア基板には樹脂基板、両面銅張り基板、金属板等の所要の強度を有する基板を使用することができる。

また、配線基板の製造方法において、コア基板の基板面上に、金属層を真空吸着し、該金属層の表面上に、ビルドアップ法により絶縁層を介して層間で配線パターンが電気的に接続された積層体を形成した後、前記金属層とコア基板との間の真空を破ることにより、前記コア基板から、金属層とともに積層体を分離し、該積層体に所要の処理を施して配線基板を形成することを特徴とする。コア基板の基板面上に金属層を真空吸着する方法としては、たとえば、コア基板の基板面上に金属層を真空吸着した際に、基板の外周に接着剤を塗布する等により真空吸着領域をエアシールする方法がある。後工程で、エアシール部を除去あるいはエアシール部の内側で基板を切断することによって真空吸着領域の真空を破ることができる。

また、コア基板の基板面上に接着層を介して第１の金属層を接着し、該第１の金属層に第２の金属層を真空吸着し、該第２の金属層の表面上に、ビルドアップ法により絶縁層を介して層間で配線パターンが電気的に接続された積層体を形成した後、前記第１の金属層と第２の金属層との間の真空を破ることにより、前記第１の金属層から、前記第２の金属層を前記積層体とともに分離し、該積層体に所要の処理を施して配線基板を形成することを特徴とする。
また、第１の金属層よりも大判に形成された第２の金属層を使用し、第１の金属層に第２の金属層を真空吸着するとともに、第２の金属層の外周縁部をコア基板の基板面に設けられた接着層を介してコア基板に接着し、該第２の金属層の表面上に、積層体を形成した後、前記第１の金属層の外周縁よりも内側位置で前記積層体とコア基板とを切断することにより、前記第１の金属層と第２の金属層との真空を破って前記第１の金属層から、第２の金属層を前記積層体とともに分離することを特徴とする。
なお、第１の金属層と第２の金属層とを真空吸着した際に、真空吸着領域の外周部を接着剤等によってエアシールすることにより、真空吸着領域の真空を保持することができる。また、第１の金属層と第２の金属層とを真空吸着するとともに、コア基板の基板面に設けられた接着層に第２の金属層の外周縁部を接着することによって、第１の金属層と第２の金属層との真空吸着領域の真空が保持される。

本発明に係る配線基板の製造方法によれば、コア基板を支持体としてビルドアップ法により積層体を形成することにより、積層体の収縮、反り等の変形を防止して正確に寸法をコントロールすることができ、高精度の配線基板を得ることができる。また、積層体はビルドアップ法によって配線パターンを形成したものであるから、積層体から形成される配線基板は、薄型で高密度に配線パターンが形成された基板として提供される。

以下、本発明の好適な実施の形態について、添付図面と共に詳細に説明する。図１は、本発明に係る配線基板の製造方法を示す説明図である。図１(a)は、本発明において特徴的な製造工程であり、基材１０ａの両面に銅箔１１が被着されたコア基板１０の両面に接着フィルム４０を介して、第１の金属層４１と第２の金属層４２を積層して被覆する工程を示す。

コア基板１０には、ワークを搬送するといった取り扱い操作が容易に可能な保形性を備え、ワークに絶縁層やめっき層を形成した際に生じる応力によって、ワークに収縮や反り等の変形が生じることを抑える強度を備えている材料を選択する。本実施形態では、基材１０ａとして０．３〜０．４ｍｍの厚さのガラスクロス入りエポキシ樹脂基板を使用し、この樹脂基板の両面に厚さ９μｍの銅箔１１を被着したものをコア基板１０としている。コア基板１０は所要の強度を備えているものであれば、ガラスクロス入りエポキシ樹脂等の樹脂基板のみからなるものであっても良いし、樹脂基板以外に金属板のみから成るものであってもよい。
なお、実際の製造工程では、コア基板１０には、多数個取りの大判の基板が用いられ、この大判の基板に対して、絶縁層を形成しあるいはめっきを施すといった所要の操作を施して配線基板を製造する。

