JPH06283127A - 裏面解析観察装置 - Google Patents
裏面解析観察装置Info
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- JPH06283127A JPH06283127A JP6821693A JP6821693A JPH06283127A JP H06283127 A JPH06283127 A JP H06283127A JP 6821693 A JP6821693 A JP 6821693A JP 6821693 A JP6821693 A JP 6821693A JP H06283127 A JPH06283127 A JP H06283127A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体デバイス解析試料のデバイス裏面をＳ
ＥＭ観察する際に観察位置を正確に見極めでき詳細な解
析を可能とする裏面解析観察装置を得る。 【構成】 ＳＥＭに半導体デバイス解析試料６を載置し
デバイス裏面８ａに照射する電子ビーム１の二次電子像
を得てデバイス裏面８ａを解析観察する装置において、
電子ビーム１延長線上に観察位置を一致して配置され解
析観察位置に対応するデバイスの表面８ｂを観察する光
学顕微鏡装置９，１０，１２を設けた。
ＥＭ観察する際に観察位置を正確に見極めでき詳細な解
析を可能とする裏面解析観察装置を得る。 【構成】 ＳＥＭに半導体デバイス解析試料６を載置し
デバイス裏面８ａに照射する電子ビーム１の二次電子像
を得てデバイス裏面８ａを解析観察する装置において、
電子ビーム１延長線上に観察位置を一致して配置され解
析観察位置に対応するデバイスの表面８ｂを観察する光
学顕微鏡装置９，１０，１２を設けた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体デバイス解析試
料をＳＥＭでデバイスの裏面より観察する裏面解析観察
装置に関するものである。
料をＳＥＭでデバイスの裏面より観察する裏面解析観察
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイス解析試料の基板上に形成
されたデバイスを表面でなく裏面（基板側界面）よりＳ
ＥＭ（走査型電子顕微鏡）で観察する方法は、例えば不
良箇所がゲート酸化膜裏面に存在する可能性がある場合
に表面断面では観察が困難なので裏面からの観察を必要
としている。図６は従来の裏面解析観察装置の構成を示
す模式図、図７は図６における裏面解析の試料模式図で
Ａに平面をＢにその線Ｂ−Ｂに沿った断面を示したもの
である。図において、１は観察対象物に照射される電子
ビーム、２は電子ビーム１の二次電子検出器、３は観察
対象物の試料台、４は外囲いするチャンバでこれら１〜
４でＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）５が形成されている。
６は観察対象物となる半導体デバイス解析試料で基板７
と基板７上に形成されたデバイス８で形成されこの場合
大きさは約４ｍｍ×９ｍｍである。７ａはデバイス８の
裏面８ａを露出させるためのエッチング部でなる。
されたデバイスを表面でなく裏面（基板側界面）よりＳ
ＥＭ（走査型電子顕微鏡）で観察する方法は、例えば不
良箇所がゲート酸化膜裏面に存在する可能性がある場合
に表面断面では観察が困難なので裏面からの観察を必要
としている。図６は従来の裏面解析観察装置の構成を示
す模式図、図７は図６における裏面解析の試料模式図で
Ａに平面をＢにその線Ｂ−Ｂに沿った断面を示したもの
である。図において、１は観察対象物に照射される電子
ビーム、２は電子ビーム１の二次電子検出器、３は観察
対象物の試料台、４は外囲いするチャンバでこれら１〜
４でＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）５が形成されている。
６は観察対象物となる半導体デバイス解析試料で基板７
と基板７上に形成されたデバイス８で形成されこの場合
