JP2015526002A - ドハティ方式による準広帯域増幅器 - Google Patents

Abstract

【課題】高効率で高線形性で、かつ必要なスペースが小さく、回路構成に高い自由度を可能とする高周波増幅器を提供する。【解決手段】増幅器は第１の増幅回路（１６）、第２の増幅回路（１７）、ハイブリッド結合回路（１８）および終端部（１）を有している。ハイブリッド結合回路（１８）は出力部（１３）および絶縁部（１２）を有している。この構成において、終端部（１）はハイブリッド結合回路（１８）の絶縁部（１２）に接続されている。終端部（１）は第１のスイッチ（３０）、第１のキャパシタ（３７）および第１のインダクタンス（３１、３２、３３）を有している。【選択図】 図１

Description

本発明は、増幅器、特にドハティ増幅器に関するものである。

従来、ドハティ増幅器は高効率、高線形の高周波を構成するために使用されている。
特許文献１によれば、ドハティ増幅器はメインアンプの３ｄｂ結合器およびインピーダンストランスとして使用され、さらに、３ｄｂ結合器のデカップリング端子で終端されたメインおよび補助アンプのパワー結合器として使用され、通常所定の長さの閉回路または開回路線のシステム電波インピーダンスで終端されている。

ヨーロッパ特許ＥＰ１６０９２３９Ｂ１

その構成に示された配列は、従来のドハティ帯域幅を超える周波数変化は不可能であり、低損失線に必要なスペースはかなり大きいという欠点がある。

本発明は高効率で高線形性で、かつ必要なスペースが小さく、回路構成に高い自由度を可能とする高周波増幅器を提供する目的に基づいてなされたものである。

この目的は、本発明による独立請求項１、７および１１に示される構成により達成される。さらなる発展形は、これらの独立項に従属する請求項の主題により形成される。

高効率、高線形性で、かつ必要なスペースが小さく、回路構成に高い自由度を可能とし、終端部の周波数応答や減衰の調整性能を大幅に向上させることができる高周波増幅器を提供する。

絶縁部および出力部の回路構成を省略した代表的なドハティ増幅器 本発明による増幅器の終端部の第１の代表的実施例 本発明による増幅器の終端部の第２の代表的実施例 本発明による増幅器の終端部の第３の代表的実施例 本発明による増幅器の終端部の第４の代表的実施例 本発明による増幅器の終端部の第５の代表的実施例 本発明による増幅器の終端部の第６の代表的実施例 本発明による増幅器の終端部の第７の代表的実施例 本発明による増幅器の終端部の第８の代表的実施例 本発明による増幅器の終端部の第９の代表的実施例

本発明による増幅器は第１の増幅回路、第２の増幅回路、ハイブリッド結合回路および終端部を有している。ハイブリッド結合回路は出力部および絶縁部を有している。この構成において、終端部はハイブリッド結合回路の絶縁部に接続されている。終端部は第１のスイッチ、第１のキャパシタおよび第１のインダクタンスを有している。したがって、終端部の周波数応答の調整が可能である。

好ましくは、第１のスイッチは第１のキャパシタを第１のインダクタンスに選択的に接続する。これによって終端部の周波数応答の調整性がさらに向上する。

終端部は好ましくは第２のキャパシタまたは第２のインダクタンスを含んでいる。終端部が少なくとも２つのキャパシタを備えるならば、第１のスイッチはその都度１つのキャパシタを第１のインダクタンスに選択的に接続させることが好ましい。終端部が少なくとも２つのインダクタンスを備えるならば、第１のスイッチはその都度１つのインダクタンスを第１のキャパシタに選択的に接続させることが好ましい。このようにすれば、終端部の周波数応答の調整性をさらに向上させることができる。

終端部は好ましくは絶縁部に直接接続されている第２のスイッチおよび第３のキャパシタ、または第３のインダクタンスを備えている。第２のスイッチは絶縁部を第１のインダクタンスまたは第１のキャパシタに選択的に接続する。この処置によっても終端部の周波数応答の調整性が向上する。

