JPH11329315A - 座標出し光学式観察装置およびレーザーマーク方法 - Google Patents

座標出し光学式観察装置およびレーザーマーク方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＦＩＢ・ＳＥＭでの観察・加工位置の位置決
め時間の短縮と位置決め精度の向上させること。 【解決手段】 本発明の座標出し光学式観察装置は、試
料をステージにセットし、外部からの座標または連続的
に光学像にて観察を行いながら目的位置に移動し、観察
・加工する目的位置の両側に、光学観察系と同軸に配置
されたレーザー光学系によって、試料の性質により適切
なレーザーの発振波長を選択し、マークを行う、マーク
を行った位置の光学像を、位置座標とともに記憶媒体に
蓄積し、蓄積したデータを外部のＦＩＢ・ＳＥＭから読
み出し、目的位置をレーザーマークから観察・加工位置
を特定する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、集束イオンビーム装置
ＦＩＢ（Focused Ion Beam）・走査電子顕微鏡ＳＥＭ
（Scanning Electron Microscope）等荷電粒子装置によ
る観察・加工装置において、観察位置、及び加工位置の
決定方法及びその装置に関するものである。
【０００２】
【従来技術】従来の光学顕微鏡像を利用したＦＩＢ・Ｓ
ＥＭの観察位置合わせには、２つの方法がある。１つ目
は、双方の像を比較し、座標にておおよそのアライメン
トを行い、ＦＩＢにてマーキングし再び光学顕微鏡像に
てマークの位置を取り込み、位置の確認を行う方法。２
つ目は、光学顕微鏡像とＦＩＢ及びＳＥＭの像を、座標
関係から位置を合わせる方法がある。例えば、特開平９
−０９７５８５がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前記した技術は、ＦＩ
Ｂ・ＳＥＭによる試料の損傷や加工位置の特定時間に手
間取る事、また、断面観察を行うための詳細な位置特定
精度に問題がある。例えば、半導体の製造工程において
は、近年、配線幅の微細化に伴い平坦化層を用いて多層
化し高集積な半導体の製造を行っている。そして、半導
体の表面には、透明であるパッシベーション膜が形成さ
れている。この為、パッシベーション膜は、電子やイオ
ンを透過させないため、平坦化後の平坦化膜内部の目的
位置の観察ができなくなっている。従って、光学式観察
像をＦＩＢ・ＳＥＭの為に観察・加工位置の位置決めの
補助に必要となっている。しかし、１ミクロン以下の配
線の断面加工を行うには、１ミクロン以下の観察・加工
位置の合わせが必要となる。しかし、ステージ座標での
移動のみでは、容易に１ミクロン以下の位置合わせ精度
ができない問題がある。
【０００４】また、長時間または強い電子・イオンビー
ムの観察では、試料に参照（コンタミネーション）が発
生する問題がる。本発明の目的は、ＦＩＢ・ＳＥＭを使
用した観察・加工位置の位置決め精度の向上と、観察時
間の短縮による電子・イオンビームにともなう試料損傷
の軽減を行える装置の提供である。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の座標出し光学式
観察装置は、試料をステージにセットし、外部からの座
標または連続的に光学像にて観察を行いながら目的位置
に移動するものである。そして、本発明のレーザーマー
ク方法は、ＦＩＢまたはＳＥＭで観察・加工する目的位
置の両側に、光学観察系と同軸に配置されたレーザー光
学系によって、試料の性質により適切なレーザーの発振
波長を選択し、１０ミクロン以下の径のマークを行うも
のである。
【０００６】更に、本発明の座標出し光学式観察装置
は、マークを行った位置の光学像を、位置座標とともに
記憶媒体に蓄積することができる。また、蓄積したデー
タを外部のＦＩＢ・ＳＥＭ等から読み出し、目的位置の
検索を行うために使用できる。本発明は、光学像により
目的位置の検索を行うため、ＦＩＢやＳＥＭなどのよう
にビームを試料に照射したために発生する損傷がない。
さらに、半導体製造の行程で使用される平坦化膜の材料
は、光学式観察装置においては透過できるため、ＦＩＢ
・ＳＥＭの観察・加工の目的位置が平坦化膜の下にある
場合でも位置の特定ができる。また、光学式観察像は、
ＦＩＢ・ＳＥＭの像とは異なり、色による目的位置の識
別もできる。
【０００７】次に、目的位置の両側に１０ミクロン以下
のマークを行うことにより、ＦＩＢ・ＳＥＭの為の加工
・観察の目的位置を１ミクロン以下の精度で特定でき
る。また、本発明は、レーザーマーキングした位置情報
を、レーザーマークを含めた光学像と位置座標を記録媒
体に蓄積できる。そして、この蓄積された情報は、ＦＩ
Ｂ・ＳＥＭで観察・加工の情報として他の観察・加工及
び半導体製造装置に出力できる
【０００８】
【実施例】以下に本発明の実施例について、図面を参照
して説明する。図１は、発明の座標出し光学式観察装置
を示した概略図である。以下に図面に従って説明する。
荷電粒子装置であるＦＩＢ・ＳＥＭで観察・加工するた
めの試料９を、光学式観察装置のステージ６の中央に置
く。光学式観察装置には、試料９の表面に光を照射する
試料用照明２が備えられている。試料用照明２からの光
は、ハーフミラー３０を介して試料９表面を照射する。
ステージ６上に置かれた試料９は、対物レンズ４と接眼
レンズ５、ハーフミラー３０から構成された光学像の観
察系を通しＣＣＤ３により観察を行う。ＣＣＤ３で取ら
れた試料９表面のイメージは、制御システム８にリアル