大きさは約４ｍｍ×９ｍｍである。７ａはデバイス８の
裏面８ａを露出させるためのエッチング部でなる。
【０００３】次に動作について説明する。解析試料６を
摘出し試料台３に基板７が上になる様にして固定し電子
ビーム１を観察するデバイス８の裏面８ａに入射する。
二次電子検出器２によって検出された二次電子像で裏面
を観察するものである。このような裏面解析は、今まで
不可能であった最下層裏面の観察を二次的に行う事が可
能であり、またデバイスの構造やレイアウトに依存しな
いので表面からの除膜の様に品種毎に条件出しを行う必
要がない。
摘出し試料台３に基板７が上になる様にして固定し電子
ビーム１を観察するデバイス８の裏面８ａに入射する。
二次電子検出器２によって検出された二次電子像で裏面
を観察するものである。このような裏面解析は、今まで
不可能であった最下層裏面の観察を二次的に行う事が可
能であり、またデバイスの構造やレイアウトに依存しな
いので表面からの除膜の様に品種毎に条件出しを行う必
要がない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の裏面解析観察装
置は以上のように構成され解析試料がデバイスの裏面即
ち基板側を観察面としていること、また試料作成時のエ
ッチングは試料の取扱い上から局所的にしかできないこ
ともあり、観察位置の同定ができず詳細な解析ができな
いという問題点があった。なお、デバイス表面即ち反基
板側の場合は識別しやすいパターン等の座標により位置
確認が容易である。
置は以上のように構成され解析試料がデバイスの裏面即
ち基板側を観察面としていること、また試料作成時のエ
ッチングは試料の取扱い上から局所的にしかできないこ
ともあり、観察位置の同定ができず詳細な解析ができな
いという問題点があった。なお、デバイス表面即ち反基
板側の場合は識別しやすいパターン等の座標により位置
確認が容易である。
【０００５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、半導体デバイス解析試料のデバ
イス裏面をＳＥＭ観察する際に観察位置を正確に見極め
でき詳細な解析を可能とする裏面解析観察装置を得るこ
とを目的とする。
ためになされたもので、半導体デバイス解析試料のデバ
イス裏面をＳＥＭ観察する際に観察位置を正確に見極め
でき詳細な解析を可能とする裏面解析観察装置を得るこ
とを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項１に係
る裏面解析観察装置は、ＳＥＭに半導体デバイス解析試
料を載置しデバイス裏面に照射する電子ビームの二次電
子像を得てデバイス裏面を解析観察する装置において、
電子ビーム延長線上に観察位置を一致して配置され解析
観察位置に対応するデバイスの表面を観察する光学顕微
鏡装置を設けたものである。
る裏面解析観察装置は、ＳＥＭに半導体デバイス解析試
料を載置しデバイス裏面に照射する電子ビームの二次電
子像を得てデバイス裏面を解析観察する装置において、
電子ビーム延長線上に観察位置を一致して配置され解析
観察位置に対応するデバイスの表面を観察する光学顕微
鏡装置を設けたものである。
【０００７】また、この発明の請求項２に係る裏面解析
観察装置は、ＳＥＭに半導体デバイス解析試料を載置し
デバイス裏面に照射する電子ビームの二次電子像を得て
デバイス裏面を解析観察する装置において、解析試料と
相似形状でなる模擬試料と、デバイス裏面の観察位置に
対応するデバイス表面部と同定できる位置を模擬部材の
デバイス表面に対応させ移行する位置転換手段と、模擬
部材のデバイス表面を観察する光学顕微鏡装置とを設け
たものである。
観察装置は、ＳＥＭに半導体デバイス解析試料を載置し
デバイス裏面に照射する電子ビームの二次電子像を得て
デバイス裏面を解析観察する装置において、解析試料と
相似形状でなる模擬試料と、デバイス裏面の観察位置に
対応するデバイス表面部と同定できる位置を模擬部材の
デバイス表面に対応させ移行する位置転換手段と、模擬
