JP2006179537A - 高周波回路用粗化処理圧延銅箔及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 圧延銅箔の再結晶焼鈍後の圧延面でのX線回折で求めた(200)面の積分強度(I(200))が、微粉末銅のX線回折で求めた(200)面の積分強度(Io(200))に対し、I(200)/Io(200)>40であり、該圧延面に電解めっきによる粗化処理を行った後の粗化処理面の算術平均粗さ(以下、Raとする)が0.02μm〜0.2μm、十点平均粗さ(以下、Rzとする)が0.1μm〜1.5μmであることを特徴とする高周波回路用粗化処理圧延銅箔。
Description
また、パソコンや移動体通信等の電子機器では、通信の高速化、大容量化に伴い、電気信号の高周波化が進んでおり、これに対応可能なプリント配線板及び銅箔が求められている。
しかし、高周波回路用銅箔としては、結晶粒界の問題もある。すなわち、結晶粒界が抵抗を増加させるからである。通常製造される圧延銅箔は、微小な多くの結晶粒により構成されており、各結晶粒により結晶方位が異なる。そのため、結晶粒界で抵抗が増加し、伝達損失が大きくなるという問題がある。
以上から、圧延銅箔においては、ハンドリング性を保つ目的から、最終焼鈍後に圧延するという圧延上がり材が最適である(例えば、特許文献1参照)。
その一は、高周波領域において銅箔の表面に大きく影響されるということである。表面粗さが大きくなると伝送損失は大きくなる。したがって、銅箔の表面粗さを、できるだけ小さく調整することが有効である。
その二は、結晶粒界での抵抗の増加である。通常の圧延銅箔は微小な多くの結晶粒により構成されており、各結晶粒により結晶方位が異なる。そのため、結晶粒界で抵抗が増加し、伝達損失が大きくなってしまう。したがって、粒界抵抗を低くするために、結晶方位を揃えることが有効である。
立方体方位が発達するに従い立方体方位を有する結晶粒の存在比率が大きくなり、立方体方位を極度に発達させると、ほとんどの結晶粒が立方体方位を示すようになる。この場合、各結晶粒が同じ方向に配向しているため、あたかも単結晶のような組織構造を呈し、粒界の数が減少する。
したがって、立方体集合組織が発達した銅箔では、結晶粒径が大きくなり、粒界の数が減少し、伝送損失の増加を抑制することができる。
したがって、この種の銅箔を、高周波回路基板に適用することは十分考えられるが、製造コストとの兼ね合いで、立方体集合組織を、どの程度に発達させた銅箔が工業的に最も好適であるかは知られていなかった。
本発明は、1)圧延銅箔の再結晶焼鈍後の圧延面でのX線回折で求めた(200)面の積分強度(I(200))が、微粉末銅のX線回折で求めた(200)面の積分強度(Io(200))に対し、I(200)/Io(200)>40であり、該圧延面に電解めっきによる粗化処理を行った後の粗化処理面の算術平均粗さ(以下、Raとする)が0.02μm〜0.2μm、十点平均粗さ(以下、Rzとする)が0.1μm〜1.5μmであることを特徴とする高周波回路用粗化処理圧延銅箔。2)プリント回路基板用素材であることを特徴とする上記1記載の高周波回路用粗化処理圧延銅箔。3)常態ピール強度が0.5kg/cm以上であることを特徴とする上記1又は2記載の高周波回路用粗化処理圧延銅箔。
を提供する。
を提供する。
立方体集合組織の発達は、最終冷間圧延率のみでなく、最終冷間圧延に至る加工・熱処理工程、最終焼鈍温度、素材銅の化学組成や不純物含有量等による。したがって、目標のI/Io値を得るには、使用する素材銅とその加工プロセスに即して最適な最終冷間圧延率等を決める必要がある。
また、本発明の銅箔の常態ピール強度としては、0.5kg/cm以上であることが望ましい。
圧延銅箔としては、再結晶集合体組織が立方体方位となる銅を使用できる。この材料の代表的なものとしては、タフピッチ銅及び無酸素銅がある。一般に、合金元素を添加した銅は立方体方位の発達を阻害するので、適当でない。
しかし、Ag等を添加して軟化温度を調整したタフピッチ銅等、0.1wt%程度の微量な合金元素の添加は、立方体方位の発達を阻害しないので、使用上特に問題がない。
