JP2006186960A - 90度ハイブリッド回路およびウィルキンソン形電力分配回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 入力端子1a、通過端子1b、結合端子1c、アイソレーション端子1dは、値の等しい4個の第2のキャパシタ3bで接地されており、かつ、それぞれ2個の第1のインダクタ2aおよび2個の第2のインダクタ2bで接続されている。さらに、入力端子1aと通過端子1bの間および結合端子1cとアイソレーション端子1dの間には、第1のインダクタ2aに対して並列に第1のキャパシタ3aが接続されている。なお、第1のインダクタ2aのL1、第2のインダクタ2bのL2、第1のキャパシタ3aのC1、第2のキャパシタ3bのC2は、第1のインダクタ2aと第1のキャパシタ3aで構成される並列回路が、入力端子1aから入力された高周波信号のうち、基本波の信号に対しては、等価的にインダクタンスに見え、高調波の信号に対しては、共振するよう設定する。
【選択図】 図1
Description
また、この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、小形・低損失で高調波抑圧特性を有するウィルキンソン形電力分配回路を得ることを目的とする。
また、この発明に係る90度ハイブリッド回路を増幅器からアンテナへの給電回路として適用した場合には、増幅器から出力される高調波を抑圧するためのフィルタが不要になり、小形化や低損失化の効果がある。
図1は、この発明の実施の形態1に係わる90度ハイブリッド回路を示す回路構成説明図である。図において、90度ハイブリッド回路は、入力端子1a、通過端子1b、結合端子1c、アイソレーション端子1d、第1のインダクタ2a、第2のインダクタ2b、第1のキャパシタ3a、第2のキャパシタ3bを備えて構成される。第1のインダクタ2aと第1のキャパシタ3aから第1の並列回路4aが構成されている。
入力端子1aから入力された高周波信号のうち、基本波(周波数f0=ω0/2π)の信号に対しては、第1のインダクタ2aと第1のキャパシタ3aで構成される第1の並列回路4aが等価的にインダクタンスに見えるため、4個のインダクタ(第2のインダクタ2bと第1の並列回路4a)と4個の接地キャパシタ(第2のキャパシタ3b)からなる90度ハイブリッド回路と等価になる。すなわち、入力端子1aから入力された基本波は、通過端子1bと結合端子1cに等振幅で90度の位相差をもって分配され、アイソレーション端子1dには何も出力されない。
図5は、この発明の実施の形態2に係わる90度ハイブリッド回路を示す回路構成説明図である。実施の形態2は、前記実施の形態1の構成において、入力端子1aとアイソレーション端子1dの間および通過端子1bと結合端子1cの間の第2のインダクタ2bに代えて、第3のインダクタ2cと第3のキャパシタ3cを並列に装荷したものである。図において、入力端子1aとアイソレーション端子1dの間および通過端子1bと結合端子1cの間には、第3のインダクタ2cと第3のキャパシタ3cが並列に接続され、第2の並列回路4bを構成している。第1のインダクタ2aのインダクタンスL1、第3のインダクタ2cのインダクタンスL3、第1のキャパシタ3aのキャパシタンスC1、第2のキャパシタ3bのキャパシタンスC2、第3のキャパシタ3cのキャパシタンスC3は、
図8は、この発明の実施の形態3に係わる90度ハイブリッド回路を示す回路構成説明図である。図において、90度ハイブリッド回路は、入力端子1a、通過端子1b、結合端子1c、アイソレーション端子1d、第4のインダクタ2d、第5のインダクタ2e、第4のキャパシタ3d、第5のキャパシタ3e、第6のキャパシタ3f、第7のキャパシタ3gを備えて構成される。
図9は、この発明の実施の形態4に係わる90度ハイブリッド回路を示す回路構成説明図である。図において、90度ハイブリッド回路は、入力端子1a、通過端子1b、結合端子1c、アイソレーション端子1d、第6のインダクタ2f、第7のインダクタ2g、第8のインダクタ2h、第8のキャパシタ3hからなる。
図10は、この発明の実施の形態5に係わる90度ハイブリッド回路を示す回路構成説明図である。ここでは、前記実施の形態2で説明の図5に示した構成に加えて、更に入力端子に、一端が接地された抵抗8を第9のインダクタ2kと第9のキャパシタ3kからなる並列共振回路を介して接続したものである。
図11は、この発明の実施の形態6に係わるウィルキンソン形電力分配回路を示す回路構成説明図である。図において、電力分配回路は、入力端子1a、第1の出力端子1e、第2の出力端子1f、第10のインダクタ2m、第10のキャパシタ3m、第11のキャパシタ3n、第12のキャパシタ3p、アイソレーション抵抗9を備えて構成される。第10のインダクタ2mと第10のキャパシタ3mから第6の並列回路4fが構成されている。
入力端子1aから入力された高周波信号のうち、基本波(周波数f0=ω0/2π)の信号に対しては、第10のインダクタ2mと第10のキャパシタ3mで構成される第6の並列回路4fが等価的にインダクタンスに見えるため、2個のインダクタ(第6の並列回路4f)と3個の接地キャパシタ(第11のキャパシタ3n、第12のキャパシタ3p)とアイソレーション抵抗9からなる電力分配回路と等価になる。すなわち、入力端子1aから入力された基本波は、第1の出力端子1e、第2の出力端子1fに等振幅かつ同相で分配され、第1の出力端子1eから入力された基本波は、第2の出力端子1fには全く出力されない。
図14は、この発明の実施の形態7に係わるウィルキンソン形電力分配回路を示す回路構成説明図である。図において、ウィルキンソン形電力分配回路は、入力端子1a、第1の出力端子1e、第2の出力端子1f、第11のインダクタ2n、第13のキャパシタ3q、第14キャパシタ3r、第15のキャパシタ3s、アイソレーション抵抗9を備えて構成される。第11のインダクタ2nと第13のキャパシタ3qから第7の並列回路4gが構成されている。
Claims (9)
- 入出力のための4つの端子である入力端子、通過端子、結合端子、アイソレーション端子を有し、前記4つの端子の間を少なくともインダクタを含むリアクタンス回路で順順に接続すると共に前記4つの端子のそれぞれに一端を接地したキャパシタを接続し、前記入力端子から入力される高周波信号を前記通過端子と前記結合端子へ分配出力する90度ハイブリッド回路であって、前記入力端子と前記アイソレーション端子の間および前記通過端子と前記結合端子の間はインダクタで接続し、前記入力端子と前記通過端子の間および前記結合端子と前記アイソレーション端子の間は前記高周波信号の基本波成分に対しては等価的にインダクタンスになり前記高周波信号の所定の高調波成分に対しては共振するように設定したインダクタとキャパシタでなる並列回路で接続したことを特徴とする90度ハイブリッド回路。
- 入出力のための4つの端子である入力端子、通過端子、結合端子、アイソレーション端子を有し、前記4つの端子の間を少なくともインダクタを含むリアクタンス回路で順順に接続すると共に前記4つの端子のそれぞれに一端を接地したキャパシタを接続し、前記入力端子から入力される高周波信号を前記通過端子と前記結合端子へ分配出力する90度ハイブリッド回路であって、前記入力端子と前記通過端子の間および前記結合端子と前記アイソレーション端子の間は前記高周波信号の基本波成分に対しては等価的にインダクタンスになり前記高周波信号の所定の高調波成分に対しては共振するように設定したインダクタとキャパシタでなる第1の並列回路で接続し、前記入力端子と前記アイソレーション端子の間および前記通過端子と前記結合端子の間は前記高周波信号の基本波成分に対しては等価的にインダクタンスになり前記高周波信号の所定の高調波成分に対しては共振するように設定したインダクタとキャパシタでなる第2の並列回路で接続したことを特徴とする。
- 入出力のための4つの端子である入力端子、通過端子、結合端子、アイソレーション端子を有し、前記4つの端子の間を少なくともインダクタを含むリアクタンス回路で順順に接続し、前記入力端子から入力される高周波信号を前記通過端子と前記結合端子へ分配出力する90度ハイブリッド回路であって、前記入力端子と前記通過端子の間および前記結合端子と前記アイソレーション端子の間は前記高周波信号の基本波成分に対しては等価的にインダクタンスになり前記高周波信号の所定の高調波成分に対しては共振するように設定したインダクタとキャパシタでなる並列回路を2個直列接続した第1のリアクタンス回路で接続すると共に前記2個の並列回路の間に一端を接地したキャパシタを接続し、前記入力端子と前記アイソレーション端子の間および前記通過端子と前記結合端子の間は前記高周波信号の基本波成分に対しては等価的にインダクタンスになりになり前記高周波信号の所定の高調波成分に対しては共振するように設定したインダクタとキャパシタでなる並列回路を2個直列接続した第2のリアクタンス回路で接続すると共に前記2個の並列回路の間に一端を接地したキャパシタを接続したことを特徴とする90度ハイブリッド回路。
- 入出力のための4つの端子である入力端子、通過端子、結合端子、アイソレーション端子を有し、前記4つの端子の間をインダクタで順順に接続すると共に前記4つの端子のそれぞれに一端を接地したキャパシタとインダクタでなる直列回路を接続し、前記入力端子から入力される高周波信号を前記通過端子と前記結合端子へ分配出力する90度ハイブリッド回路であって、前記直列回路は前記高周波信号の基本波成分に対しては等価的にキャパシタンスになり前記高周波信号の所定の高調波成分に対しては共振するように設定したインダクタとキャパシタでなることを特徴とする90度ハイブリッド回路。
- 前記入力端子に前記高周波信号の基本波成分に対しては共振するように設定したインダクタとキャパシタでなる並列回路の一端を接続し、前記並列回路の他端に一端を接地した抵抗を接続したことを特徴とする請求項1又は請求項2記載の90度ハイブリッド回路。
- 入出力のための3つの端子である入力端子、第1の出力端子、第2の出力端子を有し、前記入力端子と前記第1の出力端子の間および前記入力端子と前記第2の出力端子の間を少なくともインダクタを含むリアクタンス回路で接続し、前記3つの端子のそれぞれに一端を接地したキャパシタを接続し、前記第1の出力端子と前記第2の出力端子の間を抵抗で接続し、前記入力端子から入力される高周波信号を前記第1の出力端子と前記第2の出力端子へ分配出力するウィルキンソン形電力分配回路であって、前記入力端子と前記第1の出力端子の間および前記入力端子と前記第2の出力端子の間は前記高周波信号の基本波成分に対しては等価的にインダクタンスになり前期高周波信号の所定の高調波成分に対しては共振するように設定したインダクタとキャパシタでなる並列回路で接続したことを特徴とするウィルキンソン形電力分配回路。
- 入出力のための3つの端子である入力端子、第1の出力端子、第2の出力端子を有し、前記入力端子と前記第1の出力端子の間および前記入力端子と前記第2の出力端子の間を少なくともインダクタを含むリアクタンス回路で接続し、前記入力端子に一端を接地したキャパシタを接続し、前記第1の出力端子と前記第2の出力端子の間を抵抗とキャパシタでなる第3の並列回路で接続し、前記入力端子から入力される高周波信号を前記第1の出力端子と前記第2の出力端子へ分配出力するウィルキンソン形電力分配回路であって、前記入力端子と前記第1の出力端子の間および前記入力端子と前記第2の出力端子の間は前記高周波信号の基本波成分に対しては等価的にインダクタンスになり前記高周波信号の所定の高調波成分に対しては共振するように設定したインダクタとキャパシタでなる第4の並列回路で接続したことを特徴とするウィルキンソン形電力分配回路。
- 前記入力端子、第1の出力端子、第2の出力端子それぞれの少なくとも1つに前記高周波信号の基本波成分に対しては共振するように設定したインダクタとキャパシタでなる並列回路の一端を接続し、前記並列回路の他端に一端を接地した抵抗を接続したことを特徴とする請求項6記載のウィルキンソン形電力分配回路。
- 前記入力端子に前記高周波信号の基本波成分に対しては共振するように設定したインダクタとキャパシタでなる並列回路の一端を接続し、前記並列回路の他端に一端を接地した抵抗を接続したことを特徴とする請求項7記載のウィルキンソン形電力分配回路。
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