本実施形態においては、接着フィルム４０にはエポキシ等の熱硬化性樹脂からなるフィルムを使用し、第１の金属層４１には厚さ１８μｍの銅箔、第２の金属層４２には厚さ３５μｍの銅箔を使用している。
接着フィルム４０は第１の金属層４１をコア基板１０の表面に接着固定する作用をなすとともに、第２の金属層４２の外周縁部を接着フィルム４０によってコア基板１０に接着する作用をなす。このため、接着フィルム４０はコア基板１０の両面を全面にわたって被覆するように設けるとともに、第１の金属層４１の外周縁の位置が第２の金属層４２の外周縁の位置よりも若干内側に位置するように、第１の金属層４１と第２の金属層４２の外形寸法を設定する。いいかえれば、第１の金属層４１にくらべて第２の金属層４２に大判の金属層を使用する。

図１(b)は、コア基板１０の両面で、接着フィルム４０を介して第１の金属層４１と第２の金属層４２を真空熱プレスした状態を示す。真空熱プレスとは、図１(a)に示すワーク全体を真空吸引しながら、接着フィルム４０を介して第１の金属層４１と第２の金属層４２を重ねて加熱および加圧する操作である。この真空熱プレスにより、第１の金属層４１は接着層４０ａを介してコア基板１０の銅箔１１の表面に固着され、第２の金属層４２はその外周縁部で接着層４０ａを介して銅箔１１に固着される。

図２に、第１の金属層４１と第２の金属層４２が接着層４０ａを介してコア基板１０に接着されている状態を拡大して示す。同図で太線によって描いたＡ線の部分が、第１の金属層４１と第２の金属層４２が接着層４０ａに接着している部位である。また、同図で破線Ｂによって示した部位は、第１の金属層４１と第２の金属層４２が真空吸着している部分を示す。第１の金属層４１と第２の金属層４２とが真空吸着しているとは、第１の金属層４１と第２の金属層４２の真空吸着部分の真空が破れた場合に、第１の金属層４１と第２の金属層４２が剥離するように互いに吸着していることを意味する。

図１(c)は、コア基板１０の両面の外面に接着された第２の金属層４２の表面に、ビルドアップ法により配線パターン４４を積層して形成した状態を示す。４６が絶縁層、４８が層間で配線パターン４４を電気的に接続するビアである。
本実施形態では、図のようにビア４８をフィルドビアとし、鉛直方向に柱状にビア４８が連なるように形成している。もちろん、配線パターン４４は層ごとに任意のパターンに形成することができる。

図３は、上述した方法によってコア基板１０の両面に形成した、配線パターン４４を備えたビルドアップ層の部分（積層体）を、コア基板１０から分離して、配線パターン４４と絶縁層４６とビア４８とからなる積層体を得るまでの製造工程を示す。
図３(a)は、積層体の第２の金属層４２が被着されている面と反対側の絶縁層４６の表面に第２の金属層４２と同じ厚さに第３の金属層４３を形成した状態を示す。この第３の金属層４３は配線パターン４４、絶縁層４６、ビア４８からなる積層体をコア基板１０から分離した際に、積層体が反らないようにするために設ける。

コア基板１０から分離する積層体は３００〜４００μｍ程度の厚さを有し、それ自体、搬送等の操作が可能な保形性を備えている。しかしながら、積層体の両面での応力のアンバランスによって積層体が湾曲するように反ることが起こり得る。第３の金属層４３は、コア基板１０から積層体を分離した際に、積層体の両面での応力をバランスさせるために設けるのものである。本実施形態では第２の金属層４２に銅箔を使用している。したがって、第３の金属層４３は銅めっきによって第２の金属層４２と同じ厚さに形成する。
なお、本実施形態では、第２の金属層４２と第３の金属層４３とで挟まれた積層体部分で、配線パターン４４と絶縁層４６（５層からなる）が厚さ方向に対称となるように配置している。これもコア基板１０から積層体を分離した際に、積層体に作用する応力が上下面でバランスするようにするためである。

図３(b)は、ビルドアップ層が形成されたコア基板１０の外周縁部を切断して、コア基板１０から配線パターン４４の積層体５０を分離した状態を示す。ビルドアップ層およびコア基板１０を切断する位置は、図２におけるＣ線の位置、すなわち第１の金属層４１の外形線位置よりも僅かに内側に入った位置である。このＣ線の位置に位置合わせしてビルドアップ層およびコア基板１０を切断すれば、図３(b)に示すように、第２の金属層４２が第１の金属層４１から分離し、簡単に積層体５０をコア基板１０から分離させることができる。

