JP2006164506A - 相変化光ディスクの初期化装置及び方法 - Google Patents

Abstract

【課題】紫外線ランプを用いた相変化光ディスクの初期化装置及び方法を提供する。
【解決手段】本発明は、情報の繰り返し書き込みが可能な相変化光ディスクの記録層を初期化するために、別途の光ヘッド無しに、紫外線ランプを用いて光ディスクを初期化する。本発明によれば、紫外線光を用いて大面積を初期化するので、光ディスクの初期化時間を大きく短縮させることができ、生産性の向上に寄与することができる。
【選択図】図４

Description

本発明は、情報の繰り返し記録が可能な相変化光ディスクの初期化装置及び方法に関し、特に、相変化記録層の結晶化のために紫外線ランプを利用する光ディスクの初期化装置及び方法に関する。

一般に、相変化媒体を使用する光ディスクの製作において、初期結晶質化は、相変化媒体をゼロベース（zero base）に作ることを言う。レーザビームによる光ディスクへの記録は、瞬間的な記録層の溶融（melting）と急冷（quenching）により非晶質マーク（mark）を形成することによって可能となる。

図１は、一般的な超小型の光磁気ディスクを示す平面図である。図１に示すように、一般的な超小型の光ディスク１０は、ポリカーボネート基板において情報が記録される領域（Recorded zone）１２と、スピンドルモータ支持用メタルハブ１４と、中心孔１６とを備える。光ディスク１０の最外郭には、０.５〜１.０ｍｍのディスクリム１８が形成されている。このような超小型の光ディスク１０に情報を書き込み／読み取りする過程を簡略に説明する。

図２ａ及び図２ｂは、相変化媒体を記録層とする光ディスクのヘッド方向による構造を示す図である。図２ａは、記録／再生ヘッドが記録層と反対方向に位置する場合であり、図２ｂは、記録／再生ヘッドが記録層と同じ方向に位置する場合である。上述した２つの場合において、レーザビーム４０は、ポリカーボネート２０を通過して第１誘電層２２を経て記録層２４に所定のパターンを記録したり、記録されたパターンを読み取る。そして、レーザビーム４０は、第２誘電層２６は通過するものの、反射層２８は透過しない。反射層２８上には、保護膜３０が形成されている。

相変化光ディスクの初期化において最も重要な点は、初期化、すなわち最初結晶化の過程中に、熱に非常に弱いポリカーボネート（polycarbonate）基板素材の劣化が発生する可能性があり、ディスク生産性の観点から初期化時間が長くなってはならないという点を注意すべきである。ポリカーボネート基板は、略１３０℃で変形する。それ故に、相変化光ディスクを初期化させるために、恒温炉（furnace）工程を利用することは不可能である。

相変化媒体の初期化方法に関連した従来技術には、韓国特許公開第２００４−００７５７０５号公報（２００４年８月３０日公開）の「光学記録媒体の初期化方法」、韓国特許公開第２００１−０００６４９６号公報（２００１年１月２６日公開）の「光学情報記録媒体の製造方法及びこの方法により製造された光学情報記録媒体」、及び米国特許第６，３３５，０６９号（２００２年１月１日登録）などが挙げられる。これらの文献に開示された従来技術を参照して従来の相変化媒体の初期化方法について説明する。

まず、従来に使われている相変化媒体の初期化のための代表的な方法は、８００ｎｍ程度の長波長高出力レーザを使用し、このレーザを、低開口率（low aperture）レンズが装着されたヘッドから数μｍの面積に照射して、一度に複数のトラック（track）を重なって繰り返してスキャニングしながらディスクを高速回転することで、全体を均一に初期化させるものである。トラックは、ランド（land）及びグループ（groove）を含む。この方法の場合、初期化装備が高価であり、５インチディスクを初期化する場合、初期化のために、平均１分程度の時間を必要とする。