部材のデバイス表面を観察する光学顕微鏡装置とを設け
たものである。
【０００８】また、この発明の請求項３に係る裏面解析
観察装置は、ＳＥＭに半導体デバイス解析試料を載置し
デバイス裏面に照射する電子ビームの二次電子像を得て
デバイス裏面を解析観察する装置において、半導体デバ
イス解析試料の図形を記憶したＣＡＤシステムと、デバ
イス裏面の観察位置に対応するデバイス表面部と同定で
きる位置をＣＡＤシステムのデバイス表面図形に対応さ
せ移行する位置転換手段とを設けたものである。
観察装置は、ＳＥＭに半導体デバイス解析試料を載置し
デバイス裏面に照射する電子ビームの二次電子像を得て
デバイス裏面を解析観察する装置において、半導体デバ
イス解析試料の図形を記憶したＣＡＤシステムと、デバ
イス裏面の観察位置に対応するデバイス表面部と同定で
きる位置をＣＡＤシステムのデバイス表面図形に対応さ
せ移行する位置転換手段とを設けたものである。
【０００９】
【作用】この発明の請求項１における裏面解析観察装置
は、光学顕微鏡装置で観察した像によって半導体デバイ
ス裏面の二次電子像の位置を見極めできる。
は、光学顕微鏡装置で観察した像によって半導体デバイ
ス裏面の二次電子像の位置を見極めできる。
【００１０】また、請求項２における裏面解析観察装置
は、光学顕微鏡装置で観察した模擬試料の像によって半
導体デバイス裏面の二次電子像の位置を見極めできる。
は、光学顕微鏡装置で観察した模擬試料の像によって半
導体デバイス裏面の二次電子像の位置を見極めできる。
【００１１】また、請求項３における裏面解析観察装置
は、ＣＡＤシステムの像によって半導体デバイス裏面の
二次電子像位置を見極めできる。
は、ＣＡＤシステムの像によって半導体デバイス裏面の
二次電子像位置を見極めできる。
【００１２】
実施例１．以下、この発明の実施例１を図について説明
する。図１はこの発明の実施例１における裏面解析観察
装置を示す模式図である。図において、１〜８は従来例
と同様でありその説明は省略する。８ｂはデバイス８の
表面、９はチャンバ４内に設けられ電子ビーム１の延長
線上でデバイス表面８ｂに対向して対物レンズ９ａを有
する光学顕微鏡、１０は光学顕微鏡９に装着されたカメ
ラ、１１は二次電子検出器２を通して二次電子像も映し
出すモニター、１２はカメラ１０を通して光学顕微鏡９
の像を映し出すモニターでこれら９，１０，１２で光学
顕微鏡装置が形成される。
する。図１はこの発明の実施例１における裏面解析観察
装置を示す模式図である。図において、１〜８は従来例
と同様でありその説明は省略する。８ｂはデバイス８の
表面、９はチャンバ４内に設けられ電子ビーム１の延長
線上でデバイス表面８ｂに対向して対物レンズ９ａを有
する光学顕微鏡、１０は光学顕微鏡９に装着されたカメ
ラ、１１は二次電子検出器２を通して二次電子像も映し
出すモニター、１２はカメラ１０を通して光学顕微鏡９
の像を映し出すモニターでこれら９，１０，１２で光学
顕微鏡装置が形成される。
【００１３】次に動作について説明する。観察において
電子ビーム１によって解析試料６のデバイス裏面８ａの
二次電子像がモニター１１に表示されると同時に光学顕
微鏡９によりデバイス表面８ｂの像がモニター１２に表
示される。この場合二次電子像と光学顕微鏡９の像の位
置が裏表で対応しているのでデバイス裏面観察時にデバ
イス表面からの観察位置の同定を行う事ができる。これ
によりデバイス表面の識別しやすいパターン等から座標
位置を決定し観察した裏面の位置を知るものである。
電子ビーム１によって解析試料６のデバイス裏面８ａの
二次電子像がモニター１１に表示されると同時に光学顕
微鏡９によりデバイス表面８ｂの像がモニター１２に表
示される。この場合二次電子像と光学顕微鏡９の像の位
置が裏表で対応しているのでデバイス裏面観察時にデバ
イス表面からの観察位置の同定を行う事ができる。これ
によりデバイス表面の識別しやすいパターン等から座標
位置を決定し観察した裏面の位置を知るものである。
【００１４】実施例２．以下、この発明の実施例２を図
について説明する。図２はこの発明の実施例２における