終端部は好ましくは第２のキャパシタ、第２のスイッチおよび第３のキャパシタを備えている。第３のキャパシタおよび第２のスイッチは絶縁部に直接接続されている。第１のインダクタンスは第２のスイッチの絶縁部から離れた方の端子に接続される。この場合、第１のスイッチは第２の第１のインダクタンスのスイッチから離れた方の端子に接続される。第１のキャパシタおよび第２のキャパシタは第１のスイッチの第１のインダクタンスから離れた方の端子に接続される。この方法により特に有用な周波数応答を達成することができる。

終端部は好ましくは第２のインダクタンス、第２のスイッチおよび第３のインダクタンスを有している。第３のインダクタンスおよび第２のスイッチは絶縁部に直接接続されている。この場合、第１のキャパシタは第２のスイッチの絶縁部から離れた方の端子に接続される。第１のスイッチは第１のキャパシタの第２のスイッチから離れた方の端子に接続される。また、第１のインダクタンスおよび第２のインダクタンスは第１のスイッチの第１のキャパシタから離れた方の端子に接続される。この実施例により特に有用な周波数応答を達成することができる。

本発明による増幅器の他の実施例によれば、第１の増幅回路、第２の増幅回路、ハイブリッド結合回路および終端部を有している。ハイブリッド結合回路は出力部および絶縁部を有している。終端部はハイブリッド結合回路の絶縁部に接続されている。終端部は第１のオーム抵抗、および第１のキャパシタおよび／または第１のインダクタンスを有している。第１のオーム抵抗および第１のキャパシタはそれぞれ第１のインダクタンスは直列に接続されている。したがって、終端部のさらなる減衰を調整することができる。

好ましくは、終端部は第１のインダクタンス、第２のインダクタンス、第１のキャパシタおよび第２のオーム抵抗を備えている。このとき、第１のキャパシタおよび第１のインダクタンスは絶縁部に接続されている。第２のインダクタンスは第１のキャパシタの絶縁部から離れた方の端子に接続されている。第１のオーム抵抗は第１のインダクタンスに直列に接続されている。この場合第２のオーム抵抗は第２のインダクタンスに直列に接続されている。したがって、終端部の減衰は特に正確に調整することができる。

好ましくは、終端部は第１のインダクタンス、第２のインダクタンス、第１のキャパシタ、第２のオーム抵抗および第３のオーム抵抗を含んでいる。このとき、第１のキャパシタおよび第１のインダクタンスは絶縁部に接続されている第３のオーム抵抗に接続されている。第２のインダクタンスは第１のキャパシタの絶縁部から離れた方の端子に接続されておる。この場合、第１のオーム抵抗は第１のインダクタンスに直列に接続されている。第２のオーム抵抗は第２のインダクタンスに直列に接続されている。第３のオーム抵抗は第１のキャパシタに直列に接続されている。この構成により、終端部の減衰は特に正確に調整することができる。

あるいは、終端部は第１のインダクタンス、第１のキャパシタ、第２のキャパシタおよび第２のオーム抵抗を備えている。このとき、第１のキャパシタおよび第１のインダクタンスは絶縁部に接続されている。第２のキャパシタは第１のインダクタンスの絶縁部から離れた方の端子に接続されている。この場合、第１のオーム抵抗は第１のキャパシタに直列に接続されており、一方、第２のオーム抵抗は第２のキャパシタに直列に接続されている。この構成によっても、終端部の減衰は特に正確に調整することができる。

本発明のさらに他の実施例による増幅器は、第１の増幅回路、第２の増幅回路、ハイブリッド結合回路および終端部を有している。ハイブリッド結合回路は出力部および絶縁部を有している。終端部はハイブリッド結合回路の絶縁部に接続されている。この構成において終端部は第２のハイブリッド結合回路を備えている。したがって、終端部の周波数応答はハイブリッド結合回路によって調整することができる。

