JP4745043B2 - 電源回路 - Google Patents
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Description
図1及び図2によって本発明に係る電源装置の実施形態1について説明する。図1はこの電源装置100の回路構成を示す図、図2は電源装置100の各部の電圧波形又は電流波形を示す図である。図1において、直流入力端子1と2とに直列にトランス3の1次巻線3aとスイッチング用電界効果トランジスタ(以下、スイッチング用FETという。)4とが直列に接続されている。スイッチング用FET4は一般的な電力用のMOSFETなどであって、ボディダイオード(寄生ダイオード)を有するが、ボディダイオードは図示するのを省略する。直流入力端子1と2との間には、スイッチング用FET4を制御する制御回路5が接続されている。トランス3の2次巻線3bに直列に第1の整流素子として働く整流用FET6が接続され、トランス3の2次巻線3bと整流用FET6とに跨って第2の整流素子として働く整流用FET7が接続されている。整流用FET6、7はボディダイオード(寄生ダイオード)をそれぞれ有するが、ボディダイオードは図示するのを省略する。以下の実施形態でも同様である。
次に、図3によって実施形態2に係る電源回路200について説明する。図3において、図1で用いた記号と同じ記号は図1の部材と同じ名称の部材を示すものとする。電源回路100では整流用FET6、7としてNチャネル型のFETを用いたが、電源回路200ではPチャネル型の整流用FET6、7を用いている。整流用FET6、7がPチャネル型のFETである点を除いて、基本的な構成、動作は同じであるので、関連する異なる点についてだけ説明する。整流用FET6のゲートは、制限用抵抗11を介して第3の巻線3cの端子a、つまり極性を示す黒点側とは別の側の端子に接続される。整流用FET7のゲートは、制限用抵抗12を介して第3の巻線3cの端子b、つまり極性を示す黒点側の端子に接続される。したがって、第3の巻線3cの黒点側の端子bが負の極性の電圧、つまり端子aの電圧が正に変わるときに整流用FET6はオフするが、このときインダクタ9に蓄えられていたエネルギーがダイオードD2を通して放出されるので、ダイオードD2の順方向電圧降下分だけ、整流用FET6のゲートの電圧はソース電圧よりも高くなり、したがって、整流用FET6のゲート容量に充電されていた電荷は高速で放電され、整流用FET6が高速でオフする。この電源回路200においても整流用FETを安定に動作させることができると同時に、整流用FETのスイッチング損失を低減することができる。なお、整流回路8のダイオードD1とD2とのカソード同士は配線30によって、通常接地される負側の出力端子15に接続されると共に、整流用FET6、7の一方の主端子であるソース端子に接続されている。
次に、図4によって実施形態3に係る電源回路300について説明する。図4において、図1又は図3で用いた記号と同じ記号はそれら図の部材と同じ名称の部材を示すものとする。電源回路300では、整流用FET6のゲートは第3の巻線3cの端子bにゲート回路31を通して接続され、整流用FET7のゲートは第3の巻線3cの端子aにゲート回路32を通して接続されている。ゲート回路31、32は互いに同様な回路構成のもので、コンデンサ10aからなるインピーダンス素子10と並列に接続された2次側制御回路33からの制御信号A、Bで動作するものであり、例えば図示しないスイッチ半導体素子及び制限抵抗などからなる。2次側制御回路33はインピーダンス素子10のコンデンサ10aの電圧を電源電圧として動作し、出力電圧検出回路17からの検出電圧が過不足であるか判定して、過不足の状態が発生したらゲート回路31、32に信号を送出してゲート回路31、32をオフにし、整流用FET6、7のゲートを遮断して整流用FET6、7をオフさせるように制御するものである。2次側制御回路33が過電流制限などを行っても勿論よい。なお、整流回路8のダイオードD1とD2とのアノード同士を接続した側は配線40によって、通常接地される負側の直流出力端子16に接続されている。
