JPH10199467A - 光学的顕微鏡を有する荷電粒子ビームシステム - Google Patents

光学的顕微鏡を有する荷電粒子ビームシステム

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JPH10199467A
JPH10199467A JP9344985A JP34498597A JPH10199467A JP H10199467 A JPH10199467 A JP H10199467A JP 9344985 A JP9344985 A JP 9344985A JP 34498597 A JP34498597 A JP 34498597A JP H10199467 A JPH10199467 A JP H10199467A
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image
optical
optical image
chamber
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JP9344985A
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English (en)
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Xavier Larduinat
ラルドゥイナ ザビエール
James H Brown
エイチ. ブラウン ジェームズ
Theodore R Lundquist
アール. ランドクイスト テオドール
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Schlumberger Technologies Inc
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    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/22Optical, image processing or photographic arrangements associated with the tube
    • H01J37/226Optical arrangements for illuminating the object; optical arrangements for collecting light from the object
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/248Components associated with the control of the tube
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/26Electron or ion microscopes
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    • H01J2237/2826Calibration
    • HELECTRICITY
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    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
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    • H01J2237/304Controlling tubes
    • H01J2237/30433System calibration
    • H01J2237/30438Registration

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 集積回路ダイを処理する荷電粒子技術と光学
的技術とを結合させることを可能とするシステム及び方
法を提供する。 【解決手段】 フォーカストイオンビームシステム等の
荷電粒子ビームシステムが、真空チャンバ、該チャンバ
内の第一領域内に視野を有するように位置された光学的
顕微鏡、該第一領域内へレーザビームを投光するように
該光学的顕微鏡と整合されているレーザ、該チャンバ内
に位置されており且つ該チャンバの第二領域内へ荷電粒
子ビームをフォーカスさせるように配列されている荷電
粒子ビームカラム、該チャンバ内に位置されており且つ
該第一領域内の第一位置と該第二領域内の第二位置との
間を移動可能な試料支持手段、を有している。レーザ、
光学的顕微鏡及び荷電粒子ビームからの画像内において
見ることの可能な整合マークでDUTにマーク付けを行
なうために使用される。該整合マークの位置は光学的画
像内において正確に決定することが可能であり且つそう
でなければ荷電粒子ビーム画像内において見ることが不
可能な特徴部の位置を推論することが可能である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、通常、集
積回路(IC)装置をミリングするために使用されるタ
イプのフォーカストイオンビーム(FIB)システムの
ような荷電粒子ビーム装置に関するものであって、更に
詳細には、システムの真空チャンバ内に位置されている
光学的顕微鏡を有するそのようなシステムに関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】例えば走査電子顕微鏡(SEM)、電子
ビームプローバー及びフォーカストイオンビーム(FI
B)システムのような荷電粒子ビームシステムは、IC
装置の診断及び修復における補助として多様な態様で使
用されている。例えば、FIBシステムは、他の導体と
の切断又は接続などの変更又は修復のために導体を露出
させるために導体の上側に存在する物質をミリングによ
って除去するために使用される。興味のある導体が上側
に存在する層によって隠されている場合には、ミリング
を行なうための正確な位置決めを行なうことを可能とす
るためにそれを探し出すことを可能とする何等かの方法
が提供されることが必要である。この問題に対処するた
めの種々の提案が従来なされている。
【0003】従来、IC装置(ダイ)内の構造は、該装