第２のハイブリッド結合回路は絶縁部において第１のキャパシタ、特に、キャパシタンスが調整可能なキャパシタで終端されているのが好ましい。第２のハイブリッド結合回路は出力部においてキャパシタ、特に、キャパシタンスが調整可能なキャパシタで終端されているのが好ましい。この方法によって、終端部の周波数応答は特に正確に調整することができる。

第２のハイブリッド結合回路は入力端子においてキャパシタ、特に、キャパシタンスが調整可能なキャパシタで終端されているのが好ましい。この方法によって、周波数応答の適合性を一層向上させることができる。

第２のハイブリッド結合回路が調整可能な位相器として動作するように具体化されることが好ましい。これによって、周波数応答は特に正確に調整することができる。

以下において、本発明を図面に基づいて有用な代表的実施例について説明する。
まず、図１を参照してドハティ増幅器の構成と一般的な機能を説明する。それに続いて、図２〜図１０は本発明による増幅器の終端部の代表的な実施例における構成と機能に関して述べる。同種の図面において、同一の要素についての説明は繰り返さない。

図１は代表的なドハティ増幅器を示す。電力分割器１５は、２つの入力端子１０、１１を有している。入力信号は第１の入力端子１０に供給される。第２の入力端子１１は抵抗１９と接地端子２０で終端されている。さらに、第１の増幅回路１６および第２の増幅回路１７が電力分割器１５に接続されている。これらはドハティ原理により主増幅器および補助増幅器を形成している。これらの増幅回路１６、１７の出力はハイブリッド結合器１８に接続されている。この構成におけるハイブリッド結合回路は絶縁部１２および出力部１３を有している。両方の接続はここでは回路構成を示していない。増幅された信号は出力部に出力される。この構成において、絶縁部１２は終端されている。図２〜１０を参照して、この接続系の終端部の種々の回路を実施例により示す。

増幅すべき信号は、電力分割器１５の入力部１０に供給され、２つの増幅回路１６、１７に分割されてドハティ原理により増幅される。増幅された信号は出力部１３においてハイブリッド結合器１８により結合される。ハイブリッド結合器１８の絶縁部１２の回路構成により、与えられた周波数でハイブリッド結合器１８の最適な終端が達成される。

図２は本発明による第１の増幅回路の詳細図である。この図は図１の絶縁部１２の回路構成に対応する。絶縁部１２に接続された全回路は終端部１として示されている。キャパシタ３７は絶縁部１２に直接接続されている。これにインダクタンス３１、インダクタンス３２およびインダクタンス３３を切り替えるスイッチ３０が接続されている。各インダクタンス３１〜３３は接地端子３４〜３６に接続されている。インダクタンス３１〜３３は異なった値を与えるものである。ここに説明された回路は終端部１の周波数特性を正確に調整することを可能にする。

図３は絶縁部１２の他の終端部２を示す。スイッチ４０に接続されているインダクタンス４７は絶縁部１２に直接接続されている。この構成における代表的な実施例において、接地端子４４〜４６に接続されている３つのキャパシタ４１〜４３を切り替えるスイッチ４０が組み込まれている。また、キャパシタ４１〜４３は異なった値を与えるものである。したがって、終端部２の周波数特性を正確に調整することができる。当然のことながら、２つまたは３つ以上のキャパシタを使用することができる。

図４は本発明による増幅回路の第３の代表的な実施例を示す。ここでも絶縁部１２に接続される終端部３が図示されている。接地端子５９ａに接続されているキャパシタ５９は絶縁部１２に直接接続されている。さらに、インダクタンス５７に接続されているスイッチ５８は絶縁部１２に直接接続されている。インダクタンス５７の他端はこの代表的な実施例では３つのキャパシタ５１〜５３を切り替えるスイッチ５０に接続されている。この構成において、キャパシタ５１〜５３はそれぞれ接地端子５４〜５６に接続されており、また、異なる値が与えられている。スイッチ５８が開位置されたとき、キャパシタ５９のみが絶縁部１２に接続される。しかしながら、スイッチ５８が閉じられると、スイッチ５０によりキャパシタ５１〜５３間を切り替えることができる。このようにして、終端部３の周波数特性を非常に正確に調整することができる。特に、スイッチ５８により複数のコンポーネントを回路から分離することができるので、非常に高い品質で調整することができる。当然のことながら、１つまたはそれ以上のキャパシタを使用することができる。

