JP2006141151A - スイッチング電源装置及び同期整流回路 - Google Patents

スイッチング電源装置及び同期整流回路 Download PDF

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Abstract

【課題】 オン・オフ動作停止時にスイッチ素子にかかる電圧ストレスを少ない部品点数で確実に抑制するスイッチング電源装置及び同期整流回路を提供する。
【解決手段】 FET25のゲート−ドレイン間には、ツェナーダイオード43が接続され、ゲートには同期整流ドライバ34が接続されている。通常動作時においては、FET25は、誘起電圧Vtransとは別系統となる同期整流ドライバ34のみで駆動するため、誘起電圧Vtransが増加しても、FET25のドレイン電圧Vds_S3がその耐圧を越えず、FETが破損することがない。また、同期整流停止時にドレイン電圧Vds_S3が上昇し、ツェナーダイオード43が導通すると、FET25のドレイン−ソース間が導通するため、当該ドレイン−ソース間に発生する電圧ストレスを抑制することができる。
【選択図】 図1

Description

本発明は、入力電圧を所望の出力電圧に変換するスイッチング電源装置に関し、このようなスイッチング電源装置などに使用され、入力に同期して整流する同期整流回路に関する。
従来、この種の同期整流回路を搭載したスイッチング電源装置としては、トランスの二次巻線に誘起される電圧の極性に同期して整流するものが知られている。とりわけ、高効率・応答特性を良くするため、スイッチング電源装置の整流部に使用される素子としてFETを用いたものがある。
しかし、このような同期整流回路をスイッチング電源装置に使用する場合には、スイッチング電源装置に使用されるインダクタンス素子に起因するサージ電圧からFETを保護する必要がある。
また、同期整流方式のスイッチング電源装置を共通する負荷に複数台(例えば2台)接続して並列運転を行った場合に、FETの持つ電流の双方向性により、一方のスイッチング電源装置に他方のスイッチング電源装置からの出力インダクタ電流が逆流し(逆電圧が印加され)、その結果、同期整流停止時にFETに過大な電圧ストレスが印加され、FETの故障に至る可能性があった。
上記問題を解決する手段として、特許文献1〜5に開示されるようなFETの保護を考慮した同期整流回路がある。
特許文献1には、FETのゲート端子とトランスの二次巻線の一端との間にツェナーダイオードを接続した同期整流回路が開示されている。これは、二次巻線に誘起される電圧をツェナーダイオードを介してFETのゲート−ソース間に入力するよう構成することにより、FETを駆動させて二次巻線の誘起電圧を同期整流すると共に、FETのゲート−ソース電圧をツェナー電圧分レベルシフトさせてFETの破損を防ぐようにしている。
特許文献2には、FETのゲート端子とトランスの二次巻線の一端との間にゲート駆動用コンデンサを接続し、ゲート端子とソース端子との間にツェナーダイオードを接続した同期整流回路が開示されている。これは、二次巻線に誘起される電圧をゲート駆動用コンデンサとFETのゲート容量とツェナーダイオードの静電容量で分割した電圧をゲート−ソース間に入力するよう構成することにより、FETを駆動させて二次巻線の誘起電圧を同期整流すると共に、FETのゲート−ソース間電圧をツェナー電圧でクランプしてFETの破損を防ぐようにしている。
特許文献3には、整流用及び転流用のFETのゲート端子それぞれに、トランスに設けた2つの二次補助巻線の一端を接続する一方、トランスの一次側に共振現象を止める手段を設けた同期整流回路が開示されている。これは、二次補助巻線に誘起される電圧を整流用FET及び転流用FETのゲート−ソース間に交互に入力するように構成することにより、整流用FET及び転流用FETを交互に駆動させて二次巻線の誘起電圧を同期整流すると共に、電源停止時に生じるトランスの一次側の共振現象を止めることで、2次側でのサージ電圧の発生を抑制し、FETの破損を防ぐようにしている。
特許文献4には、整流用FETのゲート端子とトランスの二次巻線の一端との間にコンデンサを接続し、転流用FETのゲート端子にトランスに設けた二次補助巻線の一端を接続し、整流用FET及び転流用FETのゲート電圧をそれぞれグランドレベルに落とす2つの補助FETを設けた同期整流回路が開示されている。これは、二次巻線に誘起される電圧をコンデンサと整流用FETのゲート容量とで分割した電圧を整流用FETのゲート−ソース間に入力し、二次補助巻線に発生するフライバック電圧を転流用ダイオードに入力するように構成している。なお、補助FETは、整流用FET及び転流用FETのゲート電圧を瞬時に放電させて、整流用FETと転流用FETとを速やかに切り換える手段として設けられている。これにより、整流用FETと転流用FETとを交互に駆動させて二次巻線の誘起電圧を同期整流すると共に、電源停止時に第2の補助FETがターンオフすると、転流用FETと第1の補助FETのゲート電圧が抵抗を介して徐々に放電し、転流用FETがターンオフする。そして、前記コンデンサが充電されてから第1の補助FETがターンオフすることにより、整流用FETのゲート端子に電荷がチャージされないようにして整流用FETの破損を防ぐようにしている。
