JP2006189779A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明による液晶表示装置は、第1基板上のゲートラインと、ゲートラインと交差されて画素領域を定義するデータラインと、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、及び薄膜トランジスタと、第1基板上にゲートラインと並立して形成された共通ラインと、共通ラインから画素領域に延長された共通電極及び画素領域に共通ライン及び共通電極と離隔され、ゲート絶縁膜を貫通する画素ホール内に形成される画素電極とを含み、半導体層が、データラインと、ソース電極及びドレイン電極を含むソース・ドレイン金属パターンと重畳されて、ドレイン電極が半導体層から画素電極の上部に突出され画素電極と接続される。
【選択図】図2
Description
4:ブラックマトリクス
6:カラーフィルタ
8:共通電極
10:カラーフィルタ基板
12:下部ガラス基板
14,102:ゲートライン
16,104:データライン
18,106:薄膜トランジスタ
20:薄膜トランジスタ基板
22,118:画素電極
24:液晶
108:ゲート電極
110:ソース電極
112:ドレイン電極
114:活性層
106:薄膜トランジスタ
117:透明導電層
130,138,164,238,254:コンタクトホール
126:ゲートパッド
128:ゲートパッド下部電極
132:ゲートパッド上部電極
134,234:データパッド
236:データパッド下部電極
240:データパッド上部電極
142:基板
144:ゲート絶縁膜
116:オーミック接触層
115:半導体層
150:保護膜
152,310,312:配向膜
170:画素ホール
200,210,220:フォトレジストパターン
300:カラーフィルタ基板
320:シーラント
124:表面層(酸化シリコン層)
250:データリンク
252:コンタクト電極
160:共通パッド
162:共通パッド下部電極
166:共通パッド上部電極
Claims (45)
- 第1及び第2基板と、
前記第1基板上のゲートラインと、
ゲート絶縁膜を介して前記ゲートラインと交差され画素領域を定義するデータラインと、
ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、及び前記ソース電極とドレイン電極との間にチャネルを定義する半導体層を含む薄膜トランジスタと、
前記第1基板上に前記ゲートラインと並立して形成された共通ラインと、
前記共通ラインから前記画素領域に延長された共通電極と、
前記画素領域において前記共通ライン及び共通電極と離隔され、前記ゲート絶縁膜を貫通する画素ホール内に形成される画素電極と、を含み、
前記半導体層が、前記データライン、ソース電極、及びドレイン電極を含むソース・ドレイン金属パターンと重畳され、前記ドレイン電極が前記半導体層から前記画素電極の上部に突出されて前記画素電極と接続されることを特徴とする液晶表示装置。 - 前記ゲートライン及び前記共通ラインが少なくとも二重導電層を有し、前記共通電極は前記共通ラインの透明導電層が延長され形成されることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記ゲートライン及び共通ラインが金属層で形成されることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記画素電極は、前記画素ホールに前記ゲート絶縁膜と境界を成すことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記ドレイン電極が、前記ゲート絶縁膜及び半導体層を備えた前記共通電極の一部と重畳されたストレージキャパシタをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記ゲートライン、前記共通ライン、及び前記データラインの中少なくとも一つと接続されたパッドをさらに含み、前記パッドは、前記第1基板上のパッド下部電極及び前記ゲート絶縁膜を貫通して、前記パッド下部電極を露出させるコンタクトホール内に形成され、前記パッド下部電極と接続されたパッド上部電極を含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記パッド下部電極が、前記ゲートライン及び前記共通ラインの中少なくとも一つと接続されることを特徴とする請求項6に記載の液晶表示装置。
- 前記データラインと重畳されるように前記パッド下部電極から伸張されたデータリンクと、
前記ゲート絶縁膜を貫通して前記データリンクを露出させる第2コンタクトホール内に形成され、前記データリンクをデータラインと接続させるコンタクト電極と、をさらに含むことを特徴とする請求項6に記載の液晶表示装置。 - 前記パッド上部電極を有する前記コンタクトホールが前記データリンクに沿って延長され前記第2コンタクトホールと一体化され、前記パッド上部電極が前記コンタクト電極と一体化されることを特徴とする請求項8に記載の液晶表示装置。
- 前記画素電極、前記パッド上部電極、及び前記コンタクト電極を備える透明導電パターンが、前記相当するホールを包むゲート絶縁膜と境界を成すことを特徴とする請求項8に記載の液晶表示装置。
- 前記データラインと前記コンタクト電極との間のコンタクト部は、前記第1基板を前記第2基板と合着させた際、シーラントによって密封される領域内に位置することを特徴とする請求項8又は9に記載の液晶表示装置。
- 前記ゲート絶縁膜を貫通するコンタクトホール内に透明導電層で形成され、前記データラインと接続されたデータパッドをさらに含み、前記データパッドは前記コンタクトホールを包む前記ゲート絶縁膜と境界を成すことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記データラインは、前記第1基板を前記第2基板と合着させた際、シーラントによって密封される領域内に位置することを特徴とする請求項12に記載の液晶表示装置。
- 前記薄膜トランジスタのチャネルは、プラズマ表面処理によって酸化された表面層をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記半導体層及び前記ソース・ドレイン金属パターンは、階段形の段差を有することを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記第1基板上に形成され、前記パッドが形成されたパッド領域をオープンさせた保護膜をさらに含むことを特徴とする請求項6又は13に記載の液晶表示装置。
- 前記保護膜上に形成された配向膜をさらに含むことを特徴とする請求項16に記載の液晶表示装置。
- 前記保護膜は、前記配向膜と同様のパターンで形成されることを特徴とする請求項17に記載の液晶表示装置。