実際には、大判の基板の外周縁部に沿って回転刃を動かして基板を切断する。これによって、第２の金属層４２と第３の金属層４３が両面に被着した大判の積層体５０がコア基板１０から分離して得ることができる。第２の金属層４２と同じ厚さに第３の金属層４３を設けておくことによって積層体５０は反らずに、平坦状の基板として得ることができる。第１の金属層４１と第２の金属層４２は単に真空吸着しているだけであるので、第１の金属層４２の外周縁位置の近傍で第１の金属層４１と第２の金属層４２を切断することにより、これらの金属層の間の真空が破られ、簡単に第１の金属層４１から第２の金属層４２が分離する。

なお、配線パターン４４を多層に形成する製造工程においては、絶縁層４６を形成するために、基板表面に絶縁性フィルムを真空ラミネートするといった真空処理工程がある。このような真空処理工程の際であっても、第１の金属層４１と第２の金属層４２の真空吸着が確実に保持されるようにするため、第１の金属層４１と第２の金属層４２を真空吸着する際の真空度は、これらの後工程における真空処理工程での真空度にくらべてより高真空に設定しておく。

本実施形態の配線基板の製造方法は、図３(a)に示す工程までは、コア基板１０の両面にビルドアップ法によって配線パターン４４、絶縁層４６、ビア４８を形成する。したがって、ビルドアップ層を形成する工程においては、剛性を備えたコア基板１０にビルドアップ層を形成することで、ワークの収縮や反りといった製造工程中に生じる寸法誤差をほぼ完全に抑えることが可能となる。このようにワークの寸法コントロールを確実に行うことができることは、高密度に配線パターン４４等を形成するうえで非常に有効である。
また、コア基板１０の両面にビルドアップ層を形成する工程では、従来の製造ラインがそのまま利用できるという利点もある。

図３(c)は、積層体５０の両面の全面をエッチングして、絶縁層４６の外表面に被着している第２の金属層４２と第３の金属層４３とを除去した状態を示す。第２の金属層４２と第３の金属層４３とは、同じエッチング液によって同時にエッチングして除去することができ、第２の金属層４２と第３の金属層４３とを除去した状態で反り等が生じることはない。図３(c)に示す積層体５０ａは、複数の絶縁層４６が積層して形成され、ある程度の厚さを有しているから、通常ラインによって搬送等を行って所要の加工を施すことが可能である。

図４は図３(c)に示す積層体５０ａを使用して、基板の外表面がソルダーレジストによって被覆された配線基板を製造する製造工程を示す。
図４(a)は、積層体５０ａの表裏面の絶縁層４６の表面にビア４８を介して隣接層の配線パターン４４と電気的に接続した配線パターン４４ａ、４４ｂを形成した状態を示す。配線パターン４４ａ、４４ｂは、絶縁層４６にレーザ光を照射してビア穴を形成し、デスミア処理をした後、無電解銅めっきを施し、ドライフィルムをラミネートして配線パターン４４ａ、４４ｂとなる部位を露出させたレジストパターンを形成し、無電解銅めっき層をめっき給電層とする電解銅めっきを施して配線パターン４４ａ、４４ｂとなる銅層を形成し、レジストパターンを除去した後、基板の外面に露出している無電解銅めっき層の部位を除去することによって形成することができる（セミアディティブ法）。

図４(b)は、積層体５０ｂの両面に感光性のソルダーレジスト５２を塗布し、露光および現像してパターニングした状態を示す。図４(c)は、配線パターン４４ａ、４４ｂの表面処理として、無電解ニッケルめっきおよび無電解金めっきを施して配線パターン４４ａ、４４ｂの表面を保護めっき５４によって被覆した状態を示す。
図４(d)は、配線パターン４４ａにはんだを印刷し、はんだバンプ５６を形成した状態である。この図４(d)に示す配線基板は、はんだバンプ５６を形成した面側に半導体チップを搭載するもので、はんだバンプ５６が半導体チップの電極端子と同一配置に形成されている。

