JP2006191119A - マルチｓｌｍマスクレスリソグラフィにおける散乱光を最小化する方法および装置 - Google Patents

Abstract

【課題】マルチパターン生成装置をもつマスクレスリソグラフィシステムにおいて、散乱光を最小化する。
【解決手段】複数のパターン生成装置を備えたパターンジェネレータ１０４と、パターンジェネレータ１０４からの光を配向する投影システム１０８と、対象物ウィンドウ２１０のところにまたはその近くに配置されたアパーチャが設けられている。このアパーチャは、パターン生成装置の構造とマッチしたプロフィルを有している。
【選択図】図２

Description

本発明はリソグラフィに関する。さらに詳しくは本発明は、１つまたは複数のパターン生成装置を有するマスクレスリソグラフィに関する。

発明の背景
リソグラフィシステムは、多様な製造用途においてフィーチャをプリントするために使用される。ホトリソグラフィシステムは、フィーチャを対象物体に露光させるためにマスクまたはレチクルを使用する。半導体製造においてたとえば、露光ビームによってレチクルが露光される。この場合、光学システムはレチクルの縮小像をシリコンウェハに投影する。これにより回路フィーチャを半導体基板上にプリントすることができる。

マスクまたはレチクルを使用する必要のないマスクレスリソグラフィシステムが開発されてきた。現在のマスクレスリソグラフィシステムは、移動する物体上にプリントすべきパターンを投影する。たとえば、移動するウェハまたはフラットパネルディスプレイ上に回路フィーチャのパターンを投影することができる。一例として、シリコンウェアをホトレジストでコーティングすることができる。この場合、１つまたは複数の空間光変調器（ＳＬＭ）のような１つまたは複数のパターン生成装置を使用して、ウェハ上にパターンが投影される。ＳＬＭのタイプとしてたとえば、ディジタルマイクロミラーディバイス（ＤＭＤ）、透過型液晶ライトバルブ、格子型ライトバルブ（ＧＬＶ）を挙げることができる。

マルチＳＬＭマスクレスリソグラフィのような複数のパターン生成装置を含むマスクレスリソグラフィの場合、ウェハまたはフラットパネルディスプレイのような被加工面上にパターンを生成するため、複数のＳＬＭが典型的には平面的に使用される。マルチＳＬＭマスクレスリソグラフィシステムの場合、各ＳＬＭ間に比較的大きいギャップが存在する可能性がある。これらのギャップによって多量の散乱光が発生し、これは各ＳＬＭのアクティブな部分の間におけるエリアでウェハに到達し、そこは暗いままになってしまう。たとえば、ウェハイメージングにおける不適当な線量コントロールならびにコントラスト損失の結果、イメージングの劣化および製造されるデバイスの回路パフォーマンスの低下が引き起こされるおそれがある。

したがってマルチパターン生成装置をもつマスクレスリソグラフィシステムにおいて、散乱光を最小化する方法および装置が必要とされている。

発明の概要
本発明は、ＳＬＭのようなパターン生成装置からの散乱光をウェハまたはディスプレイのような対象物体に対し阻止するリソグラフィシステムに係わるものである。このシステムには、１つまたは複数のパターン生成装置を備えたパターンジェネレータと、パターンジェネレータからの光を配向する投影システムと、対象物ウィンドウのところにまたはその近くに配置されたアパーチャが設けられている。このアパーチャは、パターン生成装置の構造とマッチしたプロフィルを有している。さらに本発明は、複数のパターン生成装置を使用したリソグラフィシステムにおいて散乱光を阻止する方法にも係わる。

本発明のその他の実施形態、特徴および利点ならびに本発明の様々な実施形態の構造および動作については、図面を参照した以下の説明に記載されている。

次に、図面を参照しながら本発明について説明する。図中、同一の要素または機能的に類似の要素には同じ参照符号が付されている。参照符号において左端の数字は、その要素が最初に現れる図面を表している。