次に、図5によって実施形態4に係る電源回路400について説明する。図5において、図1、図3、図4で用いた記号と同じ記号はそれら図の部材と同じ名称の部材を示すものとする。電源回路400は2台のDC−DCコンバータを並列接続した構成の電源であり、整流素子7Xとしてショットキーバリアダイオードのような順方向電圧降下の小さなダイオードが用いられている。整流素子7Xは2台のDC−DCコンバータで共通に用いられる。第2のトランス3’は1次巻線3’a、2次巻線3’b、第3の巻線3’cを有し、1次巻線3’aと直列にスイッチング用FET4’が接続されている。第2のトランス3’の2次巻線3’bと直列に第2の整流用FET6’が接続され、これらは整流素子7Xの両端に跨って接続されている。第3の巻線3’cにはダイオードD1’とD2’とからなる第2の整流回路8’が接続され、その出力側には第2のインダクタ9’と第2のインピーダンス素子10’とが接続されている。また、第3の巻線3’cの極性を示す黒点側には制限用抵抗11’を介して整流用FET6’のゲートが接続されている。インピーダンス素子10’は互いに並列接続されているコンデンサ10’aと抵抗10’bとからなる。ここでトランス3’の第3の巻線3’c、第2の整流回路8’、第2のインダクタ9’及び第2のインピーダンス素子10’は第2の整流用FET6’を駆動するための第2の駆動回路を構成する。なお、整流回路8のダイオードD1とD2とのアノード同士を接続した側、及び整流回路8’のダイオードD1’とD2’とのアノード同士を接続した側は配線40によって、直流出力端子16に接続されている。
次に、図6によって実施形態5に係る電源回路500について説明する。図6において、図1、図3、図4、図5で用いた記号と同じ記号はそれら図の部材と同じ名称の部材を示すものとする。トランス3は同一方向に巻かれた二つの1次巻線3a、3a’を互いに直列に接続してなる1次巻線と、同一方向に巻かれた二つの2次巻線3b、3b’を互いに直列に接続してなる2次巻線とを有する。また、トランス3は第3の巻線3c、第4の巻線3dを備える。1次巻線3aと3a’との接続点には直流入力端子1に接続され、1次巻線3aと3a’の他端にはMOSFETのようなスイッチング用半導体素子4Aと4Bの一方の主端子が接続され、他方の主端子同士は保護用抵抗61を通して直流入力端子2に接続されている。スイッチング用半導体素子4Aと4Bは、制御回路5からの制御信号によって交互にオンオフ動作を行う。
次に、図7によって実施形態6に係る電源回路600について説明する。図7において、図1、図3ないし図6で用いた記号と同じ記号はそれら図の部材と同じ名称の部材を示すものとする。電源回路600では、Nチャネル型MOSFETからなるスイッチング半導体素子4A、Pチャネル型MOSFETからなるスイッチング半導体素子4Bとコンデンサ71と72をブリッジ構成にしたハーフブリッジ型インバータをトランス3の1次巻き線3aに接続している。この動作については良く知られているので説明を省略する。トランス3の2次側の回路構成は基本的には前述の電源回路500と同様であるので説明を省くが、インピーダンス素子10、10’がそれぞれ互いに並列接続されたツェナーダイオード10a、10’aと抵抗10b、10’bとからなる。その2次回路の動作は前述と同じであるので説明を省く。
次に、図8によって実施形態7に係る電源回路700について説明する。図8において、図1、図3ないし図7で用いた記号と同じ記号はそれら図の部材と同じ名称の部材を示すものとする。電源回路700では、Nチャネル型MOSFETからなるスイッチング半導体素子4Aと4B、Pチャネル型MOSFETからなるスイッチング半導体素子4Cと4Dをブリッジ構成にしたフルブリッジ型インバータをトランス3の1次巻線3aに接続している。このフルブリッジ型インバータの動作については良く知られているので、説明を省略する。また、トランス3の2次側の回路構成は前述の電源回路500と同様であり、動作も同様であるので、説明を省くが、この電源回路700でも前述した電源回路と同様な効果を得ることができる。
