JP2010536167A - 光学系上の散乱光測定方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
ィールド(22b)を用意するステップを含み、両測定フィールドのそれぞれが第1光操作型
または第2光操作型のいずれかであり、第1光操作型は入射光を光学系に入射させるように構成され、第2光操作型は入射光が光学系に入射することを防止するように構成され、両測定フィールドのそれぞれが、第2光操作型の参照構造(30)及びそれぞれの測定構造を有し、これらの測定構造は、測定フィールドが第1光操作型である場合は第2光操作型であり、測定フィールドが第2光操作型である場合は第1光操作型であり、それぞれの測定フィールド(22a,22b)の測定構造は、それぞれの参照構造に対して異なる方向にオフセッ
トし、この方法はさらに、上記光学系を用いて、第1測定フィールドを像平面内に結像させ、これにより第1測定フィールドの参照構造の像の領域内の位置に生じる第1光強度を測定するステップと、上記光学系を用いて、第2測定フィールドを上記像平面内に結像させ、これにより第2測定フィールドの参照構造の像の領域内の位置に生じる第2光強度を測定するステップとを含む。
Description
本発明は、光学系上の散乱光を測定する方法及び装置に関するものである。本発明はさらに、この種の装置を有するマイクロリソグラフィー用の投影露光ツール、及び光学系上の散乱光を測定するためのマスクに関するものである。さらに、本発明は、マイクロリソグラフィー用の投影露光ツールを動作させる方法に関するものである。
本発明の目的は、上述した問題を解決することにあり、特に、より有意味な散乱光測定結果を得ることができるように、光学系上の散乱光を測定する方法及び装置を改良することにある。
この目的は、本発明によるマイクロリソグラフィー用の投影露光ツールにより達成され、この投影露光ツールは、方向分解(した)散乱光(の)測定を実行するように構成された測定装置を投影露光ツールの内部に備えている。従って、この測定装置は、方向分解された散乱光を確立することを可能にする。この投影露光ツールは、マスク構造をウェハー上に結像させるための投影対物光学系、及び、特に投影対物光学系を横切る光に関する方向分解散乱光測定を実行するように構成された装置を具えている。本発明による1つの変形例では、この測定装置は上記投影露光ツール内に固定的に統合されている。この投影露光ツールは、例えば、いわゆるステッパーまたはスキャナーの形態とすることができ、そして例えば、248nm及び193nmの露光波長用、あるいは極紫外(EUV:extreme ultraviolet)波長範囲内の波長用、例えば100nmより小さい波長用、特に13.
4nm用にも設計することができる。
結果を生成する。異なる散乱方向から生じる散乱光の強度を総計して、散乱方向に応じて光に重み付けして単一の測定値を生じさせる測定は、異なる散乱方向の散乱光に異なる重み付けを適用し、方向依存性の散乱光測定と考えられる。さらに、単一伝搬方向あるいは360°より小さい伝搬方向の角度範囲を有する散乱光を測定する測定は、方向依存性の散乱光測定と考えられる。従って、方向依存性の散乱光測定は、一方向のみから生じる散乱光の強度も測定することができる。
、第2測定フィールドの測定構造が第2測定フィールドの参照構造に対してオフセットしている方向以外の方向にオフセットしている。この方法はさらに、上記光学系を用いて第1測定フィールドを像平面内に結像させ、これにより第1測定フィールドの参照構造の像の領域内の位置に生じる第1光強度を測定するステップと、上記光学系を用いて第2測定フィールドを上記像平面内に結像させ、これにより第2測定フィールドの参照構造の像の領域内、特に像領域の内部の位置に生じる第2光強度を測定するステップとを含む。本発明の好適例では、この方法は、測定した第1光強度及び測定した第2光強度を評価することによって、測定結果を方向分解散乱光分布の形で確立するステップを含む。本発明の他の好適例によれば、さらに参照フィールドを用意し、この参照フィールドは上記測定フィールドと同じ光操作特性を有し、即ち、上記第1光操作型または第2光操作型のいずれかであり、そして第2光操作型の参照構造を有する。