特許文献5には、FETのゲート端子にトランスに設けた二次補助巻線の一端を接続し、ゲート端子とソース端子との間にツェナーダイオードとダイオードとからなる直列回路を接続した同期整流回路が開示されている。これは、二次補助巻線に誘起される電圧をゲート−ソース間に入力するよう構成することにより、FETを駆動させて二次巻線の誘起電圧を同期整流すると共に、FETのゲート−ソース間電圧をツェナー電圧でクランプしてFETの破損を防ぐようにしている。
特開平11−8974号公報 特開2000−156974号公報 特開2002−320385号公報 特開2004−15886号公報 特開2004−187387号公報
しかしながら、上記特許文献1〜5に開示される同期整流回路では、FETの駆動電圧に二次巻線又は二次補助巻線の誘起電圧を利用しているため、FETのドレイン−ソース間電圧が当該誘起電圧に左右されてしまうという問題があった。近年は広範囲な入力電圧に対応できるいわゆるワイドレンジ化に対応したスイッチング電源装置が市場で要求されており、入力電圧の大きな変化にも対応する必要がある。このような要求から入力電圧が増加すると、それに伴い二次巻線に誘起される電圧も増加し、ドレイン−ソース間電圧がその耐圧(絶対最大定格)を越え、FETが破損する虞があった。
また、入力電圧が一定であっても、FETのゲート−ソース間をツェナーダイオードでクランプするものでは、例えば負荷側からの逆流など何らかの原因でクランプする電圧が当該ツェナー電圧を大きく超えてしまうと、ツェナーダイオードで消費される電力が許容損失を超えてしまい故障する虞があり、その結果、FETも破損する虞があった。
そこで本発明は上記問題点に鑑み、スイッチ素子にかかる電圧ストレスを少ない部品点数で確実に抑制するスイッチング電源装置を提供することを目的とする。
また、同期整流停止時にスイッチ素子にかかる電圧ストレスを少ない部品点数で確実に抑制する同期整流回路を提供することを別の目的とする。
本発明における請求項1のスイッチング電源装置では、電力路を開閉する一対の開閉端子と駆動端子とを有するスイッチ素子を備えたスイッチング電源装置において、前記電力路からの電力とは別の電力を前記駆動端子に断続的に入力して前記スイッチ素子をオン・オフ動作させる駆動手段と、当該オン・オフ動作停止時に前記開閉端子間に印加される電圧に応じた駆動電力を前記駆動端子に入力する保護駆動手段とを備えている。
このようにすると、スイッチ素子の駆動端子に入力される電力が、電力路からの電力とは別系統となるため、スイッチング電源装置の入力電圧が増加しても、スイッチ素子の駆動電力は変化せず、スイッチ素子の破損を防ぐことができる。また、スイッチ素子のオン・オフ動作停止時には、保護駆動手段によりスイッチ素子の開閉端子間に印加される電圧に応じた駆動電力が駆動端子に入力されるため、開閉端子間の耐圧を越える電圧が印加された場合でも、それに応じて開閉端子間が導通し、開閉端子間に発生する電圧ストレスを抑制することができる。
本発明における請求項2のスイッチング電源装置では、前記オン・オフ動作停止時に前記駆動手段の出力をハイインピーダンスにする出力開放手段を備えている。
このようにすると、スイッチ素子の駆動端子に駆動手段と保護駆動手段とを共に接続しておいても、オン・オフ動作停止時には、駆動手段が切り離された状態となるため、両者を容易に切り換えることができる。
本発明における請求項3のスイッチング電源装置では、電力路を開閉する一対の開閉端子と駆動端子とを有するスイッチ素子を備えたスイッチング電源装置において、前記スイッチ素子をオン・オフ動作させる駆動手段と、当該オン・オフ動作停止時に前記開閉端子間に印加される電圧に応じた駆動電力を前記駆動端子に入力する保護駆動手段と、前記オン・オフ動作停止時に前記駆動手段の出力をハイインピーダンスにする出力開放手段とを備えている。
このようにすると、スイッチ素子のオン・オフ動作停止時には、保護駆動手段によりスイッチ素子の開閉端子間に印加される電圧に応じた駆動電力が駆動端子に入力されるため、開閉端子間の耐圧を越える電圧が印加された場合でも、それに応じて開閉端子間が導通し、開閉端子間に発生する電圧ストレスを抑制することができる。また、スイッチ素子の駆動端子に駆動手段と保護駆動手段とを共に接続しておいても、オン・オフ動作停止時には、駆動手段が切り離された状態となるため、両者を容易に切り換えることができる。
本発明における請求項4のスイッチング電源装置では、前記保護駆動手段は、前記開閉端子間に印加される電圧が所定値以上になると、前記所定値を超えた分の超過電圧に応じ増加する駆動電力を前記駆動端子に入力するものである。
このようにすると、例えば開閉端子間耐圧などの所定値までは、開閉端子間の導通を抑制することができ、無駄な電力を消費することがない。また、所定値を超えた分の超過電圧に応じて増加する駆動電力が前記駆動端子に入力されるため、開閉端子間に印加される電圧に対応した適切な駆動電力によりスイッチ素子のオン動作を行うことができる。
本発明における請求項5の同期整流回路では、電力路を開閉する一対の開閉端子と駆動端子とを有するスイッチ素子と、前記スイッチ素子の同期整流動作をさせる同期駆動手段と、当該同期整流動作停止時に前記同期駆動手段の出力をハイインピーダンスにする出力開放手段とを備え、ダイオードと定電圧素子との直列回路が前記開閉端子の一方と前記駆動端子との間に接続され、前記駆動端子と前記開閉端子の他方との間に抵抗が接続されている。