裏面解析観察装置を示す模式図、図３は実施例２を説明
するための補促図でＡは解析試料のデバイス表面を時前
観察する状態図、ＢはＡの状態の解析試料の平面図、Ｃ
は観察状態における模擬試料のデバイス表面側の平面
図、Ｄは観察状態における解析試料のデバイス裏面側の
平面図を示す。図において、１〜８，１１は実施例１と
同様でありその説明は省略する。１３はＳＥＭチャンバ
４の外に設置された光学顕微鏡、１４は光学顕微鏡１３
に装着されたカメラ、１５はカメラ１４を通して光学顕
微鏡１３の像を映し出すモニターでこれら１３ないし１
５で光学顕微鏡装置が形成される。１６は解析試料６と
相似形状で且つデバイス１６ａがデバイス８と同等パタ
ーンで形成されている模擬試料である。
について説明する。図２はこの発明の実施例２における
裏面解析観察装置を示す模式図、図３は実施例２を説明
するための補促図でＡは解析試料のデバイス表面を時前
観察する状態図、ＢはＡの状態の解析試料の平面図、Ｃ
は観察状態における模擬試料のデバイス表面側の平面
図、Ｄは観察状態における解析試料のデバイス裏面側の
平面図を示す。図において、１〜８，１１は実施例１と
同様でありその説明は省略する。１３はＳＥＭチャンバ
４の外に設置された光学顕微鏡、１４は光学顕微鏡１３
に装着されたカメラ、１５はカメラ１４を通して光学顕
微鏡１３の像を映し出すモニターでこれら１３ないし１
５で光学顕微鏡装置が形成される。１６は解析試料６と
相似形状で且つデバイス１６ａがデバイス８と同等パタ
ーンで形成されている模擬試料である。
【００１５】次に動作について説明する。まず、試料台
３に装着した解析試料６をＳＥＭチャンバ４に入れる前
にそのデバイス８の表面８ｂを光学顕微鏡１３で観察し
（図３−Ａ）、試料台３の角（Ｐ）を原点として識別し
やすいパターンの座標を２点（Ｘ，Ｙ）記憶（図３−
Ｂ）させてからＳＥＭチャンバ４に入れる。一方、用意
された模擬試料１６のデバイス表面８ｂを光学顕微鏡１
３で観察し解析試料６で位置出しを行ったパターンを探
し座標（Ｘ1，Ｙ1）を記憶（図３−Ｃ）させる。ＳＥＭ
チャンバ４に入っている解析試料６の二次電子像のモニ
ター７を見ながら解析試料６の原点（Ｐ）を探しその点
からあらかじめ記憶させたパターンの位置（Ｘ，Ｙ）を
裏面８ａ側より探す（図３−Ｄ）。
３に装着した解析試料６をＳＥＭチャンバ４に入れる前
にそのデバイス８の表面８ｂを光学顕微鏡１３で観察し
（図３−Ａ）、試料台３の角（Ｐ）を原点として識別し
やすいパターンの座標を２点（Ｘ，Ｙ）記憶（図３−
Ｂ）させてからＳＥＭチャンバ４に入れる。一方、用意
された模擬試料１６のデバイス表面８ｂを光学顕微鏡１
３で観察し解析試料６で位置出しを行ったパターンを探
し座標（Ｘ1，Ｙ1）を記憶（図３−Ｃ）させる。ＳＥＭ
チャンバ４に入っている解析試料６の二次電子像のモニ
ター７を見ながら解析試料６の原点（Ｐ）を探しその点
からあらかじめ記憶させたパターンの位置（Ｘ，Ｙ）を
裏面８ａ側より探す（図３−Ｄ）。
【００１６】そして模擬試料１６の同じパターン座標
（Ｘ1，Ｙ1）と線対称で一致させアライメントを行う光
学顕微鏡１３と電子ビーム１の観察位置は連動すること
ができる様になっているので模擬試料１６のデバイス表
面１６ａで位置確認すれば二次電子像位置即ちデバイス
裏面の観察位置を見極めできる。なお、以上の動作の内
デバイス裏面の観察位置に対応するデバイス表面と同定
できる位置を模擬試料のデバイス表面に対応させ移行す
る手段を総してここでは位置転換手段１７と称する。
（Ｘ1，Ｙ1）と線対称で一致させアライメントを行う光
学顕微鏡１３と電子ビーム１の観察位置は連動すること
ができる様になっているので模擬試料１６のデバイス表
面１６ａで位置確認すれば二次電子像位置即ちデバイス
裏面の観察位置を見極めできる。なお、以上の動作の内
デバイス裏面の観察位置に対応するデバイス表面と同定
できる位置を模擬試料のデバイス表面に対応させ移行す
る手段を総してここでは位置転換手段１７と称する。
【００１７】実施例３．以下、この発明の実施例３を図