置の前部表面から荷電粒子ビーム装置によってアクセス
することが可能であった。然しながら、興味のある領域
がパワープレーン即ち電力面の下側に存在している場合
には、いずれの方法によっても該構造をみることはでき
ず且つ該パワープレーンを除去した場合であってもFI
B又は電子ビーム画像内において見ることの可能な地形
的な特徴部は存在しない。基板を貫通してみることが可
能ではあるが、シリコンは赤外線波長において透明であ
り、又該パワープレーンを除去した場合には、光学的シ
ステムがFIBシステムと同一の視野を有することが可
能であるようにシステムを構築することは極めて困難で
ある。又、ある位置においてダイ上のFIBサイト即ち
箇所を見つけ出すために可視的画像形成を使用すること
を可能とし次いでそれをFIB処理のために別の位置へ
移動させることを可能とする可動ステージを製造するこ
とは困難であると共に高価である。
【0004】米国特許第4,683,378号は、興味
のある構造が上側に存在する層によって隠されている場
合のFIBミリング動作を制御するための4つの異なる
アプローチを記載している。第一のアプローチは、走査
イオン顕微鏡画像をCADデータと比較して興味のある
サイト(箇所)の位置を推論することである。第二のア
プローチは、光学的顕微鏡の下側に基準ダイを位置決め
させ且つ該基準ダイの光学画像を使用してSIM画像内
において対応する位置を見つけ出すことである。第三の
アプローチは、ダイを光学的顕微鏡とSIMとの間で移
動させ且つ両者からの画像を比較して興味のある位置を
見つけ出すことである。第四のアプローチは、ダイを光
学的顕微鏡と、電子ビーム顕微鏡と、走査イオン顕微鏡
との間で移動させて見ることが可能な異なる対象を有す
るか又は異なる分解能を有する画像を与えることであ
る。これら最後の3つのアプローチは画像を整合させる
ために顕微鏡間でダイを移動させるために高精度のステ
ージを使用することを必要とする。FIB処理において
光学的画像を使用するためのその他の提案は、通常、こ
れらのアプローチのうちの1つ又はそれ以下の範ちゅう
に属するものである。又、ダイ上にマークを配置させる
ためにFIBを使用し、該ダイを光学的顕微鏡へ移動さ
せ且つ該ダイ内の構造に関連してその位置を決定するた
めに該マークを探し出し、次いで該ダイをFIBへ移動
させて戻し且つ該マーク及び該光学的情報を使用してF
IBミリング動作期間中に制御を行なうことにより問題
を解消するための試みが提案されている。このアプロー
チは、FIBのマーク付けが比較的長い時間かかり、3
つのステップが必要とされ且つ光学的位置とFIB位置
との間で該ダイを2回移動させることが必要であるとい
う点において問題を有している。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上の点に
鑑みなされたものであって、上述した如き従来技術の欠
点を解消し、上述した如き従来技術の欠点を有すること
なしに、ダイを処理するための荷電粒子技術と光学的技
術とを結合させることを可能としたシステムを提供する
ことを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、荷電粒子ビー
ムシステムを提供しており、それは、真空チャンバ、前
記チャンバの第一領域において視野を有する光学的顕微
鏡、前記第一領域内へレーザビームを投光するように前
記光学的顕微鏡と整合されているレーザ、前記チャンバ
内に位置されており且つ前記チャンバの第二領域内へ荷
電粒子ビームをフォーカスさせるように配設されている
荷電粒子ビームカラム、前記チャンバ内に位置されてお
り且つ前記第一領域における第一位置と第二領域におけ
る第二位置との間で移動可能な試料支持手段、を有して
いる。
【0007】本発明は、更に、荷電粒子イオンビームシ
ステムにおいて試料を処理する方法を提供しており、そ
れは、真空チャンバ内の第一位置に試料を配置させ、前
記第一位置における前記試料の光学的画像を獲得し、前
記光学的画像において見ることの可能なマークを前記試
料上に配置させ、前記試料を前記チャンバ内の第二位置
へ移動させ、前記試料上を荷電粒子ビームでスキャニン
グしてその際に発生される粒子(二次的荷電粒子、散乱
された一時粒子、フォトン等)を検知して前記マークを
包含するコントラスト画像を獲得し、且つ該光学的画像
及びコントラスト画像を使用して荷電粒子ビームの動作
を制御して該試料を処理する、上記各ステップを包含し
ている。
【0008】本発明は光学的顕微鏡、レーザ及びビーム
カラムの全てが真空チャンバ内において動作するという
点に特徴を有している。光学的顕微鏡又はレーザは該チ
ャンバ内に位置させることは必要ではなく、一方、必要
である場合にはそのようにすることが可能であり、該顕
微鏡の視野及びレーザビームの投光が真空チャンバ内へ
存在するものであるに過ぎない。従って、該カラムの動
作を制御するために該顕微鏡からの画像を使用すること
が可能である。又、光学的画像及びコントラスト画像の
両方において見ることの可能なマークをダイ表面上に設
けるためにレーザを使用することは、従来得ることが可
能ではなかった程度の精度で且つ非常に高精度のステー
ジに対する必要性なしでこのような制御を行なうことを
可能としている。
【0009】荷電粒子ビームは、SEM、電子ビームプ
ローバー又はFIB装置とすることが可能であり、後者
のものが好適である(尚、「FIB」という用語は本明
細書全体にわたって使用するが、本発明はそのような適
用例にのみ限定されるべきものではなく状況によっては
これらのその他の装置も使用可能であることを理解すべ
きである)。必要である場合にはレーザ走査(スキャニ
ング)顕微鏡を有することの可能な光学的顕微鏡は、好
適には、典型的に200×−4000×の範囲内である
可及的に最大の倍率を有し0.25μmの程度の可及的
に高い分解能を有している。ダイ上の位置を補正するた
めに、FIB装置を制御する場合に使用するためにワー
クステーションへ画像を送信するために任意の適宜の装
置を使用することが可能である。CCD装置が好適であ
るが、例えばビジコン管、光電子増倍管等のその他の装
置を使用することも可能である。レーザは、典型的に、
例えば緑/UVレーザ等の、可視光、IR又はUV領域
のスペクトル範囲内で動作すべきである。特に好適な構