実施例
以下、本発明について特定の用途に関する例示的な実施形態を参照しながら説明するけれども、本発明はそれらに限定されるものではない。以下の説明を参照するならば当業者は、本発明の範囲内で補足的な変形、用途、実施形態について思いつくであろうし、本発明が有用となるさらに別の分野について考えることができるであろう。

ここで採用されている用語「パターンジェネレータ pattern generator」は、所望のパターンを基板のターゲット部分に生成できるよう、到来する放射ビームに対しパターン化された断面を与えるために利用可能な何らかの装置を指すものであると広く解釈すべきである。また、用語「ライトバルブ light valve」および「空間光変調器 Spatial Light Modulator (SLM)」も、このようなコンテキストで用いることができる。このようなパターニング装置の例についてはあとで言及する。

プログラマブルミラーアレイには、マトリックス形式でアドレッシング可能な表面を設けることができ、これは粘弾性のコントロール層と反射面を有している。このような装置の基本原理はたとえば、反射面のうちアドレシングされたエリアが入射光を回折光として反射する一方、アドレシングされていないエリアは入射光を非回折光として反射することである。適切な空間フィルタを使用すれば、フィルタリングにより非回折光を反射ビームから取り除き、回折光だけを基板に到達させることができる。このようにしてビームは、マトリックス形式でアドレシング可能な表面のアドレシングパターンに応じてパターニングされることになる。

これに対する代案として、フィルタによりろ波して回折光を取り除き、非回折光を基板に到達させることができるように構成してもよい。光学的な回折マイクロマシン（MEMS micro electrical mechanical system）デバイスのアレイも同様のやり方で利用することができる。光学的な回折MEMSデバイスには複数の反射性リボンを設けることができ、これらの反射性リボンは互いに相対的に変形可能であって、これにより入射光を回折光として反射する回折格子が形成される。

さらに別の択一的実施形態によれば、マトリックス状に配置された小型ミラーを備えたプログラマブルミラーアレイを設けることができ、局所的に配置された適切な電界の適用または圧電アクチュエータ手段の使用によって、１つの軸を中心にこれらの小型ミラーの各々を個別に傾斜させることができる。ここでもミラーはマトリックス形式でアドレシング可能であって、この場合、アドレシングされたミラーは到来する放射ビームを異なる方向で、アドレシングされないミラーに向けて反射することになる。このようにして反射されたビームはマトリックス形式でアドレシング可能なミラーのアドレシングパターンに応じてパターン化される。所要のマトリクスアドレシングは適切な電子手段を用いて実行可能である。

上述の２つの状況の双方で、パターンジェネレータに1つまたは複数のプログラマブルミラーアレイを設けることができる。ここで挙げたミラーアレイに関する詳しい情報については、たとえばUS 5,296,891およびＰＣＴ出願WO 98/38597に示されており、これらを本願の参考文献とする。

プログラマブルLCDアレイも使用することができる。 この種の構造の一例はアメリカ合衆国特許US 5,229,872に示されており、この文献を本願の参考文献とする。

たとえばフィーチャのプレバイアス、光学的近接補正フィーチャ、位相変更技術および多重露光技術を用いるのが適しているならば、パターン発生器において「表示される」パターンが最終的に基板の層または基板へ転写されるパターンと実質的に異なっていてもよい。同様に、最終的に基板上に形成されるパターンが、パターン発生器において何らかの時点で形成されるパターンと一致していなくてもよい。このような可能性があるのは、基板の各部分に最終的に生成されるパターンが所定の期間にわたって、または所定の露光数にわたって作成されるような構成の場合であり、つまりこの場合、所定の期間または所定数の露光の間、パターン発生器上のパターンおよび／または基板の相対的な位置が変化する。

