JP2009060135A - リソグラフィ装置およびデバイスの製造方法 - Google Patents
リソグラフィ装置およびデバイスの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009060135A JP2009060135A JP2008288623A JP2008288623A JP2009060135A JP 2009060135 A JP2009060135 A JP 2009060135A JP 2008288623 A JP2008288623 A JP 2008288623A JP 2008288623 A JP2008288623 A JP 2008288623A JP 2009060135 A JP2009060135 A JP 2009060135A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- array
- substrate
- microlens
- image
- individually controllable
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
- G03F7/70291—Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
- G03F7/2057—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using an addressed light valve, e.g. a liquid crystal device
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】上記システムおよび方法は、放射線のビームを選択的にパターン化する個々に制御可能な素子を含む第1のアレイと、第1の面内で上記の個々に制御可能な素子それぞれから画像を形成するレンズおよびアパーチャ・ストップのセットを含む第2のアレイと、第2の面内で上記第2のアレイそれぞれから画像を形成するレンズを含む第3のアレイと、上記基板が上記第2のアレイそれぞれから上記画像を受光するように、上記第2の面内に基板を保持する基板テーブルの使用とを含む。第1、第2および第3のアレイ内の素子間には、同じ間隔が形成される。
【選択図】図1
Description
本明細書においては、「個々に制御可能な素子のアレイ」という用語は、必要なパターンを基板の目標部分内に形成することができるように、入力放射線ビームをパターン化した断面の形にするために使用することができる任意のデバイスを指すものとして広義に解釈すべきである。「ライト・バルブ」および「空間光変調装置」(SLM)という用語も同じ意味で使用することができる。このようなパターニング・デバイスのいくつかの例について以下に説明する。
図1は、本発明のある実施形態によるリソグラフィ投影装置100の略図である。装置100は、少なくとも放射システム102(例えば、EX、IL(例えば、AM、IN、CO等)等)と、個々に制御可能な素子PPMのアレイ104と、オブジェクト・テーブルWT106(例えば、基板テーブル)と、投影システム(レンズ)PL108とを含む。
1.ステップ・モード:個々に制御可能な素子のアレイ114上の全パターンが、目標部分120上に1回で(すなわち、1回の「フラッシュ」で)投影される。次に、基板テーブル106は、ビーム110により照射される異なる目標部分120のための異なる位置に、xおよび/またはy方向に移動する。
2.走査モード:このモードは、所与の目標部分120が1回の「フラッシュ」で露光されない点を除けば、本質的には、ステップ・モードと同じである。代わりに、個々に制御可能な素子のアレイ114が、速度vで所与の方向(例えば、y方向のようないわゆる「走査方向」)に移動することができ、そのため投影ビーム110は、個々に制御可能な素子のアレイ114上を走査する。同時に、基板テーブル106は、速度V=Mvで同じ方向または反対方向に移動する。この場合、Mは投影システム108の倍率である。このようにして、解像度を犠牲にしないで、比較的広い目標部分120を露光することができる。
3.パルス・モード:個々に制御可能な素子のアレイ114は、本質的に固定されていて、パルス放射システム102により全パターンが基板114の目標部分120上に投影される。基板テーブル106は、投影ビーム110が基板106を走査するようにほぼ一定の速度で移動する。個々に制御可能な素子のアレイ114上のパターンは、放射システム102のパルス間に必要に応じて更新され、連続している目標部分120が基板114上の必要な場所で露光されるように、パルスのタイミングがとられる。それ故、投影ビーム110は、基板114のストリップ用の全パターンを露光するために、基板114を横切って走査することができる。全基板114がライン毎に露光されるまでこのプロセスが反復して行われる。
4.連続走査モード:ほぼ一定の放射システム102が使用され、個々に制御可能な素子のアレイ114上のパターンが、投影ビーム110が基板114を横切って走査し、基板を露光する時に更新されるという点を除けば、本質的には、このモードはパルス・モードと同じである。
図2は、本発明のある実施形態による本発明の画像形成装置の構成である。放射システム102が供給した投影ビーム210PBは、ビーム・スプリッタ118BSによりプログラマブル・パターニング・デバイス204PPM上に向けられる。その輝度がプログラマブル・パターニング手段204の各ピクセル250PXの状態(例えば、すべてまたは一部のオンまたはオフ)をベースとしている戻りサブビーム210BLは、ビーム・スプリッタ118BSを通過して各マイクロレンズ・セット10に達する。
図4は、本発明のある実施形態による本発明の画像形成装置の構成である。この実施形態はビーム・スプリッタを使用していない。詳細には示していないが、プログラマブル・パターニング・デバイス404の素子のある状態が、光をマイクロレンズ・セット10の方向に向け、一方、他の状態が、光をマイクロレンズ・セット10から遠ざかる方向に向けるように、コリメートビーム410は、角度α(図示せず)でプログラマブル・パターニング・デバイス404PPM上に向けられる。ある種のプログラマブル・パターニング・デバイス404は、本発明の範囲に入る3つ以上の状態(例えば、変化するオン状態)を含むことができることを理解されたい。角度αの値は、この少なくとも2つの状態で、プログラマブル・パターニング・デバイス404が向ける光の角度の差に依存する。デジタル・ミラー・デバイスを使用する一実施形態の場合には、通常、ミラーを約±10〜15度に設定することができ、一方、格子ライト・バルブの場合には、一次を0次に対して約±25〜35度に設定することができる。
今まで本発明の種々の実施形態について説明してきたが、これら実施形態は単に例示としてのものであって、本発明を制限するものではないことを理解されたい。当業者であれば、本発明の精神および範囲から逸脱することなしに、実施形態の形状および詳細な点を種々に変更できることを理解することができるだろう。それ故、本発明の広さおよび範囲は、上記の例示としての実施形態のいずれによっても制限されるものではなく、特許請求の範囲およびその等価物によってだけ制限される。
12 アパーチャ・プレート
11,13 マイクロレンズ・アレイ
14 視野マイクロレンズ・アレイ
100 リソグラフィ投影装置
102 放射システム
104 プログラマブル・パターニング・デバイスPPM
106 オブジェクト・テーブルWT
108 投影システム
110 投影ビームPB
112 ビーム
114 基板W
116 位置決めデバイスPW
118 ビーム・スプリッタ
120 目標部分C
122 放射線ビーム
124 照明装置IL