次に、相変化媒体の初期化に関する技術の中には、初期化が不要な媒体の製造方法を利用する２種類の方法がある。１つの方法は、記録層の蒸着前に結晶化促進層を形成することである。結晶化促進層は、追加層（additional layer）とも呼ばれ、記録層に比べて融点が低く、記録層の結晶相の格子定数と追加層の格子定数との差が少ない物質を選択して、記録層の蒸着時に結晶相に形成されることを助けるのに用いられる。結晶化促進層には、Ｓｂ又はＳｂＴｅ系合金、Ｂｉ又はＢｉを含有する合金が使われる。この方法は、初期化装備及び初期化に所要される時間は必要ではないが、記録／再生の繰り返しによる相変化促進層と記録層との相互拡散によりディスク特性の劣化が生ずる可能性がある。もう１つの方法は、相変化促進層を使用せずに、蒸着と同時に記録層を結晶化させる方法であって、蒸着温度を常温以上に上げることである。この方法は、記録層の結晶化温度が１５０℃付近であるから、これより低い温度で蒸着時に、蒸着粒子の運動エネルギーを活用するため、結晶化が可能である。但し、この方法は、温度に弱いポリカーボネートを光ディスク基板に使用した場合、基板の劣化による変形が生じ得るという短所を有する。

その他の初期化方法には、初期化工程時に不均質な初期化を改善させるために、４００ｎｍ以下の透明な波長のレーザを使用する方法などがある。

本発明の目的は、記録層（recording layer）の初期化に際して紫外線ランプ（UV Lamp）を使用することにある。

また、本発明の他の目的は、紫外線ランプを用いた相変化光ディスクの初期化装置及び方法を提供することにある。

また、本発明のさらに他の目的は、紫外線ランプアセンブリーで構成された初期化チャンバーを用いて光ディスク全体を一度に初期化させる大面積の初期化方法を提供することにある。

前記目的を達成するために、本発明の一態様に係る相変化光ディスクの初期化装置は、相変化媒体を記録層とする光ディスクに所定時間紫外線ビームを放出させて、記録層を初期化する紫外線ランプと、紫外線ランプに電源を供給する制御部と、を備えることを特徴とする 。

好ましくは、相変化光ディスクの初期化装置は、紫外線ランプを支持し、制御部に連結されるチャンバーをさらに備える。

また、チャンバーの内壁は、反射率が良い金属または酸化物でコートされる。反射率が良い金属は、金、クロム及びニッケルのうち少なくともいずれか１つの金属を含み、酸化物は、アルミニウム酸化物及びジルコニウム酸化物のうち少なくともいずれか１つの酸化物を含む。

また、チャンバーは、光ディスクが載置される回転板を備える。

また、チャンバーは、紫外線ランプと回転板との距離が５〜３０ｍｍに維持され、回転板が６０〜６００ＲＰＭの速度で回転自在に形成される。

また、紫外線ランプは、直径が５〜２０ｍｍであり且つ波長が４００ｎｍである紫外線ビームを１０〜１００％放出させる。

また、紫外線ランプは、丸いリング形態及び丸い棒形態のうち少なくともいずれか１つの形態のランプが複数個配列された紫外線ランプアセンブリーを備える。丸いリング形態のランプアセンブリーは、チャンバーの中央から外部方向に行くほど紫外線ランプの直径が大きくなり、紫外線ランプ間の距離が所定間隔に維持される。この際、丸いリング形態のランプアセンブリーにおける最内側の紫外線ランプの直径は、２０〜３０ｍｍであり、最外側の紫外線ランプの直径は、１２０〜１５０ｍｍであることが好ましい。また、丸い棒形態のランプアセンブリーにおけるランプ間の間隔は、５〜２０ｍｍであり、ランプの長さは、１２０〜１５０ｍｍであり、ランプは、制御部に並列連結される。

また、制御部は、光ディスクに低電力の紫外線ビームを所定時間放出させる間に、紫外線ランプに衝撃波を加えるためのパルス調節器をさらに備える。

また、本発明の他の態様に係る相変化光ディスクの初期化方法は、相変化媒体を記録層とする光ディスクを初期化するために、紫外線ランプの紫外線ビーム有効領域内に光ディスクを載置する段階と、記録層が初期化するように前記紫外線ランプから前記紫外線ビームを所定時間放出させる段階と、を備えることを特徴とする。