について説明する。図４はこの発明の実施例３における
裏面解析観察装置を示す模式図、図５は実施例３を説明
するための補促図でＡは解析試料のデバイス表面を時前
観察する状態図、ＢはＡの状態の解析試料の平面図、Ｃ
は観察状態における解析試料のデバイス裏面側の平面図
を示す。図において、１〜８，１１は実施例２と同様で
ありその説明は省略する。１８は解析試料６の図形を記
憶しているＣＡＤシステムである。
について説明する。図４はこの発明の実施例３における
裏面解析観察装置を示す模式図、図５は実施例３を説明
するための補促図でＡは解析試料のデバイス表面を時前
観察する状態図、ＢはＡの状態の解析試料の平面図、Ｃ
は観察状態における解析試料のデバイス裏面側の平面図
を示す。図において、１〜８，１１は実施例２と同様で
ありその説明は省略する。１８は解析試料６の図形を記
憶しているＣＡＤシステムである。
【００１８】次に動作について説明する。まず、試料台
３に装着した解析試料６をＳＥＭチャンバ４に入れる前
に実施例２と同様にして原点（Ｐ），識別しやすいパタ
ーン（Ｘ，Ｙ）を記憶させてからＳＥＭチャンバ４に入
れ電子ビーム１の二次電子像でそのパターンの位置を探
す。一方ＣＡＤシステム１８でデバイス表面図形を表示
しそのパターンを探し解析試料６のパターンと座標を線
対称で一致させアライメントを行う。ここでＣＡＤシス
テム１８と電子ビーム１の観察位置は連動することがで
きるようになっているのでＣＡＤシステム１８つまりデ
バイス表面図形で位置確認すれば二次電子像位置即ちデ
バイス裏面８ａの観察位置を見極めできる。なお、以上
の動作の内デバイス裏面の観察位置に対応するデバイス
表面と同定できる位置をＣＡＤシステムに対応させ移行
する手段を総してここでは位置転換手段１９と称する。
３に装着した解析試料６をＳＥＭチャンバ４に入れる前
に実施例２と同様にして原点（Ｐ），識別しやすいパタ
ーン（Ｘ，Ｙ）を記憶させてからＳＥＭチャンバ４に入
れ電子ビーム１の二次電子像でそのパターンの位置を探
す。一方ＣＡＤシステム１８でデバイス表面図形を表示
しそのパターンを探し解析試料６のパターンと座標を線
対称で一致させアライメントを行う。ここでＣＡＤシス
テム１８と電子ビーム１の観察位置は連動することがで
きるようになっているのでＣＡＤシステム１８つまりデ
バイス表面図形で位置確認すれば二次電子像位置即ちデ
バイス裏面８ａの観察位置を見極めできる。なお、以上
の動作の内デバイス裏面の観察位置に対応するデバイス
表面と同定できる位置をＣＡＤシステムに対応させ移行
する手段を総してここでは位置転換手段１９と称する。
【００１９】
【発明の効果】以上のように、この発明の請求項１によ
ればＳＥＭに半導体デバイス解析試料を載置しデバイス
裏面に照射する電子ビームの二次電子像を得てデバイス
裏面を解析観察する装置において、電子ビーム延長線上
に観察位置を一致して配置され解析観察位置に対応する
デバイスの表面を観察する光学顕微鏡装置を設け、請求
項２によればＳＥＭに半導体デバイス解析試料を載置し
デバイス裏面に照射する電子ビームの二次電子像を得て
デバイス裏面を解析観察する装置において、解析試料と
相似形状でなる模擬部材と、デバイス裏面の観察位置に
対応するデバイス表面部と同定できる位置を模擬部材の
デバイス表面に対応させ移行する位置転換手段と、模擬
試料のデバイス表面を観察する光学顕微鏡装置とを設
け、請求項３によればＳＥＭに半導体デバイス解析試料
を載置しデバイス裏面に照射する電子ビームの二次電子
像を得てデバイス裏面を解析観察する装置において、半
導体デバイス解析試料の図形を記憶したＣＡＤシステム
と、デバイス裏面の観察位置に対応するデバイス表面部
と同定できる位置をＣＡＤシステムのデバイス表面図形
に対応させ移行する位置転換手段とを設けるようにした
ので、いずれの場合においてもデバイス裏面の観察位置
がデバイス表面パターンを利用して正確に見極めでき詳
細な解析を可能とする裏面解析観察装置が得られる効果
がある。
ればＳＥＭに半導体デバイス解析試料を載置しデバイス