3、3’・・・トランス
3a、3a’・・・トランス3の1次巻線
3b、3b’・・・トランス3の2次巻線
3c・・・トランス3の第3の巻線
3d・・・トランス3の第4の巻線
4・・・スイッチング半導体素子
5・・・制御回路
5・・・制御回路
6、6’・・・整流用FET
7・・・整流素子(又は整流用FET)
8、8’・・・整流回路
9、9’・・・インダクタ
10、10’・・・インピーダンス素子
11、12・・・制限用抵抗
13・・・平滑用チョークコイル
14・・・平滑用コンデンサ
15、16・・・直流出力端子
17・・・出力電圧検出抵抗器
18・・・負荷
19・・・絶縁回路
31・・・2次側制御回路
20、30、40、50、60、70、70’・・・配線
Claims (2)
- 1次巻線と2次巻線と第3の巻線とを有するトランスと、前記1次巻線に直列に接続されているスイッチング半導体素子と、該スイッチング半導体素子を制御する制御回路と、前記2次巻線と直列に接続されている第1の整流素子と、前記2次巻線と前記第1の整流素子とに跨って接続されている第2の整流素子と、駆動回路と、前記第2の整流素子に跨って接続されている出力平滑用回路とを備える電源回路において、
前記第1の整流素子及び前記第2の整流素子の少なくとも一方は整流用FETとして働くNチャネル型の電界効果トランジスタからなり、
前記駆動回路は、前記電界効果トランジスタを駆動するものであって、前記第3の巻線と、該第3の巻線のそれぞれの端子にカソードが接続され、かつアノード同士が一緒に接続された第1のダイオードと第2のダイオードと、該第2のダイオードに並列で、かつ互いに直列に接続されたインダクタンス素子とインピーダンス素子とからなり、
前記電界効果トランジスタのゲートは、前記第3の巻線の一方の端子又は他方の端子に接続され、前記電界効果トランジスタのソースは、前記第1のダイオード及び前記第2のアノード同士の接続側に接続され、
前記スイッチング半導体素子がオフすることにより、前記第3の巻線から前記インダクタンス素子に流れていた電流がゼロになり、前記インダクタンス素子に蓄えられていたエネルギーは前記スイッチング半導体素子がオフすることで順バイアスされる前記第2のダイオードを流れ、該第2のダイオードの順方向電圧降下が前記電界効果トランジスタのゲート電圧をソース電圧よりも低下させることを特徴とする電源回路。 - 1次巻線と2次巻線と第3の巻線とを有するトランスと、前記1次巻線に直列に接続されているスイッチング半導体素子と、該スイッチング半導体素子を制御する制御回路と、前記2次巻線と直列に接続されている第1の整流素子と、前記2次巻線と前記第1の整流素子とに跨って接続されている第2の整流素子と、駆動回路と、前記第2の整流素子に跨って接続されている出力平滑用回路とを備える電源回路において、
前記第1の整流素子及び前記第2の整流素子の少なくとも一方は整流用FETとして働くPチャネル型の電界効果トランジスタからなり、
前記駆動回路は、前記電界効果トランジスタを駆動するものであって、前記第3の巻線と、該第3の巻線のそれぞれの端子にアノードが接続され、かつカソード同士が一緒に接続された第1のダイオードと第2のダイオードと、該第2のダイオードに並列で、かつ互いに直列に接続されたインダクタンス素子とインピーダンス素子とからなり、
前記電界効果トランジスタのゲートは、前記第3の巻線の一方の端子又は他方の端子に接続され、前記電界効果トランジスタのソースは、前記第1のダイオード及び前記第2のカソード同士の接続側に接続され、
前記スイッチング半導体素子がオフすることにより、前記第3の巻線から前記インダクタンス素子に流れていた電流がゼロになり、前記インダクタンス素子に蓄えられていたエネルギーは前記スイッチング半導体素子がオフすることで順バイアスされる前記第2のダイオードを流れ、該第2のダイオードの順方向電圧降下が前記電界効果トランジスタのゲート電圧をソース電圧よりも高くすることを特徴とする電源回路。
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