図５は、基板の外表面にソルダーレジストが被着されていない配線基板の製造方法を示す。
図５(a)は、図３(c)に示す積層体５０に対しレーザ加工を施して基板の外表面にある絶縁層４６にビア穴４６ａ、４６ｂを形成した状態を示す。なお、この実施形態においては、下面側の配線パターン４４ｂについては、実装基板との接続を考慮してあらかじめ所要のパターンに形成されている。
図５(b)は、配線パターン４４、４４ｂの表面処理として、無電解ニッケルめっきおよび無電解金めっきを施して配線パターン４４ａ、４４ｂの表面を保護めっき５４によって被覆した状態を示す。
図５(c)は、配線パターン４４にはんだを印刷し、はんだバンプ５６を形成して配線基板を得た状態を示す。

図４(d)、図５(c)に示す配線基板は、ともに、はんだバンプ５６を形成した面側に半導体チップを搭載するものであり、半導体チップの電極配置と同一配置にはんだバンプ５６が形成されている。ビルドアップ法によって配線パターンを形成する方法であれば、微細な配線パターンを形成することが容易であり、半導体チップの電極端子の配置に一致させて接続用の電極を形成することが容易に可能となる。また、図４(d)、図５(c)に示すように、本発明方法によって得られる配線基板は、ビルドアップ層のみから成るから、コア基板１０にドリル加工によって貫通孔を形成するといった設計上の制約がなく、任意の配線層で適宜配線パターンを引き回して形成することが可能となる。

また、図４(d)に示す配線基板は絶縁層４６が５層から成り、図５(c)に示す配線基板は絶縁層４６が４層から成る。このように、本実施形態の配線基板の製造方法においては、コア基板１０の両面にビルドアップ層を順次形成し、最終的にコア基板１０からビルドアップ層を分離する方法によるから、コア基板１０の両面に形成するビルドアップ層の層数は任意に選択することができる。従来の配線基板ではコア基板１０の両面には同数ずつビルドアップ層を設けているから、ビルドアップ層（絶縁層）の層数は全体として偶数となるのに対して、本実施形態の製造方法によれば、配線基板の絶縁層の総数は偶数、奇数のどちらも選択可能となる。

また、本実施形態においてはコア基板１０の両面に同数ずつ絶縁層４６を形成したが、コア基板１０の一方の面と他方の面に形成する絶縁層４６の層数を異ならせることも可能である。また、コア基板１０の一方の面と他方の面でのビルドアップ層に形成する配線パターンも適宜設計することができる。これによって、コア基板１０の両面で異種製品に使用する配線基板を形成することも可能である。

図６、７は配線基板の製造方法についての他の実施形態を示す。本実施形態は、コア基板１０の両面に形成する第２の金属層４２の表面に表面金属層４２ａを設けて積層体を形成することを特徴とする。表面金属層４２ａは後工程で第２の金属層４２をエッチングによって除去するエッチング液によっては侵されない金属、たとえば第２の金属層４２に銅を用いた場合は、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属によって形成する。

図６(a)は、コア基板１０の両面に、接着フィルム４０と第１の金属層４１と表面金属層４２ａが被着された第２の金属層４２とを配置した状態、図６(b)は、コア基板１０の両面に接着フィルム４０を介して第１の金属層４１と第２の金属層４２を真空熱プレスした状態を示す。
図６(c)は、コア基板１０の両面にビルドアップ法によって配線パターン４４を積層して形成した状態を示す。本実施形態では、第２の金属層４２の表面に表面金属層４２ａを設けているから、表面金属層４２ａの表面にじかに銅層を形成して配線パターン４４を形成することができる。なお、表面金属層４２ａおよびビルドアップ層の外表面に形成する配線パターン４４は、積層体の反りを防止するため表面の略全域を被覆するように形成するのがよい。

図６(d)は、ビルドアップ層を形成した後、コア基板１０の外周縁部を切断し、コア基板１０から積層体５０を分離した状態を示す。第１の金属層４１と第２の金属層４２との間の真空が破れることによって、第１の金属層４１と第２の金属層４２とが分離することは上述した実施形態と同様である。
図７は積層体５０から配線基板を形成する製造工程を示す。図７(a)は、積層体５０の第２の金属層４２のみを選択的にエッチングして除去した状態を示す。第２の金属層４２をエッチングして除去する操作は、表面金属層４２ａを侵さないエッチング液を使用することによって行えばよい。図７(b)は、次に、表面金属層４２ａのみを選択的にエッチングした状態を示す。このエッチング操作では、銅からなる配線パターン４４、ビア４８を侵さないエッチング液を使用すればよい。