- 前記保護膜は、前記第2基板と同様のパターンで形成されることを特徴とする請求項16に記載の液晶表示装置。
- 第1及び第2基板を提供する工程と、
ゲートライン、ゲート電極、共通ライン、及び共通電極を含む第1マスクパターンを前記第1基板上に形成する第1マスク工程と、
前記第1マスクパターン群と半導体層上にゲート絶縁膜を形成した後、前記共通ライン及び共通電極と離隔され、前記ゲート絶縁膜及び半導体層を貫通する画素ホールを画素領域に定義し、前記画素ホール内に画素電極を形成する第2マスク工程と、
前記ゲートラインと交差して前記画素領域を定義するデータラインと、ソース電極及びドレイン電極を含むソース・ドレイン金属パターンとを前記第1基板上に形成し、前記半導体パターンの活性層を露出させ、前記ソース電極とドレイン電極との間のチャネルを定義する第3マスク工程と、を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 前記ゲートライン、前記ゲート電極、及び前記共通ラインが、透明導電層を含む少なくとも二重導電層を備え、前記共通電極は前記共通ラインの透明導電層が延長されて形成されることを特徴とする請求項20に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記ゲートライン及び共通ラインは、金属層で形成されることを特徴とする請求項20に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記画素電極は、前記画素ホール内で前記ゲート絶縁膜と境界を成すことを特徴とする請求項20に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第1マスク工程は,
前記第1基板上に前記少なくとも二重導電層を形成する段階と、
部分透過マスクを利用したフォトリソグラフィ工程で厚さの異なるフォトレジストパターンを形成する段階と、
前記フォトレジストパターンを利用したエッチング工程で前記少なくとも二重導電層を有する前記共通電極を含む前記第1マスクパターン群を形成する段階と、
前記フォトレジストパターンを利用した前記エッチング工程で前記透明導電層が残るように、前記共通電極をエッチングする段階と、を含むことを特徴とする請求項20に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記第3マスク工程は、前記半導体層を前記チャネルに存在させ、前記ソース・ドレイン金属パターンと前記ゲート絶縁膜との間の重畳部に存在させる段階をさらに含むことを特徴とする請求項20に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第3マスク工程は,
データライン及び前記ソース電極と一体化されたドレイン電極を含むソース・ドレイン金属パターンを前記第1基板上に形成する段階と、
前記ソース・ドレイン金属パターンを通じて露出された半導体層をエッチングする段階と、
前記ソース電極とドレイン電極との間の前記活性層を露出させて前記チャネルを定義する段階と、を含むことを特徴とする請求項25に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記第3マスク工程は,
前記第1基板上にソース・ドレイン金属層を形成し、その上に厚さの異なるフォトレジストパターンを形成する段階と、
前記フォトレジストパターンを通じて前記ソース・ドレイン金属層をパターニングし、前記データライン及び前記ソース電極と一体化されたドレイン電極を含むソース・ドレイン金属パターンを提供する段階と、
前記フォトレジストパターンを通じて露出された半導体層をエッチングする段階と、
前記フォトレジストパターンを通じて前記ソース電極とドレイン電極間の前記活性層を露出させて前記チャネルを形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項25に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記第3マスク工程は、前記ドレイン電極が、前記ゲート絶縁膜と、半導体層を備えた前記共通電極の一部とを重畳させてストレージキャパシタを形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項20に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第1マスク工程が、前記ゲートライン及び共通ラインの中少なくとも一つと接続されたパッド下部電極を形成する段階をさらに含み、
前記第2マスク工程は、前記パッド下部電極を露出させるコンタクトホールを形成し、前記コンタクトホール内に前記パッド下部電極と接続されたパッド上部電極を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項20に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記第1マスク工程が、前記データラインと接続されるデータリンク及びパッド下部電極を前記第1基板上に形成する段階をさらに含み、
前記第2マスク工程は、前記パッド下部電極と前記データリンクを露出させる第1及び第2コンタクトホールを形成し、前記パッド下部電極と接続されたパッド上部電極と、前記データリンク及び前記データラインと接続されるコンタクト電極を前記相当するコンタクトホール内に形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項20に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記パッド上部電極を有する第1コンタクトホールが前記データリンクに従って延長されて前記第2コンタクトホールと一体化され、前記パッド上部電極が前記コンタクト電極と一体化されることを特徴とする請求項30に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記画素電極、前記パッド上部電極、及び前記コンタクト電極の中少なくとも一つを含む透明導電パターンが、前記相当するホールを包むゲート絶縁膜と境界を成すことを特徴とする請求項29又は30に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記データラインと前記コンタクト電極との間のコンタクト部は、前記第1基板を前記第2基板と合着させた際、シーラントによって密封される領域内に位置することを特徴とする請求項30又は31に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第2マスク工程は、前記半導体層及びゲート絶縁膜を貫通して前記データラインと重畳されるコンタクトホールを形成する段階と、