このようにすると、同期整流動作停止時には、定電圧素子によりスイッチ素子の開閉端子間に印加される電圧から所定の電圧分降下させた駆動電力が駆動端子に入力されるため、開閉端子間の耐圧を越える電圧が印加された場合には、それに応じて開閉端子間が導通し、開閉端子間に発生する電圧ストレスを抑制することができる。このとき、例えば開閉端子間耐圧などの所定値までは、定電圧素子が導通しないため、無駄な電力を消費することがない。その上、所定値を超えた分の超過電圧に応じて増加する駆動電力が駆動端子に入力されるため、開閉端子間に印加される電圧に対応した適切な駆動電力によりスイッチ素子のオン動作を行うことができる。
スイッチ素子の開閉端子間電圧は、定電圧素子と抵抗により分圧されるため、開閉端子間電圧が定電圧素子に設定された所定電圧を超えると、スイッチ素子の開閉端子間が導通することで、定電圧素子での損失が減少するため、定電圧素子が破損することはない。
さらに、スイッチ素子の駆動端子に同期駆動手段と保護駆動手段とを共に接続しておいても、同期整流動作停止時には、同期駆動手段が切り離された状態となるため、両者を容易に切り換えることができる。それに伴い、保護駆動手段に設けられたダイオードが、保護駆動手段を通じて流出する電流を阻止する。
本発明の請求項1によると、入力電圧の増加に容易に対応することができると共に、オン・オフ動作停止時にスイッチ素子にかかる電圧ストレスを確実に抑制するスイッチング電源装置を提供することができる。
本発明の請求項2によると、駆動手段と保護駆動手段とを容易に切り換えてスイッチ素子を保護することができる。
本発明の請求項3によると、オン・オフ動作停止時にスイッチ素子にかかる電圧ストレスを確実に抑制するスイッチング電源装置を提供することができる。
本発明の請求項4によると、無駄な電力消費を抑えながらスイッチ素子を保護することができる。
本発明の請求項5によると、入力電圧の増加に容易に対応することができると共に、少ない部品で同期整流停止時に当該同期整流回路を構成する各素子にかかる電圧ストレスを確実に抑制する同期整流回路を提供することができる。
以下、添付図面を参照しながら、本発明におけるスイッチング電源及び同期整流回路の好ましい実施例を説明する。
図1は、本発明における同期整流回路を備えたスイッチング電源装置を示す回路図である。同図において、1はスイッチング電源装置としてのDC−DCコンバータであり、一対の入力端子2a,2b(正極入力端子2a,負極入力端子2b)に接続された図示しない直流電源から電力を取り出し、所望の電圧値を有する直流電力に変換し、一対の出力端子3a,3b(正極出力端子3a,負極出力端子3b)から図示しない任意の負荷へ出力する。本実施例では、DC−DCコンバータ1をハーフブリッジ形コンバータ回路で構成している。
DC−DCコンバータ1の回路構成について詳述する。正極入力端子2aと負極入力端子2bとの間には、コンデンサ4,5の直列回路が接続される。また、正極入力端子2aには、例えばMOSFETからなるスイッチング素子6のドレインが接続される一方、負極入力端子2bには、例えばMOSFETからなるスイッチング素子7のソースが接続され、スイッチング素子6のソースとスイッチング素子7のドレインとが接続される。
DC−DCコンバータ1の入力側と出力側とを絶縁するトランス10は、一次巻線11と、二次巻線12とからなる。一次巻線11のドット側は、スイッチング素子6のソースとスイッチング素子7のドレインとの接続ラインに接続され、非ドット側は、コンデンサ4とコンデンサ5との接続ラインに接続される。18は、DC−DCコンバータ1の入力側と出力側とを絶縁するドライブトランスであり、一次巻線13,14と、二次巻線15とからなる。一次巻線13には、抵抗17が並列接続されると共に、そのドット側はスイッチング素子7のソースひいては負極入力端子2bに接続され、非ドット側はスイッチング素子7のゲートに接続される。一次巻線14には、抵抗16が並列接続されると共に、その非ドット側はスイッチング素子6のソースとスイッチング素子7のドレインとの接続ラインに接続され、ドット側はスイッチング素子6のゲートに接続される。
ドライブトランス18の二次巻線15はスイッチングドライバ35の出力端子OUTA,OUTB間に接続され、スイッチングドライバ35の入力端子INA,INBには、それぞれパルス発生器27のパルス出力端子OUT3,OUT2が接続される。スイッチングドライバ35の電源端子VDD及び接地端子GNDは、それぞれパルス発生器27の電源端子VDD及び接地端子GNDと接続される。スイッチングドライバ35は、後述するように、パルス発生器27から入力されるパルス信号と同期した出力電力を二次巻線15に供給することにより、スイッチング素子6,7をスイッチング動作させる。
トランス10の二次巻線12のドット側にはチョークコイル20の一端が接続され、非ドット側にはチョークコイル21の一端が接続される。一方、チョークコイル20の他端とチョークコイル21の他端とは、共に正極出力端子3aに接続される。正極出力端子3aと負極出力端子3bとの間には平滑コンデンサ22が接続され、この平滑コンデンサ22とチョークコイル20,21とにより平滑回路が構成される。