126 調整デバイス
128 調整デバイスAM
130 インテグレータIN
132 コンデンサCO
204 プログラマブル・パターニング・デバイス
404,504 プログラマブル・パターニング・デバイス
410 平行ビーム
Claims (4)
- 自己放射素子である個々に制御可能な素子を含み、所望のパターンに従って変調された放射線のビームを生成するパターニング・アレイと、
各マイクロレンズ・セットが、アパーチャ・ストップを有し、第1の面内に前記個々に制御可能な素子それぞれからの画像を形成するマイクロレンズ・セットのアレイと、
各視野マイクロレンズが、第2の面内に前記マイクロレンズ・セットそれぞれの前記アパーチャ・ストップの画像を形成する視野マイクロレンズのアレイと、
基板が前記アパーチャ・ストップの前記画像を受光する位置を占めるように、前記第2の面内で基板を支持する基板テーブルとを備え、
前記パターニング・アレイ、前記マイクロレンズ・セットのアレイ、および前記視野マイクロレンズのアレイ内の素子の間隔が同じであるリソグラフィ装置。 - 前記パターニング・アレイ、前記マイクロレンズ・セットのアレイ、および前記視野マイクロレンズのアレイが、それぞれ約50mm〜約500mmの範囲の幅を有する、請求項1に記載の装置。
- 前記マイクロレンズ・セットのアレイが、マイクロレンズの2つのアレイおよびアパーチャ・ストップの1つのアレイを備える、請求項1に記載の装置。
- 前記パターニング・アレイ、前記マイクロレンズ・セットのアレイ、および前記視野マイクロレンズのアレイのうちの少なくとも2つが各アレイ用の基本的アレイ構造を形成するように、1つのマスクまたはマスク・セットを使用するリソグラフィ・プロセスにより形成される、請求項1に記載の装置。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/795802 | 2004-03-09 | ||
US10/795,802 US6967711B2 (en) | 2004-03-09 | 2004-03-09 | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US10/922,106 US7116402B2 (en) | 2004-03-09 | 2004-08-20 | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US10/922106 | 2004-08-20 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005063729A Division JP4266943B2 (ja) | 2004-03-09 | 2005-03-08 | リソグラフィ装置およびデバイスの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009060135A true JP2009060135A (ja) | 2009-03-19 |
JP5022338B2 JP5022338B2 (ja) | 2012-09-12 |
Family
ID=34919792
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005063729A Expired - Fee Related JP4266943B2 (ja) | 2004-03-09 | 2005-03-08 | リソグラフィ装置およびデバイスの製造方法 |
JP2008288623A Expired - Fee Related JP5022338B2 (ja) | 2004-03-09 | 2008-11-11 | リソグラフィ装置およびデバイスの製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005063729A Expired - Fee Related JP4266943B2 (ja) | 2004-03-09 | 2005-03-08 | リソグラフィ装置およびデバイスの製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6967711B2 (ja) |
JP (2) | JP4266943B2 (ja) |
KR (1) | KR100659254B1 (ja) |
CN (1) | CN100582944C (ja) |
TW (1) | TWI281595B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014090210A (ja) * | 2014-01-22 | 2014-05-15 | Nikon Corp | パターン形成装置、及びパターン形成方法 |
Families Citing this family (65)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9188874B1 (en) * | 2011-05-09 | 2015-11-17 | Kenneth C. Johnson | Spot-array imaging system for maskless lithography and parallel confocal microscopy |
US9097983B2 (en) | 2011-05-09 | 2015-08-04 | Kenneth C. Johnson | Scanned-spot-array EUV lithography system |
TWI245169B (en) * | 2002-10-28 | 2005-12-11 | Asml Netherlands Bv | Method for detecting defect in mask, computer program, and reference substrate |
USRE43515E1 (en) | 2004-03-09 | 2012-07-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US6967711B2 (en) * | 2004-03-09 | 2005-11-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7242456B2 (en) * | 2004-05-26 | 2007-07-10 | Asml Holdings N.V. | System and method utilizing a lithography tool having modular illumination, pattern generator, and projection optics portions |
US7477403B2 (en) * | 2004-05-27 | 2009-01-13 | Asml Netherlands B.V. | Optical position assessment apparatus and method |
US7123348B2 (en) * | 2004-06-08 | 2006-10-17 | Asml Netherlands B.V | Lithographic apparatus and method utilizing dose control |
US7251020B2 (en) * | 2004-07-30 | 2007-07-31 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7079225B2 (en) * | 2004-09-14 | 2006-07-18 | Asml Netherlands B.V | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2006119601A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-05-11 | Canon Inc | 光変調素子及びそれを利用した光学装置 |