また、本明細書ではIC製造におけるリソグラフ装置の利用について具体的に説明するけれども、ここで説明するリソグラフ装置ならびに投影システムを、たとえばＤＮＡチップ、ＭＥＭＳ、ＭＯＥＭＳ、集積光学系、磁気ドメインメモリ用のガイダンスおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、薄膜磁気ヘッドなど、他の用途にも適用できることは自明である。上述の択一的な用途のコンテキストにおいては、本明細書における「ウェハ」または「ダイ」という用語の使用が、もっと一般的な用語「基板」または「ターゲットポジション」とそれぞれ同義であることは、当業者にとっては自明である。さらに本明細書で用いている基板を露光前または露光後、たとえばトラック（一般にレジスト層を基板に塗布し露光したレジストを現像するツール）あるいは測定ツールまたは検査ツールで処理することができる。適切であれば、本明細書の開示内容をこのような基板処理ツールならびに他の基板処理ツールに適用できる。さらに、たとえば多層ICを製造する目的で基板を2回以上処理することができ、したがってここで使われる用語「基板」は処理された複数の層をすでに含んでいる基板のことも意味する。

本明細書で使われている用語「放射」、「ビーム」および「光線」は、あらゆる種類の電磁放射を包含するものであり、これには紫外線（ＵＶ）放射（たとえば３６５，２４８，１９３，１５７または１２６ｎｍの波長）、極紫外線（ＥＵＶ）放射（たとえば５〜２０ｎｍの波長）、ならびにイオンビームや電子ビームといった粒子ビームが含まれる。

照射システムにも様々なタイプの光学コンポーネントを包含させることができ、それらには投影放射ビームを配向、成形あるいは制御するための屈折性、反射性、回折性、反射屈折性の光学コンポーネントが含まれる。

また、リソグラフ装置を、典型的には２つ（たとえばデュアルステージ）またはそれ以上の基板テーブル（および/または2つまたはそれ以上のマスクテーブル）を有する形式とすることができる。このような「マルチプルステージ」マシンでは、付加的なテーブルをパラレルに使用することができるし、あるいは1つまたは複数のテーブルが露光に使われている間に、準備ステップを1つまたは複数のテーブルで実行することができる。

さらにリソグラフ装置を、基板が液浸された形式とすることもでき、この液体（たとえば水）は相対的に高い屈折率を有し、それによって投影システムの最終要素と基板との間のスペースが満たされる。また、浸液をリソグラフ装置における他のスペース、たとえばＳＬＭと投影システムの最初の要素との間のスペースに適用してもよい。液浸技術は当業者に周知であり、これによって投影システムの開口数を増大させる。

図１は、本発明の１つの実施形態によるリソグラフィ投影装置１００を示す図である。このリソグラフィ投影装置１００には、少なくとも１つの放射システム１０２と、パターンジェネレータ１０４と、対象物テーブル１０６（たとえば基板テーブル）と、投影システム１０８が含まれている。

投影放射ビーム１１０（たとえばＵＶ放射）を供給するために放射システム１０２を利用することができ、この実施例では放射源１１２も含めることができる。

この場合、パターンを投影ビーム１１０に適用するために、パターンジェネレータ１０４（たとえば空間光変調器）を利用することができる。一般に、パターンジェネレータ１０４のポジションを、投影システムに対し相対的に固定することができる。ただし択一的な実施形態として、パターンジェネレータ１０４を位置決め装置(図示せず)と接続することもでき、これによってパターンジェネレータ１０４は投影システム１０８を基準にして位置決めされる。この図に描かれているように、パターンジェネレータ１０４は反射性の形式のものである（たとえば個別に制御可能な複数のエレメントから成る反射性アレイを有する）。

基板１４（たとえばレジストで被覆されたシリコンウェハまたはガラス基板）を保持するため（特別には描かれていない）基板ホルダを対象物テーブル１０６に設けることができるし、投影システム１０８に対し相対的に基板を精確に位置決めするため、対象物体テーブル１０６を（図示されていない）位置決め装置と接続することができる。