前記コンタクトホール内に前記データラインと接続されるパッドを形成する段階と、をさらに含むことを特徴とする請求項20に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記パッドは、前記コンタクトホールを包む前記ゲート絶縁膜と境界を成すことを特徴とする請求項34に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記データラインは、前記第1基板を前記第2基板と合着させた際、シーラントによって密封される領域内に位置することを特徴とする請求項34に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第3マスク工程は、前記薄膜トランジスタのチャネルをプラズマで表面処理して表面層を酸化させる段階をさらに含むことを特徴とする請求項20に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記半導体層及び前記ソース・ドレイン金属パターンが、階段形の段差を有することを特徴とする請求項25に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第2マスク工程は、
前記半導体層上にフォトレジストパターンを形成する段階と、
前記フォトレジストパターンをマスクに利用して前記画素ホール及びコンタクトホールを形成する段階と、
前記フォトレジストパターン上に透明導電膜を形成し、前記画素ホール及びコンタクトホール内に相当する透明導電パターンを形成する段階と、
前記透明導電膜が形成されたフォトレジストパターンを除去する段階と、を含むことを特徴とする請求項29又は30に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記画素ホール及びコンタクトホールのエッジ部が前記フォトレジストパターンより内側に位置するように、前記半導体層及びゲート絶縁膜が過エッチングされることを特徴とする請求項39に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第1基板上に形成され、前記パッドが形成されたパッド領域をオープンさせる保護膜を形成する第4マスク工程をさらに含むことを特徴とする請求項39に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記パッドが形成されたパッド領域をオープンさせるように、前記第1基板上に保護膜をプレインティングする段階をさらに含むことを特徴とする請求項39に記載の液晶表示装置の製造方法。
- 前記第1基板上に保護膜を形成する段階と、
前記保護膜上に配向膜を形成する段階と、
前記配向膜をマスクに利用したエッチング工程で前記パッド領域において前記保護膜を除去する段階と、をさらに含むことを特徴とする請求項39に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記第1基板上に保護膜を形成する段階と、
前記第1及び第2基板を合着させる段階と、
前記第2基板をマスクとして利用したエッチング工程で前記パッド領域において前記保護膜を除去する段階と、をさらに含むことを特徴とする請求項39に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記第1基板と前記第2基板との間に液晶層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項20に記載の液晶表示装置の製造方法。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011152233A1 (en) * | 2010-06-04 | 2011-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2012150437A (ja) * | 2011-01-18 | 2012-08-09 | Boe Technology Group Co Ltd | 薄膜トランジスタ液晶ディスプレイのアレイ基板及びその製造方法 |
JP2016028432A (ja) * | 2009-08-07 | 2016-02-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US10338444B2 (en) | 2015-06-19 | 2019-07-02 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Array substrate with conductive black matrix, manufacturing method thereof and display device |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20060079040A (ko) * | 2004-12-31 | 2006-07-05 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 프린지 필드 스위칭 타입의 박막 트랜지스터 기판 및 그제조 방법 |
JP4799952B2 (ja) * | 2005-08-08 | 2011-10-26 | 三菱電機株式会社 | 液晶表示装置 |
US7338824B2 (en) * | 2005-09-09 | 2008-03-04 | Hannstar Display Corp. | Method for manufacturing FFS mode LCD |
KR101290709B1 (ko) * | 2009-12-28 | 2013-07-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치센서 인셀 타입 액정표시장치용 어레이 기판 및 이의 제조방법 |
KR20120042029A (ko) * | 2010-10-22 | 2012-05-03 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR102024779B1 (ko) * | 2012-12-13 | 2019-09-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치센서 일체형 표시장치 |
CN103904086B (zh) * | 2012-12-24 | 2017-10-27 | 上海天马微电子有限公司 | 一种薄膜晶体管阵列基板 |
JP6356469B2 (ja) * | 2014-04-14 | 2018-07-11 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置 |
CN106575063B (zh) * | 2014-08-07 | 2019-08-27 | 夏普株式会社 | 有源矩阵基板、液晶面板以及有源矩阵基板的制造方法 |