US7061581B1 (en) * | 2004-11-22 | 2006-06-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7349068B2 (en) * | 2004-12-17 | 2008-03-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7459247B2 (en) * | 2004-12-27 | 2008-12-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7253881B2 (en) * | 2004-12-29 | 2007-08-07 | Asml Netherlands Bv | Methods and systems for lithographic gray scaling |
KR100638107B1 (ko) * | 2005-06-09 | 2006-10-24 | 연세대학교 산학협력단 | 이머젼 박막층을 구비하는 광변조 미세개구 어레이 장치 및이를 이용한 고속 미세패턴 기록시스템 |
US7307694B2 (en) * | 2005-06-29 | 2007-12-11 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, radiation beam inspection device, method of inspecting a beam of radiation and device manufacturing method |
CN1955842B (zh) * | 2005-10-27 | 2010-06-16 | 中华映管股份有限公司 | 光刻设备 |
US7760274B2 (en) * | 2005-12-08 | 2010-07-20 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Programmable mask for fabricating biomolecule array or polymer array, apparatus for fabricating biomolecule array or polymer array including the programmable mask, and method of fabricating biomolecule array or polymer array using the programmable mask |
US7751695B2 (en) * | 2006-06-12 | 2010-07-06 | Lawrence Livermore National Security, Llc | High-speed massively parallel scanning |
US8715909B2 (en) * | 2007-10-05 | 2014-05-06 | Infineon Technologies Ag | Lithography systems and methods of manufacturing using thereof |
JP5620379B2 (ja) * | 2008-07-31 | 2014-11-05 | コーニング インコーポレイテッド | スポットが調整される能動スポットアレイリソグラフィ用投影機システム |
US8531648B2 (en) * | 2008-09-22 | 2013-09-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, programmable patterning device and lithographic method |
EP2226683A1 (en) * | 2009-03-06 | 2010-09-08 | Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Illumination system for use in a stereolithography apparatus |
US20100283978A1 (en) * | 2009-05-07 | 2010-11-11 | Ultratech,Inc. | LED-based UV illuminators and lithography systems using same |
CN101795339B (zh) * | 2010-01-25 | 2014-04-16 | 赖博 | 一种共聚焦光学扫描仪 |
TWI448830B (zh) | 2010-02-09 | 2014-08-11 | Asml Netherlands Bv | 微影裝置及元件製造方法 |
KR101419330B1 (ko) | 2010-02-23 | 2014-07-15 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 |
SG183393A1 (en) | 2010-02-25 | 2012-09-27 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP5738981B2 (ja) | 2010-04-12 | 2015-06-24 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 基板ハンドリング装置、リソグラフィ装置、ツール、及びデバイス製造方法 |
KR101714005B1 (ko) * | 2010-07-13 | 2017-03-09 | 삼성전자 주식회사 | 광학 소자 및 이를 포함하는 노광 장치 |
JP2012063377A (ja) * | 2010-09-14 | 2012-03-29 | Enplas Corp | レンズアレイおよびそのレンズエッジ検出方法 |
JP5515120B2 (ja) | 2010-10-29 | 2014-06-11 | 株式会社ブイ・テクノロジー | マイクロレンズアレイを使用したスキャン露光装置 |
US8503087B1 (en) * | 2010-11-02 | 2013-08-06 | Google Inc. | Structured optical surface |
KR101501967B1 (ko) | 2010-12-08 | 2015-03-12 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 |
JP5973472B2 (ja) * | 2011-03-11 | 2016-08-23 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置、放射ビームスポットフォーカスを測定するための方法、及びデバイス製造方法 |
SG193240A1 (en) | 2011-03-29 | 2013-10-30 | Asml Netherlands Bv | Measurement of the position of a radiation beam spot in lithography |
KR101538414B1 (ko) | 2011-04-08 | 2015-07-22 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치, 프로그래밍 가능한 패터닝 디바이스 및 리소그래피 방법 |