スイッチ５０の代わりにいくつかの経路を同時に切り替えることができるスイッチングマトリクスを使用することもできる。したがって、スイッチングマトリクスを使用することにより０〜３個のキャパシタ５１〜５３をインダクタンス５７に接続させることができる。多数の経路を使用する場合にキャパシタについても同様に考えられる。スイッチングマトリクスを使用することにより異なる値の複数のキャパシタを使用する必要はない。したがって、１個ないしそれ以上のキャパシタ５１〜５３は同じ値のものを使用することができる。
ここに記載したスイッチングマトリクスはもちろん他の代表的な実施例においても使用することができ、インダクタンス５７をキャパシタに置き換えたり、キャパシタ５１〜５３をインダクタンスに置き換えることができる。図２及び図３に示す代表的な実施例において、通常の切り替えスイッチ３０、４０の代わりにスイッチングマトリクスを使用することも可能である。

前記した代表的な実施例におけるすべてのスイッチはＰＩＮダイオードスイッチにより実現することができる。ここで、ＰＩＮダイオードは直列素子として使用される。ＰＩＮダイオードの２つの端子はインダクタンスを介して制御端子に接続される。それぞれのＰＩＮダイオードスイッチを制御する直接電圧制御信号は制御端子に接続される。インダクタンスは制御端子からの高周波信号の排出を防いでいる。スイッチは高周波リレーまたは機械的スイッチもしくは半田ブリッジによっても実現することができる。異なるタイプのスイッチは１つの回路内で結合することができる。

図５は本発明による増幅回路の第４の代表的な実施例を示す。ここでは、図１の絶縁部１２接続されるただ１つの終端部４が図示されている。絶縁部１２にはオーム抵抗６０が直接接続されており、このオーム抵抗６０は接地端子６２に接続されているキャパシタ６１に直列に接続されている。終端部４における減衰はオーム抵抗によりさらに発生させることができる。したがって、同時に作用する減衰により容量性作用が可能になる。

図６は本発明による増幅回路の第５の代表的な実施例を示す。ここでは、図１の絶縁部１２接続されるただ１つの終端部５が図示されている。絶縁部１２にはオーム抵抗７０が直接接続されており、このオーム抵抗７０は調整可能なインダクタンス７１に接続されている。ここで、代替案として固定値のインダクタンス７１を使用することもできる。インダクタンス７１は他端においてさらに接地端子に接続されている。このようにして同時に作用する減衰により誘導性作用が達成される。

さらに、周波数応答のさらに良い調整性を達成するために、終端部として比較的より高いオーダーのフィルタを使用することができる。そこで、図７はそのようなフィルタを備えた本発明による増幅回路の第６の代表的な実施例を示す。ここでも、絶縁部１２に接続されるただ１つの終端部６が図示されている。絶縁部１２には直列素子としてキャパシタ８０が直接接続されている。他の実施態様としては、キャパシタ８０の絶縁部１２から離れた方の端子はスイッチを介して他の接地端子に接続させることができる。インダクタンス８２および８５は横方向に接続された素子として使用されている。この構成において、インダクタンス８２は絶縁部１２に直接接続されている。インダクタンス８２の他端は接地端子８４に接続されているオーム抵抗８３に接続されている。インダクタンス８５はキャパシタ８０の接地端子に接続されている。インダクタンス８５の他端はオーム抵抗８６を介して接地端子８７に接続されている。個々の示したＰＩ素子により、周波数応答を非常に正確に調整することができる。オーム抵抗によりさらなる減衰を実現することができる。