投影システム１０８（たとえば水晶レンズシステムおよび／またはＣａＦ２レンズシステム、またはこのような材料から成るレンズエレメントを有する反射屈折システム、あるいはミラーシステム）を、ビームスプリッタ１１８から受光したパターン化ビームを基板１１４のターゲット部分１２０（たとえば1つまたは複数のダイ）に投影するために使用することができる。投影システム１０８は、基板１１４上へパターンジェネレータ１０４の像を投影することができる。択一的に投影システム１０８は２次放射源の像を投影することができ、この２次放射源に対しパターンジェネレータ１０４のエレメントはシャッタとして動作する。投影システム１０８にはマイクロレンズアレイ（MLA）を設けることもでき、これにより２次放射源が形成され、基板114にマイクロスポットが投影される。

放射源１１２（たとえばエキシマレーザ等）は放射ビーム１２２を生成することができる。放射ビーム１１２は照射システム（イルミネータ）１２４にダイレクトに供給されるか、またはビーム拡開器１２６のようなコンディショニング装置１２６を通過した後に供給される。照射システム１２４は調節装置１２８を有することができ、この調節装置１２８はビーム１２２の強度分布の外側および/または内側の放射範囲（それぞれσアウタおよびσインナと称する）を設定する。照射システム１２４にはこれに加えてさらに他の種々のコンポーネント、たとえばインテグレータ１３０およびコンデンサ１３２が含まれることになる。このようにして、パターンジェネレータ１０４に衝突するビーム１１０の横断面は所望の均一性と強度分布を有する。

なお、図１に関して、放射源１１２はリソグラフィ投影装置１００のケーシング内に配置されている（たとえばよくあるのは放射源１１２が水銀ランプの場合）。択一的な実施形態によれば、放射源１１２をリソグラフィ投影装置１００から離してもよい。このケースでは、放射ビーム１２２はリソグラフィ投影装置１００へ（たとえば適切に配向されたミラーによって）ダイレクトに配向されることになる。この後者のシナリオは、放射源１１２がエキシマレーザである場合である。これら2つのシナリオの双方は本発明の枠内にあるものとする。

その後、ビーム１１０は、ビームスプリッタ１１８により配向されてからパターンジェネレータ１０４をインターセプトする。パターンジェネレータ１０４がビーム１１０を反射すると、ビーム１１０は投影システム１０８を通過し、投影システム１０８はビーム１１０を基板１１４のターゲット部分１２０にフォーカシングする。

位置決め装置（およびオプションとしてベースプレート１３６上にありビームスプリッタ１４０を介して干渉分析ビーム１３８を受光する干渉分析測定装置１３４）によって、ビーム１１０の経路中で種々のターゲット部分１２０を位置決めするために基板テーブル１０６を精確に移動することができる。使用される場所であればパターンジェネレータ１０４のための位置決め装置を、たとえばスキャン中などにパターンジェネレータ１０４のポジションをビーム１１０の経路に対し相対的に補正するために用いることができる。一般に、基板テーブル１０６の運動はロングストロークモジュール（粗位置決め）とショートストロークモジュール（微細位置決め）によって実現される。これらは図１には明確には描かれていない。同様のシステムを、パターンジェネレータ１０４の位置決めにも使用することができる。自明のとおり、ビーム１１０は択一的にまたは付加的に移動可能である一方、基板テーブル１０６および/またはパターンジェネレータ１０４に固定位置をもたせて、要求される相対運動を生じさせることができる。

択一的な実施形態の構成によれば、基板テーブル１０６を固定させておくことができ、その際、基板１１４は基板テーブル１０６の上を移動可能である。これが行われる場合、基板テーブル１０６に対し最も上の平坦な平面上に多数の開口部が設けられ、その際、これらの開口部を通してガスを通過させ、これにより基板１１４を支持するガスクッションが提供される。慣用的にこれはエアベアリング装置と呼ばれている。基板１１４は基板テーブル１０６上を1つまたは複数のアクチュエータ（図示せず）によって動かされ、このアクチュエータにより基板１１４はビーム１１０の経路を基準にして精確に位置決めされる。択一的に基板１１４を、開口部を通過するガスの通流の選択的なスタートおよびストップにより、基板テーブル１０６上で動かすことができる。