WO2012143188A1 (en) | 2011-04-21 | 2012-10-26 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, method for maintaining a lithographic apparatus and device manufacturing method |
US9760012B2 (en) | 2011-08-04 | 2017-09-12 | Nikon Corporation | Illumination device |
CN103765316B (zh) | 2011-08-18 | 2016-06-29 | Asml荷兰有限公司 | 光刻设备和器件制造方法 |
US8823921B2 (en) | 2011-08-19 | 2014-09-02 | Ultratech, Inc. | Programmable illuminator for a photolithography system |
JP2013074175A (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-22 | Nagase & Co Ltd | 電気部品の製造方法 |
NL2009342A (en) | 2011-10-31 | 2013-05-07 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
JP5886979B2 (ja) | 2011-11-29 | 2016-03-16 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置用の所望のデバイスパターンのベクタ形式表現を変換する装置および方法、プログラマブルパターニングデバイスにデータを供給する装置および方法、リソグラフィ装置、デバイス製造方法 |
WO2013079285A1 (en) | 2011-11-29 | 2013-06-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and computer program |
US9341960B2 (en) | 2011-12-05 | 2016-05-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
NL2009817A (en) | 2011-12-06 | 2013-06-10 | Asml Netherlands Bv | A lithography apparatus, an apparatus for providing setpoint data, a device manufacturing method, a method of calculating setpoint data and a computer program. |
NL2009902A (en) | 2011-12-27 | 2013-07-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
NL2009979A (en) | 2012-01-12 | 2013-07-15 | Asml Netherlands Bv | A lithography apparatus, an apparatus for providing setpoint data, a device manufacturing method, a method for providing setpoint data and a computer program. |
NL2010020A (en) | 2012-01-17 | 2013-07-18 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
CN104115068B (zh) | 2012-02-23 | 2017-04-05 | Asml荷兰有限公司 | 装置、光刻设备、用于引导辐射的方法以及装置制造方法 |
US8845163B2 (en) | 2012-08-17 | 2014-09-30 | Ultratech, Inc. | LED-based photolithographic illuminator with high collection efficiency |
FR2996015B1 (fr) * | 2012-09-25 | 2014-09-12 | Sagem Defense Securite | Illuminateur de dispositif de photolithographie permettant la diffraction controlee |
DE102012217967A1 (de) | 2012-10-01 | 2014-04-03 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Konfokales Mikroskop mit frei einstellbarer Probenabtastung |
NL2012052A (en) | 2013-01-29 | 2014-08-04 | Asml Netherlands Bv | A radiation modulator for a lithography apparatus, a lithography apparatus, a method of modulating radiation for use in lithography, and a device manufacturing method. |
KR102093341B1 (ko) * | 2013-06-24 | 2020-03-25 | 삼성전자주식회사 | 광학적 어드레싱 공간 광변조기 기반 홀로그래픽 디스플레이 |
JP6308523B2 (ja) * | 2014-03-11 | 2018-04-11 | 株式会社ブイ・テクノロジー | ビーム露光装置 |
WO2016045945A1 (en) * | 2014-09-26 | 2016-03-31 | Asml Netherlands B.V. | Inspection apparatus and device manufacturing method |
TWI701517B (zh) * | 2014-12-23 | 2020-08-11 | 德商卡爾蔡司Smt有限公司 | 光學構件 |
US11460777B2 (en) * | 2016-12-20 | 2022-10-04 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Method and device for exposure of photosensitive layer |
US10459341B2 (en) * | 2018-01-30 | 2019-10-29 | Applied Materials, Inc. | Multi-configuration digital lithography system |
DE102018211972B4 (de) * | 2018-07-18 | 2020-04-23 | Trumpf Laser Gmbh | Optische Anordnung zur variablen Erzeugung eines Multifoki-Profils, sowie Verfahren zum Betrieb und Verwendung einer solchen Anordnung |
EP3605231A1 (en) * | 2018-08-01 | 2020-02-05 | ASML Netherlands B.V. | Optical maskless lithography |