図８は本発明による増幅回路の第７の代表的な実施例を示す。ここでも、図１の絶縁部１２に接続されるただ１つの終端部７が図示されている。例図は図７の例図に大部分対応している。この構成において、インダクタンス９０は直列素子として使用されている。また、インダクタンス９０の絶縁部１２から離れた方の端子はスイッチを介して他の接地端子に接続することができる。オーム抵抗９３および９６を介して接地端子９４および９７に接続されているキャパシタ９２および９５は、横方向に接続された素子として使用されている。この構成において、キャパシタ９２は絶縁部１２に接続されている。したがって、キャパシタ９５はインダクタンス９０の接地端子に接続されている。

さらに、図９は本発明による増幅回路の第８の代表的な実施例を示す。ここでも、図１の絶縁部１２に接続される回路構成のためのただ１つの終端部８が図示されている。例図は図７の例図に大部分対応している。したがって、キャパシタ１０１および２つのインダクタンス１０３および１０６からなるＰＩ素子は絶縁部１２に接続されている。しかしながら、ＰＩ素子はオーム抵抗１００を介して絶縁部１２に接続されている。ここでもまた、接地端子をスイッチを介してキャパシタ１０１の絶縁部１２から離れた方の端子に接続することが考えられる。接地端子１０５および１０８は図７の接地端子８４および８７に対応する。オーム抵抗１０４および１０７は図７のオーム抵抗８３および８６に対応する。オーム抵抗１００によりさらに改善された減衰を実現することができる。

図１０は本発明による増幅回路の第９の代表的な実施例を示す。ここでも、図１の絶縁部１２に接続される回路構成のためのただ１つの終端部９が図示されている。この構成において、終端部９はハイブリッド結合器１１０を含んでおり、その入力端子は絶縁部１２に接続されている。さらに他の入力端子がキャパシタ１１５を介して接地端子１１６に接続されている。ハイブリッド結合器１１０の出力部は調整可能なキャパシタ１１１および１１３を介して接地端子１１２および１１４に接続されている。調整可能なキャパシタ１１１および１１３により正確な周波数応答の調整をすることができる。したがって、ハイブリッド結合器１１０はここでは可変位相器として使用されている。

本発明は図示した代表的な実施例に限定されない。この構成において、すべての固定インダクタンス、キャパシタ、およびオーム抵抗は個別に調整可能に具現化することができる。各々の場合において調整素子により機械的順応性が考えられる。さらに、調整可能として説明したすべての素子を固定値の素子に置き換えることも考えられる。これはコストを低減した比較的簡単な構造を達成することができる。本発明の範囲内において、上述したすべての特徴または図示したすべての特徴を互いに任意に組み合わせることができる。

本発明による増幅器は、高効率かつ高線形の高周波回路用の増幅器として有用である。

１、２、３、４、５、６、７、８、９ 終端部
１０ 第１の入力端子（入力部）
１１ 第２の入力端子
１２ 絶縁部
１３ 出力部
１５ 電力分割器
１６ 第１の増幅回路
１７ 第２の増幅回路
１８ （第１の）ハイブリッド結合器
１９ 抵抗
２０、３４、３５、３６、４４、４５、４６、５４、５５、５６、５９ａ、６２、７２、８４、８７、９４、９７、１０５、１０８、１１２、１１４、１１６ 接地端子
３０、４０、５０、５８ スイッチ
３１、３２、３３、４７、５７、７１、８２、８５、９０、１０３、１０６ インダクタンス
３７、４１、４２、４３、５１、５２、５３、５９、６１、８０、９２、９５、１０１、１１１、１１３、１１５ キャパシタ
６０、７０、８３、８６、９３、９６、１００、１０４、１０７ オーム抵抗
１１０ （第２の）ハイブリッド結合器

Claims (14)