裏面に照射する電子ビームの二次電子像を得てデバイス
裏面を解析観察する装置において、電子ビーム延長線上
に観察位置を一致して配置され解析観察位置に対応する
デバイスの表面を観察する光学顕微鏡装置を設け、請求
項２によればＳＥＭに半導体デバイス解析試料を載置し
デバイス裏面に照射する電子ビームの二次電子像を得て
デバイス裏面を解析観察する装置において、解析試料と
相似形状でなる模擬部材と、デバイス裏面の観察位置に
対応するデバイス表面部と同定できる位置を模擬部材の
デバイス表面に対応させ移行する位置転換手段と、模擬
試料のデバイス表面を観察する光学顕微鏡装置とを設
け、請求項３によればＳＥＭに半導体デバイス解析試料
を載置しデバイス裏面に照射する電子ビームの二次電子
像を得てデバイス裏面を解析観察する装置において、半
導体デバイス解析試料の図形を記憶したＣＡＤシステム
と、デバイス裏面の観察位置に対応するデバイス表面部
と同定できる位置をＣＡＤシステムのデバイス表面図形
に対応させ移行する位置転換手段とを設けるようにした
ので、いずれの場合においてもデバイス裏面の観察位置
がデバイス表面パターンを利用して正確に見極めでき詳
細な解析を可能とする裏面解析観察装置が得られる効果
がある。
【図１】この発明の実施例１における裏面解析観察装置
を示す模式図である。
を示す模式図である。
【図２】この発明の実施例２における裏面解析観察装置
を示す模式図である。
を示す模式図である。
【図３】実施例２を説明するための補促図で、Ａは解析
試料のデバイス表面を時前観察する状態図、ＢはＡの状
態の解析試料の平面図、Ｃは観察状態における模擬試料
のデバイス表面の平面図、Ｄは観察状態における解析試
料のデバイス裏面の平面図を示すものである。
試料のデバイス表面を時前観察する状態図、ＢはＡの状
態の解析試料の平面図、Ｃは観察状態における模擬試料
のデバイス表面の平面図、Ｄは観察状態における解析試
料のデバイス裏面の平面図を示すものである。
【図４】この発明の実施例３における裏面解析観察装置
を示す模式図である。
を示す模式図である。
【図５】実施例３を説明するための補促図で、Ａは解析
試料のデバイス表面を時前観察する状態図、ＢはＡの状
態の解析試料の平面図、Ｃは観察状態における解析試料
のデバイス裏面の平面図を示すものである。
試料のデバイス表面を時前観察する状態図、ＢはＡの状
態の解析試料の平面図、Ｃは観察状態における解析試料
のデバイス裏面の平面図を示すものである。
【図６】従来の裏面解析観察装置を示す模式図である。
【図７】図６における裏面解析試料を示す模式図でＡに
平面をＢにその断面を示したものである。
平面をＢにその断面を示したものである。
１ 電子ビーム ２ 二次電子検出器 ５ ＳＥＭ ６ 半導体デバイス解析試料（解析試料） ８ａ デバイス裏面 ８ｂ デバイス表面 ９ 光学顕微鏡 １０ カメラ １２ モニター １３ 光学顕微鏡 １４ カメラ １５ モニター １６ 模擬試料 １６ａ 模擬試料のデバイス １７ 位置転換手段 １８ ＣＡＤシステム １９ 位置転換手段
Claims (3)
- 【請求項１】 ＳＥＭに半導体デバイス解析試料を載置
し上記解析試料のデバイス裏面に照射する電子ビームの
二次電子像を得て上記デバイス裏面を解析観察する裏面
解析観察装置において、上記電子ビーム延長線上に観察
位置を一致して配置され上記解析観察位置に対応する上
記デバイスの表面を観察する光学顕微鏡を備え観察した
上記表面の像によって上記裏面の二次電子像位置を見極
めできるようにしたことを特徴とする裏面解析観察装
置。 - 【請求項２】 ＳＥＭに半導体デバイス解析試料を載置
し上記解析試料のデバイス裏面に照射する電子ビームの
二次電子像を得て上記デバイス裏面を解析観察する裏面
解析観察装置において、上記解析試料と相似形状でなる
模擬試料と、上記デバイス裏面の観察位置に対応するデ
バイス表面と同定できる位置を上記模擬部材のデバイス
表面に対応させ移行する位置転換手段と、上記模擬部材
のデバイス表面を観察する光学顕微鏡装置とを備え、観