成においては、該レーザはそのビームを顕微鏡の光軸に
沿って投光すべく配設される。
【0010】本発明は以下の如くに動作する。
【0011】(1)光学的顕微鏡の視野内において試料
を真空チャンバ内に配置させる。該試料における興味の
ある特徴部を見ることが可能であり且つ光学的画像内に
おいてこれらの特徴部を映し出すためにXYZステージ
によって顕微鏡を位置決めさせることが可能である。
【0012】(2)次いで、顕微鏡と整合されているレ
ーザを使用して、試料の表面上のレジストレーション
(整合)マークを興味のある特徴部の領域内に位置させ
且つ該マークを包含する光学的画像を格納する。FIB
処理サイト、即ちFIBミリングが行なわれるべき領域
(「FIBボックス」)の正確な位置は、該レーザ整合
マークと相対的に識別される。
【0013】(3)次いで、試料を可動ステージ上にお
いてFIBカラム位置へ移動させ、その場合の精度は±
10μmの程度であり、且つXYステージ上のカラムを
移動させることにより、レーザマークをFIBコントラ
スト画像内に位置させる。光学的画像から得られる整合
マークと相対的にFIBボックスの位置を使用してFI
Bボックスをダイ上に位置決めさせる。
【0014】(4)FIB画像内において特徴部を見る
ことが可能になる時まで、該光学的データを使用してF
IB走査を実行する。
【0015】パワープレーン(電力面)が存在する場合
には、ステップ(1)の前に、パワープレーン内に粗目
の窓を位置決めさせ且つ光学的顕微鏡を使用してマーク
付けを行なうか又は画像を獲得する前に、FIB装置で
パワープレーンをミリングする。
【0016】
【発明の実施の形態】図1を参照すると、本発明の1実
施例に基づいて構成されたシステムが示されており、そ
れは、広義において、第一位置における光学的カラム2
0と、第二位置におけるFIBカラム30と、光学的カ
ラム20とFIBカラム30との間を移動可能なシャト
ル40とを具備する真空チャンバ10を有している。カ
ラム20,30及びシャトル40を動作させるために制
御システム50が設けられている。光学的カラム及びF
IBカラムはXY移動を行なうために装着されている。
このことは、両方の運動に対する単一のXYマウントに
よるか、又は同期される個別的なXマウントとYマウン
トによって行なうことが可能である。
【0017】光学的カラム20は、Zステージ22上に
装着されており且つ種々の倍率の対物レンズ24を保持
しているタレット23を包含する光学的顕微鏡21を有
している。レーザ25が顕微鏡21内に及びその光軸に
沿って対物レンズ24へ向かってビーム26を投光す
る。顕微鏡21の上部にCCD装置27が配置されてい
る。顕微鏡21は長い動作距離(200×倍率において
約10mm)及び例えばTIC又はツァイス(Zeis
s)等の会社からの真空適合性レンズ(ミツトヨ)を有
する光学的可視光顕微鏡を有するタイプのものである。
適切な顕微鏡は、約0.25μmの分解能において可及
的に最も高い倍率を与え且つ低倍率に対して500μm
×500μmから最大倍率において50μm×50μm
の範囲内の視野を有する対物レンズを有している。別の
構成(不図示)は、真空チャンバの外側に位置されてお
り且つチャンバの壁における窓を介して該チャンバの内
側に視野を有する顕微鏡を使用するものである。この構
成は、真空適合性レンズを必要とすることがなく且つF
IB処理期間中に発生される物質によってレンズが汚染
されることを回避するという点において有利である。
【0018】該顕微鏡は、該顕微鏡の光軸に沿ってレー
ザがビームを投光することを可能とすべく適合されてい
る。このような修正は、クリックレーズ(QuikLa
ze)という指定の下でカリフォリニア州サニベルのニ
ューウェーブリサーチ社のような会社から入手可能であ
る。このようなシステムは0.6mJエネルギの6ns
パルスを供給する532nmで動作する緑/UVレーザ
を有している。CCD装置27は、典型的にTIFF画
像としてのデジタル画像出力を供給する。
【0019】FIBカラム30は半導体装置のFIB処
理に対して使用するタイプのものである。特に好適な実
施例は、プローブ直径が10nm乃至1000nmであ
り、ビームエネルギーが5keV乃至30keVであ
り、ビーム電流が2pA乃至12nAである2レンズフ
ォーカシングカラムを有するLMISガリウムイオン供
給源である。このようなカラムはカリフォルニア州サン
ノゼのシュルンベルジェテクノロジーズインコーポレイ
テッドから入手可能なシュルンベルジェIDSP2Xシ
ステムにおいて見られるようなものである。
【0020】シャトル40は例えばICDUT42をマ
ウント即ち装着するためにFIB又は電子ビームシステ
ムにおいて使用されているような典型的なパッケージし
た部品マウント41を有している。マウント41は、そ
れ自身、転送シャトル43に取付けられており、転送シ
ャトル43はマウント31をFIBカラム30の上方
(図示した位置A)か、又は光学的カラム20の上方
(位置はB)のいずれかに位置決めさせることを可能と
する。本発明によって提供される利点に鑑み、該シャト
ルは±10μmより大きな精度で位置決め可能であるこ
とは必要ではない。このようなシャトルは従来の技術を
使用して用意に構成することが可能である。制御システ
ム50は、適宜のディスプレイ52を包含するワークス
テーション51を有している。DUT42に対するCA
Dデータが制御システム内に格納され(同一のワークス
テーション内か、又は該制御システムによってアクセス
される別のコンピュータ内のいずれか)、それは顕微鏡
21、レーザ25、FIBカラム30、シャトル40の
動作のための制御信号(MC,LC,FC,SC)を与
える。本制御システムは、更に、光学的カラム20から
光学的画像データ(OID)及びFIBカラム30から
FIB画像データ(FIBID)を受取る。これらの画
像は、本システムの動作に対して必要とされる場合に、
ディスプレイ52上に表示させることが可能である。
【0021】図2及び3は、上述したシステムの変形例
を示しており、共通する部品及び/又は参照番号は簡単
化のために省略してある。図2において、シャトル40
がロードモジュール60と置換されており、ロードモジ
ュール60は、DUT(テスト中の装置)62とテスタ
ー63との間の接続部61を具備している。この構成