1. 第１の増幅回路（１６）、第２の増幅回路（１７）、ハイブリッド結合回路（１８）および終端部（１、２、３）を有し、
   前記ハイブリッド結合回路（１８）は出力部（１３)および絶縁部（１２）を備えており、
   前記終端部（１、２、３）は前記ハイブリッド結合回路（１８）の前記絶縁部（１２）に接続されている増幅器であって、
   前記終端部（１、２、３）は第１のスイッチ（３０、４０、５０）、第１のキャパシタ（３７、４１、４２、４３、５１、５２、５３）および第１のインダクタンス（３１、３２、３３、４７、５７）を有していることを特徴とする増幅器。
2. 前記第１のスイッチ（３０、４０、５０）は前記第１のキャパシタ（３７、４１、４２、４３、５１、５２、５３）を前記第１のインダクタンス（３１、３２、３３、４７、５７）に選択的に接続することを特徴とする請求項１に記載の増幅器。
3. 前記終端部（１、２、３）は第２のキャパシタ（４１、４２、４３、５１、５２、５３）および／または第２のインダクタンス（３１、３２、３３）を含み、
   前記終端部（２、３）が少なくとも２つのキャパシタ（４１、５２、４３、５１、５２、５３）を備えるならば、前記第１のスイッチ（４０、５０）はその都度前記キャパシタ（４１、４２、４３、５１、５２、５３）の１つを前記第１のインダクタンス（４７、５７）に選択的に接続し、
   前記終端部（１）が少なくとも２つの前記インダクタンス（３１、３２、３３）を備えるならば、前記第１のスイッチ（３０）はその都度前記インダクタンス（３１、３２、３３）の１つを前記第１のキャパシタ（３７）に選択的に接続することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の増幅器。
4. 前記終端部（３）が前記絶縁部（１２）に直接接続されている第２のスイッチ（５８）および第３のキャパシタ（５９）、および／または第３のインダクタンスを備え、前記第２のスイッチ（５８）は前記絶縁部を前記第１のインダクタンス（５７）または前記第１のキャパシタに選択的に接続することを特徴とする請求項３に記載の増幅器。
5. 前記終端部（３）が前記第２のキャパシタ（５１、５２、５３）、前記第２のスイッチ（５８）および前記第３のキャパシタ（５９）を備え、
   前記第３のキャパシタ（５９）および前記第２のスイッチ（５８）は前記絶縁部（１２）に直接接続されており、
   前記第１のインダクタンス（５７）は前記第２のスイッチ（５８）の前記絶縁部（１２）から離れた方の端子に接続されており、
   前記第１のスイッチ（５０）は前記第１のインダクタンス（５７）の前記第２のスイッチ（５８）から離れた方の端子に接続されており、
   前記第１のキャパシタ（５１、５２、５３）および前記第２のキャパシタ（５１、５２、５３）は前記第１のスイッチ（５０）の前記第１のインダクタンス（５７）から離れた方の端子に接続されていることを特徴とする請求項４に記載の増幅器。
6. 前記終端部が前記第２のインダクタンス、前記第２のスイッチおよび前記第３のインダクタンスを備え、
   前記第３のインダクタンスおよび前記第２のスイッチは前記絶縁部に直接接続されており、
   前記第１のキャパシタは前記第２のスイッチの前記絶縁部から離れた方の端子に接続されており、
   前記第１のスイッチは前記第１のキャパシタの前記第２のスイッチから離れた方の端子に接続されており、
   前記第１のインダクタンスおよび前記第２のインダクタンスは前記第１のスイッチの前記第１のキャパシタから離れた方の端子に接続されていることを特徴とする請求項４に記載の増幅器。
7. 第１の増幅回路（１６）、第２の増幅回路（１７）、ハイブリッド結合回路（１８）および終端部（４、５、６、７、８）を有し、
   前記ハイブリッド結合回路（１８）は出力部（１３)および絶縁部（１２）を備えており、
   前記終端部（４、５、６、７、８）は前記ハイブリッド結合回路（１８）の前記絶縁部（１２）に接続されている増幅器であって、