本発明によるリソグラフィ装置１００を、ここでは基板上のレジストを露光するためのものとして説明したが、自明のとおり本発明はこのような用途に限定されるものではなく、本発明による装置１００を、レジストレスリソグラフィの用途でパターン化投影ビーム１１０を投影するために用いることもできる。

図示されている装置１００を、以下の４つの有利なモードで使用することができる。

１．ステップモード：パターンジェネレータ１０４からのパターン全体が、１回の動作（つまり単一の「フラッシュ」）でターゲット部分１２０に投影される。ついで基板テーブル１０６はｘ方向および/またはｙ方向で異なる位置へ動かされ、パターン化投影ビーム１１０により異なるターゲット部分１２０が照射される。

２．スキャンモード：基本的にステップモードと同じであるが、所定のターゲット部分１２０は単一の「フラッシュ」では露光されない点で異なる。その代わりに、パターンジェネレータ１０４を所定の方向（いわゆる「スキャン方向」たとえばｙ方向）において速度ｖで移動可能であり、したがってパターンジェネレータ１０４の上をスキャンするようパターン化投影ビーム１１０が生成される。同時に基板テーブル１０６は同一方向または逆方向において速度Ｖ＝Ｍｖで動かされる。ここでＭは投影システム１０８の倍率である。このようにして、分解能の点で妥協する必要なくかなり大きなターゲット部分１２０を露光することができる。

３．パルスモード：個別に制御可能なエレメントのアレイすなわちパターンジェネレータ１０４は実質的に定置状態に保持され、パターン全体がパルス放射システム１０２によって基板１１４のターゲット部分１２０に投影される。この場合、基板テーブル１０６は実質的に一定の速度で動かされ、基板１０６にわたり１つのラインをスキャンするようパターン化ビーム１１０が生成される。パターンジェネレータ１０４上のパターンは必要に応じて放射システム１０２のパルス間でアップデートされ、相前後するターゲット部分１２０が基板１１４上の所要個所で露光されるようパルスがタイミング制御される。その結果、パターン化ビーム１１０は基板１１４を端から端までスキャンすることができ、これにより基板１１４のストリップごとにパターン全体が露光される。このプロセスは、基板１１４全体がラインごとに露光されてしまうまで繰り返される。

４．連続スキャンモード：基本的にパルスモードと同じであるが、実質的に一定の放射システム１０２が使用され、パターンジェネレータ１０４上のパターンは、パターン化ビーム１１０が基板１１４全体をスキャンしてそれを露光するときにアップデートされる。

５．ピクセルグリッドイメージングモード：基板１１４上に形成されるパターンは、パターンジェネレータ１０４上に配向されたスポットジェネレータにより形成されたスポットの後続の露光によって実現される。露光されたスポットは実質的に同じ形状である。基板１１４上で、実質的にグリッド状にスポットがプリントされる。１つの実施形態によれば、スポットサイズはプリントされたピクセルグリッドのピッチよりも大きいが、露光スポットグリッドよりもずっと小さい。プリントされるスポットの強度を変化させることにより、１つのパターンが実現される。露光フラッシュの間で、スポットにおける強度分布が変えられる。

これまで述べてきた使用モードの組み合わせおよび/または変形、あるいはまったく異なる使用モードを採用することもできる。

図２は、本発明の１つの実施形態によるリソグラフィ投影装置１００を示す図であり、ここでは主として対象物ウィンドウについて示されている。図２には、図１を参照しながら説明したリソグラフィ投影装置図が簡略化して示されている。図２で主眼としているのは、投影システム１０８と基板１１４（たとえばレジストの被覆されたシリコンウェハまたはガラス基板）との間においてリソグラフィ投影装置１００が対象物ウィンドウ２１０を有している点である。