タイムに取り込まれＣＲＴ７に表示される。ここで、試
料９を拡大観察するための、試料用照明２、ハーフミラ
ー３０、対物レンズ４と接眼レンズ５およびＣＣＤ３を
総称して光学系鏡筒という。操作者は、制御システム８
にある操作画面を用い、ステージ６を制御し、目的位置
を探し出す。この制御システム８にある操作画面は、Ｃ
ＲＴ７に備えることも可能である。また、複数のレーザ
ー光源１が備えられ、それぞれレーザ用ハーフミラー３
１を介して、試料９表面にレーザーを照射する。試料９
の観察の光軸１０とレーザー照射の光軸１０は同軸であ
る。複数のレーザー光源１には、ＣＲＴ７に表示された
試料９の画像の中心位置にレーザーが照射する様に、位
置を調整する図示しない装置が備えられている。
【０００９】このとき、制御用システム８は、他の装置
からの座標情報を参照できる補助機能を使い、検索の為
の移動時間の短縮も行っている。目的位置に移動した
後、観察光学系の光軸に一致したレーザー光源１からレ
ーザーの照射を行いステージに置かれた試料９にマーク
１３を付ける。マーク１３は、試料８の材質により適切
な波長を選択できる用に同一光軸１０に波長の異なるレ
ーザーを配置した。
【００１０】マーク１３を付けた試料９は、マーク付け
した像とステージ座標を制御システム８に蓄積する。蓄
積したデーターは、ネットワーク機能により外部へ取り
出すことができる。次に、図２から図４によりマーキン
グに関して説明する。平坦化されている試料９は、光学
式の観察により、図２に示すようにパッシベーション膜
下の構造１１がパッシベーション膜１４とともにＣＲＴ
７にて観察される。この観察像をもとに、目的位置１２
にある観察・加工対象のサイズを考慮し、図３に示すよ
うにレーザー光源１からのレーザーによりマーク１３を
つける。２つのマーク１３、１３の位置は、加工位置の
中心を中心とし、ほぼ均しい距離にマーク１３、１３を
作成する。
【００１１】このマークから本発明の装置は、それぞれ
のマークの重心を画像処理により求め、２つの重心を線
分とし、線分の中心が、加工・観察位置からずれている
かを光学式の観察像から求め、観察・加工位置の座標と
して、レーザーマークを行った画像とともに、制御シス
テム８に蓄積する。観察・加工位置の位置決め精度は、
レーザーマークのサイズが、試料がレーザーの波長を吸
収できる場合、マークに使用するレーザーの発振波長の
１／２までできることから、目標となる観察・加工位置
は、マークサイズの約１０分の１の位置までできる。ま
た、画像処理を行わず、マークの中心位置を観察・加工
位置とした場合でも、位置のずれ量は、マークサイズの
１／２程度にできる。
【００１２】以上の手順で取られた情報をもとに、目的
位置の観察をＦＩＢ・ＳＥＭで、電子・イオンビームに
よる試料の損傷を避けるように行った場合、図４で示さ
れる像が、観察される。パッシベーション膜１４の下に
形成されている配線１１は観察することができない。つ
まり、観察される像は、パッシベーション膜１４の表面
１と２つのマーク１３だけである。この観察像から、マ
ークの中心位置を前記した方法で同様に求め、加速電圧
を上げた電子ビームによる観察や、集束イオンビームに
よる１ミクロン以下の位置決め精度での目的位置１２の
加工を、行うことができる。
【００１３】以上のマークと目的位置の関係を図５に三
次元的に示す。図５に示すようにパッシベーション膜１
４は、その下に配線１１を覆い隠している。パッシベー
ション膜１４の表面は、レーザーマーク１３以外は、平
らで、電子・イオンビームでは、観察できない。本発明
の装置は、レーザーマークを下層構造への影響の無い用
に、レーザーの出力及び波長をパッシベーション膜１４
（平坦化膜）の材質に合わせ既知の情報から出力を調整
・変更する用になっている。
【００１４】
【発明の効果】以上の様に本発明によれば、ＦＩＢ・Ｓ
ＥＭではできなかった試料表面に凹凸のない平坦化膜を
持った試料の観察・加工位置の特定が、ステージの座標
だけで行う場合にたいし、実際の像から行うため、ステ
ージ座標精度の高くない装置でも、最大レーザーマーク
のサイズの１０分の１までできる。さらに、ＦＩＢ・Ｓ
ＥＭでの長時間の観察が避けられることから、試料への
電子・イオンビームの損傷が、狭い範囲でかつ最小限に
とどめる事ができる。
【００１５】また、レーザー波長を選択しマーキングを
行うことにより、試料の状態を損なうことを最小限にす
ることができます。すなわち、ＦＩＢ・ＳＥＭで観察・
加工位置の特定の難しかった試料への、加工位置の位置
決めに対し非常に有効である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光学式観察装置の実施例を示す装置の
概略断面図である。
【図２】本発明の観察実施例を説明するための光学観察
像の平面図である。
【図３】本発明の観察実施例を説明するための光学観察
像の平面図である。
【図４】本発明の観察実施例を説明するための光学観察
像の平面図である。
【図５】本発明の観察実施例を説明するための試料の斜
視図と断面図である。
【符号の説明】
１ レーザー光源 ２ 試料用照明 ３ ＣＣＤカメラ ４ 対物レンズ ５ 接眼レンズ ６ ステージ ７ ＣＲＴ ８ 制御システム ９ 試料 １０ 光軸 １１ 平坦化下の構造（配線） １２ ＦＩＢ・ＳＥＭの観察・加工目的位置 １３ レーザーマーク １４ パッシベーション層

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 荷電粒子装置により観察・加工を対象と
    する試料を載置し、前記試料をＸＹＺ方向に移動させる