US10937630B1 (en) | 2020-04-27 | 2021-03-02 | John Bennett | Modular parallel electron lithography |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001290096A (ja) * | 2000-04-10 | 2001-10-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 露光記録装置 |
JP2003337427A (ja) * | 2002-05-20 | 2003-11-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | 露光装置 |
JP2004056100A (ja) * | 2000-11-14 | 2004-02-19 | Ball Semiconductor Inc | スムーズなデジタル成分をデジタルフォトリソグラフィーシステムで作成するためのシステムおよび方法 |
JP2005062847A (ja) * | 2003-07-31 | 2005-03-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | 露光ヘッド |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5523193A (en) * | 1988-05-31 | 1996-06-04 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for patterning and imaging member |
DE59105735D1 (de) | 1990-05-02 | 1995-07-20 | Fraunhofer Ges Forschung | Belichtungsvorrichtung. |
US5229872A (en) | 1992-01-21 | 1993-07-20 | Hughes Aircraft Company | Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning |
US6219015B1 (en) * | 1992-04-28 | 2001-04-17 | The Board Of Directors Of The Leland Stanford, Junior University | Method and apparatus for using an array of grating light valves to produce multicolor optical images |
JP3224041B2 (ja) * | 1992-07-29 | 2001-10-29 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置 |
US5729331A (en) * | 1993-06-30 | 1998-03-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus |
JP3339149B2 (ja) * | 1993-12-08 | 2002-10-28 | 株式会社ニコン | 走査型露光装置ならびに露光方法 |
US5677703A (en) * | 1995-01-06 | 1997-10-14 | Texas Instruments Incorporated | Data loading circuit for digital micro-mirror device |
US5530482A (en) * | 1995-03-21 | 1996-06-25 | Texas Instruments Incorporated | Pixel data processing for spatial light modulator having staggered pixels |
AU1975197A (en) * | 1996-02-28 | 1997-10-01 | Kenneth C. Johnson | Microlens scanner for microlithography and wide-field confocal microscopy |
US5870176A (en) * | 1996-06-19 | 1999-02-09 | Sandia Corporation | Maskless lithography |
JP4126096B2 (ja) | 1997-01-29 | 2008-07-30 | マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット | 感光性被覆を有する基板上に集束レーザ放射により構造物を製作する方法と装置 |
US6177980B1 (en) * | 1997-02-20 | 2001-01-23 | Kenneth C. Johnson | High-throughput, maskless lithography system |
SE509062C2 (sv) | 1997-02-28 | 1998-11-30 | Micronic Laser Systems Ab | Dataomvandlingsmetod för en laserskrivare med flera strålar för mycket komplexa mikrokolitografiska mönster |
US5982553A (en) * | 1997-03-20 | 1999-11-09 | Silicon Light Machines | Display device incorporating one-dimensional grating light-valve array |
SE9800665D0 (sv) * | 1998-03-02 | 1998-03-02 | Micronic Laser Systems Ab | Improved method for projection printing using a micromirror SLM |
US6424404B1 (en) * | 1999-01-11 | 2002-07-23 | Kenneth C. Johnson | Multi-stage microlens array |
US6379867B1 (en) * | 2000-01-10 | 2002-04-30 | Ball Semiconductor, Inc. | Moving exposure system and method for maskless lithography system |
US6811953B2 (en) * | 2000-05-22 | 2004-11-02 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, method for manufacturing therof, method for exposing and method for manufacturing microdevice |
US6515257B1 (en) * | 2001-03-26 | 2003-02-04 | Anvik Corporation | High-speed maskless via generation system |
AU2002342349A1 (en) * | 2001-11-07 | 2003-05-19 | Applied Materials, Inc. | Maskless printer using photoelectric conversion of a light beam array |
JP3563384B2 (ja) * | 2001-11-08 | 2004-09-08 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 画像記録装置 |