は、電子ビーム、FIB又は光学的プロービング(探査
動作)又は何等かのその他の適宜のプロービング技術の
ために、DUTを真空チャンバ10内にある間に励起さ
せることを可能とする。位置決めアパーチャ64A及び
64Bが夫々FIBカラム30及び光学的カラム20の
上方に設けられており、ロードモジュール60はこれら
のアパーチャのうちの一方又は他方内に位置決めされ且
つブランク即ち閉塞用のプレート65がモジュールによ
って占有されていないアパーチャ内に位置される。この
場合のロードモジュールはシュルンベルジェP2Xシス
テムにおいて使用されている運動学的装着(kinem
atic mounting)状態で位置決めされる。
【0022】図3において、シャトル40はIC装置の
製造のために使用される8インチウエハ71を支持する
ことの可能なウエハステージ70で置換されている。ウ
エハステージ70は真空チャンバ内のA位置とB位置と
の間で移動可能であるばかりか、ウエハの興味のある部
分をいずれかのカラムの視野内へ位置させることを可能
とするためにX,Y,Z及びθ運動を行なうことが可能
である。このアプローチの更に別の特徴は、ウエハステ
ージ70上に取付けることの可能なマウント41を有し
ている点であり、それは状況に応じて同一のシステムに
おいてパッケージングされている部品か又はウエハのい
ずれかを処理することを可能とする。
【0023】図1に示されているシステム及び図4
(a)を参照して本発明に基づく方法について説明す
る。
【0024】(1)DUT42をチャンバ10内の転送
シャトル40上のマウント41上にローディング即ち取
付ける。該チャンバを約5×10-6Torrの真空へポ
ンプダウン即ち排気させる。DUT42を位置Bにおい
て光学的カラム20の上方へ位置決めさせる。
【0025】(2)興味のある領域100をワークステ
ーションディスプレイ52において見られるように顕微
鏡21からの光学的画像内に位置させ、且つ興味のある
特徴110が光学的画像内において見ることができるよ
うになるまで倍率を増加させる。光学的画像内において
これらの特徴を識別するためにCADデータ及び/又は
画像を使用することが可能である(図4(a))。
【0026】(3)レーザ25を動作させて、光学的顕
微鏡21の視野内においてDUT42の表面にレジスト
レーション(整合)マーク120を刻設させる。該レー
ザマークは、典型的に、ライン幅が0.2μmの程度の
「+」であり、それは光学的画像内において見ることが
可能なものである。FIBボックス130(即ち、FI
B処理を行なうべき区域)の位置を該画像上において決
定し且つその整合マークと相対的な位置を注記する。
又、CADデータと該画像との間のずれをこの時に解消
することが可能である。
【0027】(4)整合マークを包含する光学的画像を
ワークステーション51内に格納する。
【0028】(5)転送シャトルを動作させて、FIB
カラム30の視野内における位置Aへ移動させる。
【0029】(6)DUT42の表面の粗目FIB画像
をとって、整合マークを探し出し且つXYステージを動
作させて該マークを高分解能を視野内に位置させる(図
4(b))。
【0030】(7)光学的画像をFIB画像上に重ね合
わせ(必要な場合にはスケーリングを行ない)且つ両方
の画像におけるレーザマークを整合状態とさせる。ステ
ップ(3)において得られた光学的画像から派生された
FIBボックスの位置においてFIBミリングを開始す
る(図4(c))。
【0031】図2において示したシステムの動作は基本
的に同一である。然しながら、その場合には可動ステー
ジが存在しないので、光学的画像を獲得した後に、該真
空チャンバを大気圧力状態とさせ且つロードモジュール
の位置を変更し、その後に真空チャンバを再度真空状態
へ排気させる。図3のシステムの動作は、図1のシステ
ムにおけるものと基本的に同一であり、ダイではなくウ
エハに関してのナビゲーション即ち移動制御について適
宜の修正が必要なだけである。
【0032】修正されるべき構造がパワープレーン即ち
電力面の下側に存在する装置の場合には、該装置を光学
的カラムの下側に位置決めする前に、ステージをFIB
カラムの下側に位置決めし、該カラムを動作させて興味
のある一般的な領域の上側に存在するパワープレーンを
除去する。この一般的な位置は、比較的低い分解能でC
ADデータから識別される。次いで、上述した如き手順
を実施することが可能である。興味のある領域の上方に
ポリイミド層が配設されている装置の場合には、ステー
ジを光学的カラムの下側に位置決めさせ且つレーザを使
用して該ポリイミド物質を除去し、その後に上述した手
順を実施することが可能である。このような場合には、
レーザの波長はミリングされるべき物質に従って選択さ
れる。更に、レーザミリング効果又は必要とされる物質
の付着を向上させるか又は遅滞化させるために該装置へ
化学物質を付与することが可能である。上述したステッ
プは、ダイ上の1つを超えた位置において繰返し行なう
ことが可能であり、且つ必要とされるオプションを使用
して実施することが可能である。これらのオプションは
図5のフローチャートに要約してある。
【0033】本発明は多数の利点を提供している。局所
的な整合マークを使用することにより、機械的ステー
ジ、熱的ドリフト、インジェクタによって誘起されるF
IB画像におけるフィールドオフセット、ビームアパー
チャ変更オフセット、パッケージによって誘起される電
界、ダイ又はウエハの機械的変形及びCADデータと相
対的なダイ内の層間不整合等から発生する位置決めエラ
ーに関する問題を回避している。全体として、このよう
なエラーはFBI画像形成及び処理の分解能において比
較的大きなものとなる場合があり、且つ、しばしば、非
線形的なものとなる場合がある。そうでなければ、これ
らのエラーに対する補償は極めて困難なものであり且つ
信頼性のないものである。本発明において使用する整合
マークは、光学的画像及びFIB画像の両方において見
ることが可能であり、その位置は興味のある分解能で正
確に決定することが可能であり、上述した問題を回避し
ている。
【0034】FIB処理を指示するためにこれらの2つ
の画像を使用することは、スケーリング及びキャリブレ
イション(較正)が試料の領域においてCADデータの