第1光操作型または第2光操作型のいずれかであり、この第1光操作型は、入射光を上記光学系に入射させるように構成され、第2光操作型は、入射光が上記光学系に入射することを防止するように構成され、両測定フィールドのそれぞれが、第2光操作型の参照構造及びそれぞれの測定構造を有し、これらの測定構造は、測定フィールドが第1光操作型である場合は第2光操作型であり、測定フィールドが第2光操作型である場合は、測定フィールドの第1光操作型領域であり、それぞれの測定フィールドの測定構造は、それぞれの参照構造に対して異なる方向にオフセットしている。この装置はさらに、上記光学系を用いて第1測定フィールドを像平面内に結像させた際に生じる第1光強度を測定する装置を具え、第1光強度を測定するこの測定装置は、第1測定フィールドの参照構造の像の領域内の測定位置に配置され、上記装置はさらに、上記光学系を用いて第2測定フィールドを上記像平面内に結像させた際に生じる第2光強度を測定する装置を具え、第2光強度を測定するこの測定装置は、第2測定フィールドの参照構造の像の領域内の測定位置に配置されている。第1光強度を測定する装置と第2光強度を測定する装置とは同じ測定装置であること、即ち、第1光強度及び第2光強度を同じ測定装置で測定することが有利である。
ィールドを調整することができる。
性の散乱光分布の発生源であり得る。従って、本発明による対応する散乱光分布の方向分解測定は、上述した種類の好適な方向を確立することを可能にする。光学系の光表面の汚染の「粒子サイズ」(延長)は、この光学面上の汚染を記述する異方性グリッド(格子)の周期長と相関があるものと仮定する。例として、異方性グリッドNは、画素に割り当てられた光学面の副開口上で空間的振動を有し得る。従って、散乱の最大値と理想的画素との間の距離を指定するいわゆる散乱範囲Δxは、照射光の波長λ及び光学系の開口数NAを用いて、次式のように計算することができる:Δx=N・λ/2NA。
イズが少なくとも10μmである。マイクロリソグラフィー用のスキャナーを用いて測定構造を1:4の縮小率で結像させる場合は、像平面内の測定構造の最小寸法は2.5μm、特に5μmである。従って、参照構造の結像位置で測定した光強度の十分な変化をもたらすのに十分な寸法である。マスク上の参照構造と測定構造との間の距離は最大2.0mm、特に最大1.0mmである。上述したスキャナーを用いてこれらの構造を結像させる場合は、参照構造と測定構造との間の距離は最大500μm、特に250μmである。従って、リソグラフィー像では一般に大きな散乱範囲を有する散乱光を測定することができることが保証される。参照構造の中心点と測定構造の中心点との間の最小距離は、測定構造の最小寸法の範囲内であることが有利である。本発明によるマスクは、本発明による散乱光を測定する方法を実現することを可能にし、方向分解散乱光測定の結果を伴う。本発明による方法の第1ステップは、第1測定フィールドを結像させ、同じマスク上または他のマスク上の対応する測定フィールドを用いて実現することができる。
よる上述した好適例の1つでは、この装置がマスクを具えている。
しているのと同じ方向であるが異なる距離だけオフセットしている。第2測定フィールドを結像させる際の、測定位置における光強度の追加的測定によって、散乱光を追加的に距離分解して測定することができる。
以下に説明する本発明の実施例では、機能及び構造が同様の構成要素は、できる限り同一または同様の参照番号で示す。従って、特定実施例の個別の構成要素の特徴を理解するために、本発明の他の実施例または概要の説明を参照すべきである。