この実施形態によれば、パターンジェネレータ１０４はカラム状に整列された複数のパターン生成装置を有している。他の実施形態によれば、パターンジェネレータ１０４は単一のパターン生成装置を有することができる。複数のパターン生成装置を用いたレイアウトは、照射すべきショットのサイズと比較してショットあたり比較的小さいエリアを有している。このエリアは一般に、パッケージングサイズとパターンジェネレータの構造とに依存して、１０〜２０％のオーダにある。たとえパターンジェネレータにおけるエレメントおよび／またはアパーチャを規定するカスタムフィールドが、非活性エリアの照射を阻止するために用いられるとしても、いくらかの光は投影光学系において散乱し、ウェハ平面におけるそれらの暗いエリアに到達する可能性がある。

本発明によれば、対象物ウィンドウ２１０にけるアパーチャあるいはその近くのアパーチャに対し、複数のパターン生成装置を用いたレイアウトの構造にマッチしたプロフィルが与えられる（たとえば図３Ａに描かれているようなマルチＳＬＭアレイレイアウト）。このアパーチャプロフィルによって、投影光学系の倍率および開口数（ＮＡ）が左右される。図３Ｂおよび図４Ａにはアパーチャが例示されている。

アパーチャを対象物ウィンドウ２１０のところまたはその近くに配置されたスタンドアローンアパーチャとすることができる。択一的な実施形態として、アパーチャをリソグラフィによりプリントし、対象物ウィンドウ２１０の上にじかにエッチングすることができる。この実施形態は、対象物ウィンドウ２１０近くのアパーチャのフィーチャサイズを比較的小さくしようという状況に取り組むものである。アパーチャを像平面近くのウィンドウあるいは投影光学系内のレンズにエッチングすることもできる。

対象物ウィンドウ２１０近くにアパーチャを配置することにより、パターンジェネレータ１０４のようなパターン生成装置からの散乱光を低減することができる。これに加えて、パターン生成装置の各カラムペアの間のスペースを最大限にすることでさらに改善を施すことができ、このようにすることによって散乱光が最も害を及ぼす場所となる各カラムペアの間でかなり大きいアパーチャが形成されることになる。しかもこのアプローチによれば、高く薄い別個の列ないしはカラムという形状の与えられたＳＬＭアレイを保持することにより、アパーチャの製造が強化される。

このケースでは、本明細書の説明に基づいて当業者であればわかるように、適切なスティッチを保証するためカラムペアにおける各ＳＬＭ間のスペース比をやはり正確にコントロールする必要がある。さらにＳＬＭがパターン生成装置として用いられる場合、スペースはＳＬＭ平面のところで最大限に製造可能なレンズを超えてはならない。

図３Ａは、本発明の１つの実施形態による対称型ＳＬＭアレイレイアウト３００を示す図である。ＳＬＭアレイレイアウト３００はパターンジェネレータ１０４の１つの実施形態である。当業者であればわかるように、パターン生成装置の数多くのレイアウトをパターンジェネレータ１０４のために使用することができる。これまでの実施形態は例示の目的であって、本発明の範囲を限定しようとするものではない。そうではなく本発明は、あらゆるタイプのマルチパターン生成装置のレイアウトの使用をカバーするものである。

ＳＬＭアレイレイアウト３００には以下の４つのＳＬＭの列が含まれている。すなわちＳＬカラム３０５、ＳＬＭカラム３１０、ＳＬＭカラム３１５、ＳＬＭカラム３２０が含まれている。さらに各ＳＬカラムには３つのＳＬＭが含まれている。ＳＬＭ３２２，３２６，３３４は、各カラムにおける最初のＳＬＭをそれぞれ表している。ＳＬＭ光反射部３２４，３２８，３３２，３３６は、光を反射するＳＬＭの部分を表している。ＳＬＭにおいて光を反射しない部分には回路やアクチュエータ等といった非活性エリアが含まれており、これによって散乱光あるいは迷光が対象物に到達してしまう可能性がある。