二次巻線12と前記平滑回路との間には同期整流回路23が挿入されている。同期整流回路23は、主に、スイッチ素子としての例えばMOS型のFET25,26と、ダイオード42のカソードとツェナーダイオード43のアノードとを接続した直列回路からなる保護駆動手段50と、ダイオード44のカソードとツェナーダイオード45のアノードとを接続した直列回路からなる保護駆動手段51と、同期駆動手段としての同期整流ドライバ34と、前記パルス発生器27とから構成されている。
FET25のドレインは二次巻線12の非ドット側に接続され、ソースは負極出力端子3bに接続される。FET25のゲート−ドレイン間には、ツェナーダイオード43のアノードがFET25のゲート側、ダイオード42のアノードがドレイン側となるよう保護駆動手段50が接続される一方、FET25のゲート−ソース間には抵抗40が接続される。また、FET25のゲートには同期整流ドライバ34の出力端子OUTBが接続される。
一方、FET26のドレインは二次巻線12のドット側に接続され、ソースは負極出力端子3bに接続される。FET26のゲート−ドレイン間には、ツェナーダイオード45のアノードがFET26のゲート側、ダイオード44のアノードがドレイン側となるよう保護駆動手段51が接続される一方、FET26のゲート−ソース間には抵抗41が接続される。また、FET26のゲートには同期整流ドライバ34の出力端子OUTAが接続される。なお、ダイオード42,44は、同期整流ドライバ34の出力端子OUTB,OUTAからFET25,26のドレインへの電流流出を阻止するために設けられている。
同期整流ドライバ34の入力端子INA,INBには、それぞれ抵抗28,30を介してパルス発生器27の出力端子OUT6,OUT4が接続される。同期整流ドライバ34の電源端子VDDは、スイッチングドライバ35と同様にパルス発生器27の電源端子VDDと接続されるが、接地端子GNDは、例えばMOS型のFET29のドレインに接続される。FET29のソースは、負極出力端子3bとパルス発生器27の接地端子GNDに接続され、ゲートは、パルス発生器27の出力端子OUT5と接続される。また、同期整流ドライバ34の接地端子GNDにはダイオード31,32のアノードが接続され、ダイオード31,32のカソードは、それぞれ同期整流ドライバ34の入力端子INA,INBに接続される。なお、同期整流ドライバ34の電源ラインとグランドラインとの間には、デカップリングコンデンサ33が接続されている。
次に、本発明における同期整流回路の作用について、図1及び図2を参照しながらDC−DCコンバータ1の動作と共に説明する。
図2は、DC−DCコンバータ1各部の電圧・電流波形を示したものである。Vcntは、パルス発生器27の出力端子OUT5から出力されるコントロール信号の電圧波形であり、コンバータもしくは同期整流ドライバ34ひいては同期整流回路23のみを停止させる時にLレベルになる信号である。コントロール信号VcntのHレベルがFET29のゲートへ出力されることにより、FET29がターンオンし、同期整流ドライバ34の接地端子GNDがパルス発生器27の接地端子GND,スイッチングドライバ35の接地端子GND,負極出力端子3bなどと接地される。コントロール信号VcntのLレベルがFET29のゲートへ出力されると、FET29がターンオフし、同期整流ドライバ34の接地端子GNDが切り離された状態となり、同期整流ドライバ34の出力端子OUTA,OUTBが共にハイインピーダンス(高抵抗状態)となる。従って、本実施例においては、コントロール信号Vcntを出力するパルス発生器27やFET29などが出力開放手段に相当する。言い換えると、パルス発生器27やFET29などは同期整流器ON/OFF制御手段として機能している。同期整流ドライバ34に例えば出力イネーブル端子などが用意されている場合には、FET29を設けなくてもよく、コントロール信号Vcntを直接出力イネーブル端子に入力すればよい。
スイッチング素子6,7のゲート−ソース間電圧であるスイッチング電圧を示したものがVgs_S1,Vgs_S2であり、スイッチング素子6,7が交互にスイッチング動作する様子を表している。当該スイッチング動作について詳述する。パルス発生器27では、DC−DCコンバータ1の出力を安定させるために、例えばPWM制御されたスイッチングパルスが生成され、出力端子OUT3,OUT2からスイッチングドライバ35の入力端子INA,INBへそれぞれ出力される。スイッチングドライバ35は、前記スイッチングパルスを基に、出力端子OUTA,OUTB間に接続されたドライブトランス18の二次巻線15へ交流電流を流す。
二次巻線15のドット側から非ドット側へと電流が流れた場合には、ドライブトランス18の特性から、一次巻線14のドット側に正の電圧が誘起され、一次巻線13の非ドット側に負の電圧が誘起される。すなわち、スイッチング素子6のスイッチング電圧Vgs_S1がHレベル(正の電圧)になる一方、スイッチング素子7のスイッチング電圧Vgs_S2がLレベル以下(負の電圧)になる。反対に、二次巻線15の非ドット側からドット側へと電流が流れた場合には、一次巻線13の非ドット側に正の電圧が誘起され、一次巻線14のドット側に負の電圧が誘起される。すなわち、スイッチング素子7のスイッチング電圧Vgs_S1がHレベル(正の電圧)になる一方、スイッチング素子6のスイッチング電圧Vgs_S2がLレベル以下(負の電圧)になる。このようにして、スイッチング素子6,7が交互にスイッチング動作する。なお、スイッチング電圧Vgs_S1,Vgs_S2には、スイッチング素子6,7が同時にターンオンしないように、少なくとも、ある所定の時間だけ両者がLレベルになるリセット期間が設けられている。