合は極紫外波長範囲(EUV)である。照射システム15は、電磁放射のビームを生成するための光源16(例えば水銀ランプ、UV光を生成するエキシマレーザー、あるいは蓄積リングまたはシンクロトロン内の電子ビームの経路の周りに配置したアンジュレータの形態、あるいはEUV光を生成するプラズマ源の形態)を具えている。このビームは、直接、あるいは例えばビームエキスパンダ(ビーム拡大器)の形態の調整手段48を通過した後のいずれかに、照射器46に供給され、照射器46は複数の光学素子、図8の場合は反射素子46aを具えている。照射器46は、ビームの強度分布の外径及び/または内径(一般に内σまたは外σと称する)を設定するための照射設定手段50を有することができる。これに加えて、照射器46は一般に、例えば(光)結合器52及びコンデンサー(集光レンズ)54のような他の種々の構成要素を有する。従って、マスク20上を照射する照射18は、断面内で所望の均一性及び分布を有する。
大部分、または(s)で識別される行内に配置された4つの測定フィールドのいずれかを結
像させることができる。あるいはまた、第2階層レベル(n=2)の(a)または(s)で識別される行内に示す測定フィールド22bを結像させることができる。同じ方法で、第3またはより上位の階層面の対応する測定フィールドの組合せも結像させることができる。
定フィールド22bの第2光強度を評価することによって、360°の角度にわたって方向分解された散乱光分布が確立される。(a)で識別される測定フィールドの代わりに、(s)で識別される測定フィールドを用いて散乱光を測定する場合は、方向依存性の散乱光分布の決定は180°の角度範囲に限定される。(s)で識別される測定フィールド22bのそ
れぞれは、参照構造30に対して互いに対称に配置された測定構造32及び34を有する。対称配置によって、対応する散乱光部分について確立される方向ベクトルのプレフィックスは区別することができない。測定構造32が、測定位置40で測定した光強度に与える影響は、測定フィールド22bの測定構造が、測定した光強度に与える影響と区別することができない。
数は1+4N×(N+1)になる。対称的な場合、即ち(s)で識別される測定フィールド2
2bを使用する際は、測定の総回数は1+2N×(N+1)となる。
40で測定した光強度の差の計算を例示する。差の計算の結果は、図3の右側領域に示すそれぞれの実効的な測定フィールド36を、測定位置40にある像平面25内に結像させた際に記録される光強度に相当する。一般的な場合(a)では、測定構造32の位置にある
実効的な散乱光源38によって散乱されて測定フィールド36の中心に入る散乱光のみが、測定位置40に当たる。対称的な場合は、実効的な測定フィールド36が、測定構造32及び34の位置に2つの実効的な光源38a及び38bを有する。
が傾斜位置に配置されている場合は、それぞれのミラー121bに入射する照射18の入射光ビーム118は反射されて反射光ビーム119bになり、投影対物光学系12の捕捉範囲外になるように指向され、即ち、反射光ビーム119bは投影対物光学系12を通過しない。
10 露光ツール
12 光学系
12a 反射素子
14 散乱光を測定する装置
15 照射システム
16 光源
18 照射
20 マスク
22 測定フィールド
22a 参照フィールド
22b 測定フィールド
24 測定装置
25 像平面
26 基板テーブル
28 評価装置
30 参照構造
32 測定構造
34 測定構造
36 実効的な測定フィールド
38 実効的な散乱光源
40 測定位置
42 最小垂直範囲
44 最小水平範囲
46 照射器
46a 反射素子
48 調整手段
50 照射設定手段
52 結合器
54 コンデンサー
56 マスクテーブル
58 瞳孔
60 マスクホルダー
62 マイクロ対物光学系
64 フィールドストップ
66 光電検出器
118 入射光ビーム
119a 反射光ビーム
119b 反射光ビーム
120 マルチミラーアレイ
121a マイクロミラー(無傾斜)
121b マイクロミラー(傾斜)
123 傾斜装置
127 支持構造
Claims (54)
- マイクロリソグラフィー用の投影露光ツールにおいて、