好ましくは、紫外線ビームを所定時間放出させる段階は、光ディスクの基板の温度が１００℃を超過しないようにしながら、前記紫外線ランプの出力を５０〜１０００ｍＷ／１０ｃｍに制御する段階を備える。

また、前記相変化光ディスクの初期化方法は、紫外線ランプから低電力の前記紫外線ビームを所定時間放出させる間に、前記記録層に衝撃波を加える段階をさらに備える。

また、前記相変化光ディスクの初期化方法は、紫外線ランプから紫外線ビームを所定時間放出させる間に、光ディスクを回転させる段階をさらに備える。

また、相変化媒体は、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｉｎ、Ｓｎ及びＧａの中から選択された少なくともいずれか１つの元素を主成分とし、この主成分に、Ａｇ及びＢｉの中から選択された少なくとも１つの元素添加物が付加された媒体を含む。一例として、相変化媒体は、ＧｅＳｂＴｅ系合金及びＡｇＩｎＳｂＴｅ系合金の中から選択されたいずれか１つの合金を含む。

本発明によれば、次のような効果を得ることができる。

第一に、紫外線ランプを用いて光ディスクの表面を大面積に一度に初期化させることによって、初期化のための時間を１０秒以内に大きく短縮させることができ、生産性の向上に寄与することができる。

第二に、従来のレーザヘッドを用いた初期化装置が非常に高価である点を鑑みれば、本発明で提示された紫外線初期化装備は、装備製造費用を約９０％以上節減することができる。

第三に、ディスクの表面を大面積に一時に初期化させる方法を使用することによって、初期化の均一度を向上させることができる。

第四に、初期化工程により不必要な汚染源や欠陥源を根本的に遮断できるので、ディスクの製造において品質競争力を高めることができる。

以下、添付の図面を参照して本発明の好適な実施例を詳細に説明する。下記の実施例は、当業者に本発明の思想が十分に伝達され得るようにするために一例として提示されるものである。したがって、本発明は、下記の実施例に限らず、様々な変形が可能である。

図３ａ及び図３ｂは、本発明の好ましい実施例に係る相変化光ディスクの初期化方法を示す流れ図である。

図３ａを参照すれば、本発明による相変化光ディスクの初期化方法は、紫外線ランプの紫外線ビーム有効領域内に相変化光ディスクを載置する段階（ステップＳ１０）と、相変化光ディスクの非晶質記録層が結晶化するように、紫外線ランプから紫外線ビームを所定時間放出する段階（ステップＳ２０）とを備える。

この際、紫外線ビームを所定時間放出させる段階では、前記光ディスクの基板の温度が１００℃を超過しないように、前記紫外線ビームの出力を５０〜１０００ｍＷ／１０ｃｍに制御する。

また、相変化光ディスクの初期化方法は、図３ｂに示すように、紫外線ランプから紫外線ビームを低電力で所定時間放出させる間に、非晶質記録層に衝撃波を加える段階（ステップＳ２２）を備えることができる。衝撃波は、１〜１０回程度の高電力パルスを含む。

また、上述のような相変化光ディスクの初期化方法は、図３ａ及び図３ｂに示すように、紫外線ランプから紫外線ビームを所定時間放出させる間に、前記光ディスクを回転させる段階（ステップＳ３０）をさらに備えることができる。この段階を行うことによって、一定強度の紫外線ビームや高電力パルスが非晶質記録層に一層均一に伝達される。

上述した構成により、紫外線ランプからの一定強度の紫外線ビームや高電力パルスにより相変化光ディスクの非晶質記録層が結晶化する時、ポリカーボネート基板が劣化するのを防止することができる。また、大面積の相変化光ディスクを短時間内に初期化させることができる。

一方、上述した相変化媒体は、相変化媒体として優れた特性を有するカルコゲナイド（chalcogenide）系元素を含む合金で形成される。また、相変化媒体は、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｉｎ、Ｓｎ及びＧａなどの元素を主成分とし、Ａｇ及びＢｉなどのいくつかの元素添加物が付加された媒体を含む。例えば、相変化光ディスクは、ＧｅＳｂＴｅ系合金やＡｇＩｎＳｂＴｅ系合金を相変化媒体として使用する光ディスクを言う。