スイッチング素子6がターンオンのときは、正極入力端子2aからトランス10の一次巻線11を通してコンデンサ4,5へ電流が流れ込む。このとき、一次巻線11に流れる電流はドット側から非ドット側へ流れるため、二次巻線12のドット側に電圧が誘起される。一方、スイッチング素子7がターンオンのときは、コンデンサ4,5から一次巻線11を通して負極入力端子2bへ電流が流れ出す。このとき、一次巻線11に流れる電流は非ドット側からドット側へ流れるため、二次巻線12の非ドット側に電圧が誘起される。この二次巻線12に誘起される交流電圧が、二次巻線12の誘起電圧Vtransとなる。誘起電圧Vtransは、後述するように、同期整流回路23により整流されると共に、チョークコイル20,21や平滑コンデンサ22により平滑され、正極出力端子3aと負極出力端子3bとの間に接続された前記負荷に出力されることとなる。
同期整流回路23は、FET25,26を交互にターンオンさせることにより、誘起電圧Vtransを同期整流する。FET25,26のゲート−ソース間電圧である駆動電圧を示したものがVgs_S3,Vgs_S4であり、FET25,26が交互にターンオンする様子を表している。当該同期整流動作について詳述する。パルス発生器27では、前記スイッチングパルスに同期した同期パルスが生成され、出力端子OUT6,OUT4から同期整流ドライバ34の入力端子INA,INBへそれぞれ出力される。同期整流ドライバ34は、前記同期パルスを基に、出力端子OUTB,OUTAからFET25,26のゲートへ、駆動電圧Vgs_S3,Vgs_S4を出力する。もちろん、パルス発生器27が十分なドライブ能力を有している場合には、パルス発生器27を同期駆動手段として、出力端子OUT6,OUT4から出力される同期パルスを駆動電圧Vgs_S3,Vgs_S4としてFET25,26のゲートへ出力してもよい。
駆動電圧Vgs_S3,Vgs_S4は、前記同期パルスによりスイッチングパルスひいてはスイッチング素子6,7のスイッチング電圧Vgs_S1,Vgs_S2と同期しており、駆動電圧Vgs_S3はスイッチング電圧Vgs_S2のオフ期間(Lレベル以下の期間)にHレベルとなり、駆動電圧Vgs_S4はスイッチング電圧Vgs_S1のオフ期間にHレベルとなるよう構成されている。言い換えると、スイッチング素子6がターンオンして誘起電圧Vtransが正となるときには、FET25がターンオンし、FET26がターンオフする一方、スイッチング素子7がターンオンして誘起電圧Vtransが負となるときには、FET25がターンオフし、FET26がターンオンする。すなわち、同期整流回路23は、その入力電圧となる誘起電圧Vtransに同期してFET25,26をオン・オフ動作させることにより、同期整流動作を行う。なお、前記リセット期間時には、駆動電圧Vgs_S3と駆動電圧Vgs_S4とが共にHレベルとなる。
FET25のゲートにHレベルの駆動電圧Vgs_S3が入力され、FET26のゲートに駆動電圧Vgs_S4が入力されない(Lレベルが入力される)と、FET25がターンオンし、FET26がターンオフする。こうなると、二次巻線12→チョークコイル20→正極出力端子3a→(負荷)→負極出力端子3b→FET25→二次巻線12に至る閉路が形成され、正の誘起電圧Vtransが整流されることとなる。同時に、チョークコイル21→正極出力端子3a→(負荷)→負極出力端子3b→FET25→チョークコイル21に至る閉路も形成される。このとき、チョークコイル20ではエネルギが蓄えられる一方、チョークコイル21では蓄えられたエネルギが放出される。
同様に、FET26のゲートにHレベルの駆動電圧Vgs_S4が入力され、FET25のゲートに駆動電圧Vgs_S3が入力されない(Lレベルが入力される)と、FET26がターンオンし、FET25がターンオフする。こうなると、二次巻線12→チョークコイル21→正極出力端子3a→(負荷)→負極出力端子3b→FET26→二次巻線12に至る閉路が形成され、負の誘起電圧Vtransが整流されることとなる。同時に、チョークコイル20→正極出力端子3a→(負荷)→負極出力端子3b→FET26→チョークコイル20に至る閉路も形成される。このとき、チョークコイル21ではエネルギが蓄えられる一方、チョークコイル20では蓄えられたエネルギが放出される。すなわち、FET25,26は整流素子であると同時に転流素子としても機能する。
なお、ILf1,ILf2はチョークコイル20,21を流れるチョークコイル電流であり、チョークコイル20,21にエネルギが蓄えられる又は放出されることにより、増減を繰り返し脈動しながら流れる。
ここで、FET25,26の周辺回路について詳述する。