この投影露光ツール内部の方向分解散乱光測定を実行するように構成された測定装置を具えていることを特徴とする投影露光ツール。 - さらに、前記測定装置によって得られた測定結果に応じて、前記投影露光ツールの露光動作を制御するように構成された制御装置を具えていることを特徴とする請求項1に記載の投影露光ツール。
- 極紫外線(EUV)波長範囲内での動作用に構成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の投影露光ツール。
- 前記測定装置が反射マスクを具えていることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の投影露光ツール。
- 前記測定装置が、切り替え可能なマスクを具えていることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の投影露光ツール。
- 前記測定装置が、前記投影露光ツール内に固定的に統合されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の投影露光ツール。
- 前記測定装置が、請求項50〜54に記載のように構成されていることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の投影露光ツール。
- マイクロリソグラフィー用の投影露光ツールを動作させる方法において、
前記投影露光ツールの内部の方向分解散乱光測定を実行するステップを具えていることを特徴とする投影露光ツールの動作方法。 - 前記投影露光ツールの少なくとも1つのパラメータを、前記方向分解散乱光測定の結果に応じて修正することを特徴とする請求項8に記載の方法。
- 光学系上の散乱光を測定する方法において、この方法が、
第1の測定フィールド及び第2の測定フィールドを用意するステップを具え、前記第1の測定フィールド及び前記第2の測定フィールドのそれぞれが、第1光操作型または第2光操作型のいずれかであり、前記第1光操作型は入射光を前記光学系に入射させるように構成され、前記第2光操作型は入射光が前記光学系に入射することを防止するように構成され、前記第1の測定フィールド及び前記第2の測定フィールドのそれぞれが、前記第2光操作型の参照構造及びそれぞれの測定構造を有し、前記測定構造は、当該測定フィールドが前記第1光操作型である場合は前記第2光操作型であり、当該測定フィールドが前記第2光操作型である場合は前記第1光操作型であり、前記第1の測定フィールド及び前記第2の測定フィールドのそれぞれの前記測定構造は、当該測定フィールドの前記参照構造に対して互いに異なる方向にオフセットし、
前記方法がさらに、
前記光学系を用いて前記第1の測定フィールドを像平面内に結像させ、これにより前記第1の測定フィールドの前記参照構造の像の領域内の測定位置に生じる第1光強度を測定するステップと、
前記光学系を用いて前記第2の測定フィールドを前記像平面内に結像させ、これにより前記第2の測定フィールドの前記参照構造の像の領域内の測定位置に生じる第2光強度を測定するステップと
を含むことを特徴とする散乱光の測定方法。 - 光学系上の散乱光を測定する方法において、この方法が、
参照フィールド及び測定フィールドを用意するステップを具え、前記参照フィールド及び前記測定フィールドのそれぞれが、第1光操作型または第2光操作型のいずれかであり、前記第1光操作型は入射光を前記光学系に入射させるように構成され、前記第2光操作型は入射光が前記光学系に入射することを防止するように構成され、前記参照フィールド及び前記測定フィールドのそれぞれが、前記第2光操作型の参照構造を有し、前記測定フィールドは追加的に測定構造を有し、前記測定構造は、前記測定フィールドが前記第1光測定型である場合は前記第2光操作型であり、前記測定フィールドが前記第2光操作型である場合は、当該測定フィールドの前記第1光操作型の領域であり、前記測定構造の中心は、当該測定構造に関連する前記参照構造の領域の中心に対してオフセットし、
前記方法がさらに、
前記光学系を用いて前記参照フィールドを像平面内に結像させ、これにより前記参照フィールドの前記参照構造の像の領域内の測定位置に生じる第1光強度を測定するステップと、