このように、本発明は、従来に全く報告されていない方法であって、紫外線ランプによる紫外線波長帯の光が、スパッタリング（Sputtering）方法により非晶質構造で蒸着された記録層の結晶化に核心的な役目をすることに着目している。これを光補助結晶化（Photo-assisted Crystallization）と定義することができる。これは、従来のレーザ加熱（laser heating）による結晶化とは異なる。言い換えれば、相変化記録層の非晶質構造が結晶化するのに必要な熱的状態は、非晶質状態や物質によって多少異なるが、一般的に溶融点の５０％温度地点である。したがって、上述したように、紫外線ビーム（UV beam）による光補助結晶化の場合、紫外線ランプにより熱が発生するが、工程温度を１００℃未満に調節できる。そして、非晶質の記録物質粒子間の結合状態に紫外線ビームが影響を及ぼすことによって、結晶化を引き起こすことができる。このように、本発明の第１実施例による相変化光ディスクの初期化方法では、紫外線ランプを用いた相変化光ディスクの初期化方法の一例として、１０秒程度の短時間に紫外線ランプを一定強度に維持させたり（Constant wave）、紫外線ランプの低電力照射中に１〜１０回程度でパルス（Pulse）を加えることによって、結晶化させる方法を提供する。

図４は、本発明の好ましい実施例に係る相変化光ディスクの初期化装置を示す概略的な断面図である。

図４を参照すれば、本発明による相変化光ディスクの初期化装置１００は、相変化媒体を記録層とする光ディスクの非晶質記録層を初期化するために、紫外線ランプ１１０と、チャンバー１３０と、制御部１４０とを備える。

具体的に、紫外線ランプ１１０は、直径が略５〜２０ｍｍであり且つ波長が４００ｎｍである紫外線ビームを１０〜１００％放出させることが好ましい。このような紫外線ランプ１１０は、複数個が紫外線ランプアレイを形成し、チャンバー１３０内に固定支持されることができる。

チャンバー１３０は、紫外線ランプ１１０の紫外線ビーム有効領域１２０内に相変化光ディスク２００が載置されるように、その内部に紫外線ランプ１１０を適切に支持する。これにより、紫外線ランプ１１０は、相変化物質を使用した光ディスク２００の上方に一定の距離及び一定の間隔をもって配列される。

また、チャンバー１３０は、相変化光ディスク２００が載置される回転板１３２を備える。回転板１３２は、表面上に載置された相変化光ディスク２００を回転させる。そして、チャンバー１３０は、紫外線ランプ１１０から放出される紫外線ビームを、回転板１３２上に載置された相変化光ディスク２００側に反射させるように、その内部が金（gold）でコートされたラウンド形態の内壁１３４を備える。内壁１３４にコートされる材料は、金以外に、反射率が良いクロム及びニッケルなどの金属や、アルミニウム酸化物及びジルコニウム酸化物などの酸化物を使用することができる。

一方、光ディスク２００内の記録層の均一な結晶化のために、紫外線ランプ１１０から適正距離（紫外線ビームの有効領域１２０）内に光ディスク２００が位置することが非常に重要である。したがって、光ディスク２００の直径が２５〜１５０ｍｍである場合、本発明に用いられる紫外線ランプ１１０は、直径が５〜２０ｍｍであり且つ波長が４００ｎｍである紫外線ビームが１０〜１００％放出され得るランプであることが好適である。そして、紫外線ランプ１１０と回転板との距離は、５〜３０ｍｍ程度に維持することが好適である。また、初期化の均一度を高めるために、紫外線照射（UV radiation）中に回転板を６０〜６００ＲＰＭの速度で回転させることが好適である。

