JP2006156429A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】先ず、サファイア又は炭化珪素で形成される支持基板12を用意して、支持基板上にバッファ層14を堆積させる。次に、支持基板及びバッファ層を900℃以上1100℃以下に設定された成長温度に保持した状態で、バッファ層上に、GaN層16及びAlGaN層20を順次に積層してGaN半導体基板10を形成する。GaN半導体基板を形成する工程に引き続いて、GaN半導体基板を500℃以上成長温度以下の温度に保持した状態で、AlGaN層の上側表面28上に、表面保護膜としてAlN層30を形成する。
【選択図】図1
Description
S.Keller et al.、"Gallium Nitride Based High Power Heterojunction Field Effect Transistors:Process Development and Present Status at UCSB"、IEEE Transactions on Electron Devices,Vol.48,No.3,pp.552−559,2001 中路雅晴 他著「RIEを用いたダメージによるGaNショットキーダイオード特性とその回復法」信学技報ED2000−24、pp.47−52、2000年
図1を参照して、第1実施形態の半導体装置の製造方法として、窒化アルミニウム(AlN)層を表面保護膜として備えるGaN−HEMT基板の製造方法につき説明する。図1は、AlN層を表面保護膜として備えるGaN−HEMT基板の断面図である。
図3及び図4を参照して、第2実施形態の半導体装置の製造方法として、GaN−HEMT素子の製造方法につき説明する。図3及び図4は、GaN−HEMT素子の製造方法を説明するための工程図である。
図5及び図6を参照して、第3実施形態の半導体装置の製造方法として、MIS(Metal−Insulator−Semiconductor)構造のGaN−HEMT素子の製造方法につき説明する。図5及び図6は、第1のMIS構造GaN−HEMT素子の製造方法を説明するための工程図である。
図7及び図8を参照して、第4実施形態の半導体装置の製造方法として、MIS構造のGaN−HEMT素子の製造方法につき説明する。図7及び図8は、第2のMIS構造GaN−HEMT素子の製造方法を説明するための工程図である。
12 支持基板
14 バッファ層
16 GaN層
18 ヘテロ接合面
20 AlGaN層
22 i−AlGaN層
24 n−AlGaN層
26 n+−AlGaN層
28 AlGaN層の上側表面
30、32 AlN層
32a 単結晶AlN層
32b アモルファス状AlN層
33 アモルファス状AlN層
34 単結晶AlN層
35、38 オーミック電極用開口部
36 凹部
36a ゲート電極形成領域
37、39 ゲート電極用開口部
40、41、42、43、44 フォトレジストパターン
45、46、47、48、49 開口部
50、51、56 オーミック電極
52、53、58 ゲート電極
Claims (4)
- サファイア又は炭化珪素で形成される支持基板を用意する工程と、
前記支持基板上にバッファ層を堆積させる工程と、
前記支持基板及び前記バッファ層を900℃以上1100℃以下に設定された成長温度に保持した状態で、前記バッファ層上に、GaN層及びAlGaN層を順次に積層してGaN半導体基板を形成する工程と、
前記GaN半導体基板を形成する工程に引き続いて、前記GaN半導体基板を500℃以上前記成長温度以下の温度に保持した状態で、前記AlGaN層の上側表面上に、表面保護膜としてAlN層を形成する工程と
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記AlN層を形成する工程の後、
前記AlN層をウェットエッチングすることにより、前記AlGaN層の上側表面部分を露出させるオーミック電極用開口部を形成する工程と、
前記オーミック電極用開口部内に露出した前記AlGaN層の上側表面部分上にオーミック電極を形成する工程と、
前記AlN層をウェットエッチングすることにより、前記AlGaN層の上側表面部分を露出させる制御電極用開口部を形成する工程と、
前記制御電極用開口部内に露出した前記AlGaN層の上側表面部分上に制御電極を形成する工程と
を備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記AlN層を形成する工程で、前記AlN層をアモルファス状AlN層として形成した後、
前記アモルファス状AlN層をウェットエッチングすることにより、制御電極形成領域の前記アモルファス状AlN層に凹部を形成する工程と、
熱処理を行うことにより、前記凹部が形成されたアモルファス状AlN層を単結晶化して、単結晶AlN層を形成する工程と、
前記凹部の底面上に制御電極を形成する工程と、
前記単結晶AlN層をウェットエッチングすることにより、前記AlGaN層の上側表面部分を露出させるオーミック電極用開口部を形成する工程と、
前記オーミック電極用開口部内に露出した前記AlGaN層の上側表面部分上にオーミック電極を形成する工程と
を備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記AlN層を形成する工程で、前記AlN層を単結晶AlN層及びアモルファス状AlN層を順次に積層した積層体として形成した後、
前記単結晶AlN層及び前記アモルファス状AlN層をウェットエッチングすることにより、前記AlGaN層の上側表面部分を露出させるオーミック電極用開口部を形成する工程と、
前記オーミック電極用開口部内に露出した前記AlGaN層の上側表面部分上にオーミック電極を形成する工程と、
前記アモルファス状AlN層をウェットエッチングすることにより、前記単結晶AlN層の上側表面部分を露出させる制御電極用開口部を形成する工程と、
前記制御電極用開口部内に露出した前記単結晶AlN層の上側表面部分上に制御電極を形成する工程と
を備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
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