前記光学系を用いて前記測定フィールドを前記像平面内に結像させ、これにより前記測定フィールドの前記参照構造の像の領域内の測定位置に生じる第2光強度を測定するステップとを含み、
前記像平面内の前記測定構造の像は、前記測定フィールドの前記参照構造の像の領域内の前記測定位置に対して、少なくとも300μmだけオフセットしていることを特徴とする散乱光の測定方法。 - 前記第1光操作型である要素が半透明要素であり、前記第2光操作型である要素が不透明要素であることを特徴とする請求項10または11に記載の方法。
- 前記第1光操作型である要素が反射要素であり、前記第2光操作型である要素が光吸収要素であることを特徴とする請求項10または11に記載の方法。
- 前記第1光操作型の要素が、入射光を前記光学系内に指向させるように整列させた複数のマイクロミラーによって形成され、前記第2光操作型の要素が、入射光を前記光学系の捕捉範囲外に指向させるように整列させた複数のマイクロミラーによって形成されることを特徴とする請求項10または11に記載の方法。
- 前記参照構造を同じ測定位置上に結像させることを特徴とする請求項10〜14のいずれかに記載の方法。
- 前記第1光強度の測定と前記第2光強度の測定とを、時間的に連続して実行することを特徴とする請求項10〜15のいずれかに記載の方法。
- 前記参照フィールド及び前記測定フィールドを、極紫外(EUV)波長範囲の光を用いて前記像平面内に結像させることを特徴とする請求項10〜16のいずれかに記載の方法。
- 前記測定フィールドにおいて、前記測定構造の各々が、前記参照構造に対して最大2.0mmだけオフセットしていることを特徴とする請求項10〜17のいずれかに記載の方法。
- 前記測定構造の各々が、少なくとも10μmの寸法を有することを特徴とする請求項10〜18のいずれかに記載の方法。
- 前記参照フィールド及び前記測定フィールドの各々が、少なくとも2.4mmの寸法を有することを特徴とする請求項10〜19のいずれかに記載の方法。
- 前記第1光強度及び/または前記第2光強度を測定するための前記測定位置
が、最大10μmの最大側部寸法を有する二次元領域として設定されていることを特徴とする請求項10〜20のいずれかに記載の方法。 - 前記第1光強度及び/または前記第2光強度を測定するための前記測定位置
が、少なくとも50μmの側部寸法を有する二次元領域として設定されていることを特徴とする請求項10〜20のいずれかに記載の方法。 - 前記参照構造のそれぞれ及び前記測定構造のそれぞれが、当該測定構造に対応する測定フィールドの前記第1光操作型の周囲内に配置された前記第2光操作型の領域であることを特徴とする請求項10〜22のいずれかに記載の方法。
- 前記参照構造のそれぞれが、当該参照構造に対応する前記参照フィールドまたは前記測定フィールドの、前記第2光操作型の周囲内に配置された前記第2光操作型の領域であり、前記測定構造のそれぞれが、当該測定構造に対応する前記測定フィールドの前記第2光操作型の周囲内に配置された前記第1光操作型の領域であることを特徴とする請求項10〜22のいずれかに記載の方法。
- 前記参照フィールド及び前記測定フィールドが共に、同じサイズであることを特徴とする請求項10〜24のいずれかに記載の方法。
- さらに、前記測定した第1光強度及び前記測定した第2光強度を評価することによって、前記光学系を通過する光の方向依存性の散乱光部分の形式の測定結果を確立するステップを含むことを特徴とする請求項10〜25のいずれかに記載の方法。
- さらに、前記測定した第1光強度及び前記測定した第2光強度を評価することによって、方向分解された散乱光分布の形式の測定結果を確立するステップを含むことを特徴とする請求項10または請求項12〜26のいずれかに記載の方法。
- 前記光学系の動作中に前記光学系の散乱光を低減するための露光補正を、前記測定結果から決定することを特徴とする請求項26または27に記載の方法。