制御部１４０は、電線などの導線１５０を介してチャンバー１３０及び紫外線ランプ１１０に連結される。基本的に、制御部１４０は、紫外線ランプ１１０に電源を供給する。このために、制御部１４０は、紫外線ランプ１１０の出力を５０〜１０００ｍＷ／１０ｃｍに維持するための所定の電力源を備えることができる。また、制御部１４０は、紫外線ランプ１１０の低電力照射中に、光ディスク２００にパルスのような衝撃波を加えるためのパルス調節器１４２を備えることができる。この場合、本発明による初期化装置１００は、一定強度の紫外線ビームを利用したり、低電力の紫外線ビームの照射中に高電力のパルスを加えることによって、相変化光ディスク２００を初期化させることができる。このように、制御部１４０は、電力源及びパルス調節器（power supply & pulse controller）を備えることができ、このような構成により、光ディスク２００の基板の温度が１００℃を超過しないようにして、光ディスク２００の基板の劣化を防止しつつ、光ディスク２００を初期化させることができる。

上述した通り、本発明は、光ディスクの記録層を初期結晶化するために、紫外線ランプを用いた初期化装置を提供する。本発明によれば、紫外線ランプの使用時間が短く、パワーも低い状態に維持されるため、光ディスクの温度上昇が少なく、光ディスクを初期化するのに１０秒以下の時間が所要されるので、初期化時間を大きく短縮させることができるという長所がある。

図５ａ及び図５ｂは、本発明の好ましい実施例に係る光ディスク初期化装置に用いられる紫外線ランプの配列形態を示す図である。

図５ａは、丸いリング形態の紫外線ランプを適用した紫外線ランプアセンブリーを示す図である。図５ａを参照すれば、最内側の紫外線ランプ１１０ａから最外側の紫外線ランプ１１０ｂに行くほど紫外線ランプの直径が大きくなる。ランプ間の距離は、５〜２０ｍｍ程度に維持できる。現在の光ディスクの大きさを考慮して、最内側に位置する紫外線ランプ１１０ａの直径は、２０〜３０ｍｍに調整し、最外側に位置する紫外線ランプ１１０ｂの直径は、１２０〜１５０ｍｍに調整する。そして、紫外線ランプアセンブリー１６０は、 電源供給線などの導線１５０により電力源及びパルス調節器を備えた制御部１４０に連結される。

図５ｂは、丸い棒形態の紫外線ランプを適用した紫外線ランプアセンブリーを示す図である。図５ｂを参照すれば、紫外線ランプ間の間隔は５〜２０ｍｍであり、各ランプの長さは、１２０〜１５０ｍｍである。この際、紫外線ランプは、その直径が５〜２０ｍｍであるものを使用する。

このように、本発明による相変化記録層の紫外線による初期化方法は、上述した紫外線ランプアセンブリーを用いて次の２つの方法で行うことができる。

第１の方法は、一定強度（constant wave）で紫外線ランプのビームを照射することで、非晶質記録層を初期化させる方法である。この方法では、紫外線ランプの出力（RF power）は、５０〜１０００ｍＷ／１０ｃｍ（ランプ長さ）に調整される。このようなランプ電力は、光ディスクが載置される基板または回転板の１ｃｍ上から１０秒間照射した場合、温度が１００℃を超過しない条件で適宜決定されたものである。

第２の方法は、低電力ランプの照射中に５回内外の衝撃波（Pulse）を加える方法である。例えば、５〜２０秒のランプ作動中にパルス調節器を用いて１〜１０回瞬間的に高パルスを加えることによって、記録層を初期化させることができる。ランプにより発生するエネルギーは、単位面積当たり１／２ＣＶ^２（V=voltage, C=capacitance）で表現されることができる。１０００Ｖの圧力下でランプのＣ値が１００ｘ１０^−６なら、約５０Ｊのエネルギーが瞬間的に発生し得る。

図６及び図７は、本発明の実施例に係る光ディスク初期化方法及び装置を用いて、ＧｅＳｂＴｅ系合金を記録層として有する光ディスクを初期化テストした後に得られたＸＲＤ分析結果を示す図である。

図６は、ポリカーボネート基板に、相変化物質であるＧｅＳｂＴｅ（２：２：５）を２０ｎｍ塗布した後、紫外線パルスパワー（UV pulse power）（１０秒間５回実施）による結晶組織の変化をＸＲＤ分析して得られた結果である。図６を参照すれば、１５００Ｖ又は１０００Ｖのパルスパワー（Ｂ、Ｃ）より相対的に低い５００Ｖのパルスパワー（Ｄ）でも記録層の結晶化が発生したことが分かる。ここで、グラフＡは、紫外線ビームを利用していない場合を示す。