また、粗化処理としては、純銅又は銅/ニッケル、銅/コバルト、銅/ニッケル/コバルト等の銅合金による電解めっき材が使用できる。いずれの場合も、代表的な例を示すものであり、これらの圧延銅箔及び粗化処理材に制限されるものではない。
200ppmのAgを含むタフピッチ銅(HA材)のインゴットを溶製し、このインゴットを900°Cから熱間圧延し、厚さ10mmの板を得た。その後、冷間圧延と焼鈍を繰り返し、最終的に18μm厚の銅箔に冷間圧延した。
最終冷間圧延前の焼鈍で結晶粒径を10〜15μmの範囲に調整し、最終冷間圧延では、圧延加工度(R)を種々変化させ、立方体集合組織の強さを変化させた。
本実施例1では、R=98.2%とし、半軟化温度より50°C高い温度で再結晶焼鈍してI/Io=80を得た。なお、I/Io値の測定はX線回折(ディフラクトメーター)法によった(以下、同様)。また、Rは次式で定義するものである。
R=(to−t)/to (to:圧延前の厚み、t:圧延後の厚み)
・めっき液組成
Cu:5〜25g/l
Co:3〜15g/l
Ni:3〜15g/l
・pH:1〜4
・温度:20〜50°C
・Dk:10〜30A/dm2
・時間:2〜5秒
この結果、表1に示す通り、表面粗さRa:0.13μm、Rz:0.79μmの粗化処理面が得られた。表面粗さRa及びRzは、JIS B0601に従い、接触粗さ計にて測定した(以下、同様)。
このようにして得た、粗化処理圧延銅箔を低誘電率樹脂基板にプレスにて貼り合わせた。このようにして得た試料を用いて導体伝送損失及び常態ピール強度を測定した。
本実施例1に示す通り、実施例1の粗化処理面を持つ圧延銅箔は、高周波用回路基板の素材として工業的に十分な表面性能を持つことが分かる。
圧延銅箔用素材として無酸素銅(HO材)を用い、実施例1と同様の溶解、鋳造、熱間圧延、冷間圧延及び焼鈍の各工程を経て、18μmの箔とした。
最終冷間圧延率は94.5%である。半軟化温度より50°C高い温度で再結晶焼鈍して、(200)面の強度比I/I0値75の圧延銅箔を得た。
次に、上記(200)面の積分強度比I/I0が75を持つ圧延銅箔を、実施例1と同じ条件で粗化処理を実施した。この結果、表1に示す通り、表面粗さRa:0.12μm、Rz:0.83μmの粗化処理面が得られた。
このようにして得た、粗化処理圧延銅箔を低誘電率樹脂基板にプレスにて貼り合わせた。このようにして得た試料を用いて導体伝送損失及び常態ピール強度を測定した。
本実施例2に示す通り、ピール強度が高く、実施例1に比べ導体伝送損失が若干劣るが、高周波用回路基板の素材として工業的に十分な表面性能を持つことが分かる。
圧延銅箔用素材としてタフピッチ銅(HA材)を用い、実施例1と同様の溶解、鋳造、熱間圧延、冷間圧延及び焼鈍の各工程を経て、18μmの箔とした。最終冷間圧延率は94.5%である。半軟化温度より50°C高い温度で再結晶焼鈍して、(200)面の強度比I/I0値50の圧延銅箔を得た。
次に、上記(200)面の積分強度比I/I0が50を持つ圧延銅箔を実施例1と同じ条件で粗化処理を実施した。この結果、表1に示す通り、表面粗さRa:0.13μm、Rz:0.8μmの粗化処理面が得られた。
このようにして得た、粗化処理圧延銅箔を低誘電率樹脂基板にプレスにて貼り合わせた。このようにして得た試料を用いて導体伝送損失及び常態ピール強度を測定した。
本実施例3に示す通り、ピール強度が高く、実施例1に比べ導体伝送損失が劣るが、高周波用回路基板の素材として工業的になお十分な表面性能を持つことが分かる。
圧延銅箔用素材として無酸素銅(HO材)を用い、実施例1と同様の溶解、鋳造、熱間圧延、冷間圧延及び焼鈍の各工程を経て、18μmの箔とした。
最終冷間圧延率は94.5%である。半軟化温度より50°C高い温度で再結晶焼鈍して、(200)面の強度比I/I0値45の圧延銅箔を得た。
次に、上記(200)面の積分強度比I/I0が45を持つ圧延銅箔を実施例1と同じ条件で粗化処理を実施した。この結果、表1に示す通り、表面粗さRa:0.12μm、Rz:0.81μmの粗化処理面が得られた。
このようにして得た、粗化処理圧延銅箔を低誘電率樹脂基板にプレスにて貼り合わせた。このようにして得た試料を用いて導体伝送損失及び常態ピール強度を測定した。