誘起電圧Vtransが正となる期間は、FET26がターンオフしているため、当該ドレイン−ソース間に誘起電圧Vtransが印加される。また、FET26のゲートに駆動電圧Vgs_S4が入力されていないため、当該ゲート−ドレイン間にも誘起電圧Vtransが印加されることとなる。このとき、当該ゲート−ドレイン間には、保護駆動手段51が接続されているが、ツェナーダイオード45は、誘起電圧Vtrans程度の電圧では導通しないツェナー電圧Vzが設定されているため、FET26のゲート電圧が上昇することはない。従って、FET26のオフ状態が維持される。同様に、ツェナーダイオード43は、誘起電圧Vtrans程度の電圧では導通しないツェナー電圧Vzが設定されているため、FET25のゲート−ソース電圧が上昇することはない。従って、FET25のオフ状態が維持される。
このように、FET25,26のゲート−ドレイン間には、スレッシュホールド(閾値)を持つ部品であるツェナーダイオード43,45を接続しているため、通常動作時においては、FET25,26は、誘起電圧Vtransとは別系統となる同期整流ドライバ34のみで駆動する。従って、DC−DCコンバータ1の入力電圧の増加に伴い二次巻線12に誘起される誘起電圧Vtransが増加しても、FET25,26のドレイン−ソース間電圧Vds_S3,Vds_S4(以下、ドレイン電圧Vds_S3,Vds_S4という)がその耐圧を越えず、FETが破損することがない。
ところで、こうした同期整流方式のDC−DCコンバータ1を共通する負荷に複数台接続して並列運転を行った場合には、負荷変動などの何らかの原因で他方のDC−DCコンバータ1の出力電圧が上昇してしまうことがある。このような場合、一方のDC−DCコンバータ1のチョークコイル電流ILf1,ILf2は逆流し、負の電流になる。この時にDC−DCコンバータ1を停止させるとコントロール信号VcntはLレベルになり、図2の期間Tになる。期間Tでは、スイッチング電圧Vgs_S1,Vgs_S2の供給が停止するに伴い、誘起電圧Vtransの発生が停止している。このとき、コントロール信号VcntもLレベルとなるため、前述したように、同期整流ドライバ34の出力端子OUTA,OUTBが共にハイインピーダンスとなる。すなわち、同期整流ドライバ34の出力端子OUTA,OUTBが、等価的にFET25,26のゲートから切り離された状態となる。図2の駆動電圧Vgs_S3のように、Hレベルのときに停止すると、FET25のゲート−ソース間電圧が抵抗40により放電され、徐々に減少していく。
以下、スイッチング動作停止時におけるFET25,26の保護について説明する。なお、都合上FET25についてのみ説明するが、FET26については、周辺回路等の符号が変わるだけで内容はFET25と略同じである。
正極出力端子3aから他の出力電流が逆流し、チョークコイル20,21のチョークコイル電流ILf1,ILf2が負向きだと、FET25のドレイン−ソース間に他のDC−DCコンバータ1の出力電圧Voとチョークコイル20,21の起電力によるサージ電圧との和となるサージ電圧Vsが印加されることとなる。一般に、MOS型FETなどでは、ゲート−ソース間の耐圧よりもドレイン−ソース間の耐圧の方が大きいため、かなりの大きさのサージ電圧Vsが印加されても耐えることができるが、サージ電圧Vsが誘起電圧Vtransよりも大きく、FET25のドレイン電圧Vds_S3がその耐圧付近にまで達してしまう場合には、保護駆動手段50によりFET25が保護されることとなる。
ドレイン電圧Vds_S3がその耐圧以下の所定値すなわちツェナーダイオード43の閾値であるツェナー電圧Vzに達すると、ツェナーダイオード43が導通し、当該ゲート−ソース電圧である駆動電圧Vgs_S3が上昇する。このとき、ツェナーダイオード43がFET25のゲート電位に負帰還をかけ、駆動電圧Vgs_S3がそれ以上低下しないように作用する。すなわち、駆動電圧Vgs_S3は、サージ電圧Vsからツェナーダイオード43のツェナー電圧Vzを引いた電圧(Vgs_S3=Vs−Vz)に固定され、FET25のゲートに入力される(ダイオード42の順方向降下電圧は考慮していない)。言い換えると、ドレイン電圧Vds_S3,Vds_S4は、ツェナー電圧Vzをツェナーダイオード43,45と抵抗40,41とにより分圧した電圧となる。
その後、駆動電圧Vgs_S3がFET25のゲート閾値電圧を越えると、FET25がターンオンするが、駆動電圧Vgs_S3が低い間は線形領域となるため、当該ドレイン電流は駆動電圧Vgs_S3に比例して増加することとなる。このようにして、FET25のドレイン−ソース間の耐圧を越える大きさの電圧が印加された場合には、それに応じた(比例した)駆動電圧Vgs_S3がゲートに入力されることにより、ドレイン−ソース間が導通するため、当該ドレイン−ソース間に発生する電圧ストレスを抑制することができる。なお、本実施例では、ドレイン電圧Vds_S3がツェナー電圧Vzを超えても、FET25のドレイン−ソース間が導通することで、ツェナーダイオード43での損失が減少するため、ツェナーダイオード43が破損することはない。