局所的な補正を行なうことが可能であることを必要とす
る。試料上の異なる位置からとった多数の画像でこの処
理を繰返すことにより、試料の実際の物理的形態に対応
してCADデータのグローバル即ち全体的な補正を行な
うことを可能とする。以上、本発明の具体的実施の態様
について詳細に説明したが、本発明は、これら具体例に
のみ限定されるべきものではなく、本発明の技術的範囲
を逸脱することなしに種々の変形が可能であることは勿
論である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の1実施例に基づくシステムを示した
概略図。
【図2】 本発明の第2実施例に基づくシステムを示し
た概略図。
【図3】 本発明の第3実施例に基づくシステムを示し
た概略図。
【図4】 (a)乃至(c)は本発明に基づく方法の実
施期間中に得られる夫々の画像を示した各概略図。
【図5】 本発明に基づく方法の実施に関連する主要な
ステップを示したフローチャート。
【符号の説明】
10 真空チャンバ 20 光学的カラム 21 光学的顕微鏡 25 レーザ 26 ビーム 30 FIBカラム 40 シャトル 41 マウント 42 IC DUT(テスト中のIC) 50 制御システム 51 ワークステーション 52 ディスプレイ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジェームズ エイチ. ブラウン アメリカ合衆国, カリフォルニア 95134, サン ノゼ, エラン ビレッ ジ 310, ナンバー 436 (72)発明者 テオドール アール. ランドクイスト アメリカ合衆国, カリフォルニア 94568, ダブリン, キャバリエ レー ン 8253

Claims (23)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 荷電粒子ビームシステムにおいて、 (a)真空チャンバ、 (b)前記チャンバの第一領域内に視野を有する光学顕
    微鏡、 (c)前記第一領域内へレーザービームを投光するよう
    に前記光学的顕微鏡と整合しているレーザ、 (d)前記チャンバ内に位置されており且つ前記チャン
    バの第二領域内へビームをフォーカスさせるように配設
    されている荷電粒子ビームカラム、 (e)前記チャンバ内に位置されており且つ前記第一領
    域内の第一位置と前記第二領域内の第二位置との間で移
    動可能な試料支持手段、 を有することを特徴とするシステム。
  2. 【請求項2】 請求項1において、更に、前記顕微鏡か
    ら光学的画像を獲得し且つ前記イオンビームの操作を指
    示するために前記光学的画像を使用する手段を有するこ
    とを特徴とするシステム。
  3. 【請求項3】 請求項2において、前記レーザが前記光
    学的画像内において見えるマークを与えるために前記第
    一位置に位置されている試料にマーク付けするように配
    設されていることを特徴とするシステム。
  4. 【請求項4】 請求項1において、更に、前記第二位置
    において前記荷電粒子ビームでの照射によって前記試料
    から射出された粒子を検知し且つそれからコントラスト
    画像を作成する手段を有することを特徴とするシステ
    ム。
  5. 【請求項5】 請求項4において、前記レーザが、前記
    第二位置において前記試料から得られる前記コントラス
    ト画像において見えるマークを与えるために前記第一位
    置に位置されている試料にマーク付けをすべく配設され
    ていることを特徴とするシステム。
  6. 【請求項6】 請求項2において、更に、前記第二位置
    における前記試料から二次的荷電粒子を検知し且つそれ
    からコントラスト画像を作成する手段を有しており、前
    記レーザが、前記光学的画像及び前記コントラスト画像
    において見えるマークを与えるように前記第一位置に位
    置されている試料にマーク付けをすべく配設されている
    ことを特徴とするシステム。
  7. 【請求項7】 請求項6において、更に、各画像におけ
    る前記マークの位置が一致するように前記コントラスト
    画像上に前記光学的画像を重ね合わせる手段、且つ前記
    光学的画像においてのみ見ることの可能な特徴部を形成
    するように前記イオンビームを制御する手段を有するこ
    とを特徴とするシステム。
  8. 【請求項8】 請求項6において、前記試料支持手段が
    約±10μmの精度で前記第一位置と前記第二位置との
    間で移動可能であることを特徴とするシステム。
  9. 【請求項9】 フォーカストイオンビームシステムにお
    いて、 (a)真空チャンバ、 (b)前記チャンバの第一領域において光学的画像を獲
    得する手段、 (c)前記チャンバの第二領域内へイオンビームをフォ
    ーカスさせるように配設されているイオンビームカラ
    ム、 (d)前記チャンバ内に位置されており且つ前記第一領
    域における第一位置と前記第二領域における第二位置と
    の間で移動可能な試料支持手段、 (e)前記第二位置において前記試料から二次的荷電粒
    子を検知し且つそれからコントラスト画像を作成する手
    段、 (f)前記光学的画像及びコントラスト画像の両方にお
    いて見ることの可能なマークを前記試料上に配置させる
    手段、 (g)前記コントラスト画像において見ることのできな
    い前記試料の特徴部の位置を識別するために前記コント
    ラスト画像上に前記光学的画像を重ね合わせる手段、 (h)前記光学的画像内においてのみ見ることの可能な
    特徴部の位置に従って前記イオンビームを制御する手
    段、 を有することを特徴とするシステム。
  10. 【請求項10】 請求項9において、前記画像を重ね合
    わせる手段が、前記コントラスト画像内において見るこ
    とのできない特徴部の位置を前記光学的画像から決定す
    ることを可能とするために各画像におけるマークの位置
    を一致させることを特徴とするシステム。
  11. 【請求項11】 請求項9において、前記イオンビーム
    を制御する手段が、前記光学的画像から得られる情報に
    従ってそこから物質をミリングすべき前記コントラスト