    試料台と、前記試料を拡大観察する光学系鏡筒と、前記
    観察に基づいて前記試料を移動させ、前記試料の目的位
    置に、レーザーマークを施すためのレーザーマーカと、
    目的位置とレーザーマークを一つの光学式の観察像と、
    前記ステージ座標とともに記憶する制御システムよりな
    ることを特徴とする座標出し光学式観察装置。
  2. 【請求項２】 荷電粒子装置により観察・加工を対象と
    する試料の目的位置近傍にレーザーマークされるよう
    に、外部装置からの座標データによって前記試料を載置
    したステージを移動し、その位置にレーザーマークを施
    し、前記レーザーマークと前記目的位置の試料拡大画像
    とを一つの光学式観察装置により拡大観察像を形成し、
    前記ステージ座標とともに前記観察像を記憶することを
    特徴とするレーザーマーク方法。
  3. 【請求項３】 前記荷電粒子装置は集束イオンビーム装
    置、または走査型電子顕微鏡である請求項１記載の光学
    式観察装置。
  4. 【請求項４】 前記記憶された光学式の観察像と、前記
    ステージ座標に基づいて、荷電粒子装置において、観察
    ・加工する際に、観察・加工領域を設定するために、前
    記制御システムは前記荷電粒子装置と接続されている請
    求項１記載の光学式観察装置。
  5. 【請求項５】 前記レーザーマーカは、同一光軸に複数
    の波長のレーザを発する請求項１記載の光学式観察装
    置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006155984A (ja) * 2004-11-26 2006-06-15 Sii Nanotechnology Inc 荷電粒子ビーム装置での加工位置決め方法及びそれに用いる赤外顕微鏡

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW503188B (en) * 2000-08-29 2002-09-21 Sumitomo Heavy Industries Marking method, device the optical member marked
US8610092B2 (en) * 2010-07-08 2013-12-17 Fei Company Charged particle beam processing system with visual and infrared imaging
EP2564972B1 (en) 2011-09-05 2015-08-26 ALLTEC Angewandte Laserlicht Technologie Gesellschaft mit beschränkter Haftung Marking apparatus with a plurality of lasers, deflection means and telescopic means for each laser beam
ES2530070T3 (es) 2011-09-05 2015-02-26 ALLTEC Angewandte Laserlicht Technologie Gesellschaft mit beschränkter Haftung Aparato de marcado con una pluralidad de láseres y conjuntos ajustables individualmente de medios de desviación
EP2565994B1 (en) 2011-09-05 2014-02-12 ALLTEC Angewandte Laserlicht Technologie Gesellschaft mit beschränkter Haftung Laser device and method for marking an object
EP2565998A1 (en) 2011-09-05 2013-03-06 ALLTEC Angewandte Laserlicht Technologie Gesellschaft mit beschränkter Haftung Gas ring laser device
DK2565995T3 (da) 2011-09-05 2014-01-20 Alltec Angewandte Laserlicht Technologie Gmbh Gaslaserindretning med gasreservoir
EP2565993B1 (en) 2011-09-05 2014-01-29 ALLTEC Angewandte Laserlicht Technologie Gesellschaft mit beschränkter Haftung Laser device and method for generating laser light
ES2544034T3 (es) 2011-09-05 2015-08-27 ALLTEC Angewandte Laserlicht Technologie Gesellschaft mit beschränkter Haftung Aparato de marcado con al menos un láser de gas y un termodisipador