図７(c)は、積層体５０を上下反転した状態を示す。これは、配線基板の表面を被覆するソルダーレジストの表面の凹凸を改善するため、配線パターン４４の厚さによる影響を受けない平坦面に形成されている下面側をバンプ形成面とするためである。
図７(d)は、積層体５０の表面をソルダーレジスト５２によって被覆した状態、図７(e)は、保護めっき５４により配線パターンの表面を被覆した状態、図７(f)は、積層体５０の上面にはんだバンプ５６を形成して配線基板を得た状態を示す。
本実施形態の配線基板の製造方法による場合も、コア基板にビルドアップ法によって配線パターンの積層体を形成して配線基板とするから、高密度に配線パターンを配置した高精度の配線基板を得ることができる。

コア基板の両面に多層に配線パターンを形成する工程を示す説明図である。 接着層と第１の金属層および第２の金属層との接着部分を拡大して示す説明図である。 コア基板から積層体を分離する工程を示す説明図である。 外表面がソルダーレジストによって被覆された配線基板の製造工程を示す説明図である。 外表面がソルダーレジストによって被覆されない配線基板の製造工程を示す説明図である。 コア基板の両面に多層に配線パターンを形成する他の工程を示す説明図である。 外表面がソルダーレジストによって被覆された配線基板の製造工程を示す説明図である。 従来のプリント配線板の製造方法を示す説明図である。 従来のプリント配線板の製造方法を示す説明図である。

符号の説明

１０ コア基板
１０ａ 基材
１１ 銅箔
２０ 配線パターン
２２ コア部
２４ 配線パターン
３４ はんだバンプ
４０ 接着フィルム
４０ａ 接着層
４１ 第１の金属層
４２ 第２の金属層
４２ａ 表面金属層
４３ 第３の金属層
４４、４４ａ、４４ｂ 配線パターン
４６ 絶縁層
４６ａ、４６ｂ ビア穴
４８ ビア
５０、５０ａ、５０ｂ 積層体
５２ ソルダーレジスト
５４ 保護めっき
５６ はんだバンプ

Claims (4)

1. コア基板の基板面上に、ビルドアップ法により絶縁層を介して層間で配線パターンが電気的に接続された積層体を形成し、
   前記コア基板の基板面から、前記積層体を分離し、
   該積層体に所要の処理を施して、絶縁層を介して配線パターンが層間で電気的に接続された配線基板を形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
2. コア基板の基板面上に、金属層を真空吸着し、
   該金属層の表面上に、ビルドアップ法により絶縁層を介して層間で配線パターンが電気的に接続された積層体を形成した後、
   前記金属層とコア基板との間の真空を破ることにより、前記コア基板から、金属層とともに積層体を分離し、
   該積層体に所要の処理を施して配線基板形成することを特徴とする請求項１記載の配線基板の製造方法。
3. コア基板の基板面上に接着層を介して第１の金属層を接着し、該第１の金属層に第２の金属層を真空吸着し、
   該第２の金属層の表面上に、ビルドアップ法により絶縁層を介して層間で配線パターンが電気的に接続された積層体を形成した後、
   前記第１の金属層と第２の金属層との間の真空を破ることにより、前記第１の金属層から、前記第２の金属層を前記積層体とともに分離し、
   該積層体に所要の処理を施して配線基板を形成することを特徴とする請求項１記載の配線基板の製造方法。
4. 第１の金属層よりも大判に形成された第２の金属層を使用し、第１の金属層に第２の金属層を真空吸着するとともに、第２の金属層の外周縁部をコア基板の基板面に設けられた接着層を介してコア基板に接着し、
   該第２の金属層の表面上に、積層体を形成した後、
   前記第１の金属層の外周縁よりも内側位置で前記積層体とコア基板とを切断することにより、前記第１の金属層と第２の金属層との真空を破って前記第１の金属層から、第２の金属層を前記積層体とともに分離することを特徴とする請求項３記載の配線基板の製造方法。

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