    画像内の領域を画定することを特徴とするシステム。
  12. 【請求項12】 フォーカストイオンビームシステムに
    おいて試料を処理する方法において、 (a)真空チャンバの第一位置に試料を配置させ、 (b)前記第一位置において前記試料の光学的画像を獲
    得し、 (c)前記光学的画像において見ることのできるマーク
    を前記試料上に配置させ、 (d)前記試料を前記チャンバ内の第二位置へ移動さ
    せ、 (e)前記試料上に荷電粒子ビームをスキャニングさせ
    且つその際に発生される粒子を検知して前記マークを包
    含するコントラスト画像を獲得し、 (f)前記光学的画像及びコントラスト画像をしてフォ
    ーカストイオンビームの動作を制御して前記試料を処理
    する、 上記各ステップを有することを特徴とする方法。
  13. 【請求項13】 請求項12において、前記マークを配
    置させるステップが、前記試料にレーザでマーク付けを
    行なうことを特徴とする方法。
  14. 【請求項14】 請求項12において、前記試料上に荷
    電粒子ビームをスキャニングするステップが、コントラ
    スト画像を得るために前記試料上に前記フォーカストイ
    オンビームをスキャニングさせることを特徴とする方
    法。
  15. 【請求項15】 請求項12において、前記コントラス
    ト画像上に前記光学画像を重ね合わせることにより結合
    画像を形成し、且つ前記結合画像を使用して前記試料の
    処理を制御することを特徴とする方法。
  16. 【請求項16】 請求項15において、更に、前記光学
    的画像をスケーリングさせて前記コントラスト画像と整
    合させることを特徴とする方法。
  17. 【請求項17】 請求項15において、前記光学的画像
    と前記コントラスト画像とを重ね合わせるステップが、
    前記両方の画像におけるマークの位置が一致するように
    行なわれることを特徴とする方法。
  18. 【請求項18】 請求項17において、前記光学的画像
    が前記コントラスト画像において見ることのできない特
    徴部を包含しており、前記マークと相対的な前記特徴部
    の位置を使用して前記試料の処理を制御することを特徴
    とする方法。
  19. 【請求項19】 請求項18において、前記試料を処理
    するステップが、前記光学的画像においてのみ見ること
    の可能な特徴部の位置に従って前記コントラスト画像に
    おける領域を画定し、且つ前記フォーカストイオンビー
    ムを使用して前記画定した領域における前記試料から物
    質を除去することを包含することを特徴とする方法。
  20. 【請求項20】 請求項12において、更に、前記試料
    の処理を制御するために設計データを使用することを特
    徴とする方法。
  21. 【請求項21】 請求項20において、前記試料の実際
    の形態を反映させるために前記光学的画像を使用して前
    記設計データを補正することを特徴とする方法。
  22. 【請求項22】 請求項21において、前記試料の異な
    る部分の光学的画像を使用して前記試料に対する設計デ
    ータを補正することを特徴とする方法。
  23. 【請求項23】 請求項12において、処理期間中に更
    なるコントラスト画像を獲得し、それを使用してフォー
    カストイオンビームでの前記試料の処理を制御すること
    を特徴とする方法。 【請求項23】 請求項12において、更に、前記試料
    内の構造を探査するために前記荷電粒子ビームを使用す
    ることを特徴とする方法。
JP9344985A 1996-12-19 1997-12-15 光学的顕微鏡を有する荷電粒子ビームシステム Pending JPH10199467A (ja)

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TW (1) TW409279B (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11274044A (ja) * 1998-03-24 1999-10-08 Hitachi Ltd 荷電ビームによる加工方法およびその加工システム並びに荷電ビームによる観察方法およびその観察システム
JP2006079846A (ja) * 2004-09-07 2006-03-23 Canon Inc 試料の断面評価装置及び試料の断面評価方法
JP2006155984A (ja) * 2004-11-26 2006-06-15 Sii Nanotechnology Inc 荷電粒子ビーム装置での加工位置決め方法及びそれに用いる赤外顕微鏡
JP2006177896A (ja) * 2004-12-24 2006-07-06 Sii Nanotechnology Inc 観察または加工位置特定方法および装置ならびに試料加工方法および装置
JP2010139799A (ja) * 2008-12-12 2010-06-24 National Institute Of Information & Communication Technology 試料観測方法、光学顕微鏡及び蛍光相関分析装置
JPWO2018146804A1 (ja) * 2017-02-13 2019-11-21 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6252412B1 (en) * 1999-01-08 2001-06-26 Schlumberger Technologies, Inc. Method of detecting defects in patterned substrates
US6373070B1 (en) * 1999-10-12 2002-04-16 Fei Company Method apparatus for a coaxial optical microscope with focused ion beam
US7006674B1 (en) 1999-10-29 2006-02-28 Cytyc Corporation Apparatus and methods for verifying the location of areas of interest within a sample in an imaging system