察した上記模擬部材の半導体デバイス表面の像によって
上記裏面の二次電子像位置を見極めできるようにしたこ
とを特徴とする裏面解析観察装置。 - 【請求項３】 ＳＥＭに半導体デバイス解析試料を載置
し上記解析試料のデバイス裏面に照射する電子ビームの
二次電子像を得て上記デバイス裏面を解析観察する裏面
解析観察装置において、上記半導体デバイス解析試料の
図形を記憶したＣＡＤシステムと、上記デバイス裏面の
観察位置に対応するデバイス表面部と同定できる位置を
上記ＣＡＤシステムのデバイス表面図形に対応させ移行
する位置転換手段とを備え上記ＣＡＤシステムの像によ
って上記裏面の二次電子像位置を見極めできるようにし
たことを特徴とする裏面解析観察装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6821693A JPH06283127A (ja) | 1993-03-26 | 1993-03-26 | 裏面解析観察装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6821693A JPH06283127A (ja) | 1993-03-26 | 1993-03-26 | 裏面解析観察装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06283127A true JPH06283127A (ja) | 1994-10-07 |
Family
ID=13367388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6821693A Pending JPH06283127A (ja) | 1993-03-26 | 1993-03-26 | 裏面解析観察装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06283127A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2792077A1 (fr) * | 1999-04-09 | 2000-10-13 | Centre Nat Etd Spatiales | Installation et procede d'observation microscopique d'un circuit electronique a semi-conducteur |
| US7202476B2 (en) | 2005-03-11 | 2007-04-10 | Jeol Ltd. | Charged-particle beam instrument |
| JP2008112596A (ja) * | 2006-10-30 | 2008-05-15 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査電子顕微鏡 |
-
1993
- 1993-03-26 JP JP6821693A patent/JPH06283127A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| FR2792077A1 (fr) * | 1999-04-09 | 2000-10-13 | Centre Nat Etd Spatiales | Installation et procede d'observation microscopique d'un circuit electronique a semi-conducteur |
| US6552341B1 (en) | 1999-04-09 | 2003-04-22 | Centre National D'etudes Spatiales | Installation and method for microscopic observation of a semiconductor electronic circuit |
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