ES2544269T3 (es) 2011-09-05 2015-08-28 ALLTEC Angewandte Laserlicht Technologie Gesellschaft mit beschränkter Haftung Aparato de marcado con una pluralidad de láseres de gas con tubos de resonancia y medios de deflexión ajustables individualmente
ES2530069T3 (es) 2011-09-05 2015-02-26 ALLTEC Angewandte Laserlicht Technologie Gesellschaft mit beschränkter Haftung Aparato de marcado con una pluralidad de láseres y un dispositivo de desviación de combinación
DK2565673T3 (da) 2011-09-05 2014-01-06 Alltec Angewandte Laserlicht Technologie Gmbh Indretning og fremgangsmåde til markering af et objekt ved hjælp af en laserstråle
EP2564971B1 (en) 2011-09-05 2015-08-26 ALLTEC Angewandte Laserlicht Technologie Gesellschaft mit beschränkter Haftung Marking apparatus with a plurality of laser and a set of deflecting means
EP2564970B1 (en) * 2011-09-05 2015-08-26 ALLTEC Angewandte Laserlicht Technologie Gesellschaft mit beschränkter Haftung Marking device for marking an object with marking light with different light modules employing different marking technologies
ES2444504T3 (es) 2011-09-05 2014-02-25 ALLTEC Angewandte Laserlicht Technologie Gesellschaft mit beschränkter Haftung Dispositivo láser con una unidad láser, y un recipiente de fluido para medios de refrigeración de dicha unidad láser
NL1039512C2 (en) 2012-04-02 2013-10-03 Univ Delft Tech Integrated optical and charged particle inspection apparatus.

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5755947A (en) 1980-09-20 1982-04-03 Adeka Argus Chem Co Ltd Stabilized halogen-containing resin composition
US5028939A (en) * 1988-08-23 1991-07-02 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator system
JP3258821B2 (ja) * 1994-06-02 2002-02-18 三菱電機株式会社 微小異物の位置決め方法、分析方法、これに用いる分析装置およびこれを用いた半導体素子もしくは液晶表示素子の製法
JP3376179B2 (ja) * 1995-08-03 2003-02-10 キヤノン株式会社 面位置検出方法
JPH09283073A (ja) * 1996-04-17 1997-10-31 Hitachi Ltd イオンビーム照射装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006155984A (ja) * 2004-11-26 2006-06-15 Sii Nanotechnology Inc 荷電粒子ビーム装置での加工位置決め方法及びそれに用いる赤外顕微鏡
US7459699B2 (en) 2004-11-26 2008-12-02 Sii Nanotechnology Inc. Method of determining processing position in charged particle beam apparatus, and infrared microscope used in the method
JP4598492B2 (ja) * 2004-11-26 2010-12-15 エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 荷電粒子ビーム装置での加工位置決め方法及びそれに用いる赤外顕微鏡

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Publication number Publication date
JP3041599B2 (ja) 2000-05-15
US6303930B1 (en) 2001-10-16

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