- 前記測定結果を確立した後に、結像条件を変更し、前記参照フィールド及び前記測定フィールドを共に、前記変更した結像条件下で再度結像させ、前記変更した撮像条件下で前記測定結果を決定することを特徴とする請求項28に記載の方法。
- 前記光学系を用いて、前記参照フィールド及び前記測定フィールドを結像させる際に、前記測定フィールドのそれぞれを照射光で照射し、前記照射光の個別のビームは事前指定した角度分布を有し、前記決定した露光補正が、前記照射光の前記角度分布及び/または前記光学系の開口数を規定することを特徴とする請求項28または29に記載の方法。
- 前記決定した露光補正が、露光するマスクのレイアウトの修正を規定することを特徴とする請求項28〜30のいずれかに記載の方法。
- 前記決定した露光補正が、前記光学系内の汚染を除去する必要性を示すことを特徴とする請求項28〜31のいずれかに記載の方法。
- 前記第1の測定フィールドの前記測定構造が、当該測定構造に関連する前記参照構造に対して垂直方向にオフセットし、前記第2の測定フィールドの前記測定構造が、当該測定構造に関連する前記参照構造に対して水平方向にオフセットし、前記光学系の垂直方向の散乱効率と水平方向の散乱効率との関係を、前記測定した第1光強度及び前記測定した第2光強度から確立することを特徴とする請求項10または12〜32のいずれかに記載の方法。
- さらに、他の測定フィールドを用意するステップを含み、前記他の測定フィールドは参照構造に加えて測定構造を有し、前記測定構造は、当該測定構造に関連する前記参照構造に対して、前記測定フィールドの前記測定構造が当該測定構造に関連する前記参照構造に対してオフセットしているのと同じ方向であるが、異なる距離だけオフセットしていることを特徴とする請求項10〜33のいずれかに記載の方法。
- さらに、複数の他の測定フィールドを用意するステップを含み、前記複数の他の測定フィールドの各々は参照構造に加えて測定構造を有し、前記測定構造のぞれぞれは、当該測定構造に関連する前記参照構造に対してオフセットし、前記測定構造のそれぞれが当該測定構造に関連する前記参照構造に対してオフセットしている方向は、他の前記測定構造が当該測定構造に関連する前記参照構造に対してオフセットしている方向とは異なることを特徴とする請求項10〜34のいずれかに記載の方法。
- 前記参照フィールド、前記測定フィールド及び前記他の測定フィールドのうち少なくとも2つのそれぞれの前記参照構造が、同一に構成されていることを特徴とする請求項10〜35のいずれかに記載の方法。
- 前記測定フィールド及び前記他の測定フィールドのうち少なくとも1つが、前記参照構造に対して、第1の前記測定構造と対称に配置された第2の測定構造を有することを特徴とする請求項10〜36のいずれかに記載の方法。
- 前記参照フィールド、前記測定フィールド及び前記他の測定フィールドが、共通のマスク上に配置されていることを特徴とする請求項10〜37のいずれかに記載の方法。
- 前記測定構造及び/または前記参照構造のそれぞれが、当該構造のエッジが、前記測定フィールド内の光透過特性に関して均一である領域を包囲する構造として構成されていることを特徴とする請求項10〜38のいずれかに記載の方法。
- 前記測定構造及び/または前記参照構造のそれぞれが、多角形の形状を有することを特徴とする請求項10〜39のいずれかに記載の方法。
- 前記参照構造のそれぞれが、当該参照構造に対応する前記参照フィールドまたは前記測定フィールドの中心に配置されていることを特徴とする請求項10〜40のいずれかに記載の方法。
- 前記参照構造及び前記測定構造のそれぞれが、前記測定フィールド内で連続構造を形成することを特徴とする請求項10〜41のいずれかに記載の方法。
- 前記第1光強度及び前記第2光強度を、光電検出器を用いて測定することを特徴とする請求項10〜42のいずれかに記載の方法。
- 前記第1光強度及び前記第2光強度を、光化学検出器を用いて測定することを特徴とす
る請求項10〜43のいずれかに記載の方法。 - 光学系上の散乱光を測定するためのマスクにおいて、