US7369304B2 (en) 1999-10-29 2008-05-06 Cytyc Corporation Cytological autofocusing imaging systems and methods
FR2806527B1 (fr) * 2000-03-20 2002-10-25 Schlumberger Technologies Inc Colonne a focalisation simultanee d'un faisceau de particules et d'un faisceau optique
DE20010829U1 (de) * 2000-06-17 2000-08-31 Leica Microsystems Heidelberg GmbH, 69120 Heidelberg Anordnung zum Untersuchen mikroskopischer Präparate mit einem Scanmikroskop
US6384372B1 (en) * 2000-07-20 2002-05-07 Advanced Micro Devices, Inc. Method and system for dust and fume removal in laser marking machines
AU2002228837B2 (en) * 2000-11-03 2007-06-28 Cytyc Corporation Cytological imaging systems and methods
US6683316B2 (en) * 2001-08-01 2004-01-27 Aspex, Llc Apparatus for correlating an optical image and a SEM image and method of use thereof
US7528614B2 (en) * 2004-12-22 2009-05-05 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for voltage contrast analysis of a wafer using a tilted pre-charging beam
US20050132919A1 (en) * 2003-12-17 2005-06-23 Honda Motor Co., Ltd. Squib
US7332729B1 (en) * 2004-06-18 2008-02-19 Novelx, Inc. System and method for multiple electron, ion, and photon beam alignment
US7245133B2 (en) * 2004-07-13 2007-07-17 Credence Systems Corporation Integration of photon emission microscope and focused ion beam
JP2009525571A (ja) 2006-02-03 2009-07-09 カール・ツァイス・エヌティーエス・ゲーエムベーハー 粒子光学式走査顕微鏡のための焦点合わせおよび位置決め補助装置
US7449699B1 (en) 2006-04-20 2008-11-11 Sandia Corporation Method and apparatus for creating a topography at a surface
EP1953791A1 (en) * 2007-02-05 2008-08-06 FEI Company Apparatus for observing a sample with a particle beam and an optical microscope
DE102008001812B4 (de) 2008-05-15 2013-05-29 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Positioniereinrichtung für ein Teilchenstrahlgerät
DE102008045336B4 (de) 2008-09-01 2022-05-25 Carl Zeiss Microscopy Gmbh System zur Bearbeitung einer Probe mit einem Laserstrahl und einem Elektronenstrahl oder einem Ionenstrahl
US8059918B2 (en) * 2008-10-12 2011-11-15 Fei Company High accuracy beam placement for local area navigation
DE102009020663A1 (de) 2009-05-11 2010-11-25 Carl Zeiss Ag Mikroskopie eines Objektes mit einer Abfolge von optischer Mikroskopie und Teilchenstrahlmikroskopie
DE102009022912B4 (de) 2009-05-27 2016-11-17 Carl Zeiss Ag Korrelative optische und Teilchenstrahl-Mikroskopie
DE102009041993B4 (de) * 2009-09-18 2020-02-13 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Beobachtungs- und Analysegerät
DE102010052674A1 (de) * 2010-11-24 2012-05-24 Carl Zeiss Ag Probenträger mit Justiermarkierung
DE102011005731B4 (de) * 2011-03-17 2013-08-14 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Einrichtung zur Probenanalyse mittels Röntgenspektroskopie