以上のように本実施例では、電力路を開閉する一対の開閉端子としてのドレイン,ソースと駆動端子としてのゲートとを有するスイッチ素子としてのFET25,26を備えたスイッチング電源装置としてのDC−DCコンバータ1において、前記電力路からの電力としての誘起電圧Vtransとは別の電力である駆動電圧Vgs_S3,Vgs_S4をゲートに断続的に入力してFET25,26のオン・オフ動作させる駆動手段としての同期整流ドライバ34(パルス発生器27)と、当該オン・オフ動作停止時にドレイン電圧Vds_S3,Vds_S4に応じた駆動電力としての駆動電圧Vgs_S3,Vgs_S4をゲートに入力する保護駆動手段50,51とを備えている。
このようにすると、FET25,26のゲートに入力される電力が、誘起電圧Vtransとは別系統となるため、DC−DCコンバータ1の入力電圧が増加しても、FET25,26の駆動電圧Vgs_S3,Vgs_S4は変化せず、FET25,26の破損を防ぐことができる。また、FET25,26のオン・オフ動作停止時には、保護駆動手段50,51によりFET25,26のドレイン電圧Vds_S3,Vds_S4に応じた駆動電圧Vgs_S3,Vgs_S4がゲートに入力されるため、ドレイン−ソース間の耐圧を越えるドレイン電圧Vds_S3,Vds_S4が印加された場合でも、それに応じてドレイン−ソース間が導通し、ドレイン−ソース間に発生する電圧ストレスを抑制することができる。以上より、入力電圧の増加に容易に対応することができると共に、オン・オフ動作停止時にFET25,26にかかる電圧ストレスを確実に抑制する同期整流回路を提供することができる。
さらに本実施例のDC−DCコンバータ1では、前記オン・オフ動作停止時に同期整流ドライバ34の出力をハイインピーダンスにする出力開放手段としてのパルス発生器27,FET29を備えている。
このようにすると、FET25,26のゲートに同期整流ドライバ34と保護駆動手段50,51とを共に接続しておいても、オン・オフ動作停止時には、同期整流ドライバ34が切り離された状態となるため、両者を容易に切り換えることができる。以上より、同期整流ドライバ34と保護駆動手段50,51とを容易に切り換えてFET25,26を保護することができる。
また本実施例のDC−DCコンバータ1では、電力路を開閉する一対のドレイン,ソースとゲートとを有するFET25,26を備えたDC−DCコンバータ1において、FET25,26をオン・オフ動作させる同期整流ドライバ34(パルス発生器27)と、当該オン・オフ動作停止時にドレイン電圧Vds_S3,Vds_S4に応じた駆動電圧Vgs_S3,Vgs_S4をゲートに入力する保護駆動手段50,51と、前記オン・オフ動作停止時に同期整流ドライバ34の出力をハイインピーダンスにするパルス発生器27,FET29とを備えている。
このようにすると、FET25,26のオン・オフ動作停止時には、保護駆動手段50,51によりFET25,26のドレイン電圧Vds_S3,Vds_S4に応じた駆動電圧Vgs_S3,Vgs_S4がゲートに入力されるため、ドレイン−ソース間の耐圧を越えるドレイン電圧Vds_S3,Vds_S4が印加された場合でも、それに応じてドレイン−ソース間が導通し、ドレイン−ソース間に発生する電圧ストレスを抑制することができる。また、FET25,26のゲートに同期整流ドライバ34と保護駆動手段50,51とを共に接続しておいても、オン・オフ動作停止時には、同期整流ドライバ34が切り離された状態となるため、両者を容易に切り換えることができる。以上より、オン・オフ動作停止時にFET25,26にかかる電圧ストレスを確実に抑制する同期整流回路を提供することができる。
また本実施例のDC−DCコンバータ1では、保護駆動手段50,51は、FET25,26のドレイン電圧Vds_S3,Vds_S4が所定値としてのツェナーダイオード43,45のツェナー電圧Vz以上になると、ツェナー電圧Vzを超えた分の超過電圧に応じて増加する駆動電圧Vgs_S3,Vgs_S4をゲートに入力するものである。
このようにすると、例えばドレイン−ソース間耐圧などの所定値までは、FET25,26の開動作を抑制することができ、無駄な電力を消費することがない。また、ツェナー電圧Vzを超えた分の超過電圧に応じて増加する駆動電圧Vgs_S3,Vgs_S4がゲートに入力されるため、ドレイン電圧Vds_S3,Vds_S4に対応した適切な駆動電圧Vgs_S3,Vgs_S4によりFET25,26の開動作を行うことができる。以上より、無駄な電力消費を抑えながらFET25,26を保護することができる。
また本実施例の同期整流回路23では、電力路を開閉する一対の開閉端子としてのドレイン,ソースと駆動端子としてのゲートとを有するスイッチ素子としてのFET25,26と、FET25,26の同期整流動作をさせる同期駆動手段としての同期整流ドライバ34(パルス発生器27)と、当該同期整流動作停止時にドレイン電圧Vds_S3,Vds_S4に応じた駆動電力としての駆動電圧Vgs_S3,Vgs_S4をゲートに入力する保護駆動手段50,51とを備え、ダイオード42,44と定電圧素子としてのツェナーダイオード43,45との直列回路がドレインとゲートとの間に接続され、ゲートとソースとの間に抵抗40,41が接続されている。
