JP2006155984A - 荷電粒子ビーム装置での加工位置決め方法及びそれに用いる赤外顕微鏡 - Google Patents
荷電粒子ビーム装置での加工位置決め方法及びそれに用いる赤外顕微鏡 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 赤外顕微鏡による観察を行いながら荷電粒子ビーム装置における加工・観察対象箇所1が視野内にくるように移動し、加工・観察対象箇所1周辺に光学観察系と同軸に配置されたレーザー光学系7によって、荷電粒子ビーム装置における二次荷電粒子像の目印となるレーザーマーク2をつける。次に、赤外透過像とCADデータとの重畳により、CADデータ上に加工・観察対象箇所とレーザーマークを登録する。そして、荷電粒子ビーム装置から読み出した登録データと二次荷電粒子像との関連付けによって、高精度かつ容易に加工位置を決定することができる。
【選択図】 図1
Description
(イ)第一工程:試料の裏面からの赤外顕微鏡による観察で、加工・観察対象箇所1を発見する工程(図1(a))、
(ロ)第二工程:荷電粒子ビーム装置における二次荷電粒子像の目印のために、赤外顕微鏡と同軸に配置されたレーザー光学系によって、加工・観察対象箇所周辺にレーザーマーキング2を行う工程(図1(b))、
(ハ)第三工程:CADデータ処理用ソフトを使用し、赤外顕微鏡の観察による透過像(破線部分)とCADデータ(実線部分)とのアライメントによって、加工・観察対象箇所周辺のCADデータと赤外透過像を重畳させる工程(図1(c))
(ニ)第四工程:CADデータ上に加工・観察対象箇所とレーザーマークを登録する工程(図1(d))、
(ホ)第五工程:複数のモニタのそれぞれに、もしくは一つのモニタに同時に表示された荷電粒子ビーム装置の二次荷電粒子像上と上記登録データ上において、それぞれの任意のレーザーマークを順に関連付けし、荷電粒子ビーム装置における試料ステージの移動、またはビームシフトによる位置補正、表示倍率の変更などの荷電粒子ビーム照射光学系の補正を行い、登録データと二次荷電粒子像とを一致させる工程(図1(e))、
(ヘ)第六工程:上記関連付けをしてから、二次荷電粒子像に加工・観察対象箇所1を表示させることによって加工位置決めを行う工程(図1(f))
とからなる。
2 レーザーマーク
5 CCDカメラ
7 レーザー光学系
9 モニタ
Claims (2)
- 試料表面下に配線パターンを有する半導体試料を試料ステージに載置する工程と、
前記試料ステージを移動し、赤外顕微鏡による透過像の観察を行いながら試料表面下の荷電粒子ビーム装置における加工・観察対象箇所を赤外顕微鏡の視野内に移動する工程と、
前記加工・観察対象箇所の周囲の試料表面上にレーザーマーキングを行う工程と、
前記加工・観察対象箇所および前記レーザーマーキング箇所を含む赤外顕微鏡観察像と対応するCADデータを重畳し、前記CADデータ上に加工・観察対象箇所及びレーザーマーキング箇所を登録する工程と、
荷電粒子ビーム装置にてレーザーマーキング箇所の二次荷電粒子像を観察する工程と、
前記二次荷電粒子像と前記登録したCADデータとを関連付けることにより前記加工・観察対象箇所の位置決めを行う工程と、
からなる荷電粒子ビーム装置での加工位置決め方法。 - 試料を載置する3次元可動ステージと、
前記試料の赤外透過像を取得するCCDカメラと、
前記赤外透過像から得られる加工観察対象箇所周辺にレーザーマークをつけるためのレーザー光学系と、
前記試料のCADデータが格納された記憶手段と、
前記記憶手段に格納されたCADデータ、及び前記赤外透過像を表示するモニタと、
前記可動ステージを動かすことによりモニタ上で重畳されたCADデータと赤外透過像とから、前記加工・観察対象箇所および前記レーザーマークをCADデータに登録する手段と、
からなるレーザーマーキング機能付き赤外顕微鏡。
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