このマスクが、第1の測定フィールド及び第2の測定フィールドを有し、前記第1の測定フィールド及び前記第2の測定フィールドのそれぞれが、第1光操作型または第2光操作型のいずれかであり、前記第1光操作型は入射光を前記光学系に入射させるように構成され、前記第2光操作型は入射光が前記光学系に入射することを防止するように構成され、前記第1の測定フィールド及び前記第2の測定フィールドのそれぞれが、前記第2光操作型の参照構造及びそれぞれの測定構造を有し、前記測定構造は、当該測定フィールドが前記第1光測定型である場合は前記第2光操作型であり、当該測定フィールドが前記第2光操作型である場合は前記第1光操作型であり、前記第1の測定フィールド及び前記第2の測定フィールドのそれぞれの前記測定構造は、当該測定フィールドの前記参照構造に対して、互いに異なる方向にオフセットしていることを特徴とする散乱光測定用マスク。 - 前記参照構造のそれぞれが、前記第1光操作型の周囲内または前記第2光操作型の周囲内の前記第2光操作型の領域であることを特徴とする請求項45に記載のマスク。
- 光学系上の散乱光を測定するためのマスクにおいて、
このマスクが測定フィールドを有し、この測定フィールドは、当該測定フィールドの領域の中心に対して少なくとも1.2mmだけオフセットした測定構造を有し、この測定構造は、当該構造のエッジが前記測定フィールドの光透過特性に関して均一である領域を包囲する構造であることを特徴とする散乱光測定用マスク。 - 請求項10〜44のいずれかに記載の方法を実現するように構成されていることを特徴とする請求項45〜47のいずれかに記載のマスク。
- 前記測定フィールドが前記第1光操作型または前記第2光操作型であり、前記測定構造は、前記測定フィールドが前記第1光操作型である場合は前記第2光操作型であり、前記測定フィールドが前記第2光操作型である場合は前記第1光操作型であることを特徴とする請求項47または48に記載のマスク。
- 請求項45〜49のいずれかに記載のマスクを有する、光学系上の散乱光を測定する装置。
- 請求項8〜44に記載の方法を実現するように構成された、光学系上の散乱光を測定する装置。
- 光学系上の散乱光を測定する装置において、この装置が、
第1の測定フィールド及び第2の測定フィールドを有し、前記第1の測定フィールド及び前記第2の測定フィールドのそれぞれが、第1光操作型または第2光操作型のいずれかであり、前記第1光操作型は入射光を前記光学系に入射させるように構成され、前記第2光操作型は入射光が前記光学系に入射することを防止するように構成され、前記第1の測定フィールド及び前記第2の測定フィールドのそれぞれが、前記第2光操作型の参照構造及びそれぞれの測定構造を有し、前記測定構造は、当該測定フィールドが前記第1光測定型である場合は前記第2光操作型であり、当該測定フィールドが前記第2光操作型である場合は前記第1光操作型であり、前記第1の測定フィールド及び前記第2の測定フィールドのそれぞれの前記測定構造は、当該測定フィールドの前記参照構造に対して互いに異なる方向にオフセットし、
前記装置がさらに、前記光学系を用いて前記第1の測定フィールドを像平面内に結像させた際に生成される第1光強度を測定する装置を具え、この第1光強度を測定する装置は
、前記第1の測定フィールドの前記参照構造の像の領域内の測定位置に配置され、
前記装置がさらに、前記光学系を用いて前記第2の測定フィールドを前記像平面内に結像させた際に生成される第2光強度を測定する装置を具え、この第2光強度を測定する装置は、前記第2の測定フィールドの前記参照構造の像の領域内の測定位置に配置されている
ことを特徴とする散乱光測定装置。 - 前記第1光強度を測定する装置と前記第2光強度を測定する装置とが、同じ測定装置であることを特徴とする請求項52に記載の装置。
- 請求項45〜49のいずれかに記載のマスクを有するか、請求項8〜44に記載の方法を実現するように構成されていることを特徴とする請求項52または53に記載の装置。
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