本実施例4に示す通り、ピール強度が高く、実施例1に比べ導体伝送損失が劣るが、高周波用回路基板の素材として工業的になお十分な表面性能を持つことが分かる。
圧延銅箔用素材としてタフピッチ銅(HA材)を用い、実施例1と同様の溶解、鋳造、熱間圧延、冷間圧延及び焼鈍の各工程を経て、18μmの箔とした。最終冷間圧延率は94.5%である。
半軟化温度より50°C高い温度で再結晶焼鈍して、(200)面の強度比I/I0値80の圧延銅箔を得た。
次に、上記(200)面の積分強度比I/I0が80を持つ圧延銅箔を、次の条件で粗化処理を実施した。
・めっき液組成
Cu:5〜25g/l
H2SO4:20〜100g/l
・温度:20〜50°C
・Dk:30〜70A/dm2
・時間:1〜5秒
この結果、表1に示す通り、表面粗さRa:0.17μm、Rz:1.32μmの粗化処理面が得られた。
このようにして得た、粗化処理圧延銅箔を低誘電率樹脂基板にプレスにて貼り合わせた。このようにして得た試料を用いて導体伝送損失及び常態ピール強度を測定した。
本実施例5に示す通り、ピール強度が高く、実施例1に比べ導体伝送損失がやや劣るが、高周波用回路基板の素材として工業的になお十分な表面性能を持つことが分かる。
圧延銅箔用素材としてタフピッチ銅(HA材)を用い、実施例1と同様の溶解、鋳造、熱間圧延、冷間圧延及び焼鈍の各工程を経て、18μmの箔とした。最終冷間圧延率は88.0%である。
半軟化温度より50°C高い温度で再結晶焼鈍して、(200)面の強度比I/I0値25の圧延銅箔を得た。この(200)面の強度比I/I0値25は、本願発明から著しく逸脱する条件である。
次に、上記(200)面の積分強度比I/I0が25である圧延銅箔を、実施例2同じ条件で粗化処理を実施した。この結果、表1に示す通り、表面粗さRa:0.1μm、Rz:0.73μmの粗化処理面が得られた。
このようにして得た、粗化処理圧延銅箔を低誘電率樹脂基板にプレスにて貼り合わせた。このようにして得た試料を用いて導体伝送損失及び常態ピール強度を測定した。
比較例1に示す通り、実施例に比べ導体伝送損失が-28.5dB/mと大きく、ピール強度もやや低下した。高周波用回路基板の素材として不十分であった。
圧延銅箔用素材としてタフピッチ銅(HA材)を用い、実施例1と同様の溶解、鋳造、熱間圧延、冷間圧延及び焼鈍の各工程を経て、18μmの箔とした。最終冷間圧延率は88.0%である。
半軟化温度より50°C高い温度で再結晶焼鈍して、(200)面の強度比I/I0値25の圧延銅箔を得た。この(200)面の強度比I/I0値25は、本願発明から著しく逸脱する条件である。
次に、上記(200)面の積分強度比I/I0が25である圧延銅箔を、実施例2と同じ条件で粗化処理を実施した。この結果、表1に示す通り、表面粗さRa:0.17μm、Rz:1.32μmの粗化処理面が得られた。
このようにして得た、粗化処理圧延銅箔を低誘電率樹脂基板にプレスにて貼り合わせた。このようにして得た試料を用いて導体伝送損失及び常態ピール強度を測定した。
本比較例2に示す通り、実施例に比べ導体伝送損失が-29.8dB/mと大きく、高周波用回路基板の素材として不十分であった。
圧延銅箔用素材としてタフピッチ銅(HA材)を用い、実施例1と同様の溶解、鋳造、熱間圧延、冷間圧延及び焼鈍の各工程を経て、18μmの箔とした。最終冷間圧延率は94.5%である。
半軟化温度より50°C高い温度で再結晶焼鈍して、(200)面の強度比I/I0値80の圧延銅箔を得た。
次に、上記(200)面の積分強度比I/I0が80である圧延銅箔を、通常の硫酸銅溶液を使用した次の粗化条件で粗化処理を実施した。
・めっき液組成
Cu:10〜60g/l
H2SO4:20〜120g/l
・温度:30〜50°C
・Dk:30〜110A/dm2
・時間:1〜10秒
この結果、表1に示す通り、表面粗さRa:0.35μm、Rz:2.13μmの粗化処理面が得られた。この表面粗さは、本発明の範囲から大きく逸脱するものである。
このようにして得た、粗化処理圧延銅箔を低誘電率樹脂基板にプレスにて貼り合わせた。このようにして得た試料を用いて導体伝送損失及び常態ピール強度を測定した。
本比較例3に示す通り、ピール強度は高いが、実施例に比べ導体伝送損失が-29.4dB/mと大きく、高周波用回路基板の素材として不十分であった。