このようにすると、同期整流動作停止時には、ツェナーダイオード43,45によりFET25,26のドレイン電圧Vds_S3,Vds_S4から所定の電圧分降下させた駆動電力が駆動端子に入力されるため、ドレイン−ソース間の耐圧を越えるドレイン電圧Vds_S3,Vds_S4が印加された場合には、それに応じてドレイン−ソース間が導通し、ドレイン−ソース間に発生する電圧ストレスを抑制することができる。このとき、例えばドレイン−ソース間耐圧などの所定値までは、ツェナーダイオード43,45が導通しないため、無駄な電力を消費することがない。その上、ツェナー電圧Vzを超えた分の超過電圧に応じて増加する駆動電圧Vgs_S3,Vgs_S4がゲートに入力されるため、ドレイン電圧Vds_S3,Vds_S4に対応した適切な駆動電圧Vgs_S3,Vgs_S4によりFET25,26の開動作を行うことができる。
FET25,26のドレイン電圧Vds_S3,Vds_S4は、ツェナーダイオード43,45と抵抗40,41により分圧されるため、ドレイン電圧Vds_S3,Vds_S4がツェナーダイオード43,45に設定されたツェナー電圧Vzを超えると、FET25,26のドレイン−ソース間が導通することで、ツェナーダイオード43,45での損失が減少するため、ツェナーダイオード43,45が破損することはない。
さらに、FET25,26のゲートに同期整流ドライバ34と保護駆動手段50,51とを共に接続しておいても、同期整流動作停止時には、同期整流ドライバ34が切り離された状態となるため、両者を容易に切り換えることができる。それに伴い、保護駆動手段50,51に設けられたダイオード42,44が、保護駆動手段50,51を通じて流出する電流を阻止する。以上より、誘起電圧Vtransの増加に容易に対応することができると共に、少ない部品で同期整流停止時に当該同期整流回路を構成する各素子にかかる電圧ストレスを確実に抑制する同期整流回路を提供することができる。
なお、本発明は、上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で変更可能である。保護対象となるスイッチ素子は本実施例のようなFETに限らず、例えばバイポーラトランジスタなどの各種スイッチ素子の保護に本発明を適用することもでき、上記実施例においてもFET25,26に限らず、スイッチング素子6,7に適用することも可能である。また、例えばマイコンやシステムLSIなどにより、同期整流ドライバ34,スイッチングドライバ35,パルス発生器27などを一体に構成してもよい。
上記実施例では、スイッチ素子のオン・オフ動作に同期整流ドライバ34を使用しているが、このような他励ドライブに限らず、従来例のように、トランス10の二次巻線12などに接続した自励ドライブとしてもよい。この場合、出力開放手段としては、例えばFETやリレーなどが考えられる。
その他、本発明の同期整流回路23をハーフブリッジ形コンバータ回路以外の各種電源装置に使用可能であるのはもちろんのこと、整流を必要とするあらゆる製品に適用可能である。
本発明の第1実施例における同期整流回路を利用したDC−DCコンバータの構成を示す回路図である。 同上、DC−DCコンバータの各部動作を示す波形図である。
符号の説明
23 同期整流回路
25,26 FET(スイッチ素子)
27 パルス発生器(駆動手段,同期駆動手段,出力開放手段)
29 FET(出力開放手段)
34 同期整流ドライバ(駆動手段,同期駆動手段)
40,41 抵抗
42,44 ダイオード
43,45 ツェナーダイオード(定電圧素子)
50,51 保護駆動手段

Claims (5)

  1. 電力路を開閉する一対の開閉端子と駆動端子とを有するスイッチ素子を備えたスイッチング電源装置において、前記電力路からの電力とは別の電力を前記駆動端子に断続的に入力して前記スイッチ素子をオン・オフ動作させる駆動手段と、当該オン・オフ動作停止時に前記開閉端子間に印加される電圧に応じた駆動電力を前記駆動端子に入力する保護駆動手段とを備えたことを特徴とするスイッチング電源装置。
  2. 前記オン・オフ動作停止時に前記駆動手段の出力をハイインピーダンスにする出力開放手段を備えたことを特徴とする請求項1に記載のスイッチング電源装置。
  3. 電力路を開閉する一対の開閉端子と駆動端子とを有するスイッチ素子を備えたスイッチング電源装置において、前記スイッチ素子をオン・オフ動作させる駆動手段と、当該オン・オフ動作停止時に前記開閉端子間に印加される電圧に応じた駆動電力を前記駆動端子に入力する保護駆動手段と、前記オン・オフ動作停止時に前記駆動手段の出力をハイインピーダンスにする出力開放手段とを備えたことを特徴とするスイッチング電源装置。
  4. 前記保護駆動手段は、前記開閉端子間に印加される電圧が所定値以上になると、前記所定値を超えた分の超過電圧に応じ増加する駆動電力を前記駆動端子に入力するものであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載のスイッチング電源装置。
  5. 電力路を開閉する一対の開閉端子と駆動端子とを有するスイッチ素子と、前記スイッチ素子の同期整流動作をさせる同期駆動手段と、当該同期整流動作停止時に前記同期駆動手段の出力をハイインピーダンスにする出力開放手段とを備え、ダイオードと定電圧素子との直列回路が前記開閉端子の一方と前記駆動端子との間に接続され、前記駆動端子と前記開閉端子の他方との間に抵抗が接続されたことを特徴とする同期整流回路。

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