   前記終端部（４、５、６、７、８）は第１のオーム抵抗（６０、７０、８３、９３、１０４）、および第１のキャパシタ（６１、８０、９２、１０１）および／または第１のインダクタンス（７１、８２、９０、１０３、１０６）を有しており、
   前記第１のオーム抵抗（６０、７０、８３、９３、１０４）および前記第１のキャパシタ（６１、８０、９２、１０１）はそれぞれ前記第１のインダクタンス（７１、８２、９０、１０３）に直列に接続されていることを特徴とする増幅器。
8. 前記終端部（６）が前記第１のインダクタンス（８２）、第２のインダクタンス（８５）、前記第１のキャパシタ（８０）および第２のオーム抵抗（８６）を備え、
   前記第１のキャパシタ（８０）および前記第１のインダクタンス（８２）は前記絶縁部（１２）に接続されており、
   前記第２のインダクタンス（８５）は前記第１のキャパシタ（８０）の前記絶縁部（１２）から離れた方の端子に接続されており、
   前記第１のオーム抵抗（８３）は前記第１のインダクタンス（８２）に直列に接続されており、
   前記第２のオーム抵抗（８６）は前記第２のインダクタンス（８５）に直列に接続されていることを特徴とする請求項７に記載の増幅器。
9. 前記終端部（８）が前記第１のインダクタンス（１０３）、第２のインダクタンス（１０６）、前記第１のキャパシタ（１０１）、第２のオーム抵抗（１０７）および第３のオーム抵抗（１００）を備え、
   前記第１のキャパシタ（１０１）および前記第１のインダクタンス（１０３）は前記絶縁部（１２）に接続されている前記第３のオーム抵抗（１００）に接続されており、
   前記第２のインダクタンス（１０６）は前記第１のキャパシタ（１０１）の前記絶縁部（１２）から離れた方の端子に接続されており、
   前記第１のオーム抵抗（１０４）は前記第１のインダクタンス（１０３）に直列に接続されており、
   前記第２のオーム抵抗（１０７）は前記第２のインダクタンス（１０６）に直列に接続されており、
   前記第３のオーム抵抗（１００）は前記第１のキャパシタ（１０１）に直列に接続されていることを特徴とする請求項７に記載の増幅器。
10. 前記終端部（７）が前記第１のインダクタンス（９０）、前記第１のキャパシタ（９２）、第２のキャパシタ（９５）および第２のオーム抵抗（９６）を備え、
    前記第１のキャパシタ（９２）および前記第１のインダクタンス（９０）は前記絶縁部（１２）に接続されており、
    前記第２のキャパシタ（９５）は前記第１のインダクタンス（９０）の前記絶縁部（１２）から離れた方の端子に接続されており、
    前記第１のオーム抵抗（９３）は前記第１のキャパシタ（９２）に直列に接続されており、
    前記第２のオーム抵抗（９６）は前記第２のキャパシタ（９５）に直列に接続されていることを特徴とする請求項７に記載の増幅器。
11. 第１の増幅回路（１６）、第２の増幅回路（１７）、第１のハイブリッド結合回路（１８）および終端部（９）を有し、
    前記第１のハイブリッド結合回路（１８）は出力部（１３)および絶縁部（１２）を備えており、
    前記終端部（９）は前記第１のハイブリッド結合回路（１８）の前記絶縁部（１２）に接続されている増幅器であって、
    前記終端部（９）は第２のハイブリッド結合回路（１１０）を備えていることを特徴とする増幅器。
12. 前記第２のハイブリッド結合回路（１１０）はその絶縁部において第１のキャパシタ（１１１）、特に調整可能なキャパシタで終端されており、
    前記第２のハイブリッド結合回路（１１０）は出力部においてキャパシタ（１１３）、特に調整可能なキャパシタで終端されていることを特徴とする請求項１１に記載の増幅器。
13. 前記第２のハイブリッド結合回路（１１０）が入力端子においてキャパシタ（１１５）、特に調整可能なキャパシタで終端されていることを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載の増幅器。
14. 前記第２のハイブリッド結合回路（１１０）が調整可能な位相器として動作するように具体化されていることを特徴とする請求項１１から請求項１３のいずれかに記載の増幅器。