JP4598492B2 - 荷電粒子ビーム装置での加工位置決め方法及びそれに用いる赤外顕微鏡 - Google Patents
荷電粒子ビーム装置での加工位置決め方法及びそれに用いる赤外顕微鏡 Download PDFInfo
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Description
(イ)第一工程:試料の裏面からの赤外顕微鏡による観察で、加工・観察対象箇所1を発見する工程(図1(a))、
(ロ)第二工程:荷電粒子ビーム装置における二次荷電粒子像の目印のために、赤外顕微鏡と同軸に配置されたレーザー光学系によって、加工・観察対象箇所周辺にレーザーマーキング2を行う工程(図1(b))、
(ハ)第三工程:CADデータ処理用ソフトを使用し、赤外顕微鏡の観察による透過像(破線部分)とCADデータ(実線部分)とのアライメントによって、加工・観察対象箇所周辺のCADデータと赤外透過像を重畳させる工程(図1(c))
(ニ)第四工程:CADデータ上に加工・観察対象箇所とレーザーマークを登録する工程(図1(d))、
(ホ)第五工程:複数のモニタのそれぞれに、もしくは一つのモニタに同時に表示された荷電粒子ビーム装置の二次荷電粒子像上と上記登録データ上において、それぞれの任意のレーザーマークを順に関連付けし、荷電粒子ビーム装置における試料ステージの移動、またはビームシフトによる位置補正、表示倍率の変更などの荷電粒子ビーム照射光学系の補正を行い、登録データと二次荷電粒子像とを一致させる工程(図1(e))、
(ヘ)第六工程:上記関連付けをしてから、二次荷電粒子像に加工・観察対象箇所1を表示させることによって加工位置決めを行う工程(図1(f))
とからなる。
2 レーザーマーク
5 CCDカメラ
7 レーザー光学系
9 モニタ
Claims (4)
- 試料表面下に配線パターンを有する半導体試料の所望の加工・観察対象箇所を赤外顕微鏡で透過像観察する工程と、
前記加工・観察対象箇所の周囲の試料表面上にレーザーマーキングを行う工程と、
前記加工・観察対象箇所を含む赤外顕微鏡観察像と前記赤外顕微鏡観察像に対応するCADデータを重畳する工程と、
前記CADデータ上に前記レーザーマーキングをした箇所を登録する工程と、
荷電粒子ビーム装置にて前記レーザーマーキングをした箇所の二次荷電粒子像を観察する工程と、
前記レーザーマーキングをした箇所を登録したCADデータと前記二次荷電粒子像とを関連付けることにより前記二次荷電粒子像に前記加工・観察対象箇所の位置決めを行う工程と、からなる荷電粒子ビーム装置での加工位置決め方法。 - 前記レーザーマーキングを行う工程は、前記試料表面上に前記赤外顕微鏡による透過像観察と同じ光軸のレーザーを照射する請求項1に記載の荷電粒子ビーム装置での加工位置決め方法。
- 前記レーザーマーキングを行う工程は、前記試料表面上に荷電粒子ビームによりデポジション膜を形成する工程と、
前記デポジション膜にレーザーでマーキングする工程と、からなる請求項1または2に記載の荷電粒子ビーム装置での加工位置決め方法。 - 試料を載置する3次元可動ステージと、
前記試料の赤外透過像を取得するCCDカメラと、
前記赤外透過像から得られる加工観察対象箇所周辺にレーザーマークをつけるためのレーザー光学系と、
前記試料のCADデータが格納された記憶手段と、
前記赤外透過像および前記赤外透過像に対応する前記CADデータを表示するモニタと、
前記赤外透過像と前記赤外透過像に対応する前記CADデータとを重畳させ、前記赤外透過像上の前記レーザーマークを前記CADデータ上に登録する登録手段と、を備えたレーザーマーキング機能付き赤外顕微鏡。
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