図３Ｂは、本発明の１つの実施形態によるＳＬＭアレイレイアウト３００におけるＳＬＭのレイアウトにマッチしたアパーチャプロフィル３４０を示す図である。アパーチャプロフィル３４０は、対象物ウィンドウ２１０のところまたはその近くに配置されるかまたは、ウェハウィンドウ２１０の上にじかにエッチングされることになる。アパーチャプロフィル３４０には４つの開口部カラムが含まれており、これらはＳＬＭカラム３０５，３１０，３１５，３２０におけるＳＬに応じてエッチング除去されたものである。開口部３４２，３４４，３４６，３４８は、開口部の４つのカラム各々における頂部開口を表している。

図３Ｃは、本発明の１つの実施形態によるアパーチャプロフィル３４０とＳＬＭアレイレイアウト３００を重ね合わせて示した図である。図３Ｃに示されているように、開口部３４２はＳＬ光反射部３２４に対応している。開口部３４４はＳＬＭ光反射部３２８に対応している。開口部３４６はＳＬＭ光反射部３２２に対応している。開口部３４８はＳＬＭ光反射部３３６に対応している。ウェハまたは他の被加工面に当たる散乱光が開口部により低減されるよう、アパーチャプロフィル３４０はＳＬＭアレイレイアウト３００におけるＳＬＭ各々に対応する開口部をもつことになる。

図４Ａは、本発明の１つの実施形態によるアパーチャプロフィル４１０の別の例を示す図であり、これはＳＬＭアレイレイアウト３００にマッチしている。アパーチャプロフィル４１０には開口部４１２，４１４，４１６，４１８のような矩形の開口部が含まれており、これらは散乱光を阻止する構造を形成するため、エッチングまたは他のやり方により除去されている。アパーチャプロフィル４１０の他のエリアによって散乱光が阻止されることになる。

図４Ｂには、アパーチャプロフィル４１０をＳＬＭアレイレイアウト３００に重ね合わせた様子が描かれており、これによれば散乱光を阻止するためにアパーチャプロフィル４１０をどのように利用できるかが示されている。開口部４１２，４１４，４１６，４１８のような矩形開口部各々は、ＳＬＭ光反射部に対応している。たとえば、開口部４１２はＳＬＭ光反射部３２４に対応している。なお、特定の用途、ＳＬＭのレイアウトならびに他の設計要件に応じて、数多くのタイプのアパーチャプロフィルをデザインすることができる。

図５は、マルチパターン生成装置をもつマスクレスリソグラフィシステムにおいて散乱光を低減するための本発明の１つの実施形態による方法５００を示すフローチャートである。本発明による方法５００はステップ５００で始まる。ステップ５００において放射ビームが生成される。たとえば、放射源１１２により放射ビームを発生させることができる。ステップ５２０において放射ビームがパターニングされる。たとえば、パターンジェネレータ１０４により所望のパターンを生成することができる。ステップ５３０において、パターニングされた放射ビームが基板に向かって投影される。基板として挙げられるのはたとえばウェハ、ディスプレイディバイス、カメラ、投影システムディスプレイディバイス、あるいは投影テレビジョンシステムディスプレイなどである。たとえば投影システム１０８により、パターニングされた放射ビームを基板１１４に向けて配向させることができる。ステップ５４０において、放射ビームからの散乱光が基板に到達するのが阻止される。散乱光を阻止する一方でパターニングされた放射を通過させて最終的には基板１１４に当射させるできるようにするために、たとえばアパーチャ３００を用いることができる。ステップ５５０において本発明による方法５００は終了する。

結論
これまで本発明の実施形態について説明してきた。本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。これらの実施形態は例示目的でここに示したものであって、限定のためではない。本明細書の説明に基づき、当業者であれば代案（ここで述べたものと等価の形態、拡張形態、変形実施形態、それらとは異なる形態等を含む）を考えることができる。このような代案も本発明の範囲ならびに着想に含まれるものである。