KR102221554B1 (ko) * | 2015-01-19 | 2021-03-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102393315B1 (ko) * | 2015-09-30 | 2022-04-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
CN106898577A (zh) * | 2017-03-23 | 2017-06-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示装置 |
TWI702458B (zh) * | 2019-05-28 | 2020-08-21 | 元太科技工業股份有限公司 | 主動陣列基板及其製作方法 |
CN112015022B (zh) * | 2019-05-28 | 2024-06-11 | 元太科技工业股份有限公司 | 主动阵列基板及其制作方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000039625A (ja) * | 1998-07-23 | 2000-02-08 | Nec Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
JP2002190603A (ja) * | 2000-12-21 | 2002-07-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶画像表示装置と画像表示装置用半導体装置の製造方法 |
JP2004302466A (ja) * | 2003-03-29 | 2004-10-28 | Lg Philips Lcd Co Ltd | 水平電界印加型液晶表示装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5162933A (en) | 1990-05-16 | 1992-11-10 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Active matrix structure for liquid crystal display elements wherein each of the gate/data lines includes at least a molybdenum-base alloy layer containing 0.5 to 10 wt. % of chromium |
KR940004322B1 (ko) | 1991-09-05 | 1994-05-19 | 삼성전자 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
US5317433A (en) | 1991-12-02 | 1994-05-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Image display device with a transistor on one side of insulating layer and liquid crystal on the other side |
DE4339721C1 (de) | 1993-11-22 | 1995-02-02 | Lueder Ernst | Verfahren zur Herstellung einer Matrix aus Dünnschichttransistoren |
TW321731B (ja) | 1994-07-27 | 1997-12-01 | Hitachi Ltd | |
JP3866783B2 (ja) | 1995-07-25 | 2007-01-10 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置 |
KR0156202B1 (ko) | 1995-08-22 | 1998-11-16 | 구자홍 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
TW589472B (en) * | 1995-10-12 | 2004-06-01 | Hitachi Ltd | In-plane field type liquid crystal display device comprising a structure preventing electricity |
JPH09113931A (ja) | 1995-10-16 | 1997-05-02 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
JP3625598B2 (ja) | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
US6188452B1 (en) * | 1996-07-09 | 2001-02-13 | Lg Electronics, Inc | Active matrix liquid crystal display and method of manufacturing same |
KR100477130B1 (ko) | 1997-09-25 | 2005-08-29 | 삼성전자주식회사 | 평면구동방식액정표시장치의박막트랜지스터기판및제조방법 |
JPH11271807A (ja) * | 1998-03-25 | 1999-10-08 | Hitachi Ltd | アクティブマトリックス基板及び液晶表示装置 |
TW548484B (en) * | 1999-07-16 | 2003-08-21 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal display device, electronic apparatus and substrate for liquid crystal device |
KR100333273B1 (ko) * | 1999-08-02 | 2002-04-24 | 구본준, 론 위라하디락사 | 박막트랜지스터형 액정표시장치의 어레이기판과 그 제조방법 |
TW578028B (en) * | 1999-12-16 | 2004-03-01 | Sharp Kk | Liquid crystal display and manufacturing method thereof |
KR100325079B1 (ko) * | 1999-12-22 | 2002-03-02 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | 고개구율 및 고투과율 액정표시장치의 제조방법 |