圧延銅箔用素材としてタフピッチ銅(HA材)を用い、実施例1と同様の溶解、鋳造、熱間圧延、冷間圧延及び焼鈍の各工程を経て、18μmの箔とした。最終冷間圧延率は94.5%である。
半軟化温度より50°C高い温度で再結晶焼鈍して、(200)面の強度比I/I0値80の圧延銅箔を得た。
次に、上記(200)面の積分強度比I/I0が80である圧延銅箔を、通常の硫酸銅溶液を使用した次の粗化条件で粗化処理を実施した。
・めっき液組成
Cu:10〜60g/l
H2SO4:20〜120g/l
・温度:30〜50°C
・Dk:30〜110A/dm2
・時間:1〜10秒
・めっき液組成
この結果、表1に示す通り、表面粗さRa:0.5μm、Rz:3.8μmの粗化処理面が得られた。この表面粗さは、本発明の範囲から大きく逸脱するものである。
このようにして得た、粗化処理圧延銅箔を低誘電率樹脂基板にプレスにて貼り合わせた。このようにして得た試料を用いて導体伝送損失及び常態ピール強度を測定した。
本比較例4に示す通り、ピール強度は高いが、導体伝送損失は-31.5dB/mと著しく大きく、高周波用回路基板の素材として不十分であった。
圧延銅箔用素材としてタフピッチ銅(HA材)を用い、実施例1と同様の溶解、鋳造、熱間圧延、冷間圧延及び焼鈍の各工程を経て、18μmの箔とした。最終冷間圧延率は94.5%である。
半軟化温度より50°C高い温度で再結晶焼鈍して、(200)面の強度比I/I0値80の圧延銅箔を得た。
本比較例5については粗化処理を実施しなかった。この結果、表1に示す通り、圧延銅箔の表面粗さは、Ra:0.1μm、Rz:0.67μmであった。
このようにして得た、無粗化処理圧延銅箔を低誘電率樹脂基板にプレスにて貼り合わせた。このようにして得た試料を用いて導体伝送損失及び常態ピール強度を測定した。
本比較例5に示す通り、導体伝送損失は-21.5dB/mと少ないが、ピール強度が0.2kg/cmと著しく低下した。高周波用回路基板の素材として不十分であった。
圧延銅箔用素材として無酸素銅(HO材)を用い、実施例1と同様の溶解、鋳造、熱間圧延、冷間圧延及び焼鈍の各工程を経て、18μmの箔とした。最終冷間圧延率は94.5%である。
半軟化温度より50°C高い温度で再結晶焼鈍して、(200)面の強度比I/I0値75の圧延銅箔を得た。
本比較例6については、粗化処理を実施しなかった。圧延銅箔の表面粗さは、表1に示す通り、Ra:0.1μm、Rz:0.73μmであった。このようにして得た、無粗化処理圧延銅箔を低誘電率樹脂基板にプレスにて貼り合わせた。このようにして得た試料を用いて導体伝送損失及び常態ピール強度を測定した。
本比較例6に示す通り、導体伝送損失は-21.5dB/mと少ないが、ピール強度が0.2kg/cmと著しく低下した。高周波用回路基板の素材として不十分であった。
Claims (4)
- 圧延銅箔の再結晶焼鈍後の圧延面でのX線回折で求めた(200)面の積分強度(I(200))が、微粉末銅のX線回折で求めた(200)面の積分強度(Io(200))に対し、I(200)/Io(200)>40であり、該圧延面に電解めっきによる粗化処理を行った後の粗化処理面の算術平均粗さ(以下、Raとする)が0.02μm〜0.2μm、十点平均粗さ(以下、Rzとする)が0.1μm〜1.5μmであることを特徴とする高周波回路用粗化処理圧延銅箔。
- プリント回路基板用素材であることを特徴とする請求項1記載の高周波回路用粗化処理圧延銅箔。
- 常態ピール強度が0.5kg/cm以上であることを特徴とする請求項1又は2記載の高周波回路用粗化処理圧延銅箔。
- 圧延銅箔を再結晶焼鈍し、該最終焼鈍後の圧延面のX線回折で求めた(200)面の積分強度(I(200))を、微粉末銅のX線回折で求めた(200)面の積分強度(Io(200))に対してI(200)/Io(200)>40とすると共に、該圧延面に銅又は銅合金電解めっきを行って圧延面を粗化処理し、該粗化処理面の算術平均粗さ(以下、Raとする)を0.02μm〜0.2μm、十点平均粗さ(以下、Rzとする)を0.1μm〜1.5μmとすることを特徴とする高周波回路用粗化処理圧延銅箔の製造方法。
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