図７は、一般的な相変化ディスクの構造で薄膜を積層した後、ＸＲＤ分析を実施したものである。図７を参照すれば、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２ １９０ｎｍ／ＧｅＳｂＴｅ １６ｎｍ／ＺｎＳ−ＳｉＯ_２ ２５ｎｍ／Ａｌ １００ｎｍ／Ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ ｓｕｂｓｔｒａｔｅの相変化光ディスク構造でも、低いパルスパワー（５００Ｖ）（Ｂ）で記録層の結晶化（ＸＲＤ２ Ｔｈｅｔａ ３０度付近においてＧｅＳｂＴｅ（２００）ｐｅａｋ）が進行されたことが分かる。ここで、グラフＡは、紫外線ビームを利用していない場合を示す。

以上において説明した本発明は、本発明が属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で、様々な置換、変形及び変更が可能であるので、上述した実施例及び添付された図面に限定されるものではない。

光情報格納のための一般的な光ディスクを示す平面図である。 記録及び再生のためのレーザビームの方向による光ディスクタイプを示す断面図である。 記録及び再生のためのレーザビームの方向による光ディスクタイプを示す断面図である。 本発明の好ましい実施例に係る光ディスク初期化方法を示す流れ図である。 本発明の好ましい実施例に係る光ディスク初期化方法を示す流れ図である。 本発明の好ましい実施例に係る光ディスク初期化装置を示す概略的な断面図である。 本発明の好ましい実施例に係る光ディスク初期化装置に用いられる紫外線ランプの配列形態を示す図である。 本発明の好ましい実施例に係る光ディスク初期化装置に用いられる紫外線ランプの配列形態を示す図である。 本発明の好ましい実施例に係る光ディスク初期化方法及び装置を用いて、ＧｅＳｂＴｅ系合金を記録層として有する光ディスクを初期化テストした後に得られたＸＲＤ分析結果を示す図である。 本発明の好ましい実施例に係る光ディスク初期化方法及び装置を用いて、ＧｅＳｂＴｅ系合金を記録層として有する光ディスクを初期化テストした後に得られたＸＲＤ分析結果を示す図である。

符号の説明

１００ 相変化光ディスクの初期化装置
１１０ 紫外線ランプ
１２０ 紫外線ビームの有効領域
１３０ チャンバー
１３２ 回転板
１３４ 内壁
１４０ 制御部
１４２ パルス調節器
１５０ 導線
１６０ 紫外線ランプアセンブリー
２００ 相変化光ディスク

Claims (21)