KR100545297B1 (ko) * | 2002-06-12 | 2006-01-24 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피장치 및 디바이스 제조방법 |
US6870554B2 (en) * | 2003-01-07 | 2005-03-22 | Anvik Corporation | Maskless lithography with multiplexed spatial light modulators |
EP1482373A1 (en) | 2003-05-30 | 2004-12-01 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1482375B1 (en) | 2003-05-30 | 2014-09-17 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US6967711B2 (en) | 2004-03-09 | 2005-11-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
-
2004
- 2004-03-09 US US10/795,802 patent/US6967711B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-08-20 US US10/922,106 patent/US7116402B2/en not_active Ceased
-
2005
- 2005-03-07 TW TW094106795A patent/TWI281595B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-03-08 JP JP2005063729A patent/JP4266943B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-03-08 CN CN200510054499A patent/CN100582944C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-03-08 KR KR1020050019233A patent/KR100659254B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2008
- 2008-11-11 JP JP2008288623A patent/JP5022338B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001290096A (ja) * | 2000-04-10 | 2001-10-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 露光記録装置 |
JP2004056100A (ja) * | 2000-11-14 | 2004-02-19 | Ball Semiconductor Inc | スムーズなデジタル成分をデジタルフォトリソグラフィーシステムで作成するためのシステムおよび方法 |
JP2003337427A (ja) * | 2002-05-20 | 2003-11-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | 露光装置 |
JP2005062847A (ja) * | 2003-07-31 | 2005-03-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | 露光ヘッド |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014090210A (ja) * | 2014-01-22 | 2014-05-15 | Nikon Corp | パターン形成装置、及びパターン形成方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005260231A (ja) | 2005-09-22 |
JP4266943B2 (ja) | 2009-05-27 |
US20050200821A1 (en) | 2005-09-15 |
US20050200820A1 (en) | 2005-09-15 |
US7116402B2 (en) | 2006-10-03 |
KR20060043529A (ko) | 2006-05-15 |
US6967711B2 (en) | 2005-11-22 |
JP5022338B2 (ja) | 2012-09-12 |
CN1667516A (zh) | 2005-09-14 |
CN100582944C (zh) | 2010-01-20 |
KR100659254B1 (ko) | 2006-12-19 |
TW200540554A (en) | 2005-12-16 |
TWI281595B (en) | 2007-05-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5022338B2 (ja) | リソグラフィ装置およびデバイスの製造方法 | |
US7081944B2 (en) | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method utilizing two arrays of focusing elements | |
KR100637885B1 (ko) | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 | |
KR100730060B1 (ko) | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법 | |
US7859735B2 (en) | Systems and methods for minimizing scattered light in multi-SLM maskless lithography | |
JP4386866B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
KR100659256B1 (ko) | 리소그래피장치 및 디바이스 제조방법 | |
JP2006049904A (ja) | リソグラフィ用のオフアクシス反射屈折投影光学系 | |
USRE45284E1 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
US7336343B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP4791179B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
JP5346356B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110913 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111212 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120529 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120615 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150622 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |