JP2016042695A - 信号合成器、電力増幅器モジュール、および無線装置 - Google Patents

信号合成器、電力増幅器モジュール、および無線装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2016042695A
JP2016042695A JP2015159867A JP2015159867A JP2016042695A JP 2016042695 A JP2016042695 A JP 2016042695A JP 2015159867 A JP2015159867 A JP 2015159867A JP 2015159867 A JP2015159867 A JP 2015159867A JP 2016042695 A JP2016042695 A JP 2016042695A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
port
signal
circuit
coil
doherty
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2015159867A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2016042695A5 (ja
Inventor
クナル・ダッタ
Datta Kunal
レザ・カスナビ
Kasnavi Reza
アレクセイ・エイ・リャリン
A Lyalin Aleksey
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Skyworks Solutions Inc
Original Assignee
Skyworks Solutions Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Skyworks Solutions Inc filed Critical Skyworks Solutions Inc
Publication of JP2016042695A publication Critical patent/JP2016042695A/ja
Publication of JP2016042695A5 publication Critical patent/JP2016042695A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • H03F1/0288Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers using a main and one or several auxiliary peaking amplifiers whereby the load is connected to the main amplifier using an impedance inverter, e.g. Doherty amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/56Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
    • H03F1/565Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for using inductive elements
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/24Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
    • H03F3/245Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages with semiconductor devices only
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/72Gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/111Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a dual or triple band amplifier, e.g. 900 and 1800 MHz, e.g. switched or not switched, simultaneously or not
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/451Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/72Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • H03F2203/7209Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal the gated amplifier being switched from a first band to a second band

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)

Abstract

【課題】調整可能インピーダンス終端回路を有するドハティ電力増幅器合成器を提供する。
【解決手段】信号合成器は、第1のコイルと第2のコイルとを有するバラントランス回路を含み得る。第1のコイルは第1のポートと第2のポートとの間に実現可能である。第2のコイルは第3のポートと第4のポートとの間に実現可能である。第1のポートおよび第3のポートは第1のキャパシタによって結合可能である。第2のポートおよび第4のポートは第2のキャパシタによって結合可能である。第1のポートは第1の信号を受信するように構成可能である。第4のポートは第2の信号を受信するように構成可能である。第2のポートは第1の信号と第2の信号との組合せを産出するように構成可能である。信号合成器は、第3のポートを接地に結合する終端回路を含み得る。終端回路は調整可能インピーダンス回路を含み得る。
【選択図】図5

Description

関連出願との相互参照
本願は、2014年8月13日に出願された、「広帯域高調波除去を有する調整可能広帯域ハイブリッドベースのドハティ合成器」(TUNABLE WIDE-BAND HYBRID-BASED DOHERTY COMBINER WITH WIDE-BAND HARMONIC REJECTION)と題された米国仮出願第62/036,854号の優先権を主張する。当該仮出願の開示はこれにより、その全体がここに引用により明確に援用される。
背景
分野
この開示は一般に、無線周波数(RF:radio frequency)信号合成器に関する。
関連技術の説明
4G LTE(Long Term Evolution:ロングタームエボリューション)用途にとって有用なマルチモード/マルチバンド(multi-mode/multi-band:MMMB)電力増幅器モジュール(power amplifier module:PAM)は、高い電力付加効率(power-added efficiency:PAE)を維持しつつ、高いピーク対平均電力比(peak-to-average-power ratio:PAPR)仕様を満たすために、好ましくはバックオフで動作する。バックオフの下での効率向上のための包絡線追跡PAMと比較して、ドハティPAMは、バックオフの下での高線形性を有する高効率を、大いに減少したシステム複雑性ならびに減少した較正およびデジタル予歪(digital pre-distortion:DPD)仕様とともに満たすことができる。しかしながら、典型的なドハティ電力増幅器アーキテクチャは、既存のドハティ電力合成器の狭帯域の性質により、帯域幅制限されている。
概要
いくつかの実現化例によれば、この開示は、第1のコイルと第2のコイルとを有するバラントランス回路を含む信号合成器に関する。第1のコイルは第1のポートと第2のポートとの間に実現される。第2のコイルは第3のポートと第4のポートとの間に実現される。第1のポートおよび第3のポートは第1のキャパシタによって結合される。第2のポートおよび第4のポートは第2のキャパシタによって結合される。第1のポートは第1の信号を受信するように構成される。第4のポートは第2の信号を受信するように構成される。第2のポートは第1の信号と第2の信号との合成を生成するように構成される。信号合成器はさらに、第3のポートを接地に結合する終端回路を含む。終端回路は調整可能インピーダンス素子を含む。
いくつかの実施形態では、信号合成器はさらに、帯域選択信号を受信し、帯域選択信号に基づいて調整可能インピーダンス回路を調整するように構成されたコントローラを含み得る。いくつかの実施形態では、コントローラはさらに、第1のキャパシタまたは第2のキャパシタの少なくとも一方を調整するように構成可能である。
いくつかの実施形態では、第1のポートは、ドハティ電力増幅器(PA)からキャリア増幅信号を受信するように構成可能であり、第4のポートは、ドハティPAからピーキング増幅信号を受信するように構成可能である。いくつかの実施形態では、調整可能インピーダンス回路は複数のキャパシタを含む。複数のキャパシタの各々は、(2×パイ×ドハティPAのそれぞれの動作周波数×ドハティPAに結合された負荷の特性インピーダンス)の逆数とほぼ等しいキャパシタンスを有し得る。いくつかの実施形態では、信号合成器は、動作周波数を示す帯域選択信号を受信し、(2×パイ×動作周波数×ドハティPAに結合された負荷の特性インピーダンス)の逆数とほぼ等しいキャパシタンスを有するように調整可能インピーダンス回路を調整するように構成されたコントローラを含み得る。いくつかの実施形態では、コントローラはさらに、調整可能インピーダンス回路のキャパシタンスの半分とほぼ等しいキャパシタンスを有するように第1のキャパシタおよび第2のキャパシタを調整するように構成可能である。
いくつかの実施形態では、第1のポートは、ドハティ電力増幅器(PA)からピーキング増幅信号を受信するように構成可能であり、第4のポートは、ドハティPAからキャリア増幅信号を受信するように構成可能である。いくつかの実施形態では、調整可能インピーダンス回路は複数のインダクタを含み得る。複数のインダクタの各々は、ドハティPAに結合された負荷の特性インピーダンス÷(2×パイ×ドハティPAのそれぞれの動作周波数)とほぼ等しいインダクタンスを有し得る。いくつかの実施形態では、信号合成器は、動作周波数を示す帯域選択信号を受信し、ドハティPAに結合された負荷の特性インピーダンス÷(2×パイ×動作周波数)とほぼ等しいインダクタンスを有するように調整可能インピーダンス回路を調整するように構成されたコントローラを含み得る。
いくつかの実施形態では、調整可能インピーダンス整合回路は、並列に接続された複数のインピーダンス素子を含み得る。複数のインピーダンス素子の各々は、直列に接続されたインピーダンスとスイッチとを含む。
いくつかの実施形態では、終端回路はさらに、1つ以上の高調波の強度を第2のポートで減少させるように構成された高調波除去回路を含み得る。いくつかの実施形態では、高調波除去回路は、直列に接続された複数の共振素子を含み得る。複数の共振素子の各々は、並列に接続されたインダクタとキャパシタとを含む。いくつかの実施形態では、複数の共振素子の各々は、信号合成器の動作周波数の倍数とほぼ等しい共振周波数を有し得る。いくつかの実施形態では、複数の共振素子の各々は、信号合成器のそれぞれの動作周波数の2倍とほぼ等しい共振周波数を有し得る。いくつかの実施形態では、高調波除去回路は、第3のポートと調整可能インピーダンス回路との間に実現される。
いくつかの実現化例では、この開示は、複数のコンポーネントを受けるように構成された実装基板を含む電力増幅器モジュールに関する。電力増幅器モジュールは、実装基板上に実現された信号合成器を含む。信号合成器は、第1のコイルと第2のコイルとを有するバラントランス回路を含む。第1のコイルは第1のポートと第2のポートとの間に実現される。第2のコイルは第3のポートと第4のポートとの間に実現される。第1のポートおよび第3のポートは第1のキャパシタによって結合される。第2のポートおよび第4のポートは第2のキャパシタによって結合される。第1のポートは第1の信号を受信するように構成される。第4のポートは第2の信号を受信するように構成される。第2のポートは第1の信号と第2の信号との合成を生成するように構成される。信号合成器はさらに、第3のポートを接地に結合する終端回路を含む。終端回路は調整可能インピーダンス回路を含む。
いくつかの実施形態では、PAモジュールはさらに、実装基板上に実現されたコントローラを含み得る。コントローラは、帯域選択信号を受信し、帯域選択信号に基づいて調整可能インピーダンス回路を調整するように構成される。
いくつかの実現化例では、この開示は、無線周波数(RF)信号を生成するように構成されたトランシーバを含む無線装置に関する。無線装置は、トランシーバと通信している電力増幅器(PA)モジュールを含む。PAモジュールは、RF信号を受信し、RF信号を第1の部分および第2の部分へと分割するように構成された入力回路を含む。PAモジュールはさらに、第1の部分を受信するために入力回路に結合されたキャリア増幅経路と、第2の部分を受信するために入力回路に結合されたピーキング増幅経路とを有するドハティPAを含む。PAモジュールはさらに、ドハティ増幅器回路に結合された出力回路を含む。出力回路は、第1のコイルと第2のコイルとを有するバラントランス回路を含む。第1のコイルは第1のポートと第2のポートとの間に実現される。第2のコイルは第3のポートと第4のポートとの間に実現される。第1のポートおよび第3のポートは第1のキャパシタによって結合される。第2のポートおよび第4のポートは第2のキャパシタによって結合される。第1のポートはキャリア増幅経路を介して第1の信号を受信するように構成される。第4のポートはピーキング増幅経路を介して第2の信号を受信するように構成される。第2のポートは第1の信号と第2の信号との合成を増幅されたRF信号として生成するように構成される。PAモジュールはさらに、第3のポートを接地に結合する終端回路を含む。終端回路は調整可能インピーダンス回路を含む。無線装置はさらに、PAモジュールと通信しているアンテナを含む。アンテナは、増幅されたRF信号の送信を容易にするように構成される。
いくつかの実施形態では、無線装置はさらに、帯域選択信号を受信し、帯域選択信号に基づいて調整可能インピーダンス回路を調整するように構成されたコントローラを含み得る。
この開示は、2015年7月13日に出願され、これによりその全体がここに引用により援用される、「ドハティ電力増幅器用の合成器に関する回路、装置および方法」(CIRCUITS, DEVICES AND METHODS RELATED TO COMBINERS FOR DOHERTY POWER AMPLIFIERS)と題された米国特許出願第14/797,261号に関する。
ここに説明されるような特徴を1つ以上有するドハティ合成器が実現され得る電力増幅器(PA)の例示的なアーキテクチャを示す図である。 ドハティ合成器として利用可能なハイブリッド回路の一例を示す図である。 ドハティ合成器として利用可能なハイブリッド回路の一例を示す図である。 いくつかの実施形態において、信号合成器が、キャパシタを含む終端回路を含むことを示す図である。 いくつかの実施形態において、信号合成器が、インダクタを含む終端回路を含むことを示す図である。 いくつかの実施形態において、信号合成器が、調整可能インピーダンス回路を含む終端回路を含むことを示す図である。 いくつかの実施形態において、調整可能インピーダンス回路が、並列に接続された複数のインピーダンス素子を含み得ることを示す図である。 いくつかの実施形態において、信号合成器が、高調波除去回路を含む終端回路を含むことを示す図である。 いくつかの実現化例において、高調波除去回路が、直列に接続された複数の共振素子を含み得ることを示す図である。 ここに説明されるような特徴を1つ以上有するモジュールを示す図である。 ここに説明される特徴を1つ以上有する無線装置を示す図である。
いくつかの実施形態の詳細な説明
ここに提供される見出しは、あるとしても便宜上のものにすぎず、請求される発明の範囲または意味に必ずしも影響を及ぼすとは限らない。
ここに説明されるのは、ドハティ電力増幅器アーキテクチャ用の広帯域調整可能ハイブリッドベースの合成器を提案することにより、MMMB PAMについての4G LTE規格の線形性要件の下で高いPAEを維持するという問題に対処するための回路、システムおよび方法である。ドハティ電力増幅器を用いた負荷変調は、電力バックオフの下で高効率を維持する別の方法である。このアプローチでは、2つの並列のPAM、すなわちキャリア増幅器およびピーキング増幅器が使用される。ピーキング増幅器は、キャリア増幅器によって見られる負荷を変調し、このため、バックオフ時でさえ、キャリア増幅器が高効率の飽和した動作を保つことを可能にする。この負荷変調は、特定の周波数に整合されたインピーダンスを有するインピーダンス整合ネットワークを用いて達成可能である。このため、調整可能インピーダンス回路がないMMMB PAMについては、いくつかの帯域をカバーするためにいくつかのドハティPAM(それらは各々、2つの増幅器を必要とする)が使用可能であるが、それは実現を費用のかかるものおよび/または非実用的なものにするかもしれない。
図1は、ここに説明されるような特徴を1つ以上有するドハティ合成器が実現され得る電力増幅器(PA)100の例示的なアーキテクチャを示す。図示されたアーキテクチャは、ドハティPAアーキテクチャである。そのようなドハティPAアーキテクチャの文脈においてさまざまな例が説明されるが、この開示の1つ以上の特徴は他のタイプのPAシステムでも実現可能であるということが理解されるであろう。
例示的なPA100は、増幅されるべきRF信号を受信するための入力ポート(RF_IN)を含むよう図示されている。そのような入力RF信号は、プリドライバ増幅器102によって部分的に増幅されてから、キャリア増幅経路110およびピーキング増幅経路130へと分割され得る。そのような分割は、分割器104によって達成可能である。
図1では、キャリア増幅経路110は、減衰器112と、114としてまとめて示された増幅段とを含むよう図示されている。増幅段114は、ドライバ段116と出力段120とを含むよう図示されている。ドライバ段116は、バイアス回路118によってバイアスをかけられるよう図示され、出力段120は、バイアス回路122によってバイアスをかけられるよう図示されている。いくつかの実施形態では、より多い、またはより少ない増幅段があってもよい。ここに説明されるさまざまな例では、増幅段114は増幅器として説明される場合もある。しかしながら、そのような増幅器は1つ以上の段を含み得るということが理解されるであろう。
図1では、ピーキング増幅経路130は、移相回路132と、134としてまとめて示された増幅段とを含むよう図示されている。増幅段134は、ドライバ段136と出力段140とを含むよう図示されている。ドライバ段136は、バイアス回路138によってバイアスをかけられるよう図示され、出力段140は、バイアス回路142によってバイアスをかけられるよう図示されている。いくつかの実施形態では、より多い、またはより少ない増幅段があってもよい。ここに説明されるさまざまな例では、増幅段134は増幅器として説明される場合もある。しかしながら、そのような増幅器は1つ以上の段を含み得るということが理解されるであろう。
図1はさらに、増幅されたRF信号を出力ポート(RF_OUT)で生成するように、キャリア増幅経路110およびピーキング増幅経路130が合成器144によって合成可能であることを示す。合成器144に関連する例を、ここにより詳細に説明する。たとえば、合成器144は、図3、図4、図5または図7の合成器のうちの1つとして実現されてもよい。
図2Aおよび図2Bは、ドハティ合成器として利用可能なハイブリッド回路の一例を示す。そのようなハイブリッド回路は、RFIC(radio-frequency integrated circuit:無線周波数集積回路)、MMIC(monolithic microwave integrated circuit:モノリシックマイクロ波集積回路)、および他のRFモジュールといった用途にとって特に好適となるように構成可能である。図2Aは、そのようなハイブリッド回路の概略表現を示し、図2Bは、その例示的な配置を示す。
図2Aおよび図2Bのハイブリッド回路は、バランに基づいたセミランプ90度ハイブリッド(semi-lumped 90-degree hybrid)として実現可能である。使用されるバランのコンパクトな性質により、そのような設計は、シリコン、GaAsおよびIPD(integrated passive device:集積受動装置)基板(たとえば、ガラスまたはシリコン)などの絶縁/半絶縁基板上に容易に実現可能である。
このため、図2Aでは、信号合成器244は、第1のポート231と、第2のポート232と、第3のポート233と、第4のポート234とを含んで図示されている。第1のキャパシタ222は、第1のポート231と第2のポート232とを結合する。第2のキャパシタ223は、第3のポート233と第4のポート234とを結合する。信号合成器244はまた、信号合成器244の4つのポート231〜234にそれぞれ結合される4つのポートを有するトランス221を含む。図2Bでは、実質的に同様の信号合成器254が、第1のコイルと第2のコイルとを含むバラントランス251を含んで図示されている。
図2Aおよび図2Bの例では、ドハティ作用を達成するために、特定の終端を、アイソレーションポート(たとえば、第3のポート231)で提供することができる。終端の例を、ここにより詳細に説明する。
いくつかの実施形態では、そのような特定の終端が、リアクタンスの大きさがシステムの特性インピーダンスと等しいキャパシタンス(たとえばキャパシタ)として実現可能である、ということが示され得る。したがって、そのようなキャパシタンスはC=1/(2πfZ)として表わすことができ、ここで、fはドハティPAの動作周波数であり、ZはドハティPAに結合された負荷の特性インピーダンスである。
図3は、いくつかの実施形態において、信号合成器300が、キャパシタ323を含む終端回路を含むことを示す。信号合成器300は、ドハティPAのキャリア増幅信号を受信するように構成可能な第1の入力ポート331と、ドハティPAのピーキング増幅信号を受信するように構成可能な第2の入力ポート332と、第1の入力ポート331および第2の入力ポート432で受信された信号の合成を出力する出力ポート333とを含む。信号合成器300は、第1のコイル301と第2のコイル302とを有するトランス(たとえばバラントランス)を含み、第1のコイル301は第1のポート311と第2のポート312との間に実現され、第2のコイル302は第3のポート313と第4のポート314との間に実現される。第1のポート311および第3のポート313は第1のキャパシタ321によって結合され、第2のポート312および第4のポート314は第2のキャパシタ322によって結合される。第3のポート313は、図3では第3のキャパシタ323を含む終端回路を介して接地に結合される。いくつかの実現化例では、第1のキャパシタ321および第2のキャパシタ322のキャパシタンスは等しい。いくつかの実現化例では、第3のキャパシタ323のキャパシタンスは、第1のキャパシタ321および/または第2のキャパシタ322のキャパシタンスの2倍である。
いくつかの実現化例では、第3のキャパシタ323のキャパシタンスは、(2×パイ×ドハティPAの動作周波数×ドハティPAに結合された負荷の特性インピーダンス)の逆数、たとえば、C=1/(2πfZ)とほぼ等しく、ここで、fはドハティPAの動作周波数であり、ZはドハティPAに結合された負荷の特性インピーダンスである。
L=Z/(2πf)という誘導終端を有する代替的な構成は、ドハティ合成器の機能性を同様の態様で提供できる、ということが示され得る。この場合、キャリアおよびピーキング増幅器のポート位置は交換可能である。
図4は、いくつかの実施形態において、信号合成器400が、インダクタ423を含む終端回路を含むことを示す。図4の信号合成器400は、ドハティPAのキャリア増幅信号を受信するように構成可能な第1の入力ポート431と、ドハティPAのピーキング増幅信号を受信するように構成可能な第2の入力ポート432と、第1の入力ポート431および第2の入力ポート432で受信された信号の合成を出力する出力ポート433とを含む。信号合成器400は、第1のコイル401と第2のコイル402とを有するトランス(たとえばバラントランス)を含み、第1のコイル401は第1のポート411と第2のポート412との間に実現され、第2のコイル402は第3のポート413と第4のポート414との間に実現される。第1のポート411および第3のポート413は第1のキャパシタ421によって結合され、第2のポート412および第4のポート414は第2のキャパシタ422によって結合される。第3のポート413は、図4ではインダクタ423を含む終端回路を介して接地に結合される。
いくつかの実現化例では、インダクタ423のインダクタンスは、ドハティPAに結合された負荷の特性インピーダンス÷(2×パイ×ドハティPAの動作周波数)、たとえば、(2×パイ×ドハティPAの動作周波数×ドハティPAに結合された負荷の特性インピーダンス)の逆数、たとえば、L=Z/(2πf)とほぼ等しく、ここで、fはドハティPAの動作周波数であり、ZはドハティPAに結合された負荷の特性インピーダンスである。
信号合成器は、マルチモード/マルチバンド(MMMB)電力増幅器モジュール(PAM)の一部として、複数のモードまたは複数の動作周波数のために使用されてもよい。このため、いくつかの実現化例では、(図3および図4に示すような)単一のキャパシタまたは単一のインダクタではなく、調整可能インピーダンス回路を使用して、さまざまな周波数および/または構成のためにさまざまなインピーダンスに調整することができる。
図5は、いくつかの実施形態において、信号合成器500が、調整可能インピーダンス回路523を含む終端回路を含むことを示す。図5の信号合成器500は、ドハティPAのキャリア増幅信号(または、代替的な一実現化例では、ドハティPAのピーキング増幅信号)を受信するように構成可能な第1の入力ポート531と、ドハティPAのピーキング増幅信号(または、代替的な一実現化例では、ドハティPAのキャリア増幅信号)を受信するように構成可能な第2の入力ポート532と、第1の入力ポート531および第2の入力ポート532で受信された信号の合成を出力する出力ポート533とを含む。信号合成器500は、第1のコイル501と第2のコイル502とを有するトランス(たとえばバラントランス)を含み、第1のコイル501は第1のポート511と第2のポート512との間に実現され、第2のコイル502は第3のポート513と第4のポート514との間に実現される。第1のポート511および第3のポート513は第1のキャパシタ521によって結合され、第2のポート512および第4のポート514は第2のキャパシタ522によって結合される。第3のポート513は、図5では調整可能インピーダンス回路523を含む終端回路を介して接地に結合される。
信号合成器500は、信号合成器500が一部となっているシステムの現在の動作周波数を示す帯域選択信号を受信するように構成されたコントローラ520によって制御される。コントローラ520はさらに、帯域選択信号に基づいて調整可能インピーダンス回路523を調整するように構成される。いくつかの実現化例では、コントローラ520はさらに、第1のキャパシタ521または第2のキャパシタ522の少なくとも一方を調整するように構成される。
いくつかの実現化例では、第1のポート511は、ドハティPAから(たとえば第1の入力ポート531を介して)キャリア増幅信号を受信するように構成され、第4のポート514は、ドハティPAから(たとえば第2の入力ポート532を介して)ピーキング増幅信号を受信するように構成される。このため、コントローラ520は、(2×パイ×(帯域選択信号によって示されるような)動作周波数×ドハティPAに結合された負荷の特性インピーダンス)の逆数とほぼ等しいキャパシタンスを有するように調整可能インピーダンス回路523を調整するように構成可能である。コントローラ520はさらに、調整可能インピーダンス回路523のキャパシタンスの半分とほぼ等しいキャパシタンスを有するように第1のキャパシタ521および/または第2のキャパシタ522を調整可能である。
いくつかの実現化例では、第1のポート511は、ドハティPAから(たとえば第1の入力ポート531を介して)ピーキング増幅信号を受信するように構成され、第4のポート514は、ドハティPAから(たとえば第2の入力ポート532を介して)キャリア増幅信号を受信するように構成される。このため、コントローラ520は、ドハティPAに結合された負荷の特性インピーダンス÷(2×パイ×(帯域選択信号によって示されるような)動作周波数)とほぼ等しいインダクタンスを有するように調整可能インピーダンス回路523を調整するように構成可能である。
図6は、いくつかの実施形態において、調整可能インピーダンス回路623が、並列に接続された複数のインピーダンス素子を含み得ることを示す。並列に接続されたインピーダンス素子の各々は、直列に接続されたインピーダンス610a〜610dとスイッチ612a〜612dとを含む。インピーダンス610a〜610dは、1つ以上の抵抗器、キャパシタ、および/またはインダクタを含み得る。スイッチ612a〜612dは、特定のインピーダンスを有するように調整可能インピーダンス回路623を調整するために、コントローラ(たとえば、図5のコントローラ520)によって開状態または閉状態になるように制御され得る。
いくつかの実現化例では、調整可能インピーダンス回路623は、1つ以上の動作周波数で動作するように構成されたドハティPAを含むシステムの一部である。このため、インピーダンス610a〜610dは複数のキャパシタを含んでいてもよく、複数のキャパシタの各々は、(2×パイ×ドハティPAのそれぞれの動作周波数×ドハティPAに結合された負荷の特性インピーダンス)の逆数とほぼ等しいキャパシタンスを有する。これに代えて(またはこれに加えて)、インピーダンス610a〜610dは複数のインダクタを含んでいてもよく、複数のインダクタの各々は、ドハティPAに結合された負荷の特性インピーダンス÷(2×パイ×ドハティPAのそれぞれの動作周波数)とほぼ等しいインダクタンスを有する。
図7は、いくつかの実施形態において、信号合成器700が、高調波除去回路724を含む終端回路を含むことを示す。図7の信号合成器700は、第3のポート513と調整可能インピーダンス回路523との間に実現された高調波除去回路724を含む点以外は、図5の信号合成器500と実質的に同様である。
高調波除去回路724は、1つ以上の高調波の強度を第2のポート512(ひいては出力ポート533)で減少させるように構成される。第1の入力ポート531がキャリア増幅信号を受信するように構成され、第2の入力ポート532がピーキング増幅信号を受信するように構成される場合、キャリア増幅信号およびピーキング増幅信号は、増幅中のRF信号の不要な高調波を含むかもしれない。高調波除去回路724は、これらの高調波の強度を出力ポート533で減少させるように構成される。
図8は、いくつかの実現化例において、高調波除去回路823が、直列に接続された複数の共振素子を含み得ることを示す。共振素子の各々は、並列に接続されたインダクタ812a〜812dとキャパシタ810a〜810dとを含む。複数の共振素子の各々は、高調波除去回路823が一部となっているシステムの動作周波数(1組の動作周波数のうちの1つ)の倍数とほぼ等しい共振周波数を有し得る。たとえば、いくつかの実現化例では、複数の共振素子の各々は、信号合成器のそれぞれの動作周波数の2倍とほぼ等しい共振周波数を有する。このため、高調波除去回路823を含むシステムが、第1の周波数、第2の周波数、および第3の周波数のうちの1つ以上で動作するように構成される場合、共振素子は、第1の周波数の2倍、第2の周波数の2倍、および第3の周波数の2倍というそれぞれの共振周波数を有していてもよい。
図9は、いくつかの実施形態において、構成(たとえば、図1、図2A、図2Bおよび図3〜8に示す構成)のうちの一部またはすべてが、全体的にまたは部分的にモジュールで実現され得ることを示す。そのようなモジュールは、たとえばフロントエンドモジュール(front-end module:FEM)であってもよい。図9の例では、モジュール900は実装基板902を含んでいてもよく、そのような実装基板902上に多くのコンポーネントが搭載され得る。たとえば、FE−PMICコンポーネント904、(調整可能インピーダンス回路を含む合成器907を含み得る)電力増幅器アセンブリ906、整合コンポーネント908、およびマルチプレクサ・アセンブリ910が、実装基板902上および/または内に搭載および/または実現され得る。多くのSMT装置914およびアンテナスイッチモジュール(antenna switch module:ASM)912などの他のコンポーネントも、実装基板902上に搭載され得る。さまざまなコンポーネントはすべて、実装基板902上に配置されているとして示されているが、あるコンポーネントが他のコンポーネント上に実現され得ることが理解されるであろう。
いくつかの実現化例では、ここに説明された特徴を1つ以上有する装置および/または回路が、無線装置などのRF電子装置に含まれ得る。そのような装置および/または回路は、直接無線装置で実現されてもよく、ここに説明されるようなモジュール形式で実現されてもよく、またはそれらの何らかの組合せで実現されてもよい。いくつかの実施形態では、そのような無線装置は、たとえば携帯電話、スマートフォン、電話機能性を有する、または有さない携帯型無線装置、無線タブレットなどを含み得る。
図10は、ここに説明される有利な特徴を1つ以上有する例示的な無線装置1000を示す。ここに説明されるような特徴を1つ以上有するモジュールの文脈では、そのようなモジュールは概して、破線ボックス900で示すことができ、たとえばフロントエンドモジュール(FEM)として実現可能である。
図10を参照して、電力増幅器(PA)100a〜100dは、それらのそれぞれのRF信号をトランシーバ1010から受信でき、トランシーバ1010は、増幅され送信されるべきRF信号を生成し、受信した信号を処理するように、公知の態様で構成および動作可能である。トランシーバ1010は、ベースバンド・サブシステム1008と相互作用するよう図示されており、ベースバンド・サブシステム1008は、ユーザにとって好適なデータ信号および/または音声信号と、トランシーバ1010にとって好適なRF信号との間の変換を提供するように構成される。トランシーバ1010はまた、電力管理コンポーネント1006と通信可能であり、電力管理コンポーネント1006は、無線装置1000の動作のために電力を管理するように構成されている。そのような電力管理は、ベースバンド・サブシステム1008およびモジュール900の動作も制御できる。
ベースバンド・サブシステム1008は、ユーザに提供され、およびユーザから受信された音声および/またはデータのさまざまな入力および出力を容易にするために、ユーザインターフェイス1002に接続されるよう図示されている。ベースバンド・サブシステム1008はメモリ1004にも接続可能であり、メモリ1004は、無線装置の動作を容易にするための命令および/またはデータを格納するように、および/または、情報のストレージをユーザに提供するように構成されている。
例示的な無線装置1000では、PA100a〜100dの出力は、(それぞれの整合回路1020a〜1020dを介して)整合され、それらのそれぞれのダイプレクサ1012a〜1012dにルーティングされるよう図示されている。そのような増幅されフィルタリングされた信号は、送信のためにアンテナスイッチ1014を通ってアンテナ1016(または複数のアンテナ)にルーティングされ得る。いくつかの実施形態では、ダイプレクサ1012a〜1012dは、共通のアンテナ(たとえば1016)を使用して、同時に行なわれるべき動作を送受信することを可能にし得る。図10では、受信信号は、たとえば低雑音増幅器(low-noise amplifier:LNA)を含み得る「Rx」経路(図示せず)にルーティングされるよう図示されている。
多数の他の無線装置構成が、ここに説明された特徴の1つ以上を利用することができる。たとえば、無線装置はマルチバンド装置である必要はない。別の例では、無線装置は、ダイバーシティアンテナなどの付加的なアンテナ、ならびにWi−Fi、ブルートゥース(登録商標)、およびGPSなどの付加的な接続性特徴を含み得る。
文脈が明確にそうでないことを要件としていなければ、説明および請求項全体を通し、「含む」[含んで」などの用語は、排他的または網羅的な意味とは対照的なものとしての、包括的な意味で、すなわち、「〜を含むもののそれに限定されない」という意味で解釈すべきである。ここに概して使用される「結合される」という用語は、直接接続されるかまたは1つ以上の中間要素によって接続され得る2つ以上の要素を指す。加えて、「ここに」「上述の」「以下に」という用語、および同様の趣旨の用語は、本願で使用される場合、本願全体を指しており、本願のある特定の部分を指すものではない。文脈上許容される場合、上述の説明で単数形または複数形を用いた用語はそれぞれ、複数形または単数形も含み得る。2つ以上の項目のリストに関する「または」という用語は、リストの項目のいずれか、リストの項目のすべて、リストの項目の任意の組合せといった、用語のあらゆる解釈を網羅する。
この発明の実施形態の上述の詳細な説明は、網羅的であるよう、またはこの発明を上に開示されたとおりの形に限定するように意図されてはいない。この発明の具体的な実施形態およびこの発明についての例が、例示的な目的のために上述されているが、当業者であれば認識するように、さまざまな同等の修正がこの発明の範囲内で可能である。たとえば、プロセスまたはブロックは所与の順序で提示されているものの、代替的な実施形態は異なる順序で、ステップを有するルーチンを行ない、またはブロックを有するシステムを採用してもよく、いくつかのプロセスまたはブロックは削除され、移動され、追加され、さらに分割され、組合され、および/または修正されてもよい。これらのプロセスまたはブロックの各々は、さまざまな異なるやり方で実現されてもよい。また、プロセスまたはブロックは、時には連続して行なわれるように示されているものの、これらのプロセスまたはブロックはその代わりに、並行して行なわれてもよく、または異なる時期に行なわれてもよい。
ここに提供されるこの発明の教示は、必ずしも上述のシステムにではなく、他のシステムに適用可能である。上述のさまざまな実施形態の要素および行為は、さらに別の実施形態を提供するために組合せ可能である。
この発明のいくつかの実施形態を説明してきたが、これらの実施形態は単なる例として提示されたものであり、この開示の範囲を限定するように意図されてはいない。実際、ここに説明された新規の方法およびシステムは、さまざまな他の形で具現化されてもよく、さらに、ここに説明された方法およびシステムの形におけるさまざまな省略、置換、および変更が、この開示の精神から逸脱することなく行なわれてもよい。添付された請求項およびそれらの均等物は、この開示の範囲および精神に該当するであろうそのような形または修正を網羅するように意図されている。
144、244、254、300、400、500、700、907 合成器、251 バラントランス、301、401、501 第1のコイル、302、402、502 第2のコイル、231、311、411、511 第1のポート、232、312、412、512 第2のポート、233、313、413、513 第3のポート、234、314、414、514 第4のポート、222、321、421、521 第1のキャパシタ、223、322、422、522 第2のキャパシタ、523、623 調整可能インピーダンス回路。

Claims (20)

  1. 信号合成器であって、
    第1のコイルと第2のコイルとを有するバラントランス回路を含み、第1のコイルは第1のポートと第2のポートとの間に実現され、第2のコイルは第3のポートと第4のポートとの間に実現され、第1のポートおよび第3のポートは第1のキャパシタによって結合され、第2のポートおよび第4のポートは第2のキャパシタによって結合され、第1のポートは第1の信号を受信するように構成され、第4のポートは第2の信号を受信するように構成され、第2のポートは第1の信号と第2の信号との合成を生成するように構成され、前記信号合成器はさらに、
    第3のポートを接地に結合する終端回路を含み、終端回路は調整可能インピーダンス回路を含む、信号合成器。
  2. 帯域選択信号を受信し、帯域選択信号に基づいて調整可能インピーダンス回路を調整するように構成されたコントローラをさらに含む、請求項1に記載の信号合成器。
  3. コントローラはさらに、第1のキャパシタまたは第2のキャパシタの少なくとも一方を調整するように構成される、請求項2に記載の信号合成器。
  4. 第1のポートは、ドハティ電力増幅器(PA)からキャリア増幅信号を受信するように構成され、第4のポートは、ドハティPAからピーキング増幅信号を受信するように構成される、請求項1に記載の信号合成器。
  5. 調整可能インピーダンス回路は複数のキャパシタを含み、複数のキャパシタの各々は、(2×パイ×ドハティPAのそれぞれの動作周波数×ドハティPAに結合された負荷の特性インピーダンス)の逆数とほぼ等しいキャパシタンスを有する、請求項4に記載の信号合成器。
  6. 動作周波数を示す帯域選択信号を受信し、(2×パイ×動作周波数×ドハティPAに結合された負荷の特性インピーダンス)の逆数とほぼ等しいキャパシタンスを有するように調整可能インピーダンス回路を調整するように構成されたコントローラをさらに含む、請求項4に記載の信号合成器。
  7. コントローラはさらに、調整可能インピーダンス回路のキャパシタンスの半分とほぼ等しいキャパシタンスを有するように第1のキャパシタおよび第2のキャパシタを調整するように構成される、請求項6に記載の信号合成器。
  8. 第1のポートは、ドハティ電力増幅器(PA)からピーキング増幅信号を受信するように構成され、第4のポートは、ドハティPAからキャリア増幅信号を受信するように構成される、請求項1に記載の信号合成器。
  9. 調整可能インピーダンス回路は複数のインダクタを含み、複数のインダクタの各々は、ドハティPAに結合された負荷の特性インピーダンス÷(2×パイ×ドハティPAのそれぞれの動作周波数)とほぼ等しいインダクタンスを有する、請求項8に記載の信号合成器。
  10. 動作周波数を示す帯域選択信号を受信し、ドハティPAに結合された負荷の特性インピーダンス÷(2×パイ×動作周波数)とほぼ等しいインダクタンスを有するように調整可能インピーダンス回路を調整するように構成されたコントローラをさらに含む、請求項8に記載の信号合成器。
  11. 調整可能インピーダンス整合回路は、並列に接続された複数のインピーダンス素子を含み、複数のインピーダンス素子の各々は、直列に接続されたインピーダンスとスイッチとを含む、請求項1に記載の信号合成器。
  12. 終端回路はさらに、1つ以上の高調波の強度を第2のポートで減少させるように構成された高調波除去回路を含む、請求項1に記載の信号合成器。
  13. 高調波除去回路は、直列に接続された複数の共振素子を含み、複数の共振素子の各々は、並列に接続されたインダクタとキャパシタとを含む、請求項12に記載の信号合成器。
  14. 複数の共振素子の各々は、信号合成器の動作周波数の倍数とほぼ等しい共振周波数を有する、請求項13に記載の信号合成器。
  15. 複数の共振素子の各々は、信号合成器のそれぞれの動作周波数の2倍とほぼ等しい共振周波数を有する、請求項14に記載の信号合成器。
  16. 高調波除去回路は、第3のポートと調整可能インピーダンス回路との間に実現される、請求項12に記載の信号合成器。
  17. 電力増幅器(PA)モジュールであって、
    複数のコンポーネントを受けるように構成された実装基板と、
    実装基板上に実現された信号合成器とを含み、信号合成器は、第1のコイルと第2のコイルとを有するバラントランス回路を含み、第1のコイルは第1のポートと第2のポートとの間に実現され、第2のコイルは第3のポートと第4のポートとの間に実現され、第1のポートおよび第3のポートは第1のキャパシタによって結合され、第2のポートおよび第4のポートは第2のキャパシタによって結合され、第1のポートは第1の信号を受信するように構成され、第4のポートは第2の信号を受信するように構成され、第2のポートは第1の信号と第2の信号との合成を生成するように構成され、前記信号合成器はさらに、第3のポートを接地に結合する終端回路を含み、終端回路は調整可能インピーダンス回路を含む、電力増幅器(PA)モジュール。
  18. 実装基板上に実現されたコントローラをさらに含み、コントローラは、帯域選択信号を受信し、帯域選択信号に基づいて調整可能インピーダンス回路を調整するように構成される、請求項17に記載のPAモジュール。
  19. 無線装置であって、
    無線周波数(RF)信号を生成するように構成されたトランシーバと、
    トランシーバと通信している電力増幅器(PA)モジュールとを含み、PAモジュールは、RF信号を受信し、RF信号を第1の部分および第2の部分へと分割するように構成された入力回路を含み、PAモジュールはさらに、第1の部分を受信するために入力回路に結合されたキャリア増幅経路と、第2の部分を受信するために入力回路に結合されたピーキング増幅経路とを有するドハティPAを含み、PAモジュールはさらに、ドハティ増幅器回路に結合された出力回路を含み、出力回路は、第1のコイルと第2のコイルとを有するバラントランス回路を含み、第1のコイルは第1のポートと第2のポートとの間に実現され、第2のコイルは第3のポートと第4のポートとの間に実現され、第1のポートおよび第3のポートは第1のキャパシタによって結合され、第2のポートおよび第4のポートは第2のキャパシタによって結合され、第1のポートはキャリア増幅経路を介して第1の信号を受信するように構成され、第4のポートはピーキング増幅経路を介して第2の信号を受信するように構成され、第2のポートは第1の信号と第2の信号との合成を増幅されたRF信号として生成するように構成され、PAモジュールはさらに、第3のポートを接地に結合する終端回路を含み、終端回路は調整可能インピーダンス回路を含み、前記無線装置はさらに、
    PAモジュールと通信しているアンテナを含み、アンテナは、増幅されたRF信号の送信を容易にするように構成される、無線装置。
  20. 帯域選択信号を受信し、帯域選択信号に基づいて調整可能インピーダンス回路を調整するように構成されたコントローラをさらに含む、請求項19に記載の無線装置。
JP2015159867A 2014-08-13 2015-08-13 信号合成器、電力増幅器モジュール、および無線装置 Pending JP2016042695A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201462036854P 2014-08-13 2014-08-13
US62/036,854 2014-08-13

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016042695A true JP2016042695A (ja) 2016-03-31
JP2016042695A5 JP2016042695A5 (ja) 2018-09-20

Family

ID=55302899

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015159867A Pending JP2016042695A (ja) 2014-08-13 2015-08-13 信号合成器、電力増幅器モジュール、および無線装置

Country Status (5)

Country Link
US (4) US9800207B2 (ja)
JP (1) JP2016042695A (ja)
KR (1) KR20160020380A (ja)
HK (1) HK1216462A1 (ja)
TW (1) TWI660576B (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10164589B2 (en) 2017-02-21 2018-12-25 Murata Manufacturing Co., Ltd. Power amplifier circuit
JPWO2022176947A1 (ja) * 2021-02-18 2022-08-25

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9912298B2 (en) 2014-05-13 2018-03-06 Skyworks Solutions, Inc. Systems and methods related to linear load modulated power amplifiers
US9800207B2 (en) * 2014-08-13 2017-10-24 Skyworks Solutions, Inc. Doherty power amplifier combiner with tunable impedance termination circuit
US9712119B2 (en) * 2014-10-25 2017-07-18 Skyworks Solutions, Inc. Doherty power amplifier with tunable input network
US10666305B2 (en) 2015-12-16 2020-05-26 Kumu Networks, Inc. Systems and methods for linearized-mixer out-of-band interference mitigation
TWI580176B (zh) * 2016-07-21 2017-04-21 With automatic adjustment of the main and auxiliary amplifier power ratio than the Doher power amplifier
EP3577758B1 (en) * 2017-02-02 2024-04-03 MACOM Technology Solutions Holdings, Inc. 90-degree lumped and distributed doherty impedance inverter
WO2018142178A1 (en) * 2017-02-02 2018-08-09 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. 90-degree lumped and distributed doherty impedance inverter
US11233483B2 (en) 2017-02-02 2022-01-25 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. 90-degree lumped and distributed Doherty impedance inverter
KR102145700B1 (ko) * 2017-03-27 2020-08-19 쿠무 네트웍스, 아이엔씨. 향상된 선형성 믹서
US11159125B2 (en) 2017-04-24 2021-10-26 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. Inverted Doherty power amplifier with large RF fractional and instantaneous bandwidths
EP3616319A1 (en) 2017-04-24 2020-03-04 MACOM Technology Solutions Holdings, Inc. Improved efficiency, symmetrical doherty power amplifier
EP3616320B1 (en) 2017-04-24 2023-11-08 MACOM Technology Solutions Holdings, Inc. Inverted doherty power amplifier with large rf and instantaneous bandwidths
EP3692631A1 (en) 2017-10-02 2020-08-12 MACOM Technology Solutions Holdings, Inc. No-load-modulation, high-efficiency power amplifier
EP3474443B1 (en) 2017-10-18 2021-03-10 NXP USA, Inc. Amplifier power combiner with slotline impedance transformer
WO2019103899A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Skyworks Solutions, Inc. Wideband power combiner and splitter
WO2019103898A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Skyworks Solutions, Inc. Quadrature combined doherty amplifiers
KR102029558B1 (ko) 2017-12-27 2019-10-07 삼성전기주식회사 광대역 선형화가 개선된 파워 증폭 장치
US10491165B2 (en) * 2018-03-12 2019-11-26 Psemi Corporation Doherty amplifier with adjustable alpha factor
US10833634B2 (en) 2018-04-04 2020-11-10 City University Of Hong Kong Doherty power amplifier circuit
WO2019212830A2 (en) 2018-04-30 2019-11-07 Skyworks Solutions, Inc. Front end systems with switched termination for enhanced intermodulation distortion performance
US10978999B2 (en) * 2018-06-11 2021-04-13 Qorvo Us, Inc. Doherty radio frequency amplifier circuitry
US10972055B2 (en) 2018-06-15 2021-04-06 Skyworks Solutions, Inc. Integrated doherty power amplifier
US11152895B2 (en) 2018-07-03 2021-10-19 Qorvo Us, Inc. Doherty amplifier
KR102595794B1 (ko) 2018-08-31 2023-10-30 삼성전자주식회사 송신 장치에서 전력을 증폭하기 위한 장치 및 방법
CN112640298A (zh) 2018-10-05 2021-04-09 镁可微波技术有限公司 低负载调制功率放大器
US11165393B2 (en) 2019-03-25 2021-11-02 Skyworks Solutions, Inc. Envelope tracking for Doherty power amplifiers
US11916517B2 (en) 2019-04-23 2024-02-27 Skyworks Solutions, Inc. Saturation detection of power amplifiers
US11114988B2 (en) 2019-05-24 2021-09-07 Cree, Inc. Doherty amplifier circuit with integrated harmonic termination
DE102019212632A1 (de) * 2019-08-22 2021-02-25 Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule (Rwth) Aachen Leistungsverstärker
WO2021137951A1 (en) 2019-12-30 2021-07-08 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. Low-load-modulation broadband amplifier
US11398798B2 (en) 2020-03-02 2022-07-26 Skyworks Solutions, Inc. Doherty power amplifiers with coupled line combiners
US11750156B2 (en) 2020-08-24 2023-09-05 City University Of Hong Kong Power amplifier
US11601144B2 (en) 2020-08-26 2023-03-07 Skyworks Solutions, Inc. Broadband architectures for radio frequency front-ends
US11671122B2 (en) 2020-08-26 2023-06-06 Skyworks Solutions, Inc. Filter reuse in radio frequency front-ends
US11616476B2 (en) 2020-10-19 2023-03-28 City University Of Hong Kong Power amplifier circuit
US11757422B2 (en) 2021-10-08 2023-09-12 Nxp Usa, Inc. Quadrature hybrid with variable capacitor tuning network

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56110325A (en) * 1980-02-05 1981-09-01 Maspro Denkoh Corp Branching device
JP2006186960A (ja) * 2004-12-03 2006-07-13 Mitsubishi Electric Corp 90度ハイブリッド回路およびウィルキンソン形電力分配回路
JP2010245971A (ja) * 2009-04-08 2010-10-28 Mitsubishi Electric Corp 高周波遮断回路
JP2013141163A (ja) * 2012-01-05 2013-07-18 Panasonic Corp 直交ハイブリッドカプラ、増幅器及び無線通信装置
WO2014000905A1 (de) * 2012-06-29 2014-01-03 Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg Quasi-breitbandiger verstärker nach dem doherty-prinzip
WO2014007703A1 (en) * 2012-07-05 2014-01-09 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) Amplifier device and corresponding radio base station and mobile communication terminal
JP2014513488A (ja) * 2011-05-05 2014-05-29 ローデ ウント シュワルツ ゲーエムベーハー ウント コー カーゲー 疑似ブロードバンド・ドハティ増幅器及び関連するキャパシタ回路
US20140159818A1 (en) * 2012-12-11 2014-06-12 Rf Micro Devices, Inc. Doherty power amplifier with tunable impedance load

Family Cites Families (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6320462B1 (en) 2000-04-12 2001-11-20 Raytheon Company Amplifier circuit
US6630899B2 (en) 2000-07-20 2003-10-07 Tripath Technology, Inc. Scheme for maximizing efficiency of power amplifier under power backoff conditions
US20020186079A1 (en) 2001-06-08 2002-12-12 Kobayashi Kevin W. Asymmetrically biased high linearity balanced amplifier
US6639490B2 (en) * 2001-10-31 2003-10-28 International Business Machines Corporation Ninety degree coupler for radio frequency degraded circuits
US6737922B2 (en) 2002-01-28 2004-05-18 Cree Microwave, Inc. N-way RF power amplifier circuit with increased back-off capability and power added efficiency using unequal input power division
US6791417B2 (en) 2002-01-28 2004-09-14 Cree Microwave, Inc. N-way RF power amplifier circuit with increased back-off capability and power added efficiency using selected phase lengths and output impedances
US6810241B1 (en) * 2002-01-30 2004-10-26 Northrop Grumman Corporation Microwave diode mixer
KR100553252B1 (ko) 2002-02-01 2006-02-20 아바고테크놀로지스코리아 주식회사 휴대용 단말기의 전력 증폭 장치
KR20050031663A (ko) 2003-09-30 2005-04-06 광운대학교 산학협력단 도허티 전력 증폭 장치
KR100756041B1 (ko) 2005-06-27 2007-09-07 삼성전자주식회사 믹서를 이용한 도허티 증폭장치 및 송신기
CN100426056C (zh) * 2005-08-26 2008-10-15 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 多灯管驱动系统及方法
US7362170B2 (en) 2005-12-01 2008-04-22 Andrew Corporation High gain, high efficiency power amplifier
US20100026387A1 (en) 2006-11-23 2010-02-04 Nxp, B.V. Integrated doherty type amplifier arrangement with high power efficiency
US7773959B1 (en) 2007-04-25 2010-08-10 Rf Micro Devices, Inc. Quadrature radio frequency amplifier output network
US7683733B2 (en) * 2008-02-04 2010-03-23 Freescale Semiconductor, Inc. Balun transformer with improved harmonic suppression
US20090212850A1 (en) 2008-02-26 2009-08-27 Anthony Gus Aipperspach Method and Circuit for Implementing Efuse Resistance Screening
US7936212B2 (en) 2008-05-09 2011-05-03 Cree, Inc. Progressive power generating amplifiers
US8432070B2 (en) * 2008-08-25 2013-04-30 Qualcomm Incorporated Passive receivers for wireless power transmission
CN101534093B (zh) 2009-04-14 2011-08-10 武汉正维电子技术有限公司 用于移动通信基站系统功率放大器的末级三路功率合成放大电路
US8837629B2 (en) 2011-05-11 2014-09-16 Fadhel M Ghannouchi Extended bandwidth digital Doherty transmitter
WO2011098861A1 (en) 2009-12-21 2011-08-18 Dali Systems Co. Ltd High efficiency, remotely reconfigurable remote radio head unit system and method for wireless communications
US8116346B2 (en) 2010-01-22 2012-02-14 Coherent, Inc. CO2 laser output power control during warm-up
US8314654B2 (en) 2010-05-17 2012-11-20 Alcatel Lucent Multi-band high-efficiency Doherty amplifier
US8611834B2 (en) * 2010-11-01 2013-12-17 Cree, Inc. Matching network for transmission circuitry
US9083284B2 (en) 2011-03-07 2015-07-14 Intel Corporation Wide-band multi stage Doherty power amplifier
US8749306B2 (en) 2011-03-16 2014-06-10 Cree, Inc. Enhanced Doherty amplifier
JP5655655B2 (ja) 2011-03-18 2015-01-21 富士通株式会社 ドハティ増幅装置
CN102185563B (zh) 2011-04-29 2016-03-02 中兴通讯股份有限公司 一种Doherty功放装置
US8928404B2 (en) 2011-05-13 2015-01-06 Intel Corporation Amplifier performance stabilization through preparatory phase
US8912846B2 (en) 2011-07-25 2014-12-16 Kathrein-Werke Kg Doherty amplifier arrangement
US8693961B2 (en) 2011-08-11 2014-04-08 Intel IP Corporation System and method for improving power efficiency of a transmitter
US9209511B2 (en) 2011-10-14 2015-12-08 Anaren, Inc. Doherty power amplifier network
US9813036B2 (en) 2011-12-16 2017-11-07 Qorvo Us, Inc. Dynamic loadline power amplifier with baseband linearization
CN103178786A (zh) 2011-12-26 2013-06-26 瑞典爱立信有限公司 多路Doherty放大器
US9203348B2 (en) 2012-01-27 2015-12-01 Freescale Semiconductor, Inc. Adjustable power splitters and corresponding methods and apparatus
US8593219B1 (en) 2012-08-31 2013-11-26 Motorola Solutions, Inc. Method and apparatus for amplifying a radio frequency signal
US20140070883A1 (en) 2012-09-11 2014-03-13 Mark Gurvich High Efficiency Amplifier
US9397617B2 (en) * 2013-06-25 2016-07-19 Rf Micro Devices, Inc. Multi-broadband Doherty power amplifier
US9407214B2 (en) 2013-06-28 2016-08-02 Cree, Inc. MMIC power amplifier
US9484865B2 (en) 2013-09-30 2016-11-01 Qorvo Us, Inc. Reconfigurable load modulation amplifier
US9225291B2 (en) 2013-10-29 2015-12-29 Freescale Semiconductor, Inc. Adaptive adjustment of power splitter
US9912298B2 (en) 2014-05-13 2018-03-06 Skyworks Solutions, Inc. Systems and methods related to linear load modulated power amplifiers
US9467115B2 (en) 2014-05-13 2016-10-11 Skyworks Solutions, Inc. Circuits, devices and methods related to combiners for Doherty power amplifiers
US9450541B2 (en) 2014-05-13 2016-09-20 Skyworks Solutions, Inc. Systems and methods related to linear and efficient broadband power amplifiers
US9800207B2 (en) * 2014-08-13 2017-10-24 Skyworks Solutions, Inc. Doherty power amplifier combiner with tunable impedance termination circuit
US9685687B2 (en) * 2014-09-15 2017-06-20 Infineon Technologies Ag System and method for a directional coupler
US9712119B2 (en) 2014-10-25 2017-07-18 Skyworks Solutions, Inc. Doherty power amplifier with tunable input network

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56110325A (en) * 1980-02-05 1981-09-01 Maspro Denkoh Corp Branching device
JP2006186960A (ja) * 2004-12-03 2006-07-13 Mitsubishi Electric Corp 90度ハイブリッド回路およびウィルキンソン形電力分配回路
JP2010245971A (ja) * 2009-04-08 2010-10-28 Mitsubishi Electric Corp 高周波遮断回路
JP2014513488A (ja) * 2011-05-05 2014-05-29 ローデ ウント シュワルツ ゲーエムベーハー ウント コー カーゲー 疑似ブロードバンド・ドハティ増幅器及び関連するキャパシタ回路
JP2013141163A (ja) * 2012-01-05 2013-07-18 Panasonic Corp 直交ハイブリッドカプラ、増幅器及び無線通信装置
WO2014000905A1 (de) * 2012-06-29 2014-01-03 Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg Quasi-breitbandiger verstärker nach dem doherty-prinzip
JP2015526002A (ja) * 2012-06-29 2015-09-07 ローデ ウント シュヴァルツ ゲーエムベーハー ウント コンパニ カーゲー ドハティ方式による準広帯域増幅器
WO2014007703A1 (en) * 2012-07-05 2014-01-09 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) Amplifier device and corresponding radio base station and mobile communication terminal
US20140159818A1 (en) * 2012-12-11 2014-06-12 Rf Micro Devices, Inc. Doherty power amplifier with tunable impedance load

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10164589B2 (en) 2017-02-21 2018-12-25 Murata Manufacturing Co., Ltd. Power amplifier circuit
US10601382B2 (en) 2017-02-21 2020-03-24 Murata Manufacturing Co., Ltd. Power amplifier circuit
JPWO2022176947A1 (ja) * 2021-02-18 2022-08-25
WO2022176947A1 (ja) * 2021-02-18 2022-08-25 ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 高周波電力増幅装置
JP7351036B2 (ja) 2021-02-18 2023-09-26 ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 高周波電力増幅装置
US11942911B2 (en) 2021-02-18 2024-03-26 Nuvoton Technology Corporation Japan Radio-frequency power amplifier device

Also Published As

Publication number Publication date
US9800207B2 (en) 2017-10-24
HK1216462A1 (zh) 2016-11-11
US20180145636A1 (en) 2018-05-24
US10355647B2 (en) 2019-07-16
US20210384868A1 (en) 2021-12-09
TWI660576B (zh) 2019-05-21
US11101775B2 (en) 2021-08-24
US20160049910A1 (en) 2016-02-18
US20200014338A1 (en) 2020-01-09
KR20160020380A (ko) 2016-02-23
US11764734B2 (en) 2023-09-19
TW201611514A (zh) 2016-03-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11764734B2 (en) Signal combiner having a tuned termination circuit on an isolation port for a Doherty power amplifier
JP6890146B6 (ja) フロントエンドアーキテクチャ、2g信号を処理する方法、フロントエンドモジュール、及び無線装置
US10778152B2 (en) Methods for amplifying signals using a Doherty amplifier
KR102483467B1 (ko) 선형의 효율적인 광대역 전력 증폭기들에 관한 시스템들 및 방법들
CN105375883B (zh) 具有可调阻抗终端电路的多尔蒂功率放大器组合器
US9853610B2 (en) Systems and methods related to linear and efficient broadband power amplifiers
US9912299B2 (en) Architectures and devices related to Doherty amplifiers
KR102505177B1 (ko) 동조가능 입력 네트워크를 가지는 도허티 전력 증폭기
US20160013758A1 (en) Power amplifier with termination circuit and resonant circuit
KR102677033B1 (ko) 선형의 효율적인 광대역 전력 증폭기들에 관한 시스템들 및 방법들

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180807

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180807

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20180807

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20181121

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20181128

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20181204

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190304

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190528

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190827

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20191119