KR100322968B1 (ko) | 1999-12-22 | 2002-02-02 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | 프린지 필드 구동 액정 표시 장치의 제조방법 |
KR100679512B1 (ko) | 2000-05-10 | 2007-02-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판 제조방법 |
US6833900B2 (en) * | 2001-02-16 | 2004-12-21 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and electronic apparatus |
US6716681B2 (en) | 2002-03-27 | 2004-04-06 | Chi Mei Optoelectronics Corp. | Method for manufacturing thin film transistor panel |
KR100456151B1 (ko) * | 2002-04-17 | 2004-11-09 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법 |
KR100878239B1 (ko) * | 2002-09-06 | 2009-01-13 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 박막 트랜지스터 기판 |
KR100484950B1 (ko) * | 2002-10-31 | 2005-04-22 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
KR100887671B1 (ko) * | 2002-12-23 | 2009-03-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
TWI222546B (en) * | 2003-05-28 | 2004-10-21 | Au Optronics Corp | TFT LCD and manufacturing method thereof |
TWI220534B (en) * | 2003-09-16 | 2004-08-21 | Ind Tech Res Inst | Method of fabricating thin film transistor (TFT) array |
KR100560405B1 (ko) * | 2003-11-04 | 2006-03-14 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 수평 전계 인가형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
US20060012742A1 (en) * | 2004-07-16 | 2006-01-19 | Yaw-Ming Tsai | Driving device for active matrix organic light emitting diode display and manufacturing method thereof |
-
2004
- 2004-12-31 KR KR1020040118601A patent/KR101107269B1/ko active IP Right Grant
-
2005
- 2005-06-29 US US11/168,358 patent/US8179510B2/en active Active
- 2005-07-11 CN CNB2005100827462A patent/CN100428034C/zh active Active
- 2005-07-29 JP JP2005220210A patent/JP4499628B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000039625A (ja) * | 1998-07-23 | 2000-02-08 | Nec Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
JP2002190603A (ja) * | 2000-12-21 | 2002-07-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶画像表示装置と画像表示装置用半導体装置の製造方法 |
JP2004302466A (ja) * | 2003-03-29 | 2004-10-28 | Lg Philips Lcd Co Ltd | 水平電界印加型液晶表示装置及びその製造方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016028432A (ja) * | 2009-08-07 | 2016-02-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US9954005B2 (en) | 2009-08-07 | 2018-04-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising oxide semiconductor layer |
WO2011152233A1 (en) * | 2010-06-04 | 2011-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8884283B2 (en) | 2010-06-04 | 2014-11-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Memory semiconductor device having aligned side surfaces |
JP2012150437A (ja) * | 2011-01-18 | 2012-08-09 | Boe Technology Group Co Ltd | 薄膜トランジスタ液晶ディスプレイのアレイ基板及びその製造方法 |
US10338444B2 (en) | 2015-06-19 | 2019-07-02 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Array substrate with conductive black matrix, manufacturing method thereof and display device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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