1. 相変化媒体を記録層とする光ディスクに所定時間紫外線ビームを放出させて、前記記録層を初期化する紫外線ランプと、
   前記紫外線ランプに電源を供給する制御部と、を備えることを特徴とする相変化光ディスクの初期化装置。
2. 前記紫外線ランプを支持し、前記制御部に連結されるチャンバーをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の相変化光ディスクの初期化装置。
3. 前記チャンバーの内壁は、反射率が良い金属または酸化物でコートされることを特徴とする請求項２に記載の相変化光ディスクの初期化装置。
4. 前記反射率が良い金属は、金、クロム及びニッケルのうち少なくともいずれか１つの金属を含み、前記酸化物は、アルミニウム酸化物及びジルコニウム酸化物のうち少なくともいずれか１つの酸化物を含むことを特徴とする請求項３に記載の相変化光ディスクの初期化装置。
5. 前記チャンバーは、前記光ディスクが載置される回転板を備えることを特徴とする請求項２に記載の相変化光ディスクの初期化装置。
6. 前記チャンバーは、前記紫外線ランプと前記回転板との距離が５〜３０ｍｍに維持され、前記回転板が６０〜６００ＲＰＭの速度で回転されるように形成されることを特徴とする請求項５に記載の相変化光ディスクの初期化装置。
7. 前記紫外線ランプは、直径が５〜２０ｍｍであり且つ波長が４００ｎｍである前記紫外線ビームを１０〜１００％放出させることを特徴とする請求項２に記載の相変化光ディスクの初期化装置。
8. 前記紫外線ランプは、丸いリング形態及び丸い棒形態のうち少なくともいずれか１つの形態のランプが複数個配列された紫外線ランプアセンブリーを備えることを特徴とする請求項７に記載の相変化光ディスクの初期化装置。
9. 前記丸いリング形態のランプアセンブリーは、前記チャンバーの中央から外部方向に行くほど前記紫外線ランプの直径が大きくなり、前記紫外線ランプ間の距離が所定間隔に維持されることを特徴とする請求項８に記載の相変化光ディスクの初期化装置。
10. 前記丸いリング形態のランプアセンブリーにおける最内側の紫外線ランプの直径は、２０〜３０ｍｍであり、最外側の紫外線ランプの直径は、１２０〜１５０ｍｍであることを特徴とする請求項９に記載の相変化光ディスクの初期化装置。
11. 前記丸い棒形態のランプアセンブリーにおけるランプ間の間隔は、５〜２０ｍｍであり、前記ランプの長さは、１２０〜１５０ｍｍであり、前記ランプは、前記制御部に並列連結されることを特徴とする請求項８に記載の相変化光ディスクの初期化装置。
12. 前記制御部は、前記光ディスクの基板の温度が１００℃を超過しないようにしながら、前記紫外線ランプの出力を５０〜１０００ｍＷ／１０ｃｍに制御することを特徴とする請求項１に記載の相変化光ディスクの初期化装置。
13. 前記制御部は、前記光ディスクに前記紫外線ビームを所定時間放出させる間に、前記紫外線ランプに衝撃波を加えるためのパルス調節器をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の相変化光ディスクの初期化装置。
14. 前記相変化媒体は、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｉｎ、Ｓｎ及びＧａの中から選択された少なくともいずれか１つの元素を主成分とし、前記主成分に、Ａｇ及びＢｉの中から選択された少なくとも１つの元素添加物が付加された媒体を含むことを特徴とする請求項１乃至１３のいすれか１項に記載の相変化光ディスクの初期化装置。
15. 前記相変化媒体は、ＧｅＳｂＴｅ系合金及びＡｇＩｎＳｂＴｅ系合金の中から選択されたいずれか１つの合金を含むことを特徴とする請求項１乃至１３のいすれか１項に記載の相変化光ディスクの初期化装置。
16. 相変化媒体を記録層とする光ディスクを初期化するために、紫外線ランプの紫外線ビーム有効領域内に前記光ディスクを載置する段階と、
    前記記録層が初期化するように、前記紫外線ランプから前記紫外線ビームを所定時間放出させる段階と、を備えることを特徴とする相変化光ディスクの初期化方法。
17. 前記紫外線ビームを所定時間放出させる段階は、前記光ディスクの基板の温度が１００℃を超過しないように、前記紫外線ランプの出力を５０〜１０００ｍＷ／１０ｃｍに制御する段階を備えることを特徴とする請求項１６に記載の相変化光ディスクの初期化方法。
18. 前記紫外線ランプから低電力の前記紫外線ビームを所定時間放出させる間に、前記記録層に衝撃波を加える段階をさらに備えることを特徴とする請求項１６に記載の相変化光ディスクの初期化方法。
19. 前記紫外線ランプから前記紫外線ビームを所定時間放出させる間に、前記光ディスクを回転させる段階をさらに備えることを特徴とする請求項１６に記載の相変化光ディスクの初期化方法。
20. 前記相変化媒体は、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｉｎ、Ｓｎ及びＧａの中から選択された少なくともいずれか１つの元素を主成分とし、前記主成分に、Ａｇ及びＢｉの中から選択された少なくとも１つの元素添加物が付加された媒体を含むことを特徴とする請求項１６乃至１９のいすれか１項に記載の相変化光ディスクの初期化方法。
21. 前記相変化媒体は、ＧｅＳｂＴｅ系合金及びＡｇＩｎＳｂＴｅ系合金の中から選択されたいずれか１つの合金を含むことを特徴とする請求項１６乃至１９のいすれか１項に記載の相変化光ディスクの初期化方法。

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