本発明の１つの実施形態によるリソグラフィ投影装置を示す図 主としてウェハウィンドウを示す本発明の１つの実施形態によるリソグラフィ投影装置を描いた図 本発明の１つの実施形態による対称型空間光変調器（ＳＬＭ）アレイのレイアウトを示す図 本発明の１つの実施形態による対称型ＳＬＭアレイレイアウトにマッチしたアパーチャプロフィルを示す図 本発明の１つの実施形態によるアパーチャプロフィルと対称型ＳＬＭアレイレイアウトを重ね合わせた様子を示す図 発明の１つの実施形態による対称型ＳＬＭアレイレイアウトにマッチしたアパーチャプロフィルを示す図 本発明の１つの実施形態によるアパーチャプロフィルと対称型ＳＬＭアレイレイアウトを重ね合わせた様子を示す図 マルチパターン生成装置をもつマスクレスリソグラフィシステムにおいて散乱光を低減するための本発明の１つの実施形態による方法を示すフローチャート

Claims (17)

1. パターン生成構造をもつ１つまたは複数のパターン生成装置と、
   該１つまたは複数のパターン生成装置からの光を基板または被加工面に配向するための投影光学系と、
   前記パターン生成構造にマッチしたプロフィルをもち前記投影光学系内に配置されたアパーチャが設けられていることを特徴とする装置。
2. 請求項１記載の装置において、
   前記１つまたは複数のパターン生成装置は空間光変調器であることを特徴とする装置。
3. 請求項２記載の装置において、
   前記空間光変調器はディジタルマイクロミラーディバイスであることを特徴とする装置。
4. 請求項２記載の装置において、
   前記空間光変調器は透過型液晶ライトバルブであることを特徴とする装置。
5. 請求項２記載の装置において、
   前記空間光変調器は格子型ライトバルブであることを特徴とする装置。
6. 請求項１記載の装置において、
   前記アパーチャはアパーチャプレートであることを特徴とする装置。
7. 請求項１記載の装置において、
   前記アパーチャは、前記投影光学系の対象物平面近くのウィンドウ上にエッチングされていることを特徴とする装置。
8. 請求項１記載の装置において、
   前記アパーチャは、前記投影光学系の像平面近くのウィンドウ上にエッチングされていることを特徴とする装置。
9. 請求項１記載の装置において、
   前記アパーチャは、前記投影光学系内のレンズにエッチングされていることを特徴とする装置。
10. パターン生成構造をもつ１つまたは複数のパターン生成装置を用いた用途のための投影光学系において、
    光を配向するための１つまたは複数の光学素子と、アパーチャが設けられており、
    該アパーチャは、１つまたは複数のパターン生成装置の位置に対応する開口部を備えたプロフィルを有することを特徴とする投影光学系。
11. 請求項１０記載の投影光学系において、
    前記アパーチャは、該投影光学系の対象物平面近くのウィンドウ上にエッチングされていることを特徴とする投影光学系。
12. 請求項１０記載の投影光学系において、
    前記アパーチャは、該投影光学系の像平面近くのウィンドウ上にエッチングされていることを特徴とする投影光学系。
13. 請求項１０記載の投影光学系において、
    前記アパーチャは、該投影光学系内のレンズ上にエッチングされていることを特徴とする投影光学系。
14. ａ）放射ビームを生成するステップと、
    ｂ）該放射ビームの一部分をパターニングするステップと、
    ｃ）該パターニングされた放射ビームを基板に向けて投影するステップと、
    ｄ）前記放射ビームによる散乱光を基板に対し阻止するステップ
    を有することを特徴とする方法。
15. 請求項１４記載の方法において、
    前記基板としてディスプレイディバイスを用いることを特徴とする方法。
16. 請求項１４記載の方法において、
    前記基板としてウェハを用いることを特徴とする方法。
17. 請求項１４記載の方法において、
    前記基板としてカメラを用いることを特徴とする方法。

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