DE102011005732B4 (de) * 2011-03-17 2013-08-22 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Einrichtung zur Röntgenspektroskopie
DE102011084829B4 (de) 2011-10-19 2016-07-14 Carl Zeiss Ag Mikroskopie mehrerer Proben mit optischer Mikroskopie und Teilchenstrahlmikroskopie
CN103308496B (zh) * 2012-03-16 2015-09-16 徐涛 一种新型的超高分辨光电融合显微成像系统
US10649198B2 (en) 2016-03-11 2020-05-12 Battelle Memorial Institute Sample processing and analysis methods and apparatus
US10176963B2 (en) 2016-12-09 2019-01-08 Waviks, Inc. Method and apparatus for alignment of optical and charged-particle beams in an electron microscope
WO2019063529A1 (en) 2017-09-28 2019-04-04 Asml Netherlands B.V. OPTICAL SYSTEM WITH COMPENSATION LENS
DE102019102438B3 (de) * 2019-01-31 2020-07-09 Leica Mikrosysteme Gmbh Verfahren zur mikroskopischen Bilderzeugung und System hierfür sowie Verwendung
DE102020134463B3 (de) 2020-12-21 2022-06-23 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Materialbearbeitungsverfahren und Materialbearbeitungssystem zur Ausführung des Verfahrens

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0616391B2 (ja) * 1984-07-13 1994-03-02 株式会社日立製作所 イオンビーム照射装置
JPS6196644A (ja) * 1984-10-17 1986-05-15 Hitachi Ltd 外観検査装置
US5124927A (en) * 1990-03-02 1992-06-23 International Business Machines Corp. Latent-image control of lithography tools
DE69131528T2 (de) * 1990-05-30 2000-05-04 Hitachi, Ltd. Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung eines sehr kleinen Bereichs einer Probe
US5852298A (en) * 1995-03-30 1998-12-22 Ebara Corporation Micro-processing apparatus and method therefor

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11274044A (ja) * 1998-03-24 1999-10-08 Hitachi Ltd 荷電ビームによる加工方法およびその加工システム並びに荷電ビームによる観察方法およびその観察システム
JP2006079846A (ja) * 2004-09-07 2006-03-23 Canon Inc 試料の断面評価装置及び試料の断面評価方法
JP2006155984A (ja) * 2004-11-26 2006-06-15 Sii Nanotechnology Inc 荷電粒子ビーム装置での加工位置決め方法及びそれに用いる赤外顕微鏡
JP4598492B2 (ja) * 2004-11-26 2010-12-15 エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 荷電粒子ビーム装置での加工位置決め方法及びそれに用いる赤外顕微鏡
JP2006177896A (ja) * 2004-12-24 2006-07-06 Sii Nanotechnology Inc 観察または加工位置特定方法および装置ならびに試料加工方法および装置
JP4634134B2 (ja) * 2004-12-24 2011-02-16 エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 観察位置表示方法及び装置ならびに試料加工方法及び装置
JP2010139799A (ja) * 2008-12-12 2010-06-24 National Institute Of Information & Communication Technology 試料観測方法、光学顕微鏡及び蛍光相関分析装置
JPWO2018146804A1 (ja) * 2017-02-13 2019-11-21 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置
US11239051B2 (en) 2017-02-13 2022-02-01 Hitachi High-Tech Corporation Charged particle beam device

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EP0849765A2 (en) 1998-06-24
EP0849765A3 (en) 2001-10-04

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