JP2006140195A - シリコンウェーハの不純物分析方法及びそれに用いるシリコンウェーハの気相分解装置 - Google Patents
シリコンウェーハの不純物分析方法及びそれに用いるシリコンウェーハの気相分解装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006140195A JP2006140195A JP2004326249A JP2004326249A JP2006140195A JP 2006140195 A JP2006140195 A JP 2006140195A JP 2004326249 A JP2004326249 A JP 2004326249A JP 2004326249 A JP2004326249 A JP 2004326249A JP 2006140195 A JP2006140195 A JP 2006140195A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- silicon wafer
- decomposition
- container
- solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
【課題】 1枚のシリコンウェーハ中の不純物を外部からの汚染を招来することなく、極めて高感度、かつ、短時間に分析し得るシリコンウェーハの不純物分析方法の提供。
【解決手段】 密閉空間に水平にセットした1枚のシリコンウェーハの全部を、シリコン分解液の上下からの加熱によって発生するシリコン分解性蒸気により分解し、シリコンウェーハの全部の分解残渣を回収液を用いて一緒に回収した後、回収液中の不純物を濃縮、定容して誘導結合プラズマ質量分析法又は原子吸光分析法により分析する。
【選択図】 なし
【解決手段】 密閉空間に水平にセットした1枚のシリコンウェーハの全部を、シリコン分解液の上下からの加熱によって発生するシリコン分解性蒸気により分解し、シリコンウェーハの全部の分解残渣を回収液を用いて一緒に回収した後、回収液中の不純物を濃縮、定容して誘導結合プラズマ質量分析法又は原子吸光分析法により分析する。
【選択図】 なし
Description
本発明は、シリコンウェーハ中の不純物を分析するシリコンウェーハの不純物分析方法及びそれに用いるシリコンウェーハの気相分解装置に関する。
近年、半導体デバイスの高集積化が進み、シリコンウェーハ中の金属不純物の低減がますます重要になってきている。
これは、シリコンウェーハの金属不純物汚染が、接合リーク、酸化誘起積層欠陥、酸化膜絶縁耐圧等に悪影響を及ぼすためで、半導体デバイスの製造プロセスでの歩留まり低下の大きな要因となっている。
それに伴い、シリコンウェーハの不純物分析にも非常に高感度な分析が要求されてきている。
これは、シリコンウェーハの金属不純物汚染が、接合リーク、酸化誘起積層欠陥、酸化膜絶縁耐圧等に悪影響を及ぼすためで、半導体デバイスの製造プロセスでの歩留まり低下の大きな要因となっている。
それに伴い、シリコンウェーハの不純物分析にも非常に高感度な分析が要求されてきている。
従来、シリコンウェーハの不純物分析方法としては、密閉空間系を構成する密閉収容器内に、珪素質分析試料を載置した分析試料容器及び試料分解用溶液を、それぞれ接触させることなく隔離状態で収納した後、該密閉収容器を加温し、珪素質分析試料を分解昇華させ、該分析試料容器内の残存物を回収する珪素質分析試料中の不純物高感度分析のための処理方法が知られている(特許文献1参照)。
この珪素質分析試料中の不純物高感度分析のための処理方法によれば、半導体ウェーハ用のシリコンや石英ガラス等の珪素質分析試料中の不純物をpptオーダー以下で定量分析できる、というものである。
この珪素質分析試料中の不純物高感度分析のための処理方法によれば、半導体ウェーハ用のシリコンや石英ガラス等の珪素質分析試料中の不純物をpptオーダー以下で定量分析できる、というものである。
又、シリコンウェーハの不純物分析方法としては、支持台に置かれたシリコン基板と、前記基板に接触しないようにしてフッ化水素酸と硝酸と硫酸を混合したシリコン基板の分解液とを密閉された反応容器内にそれぞれ収容し、前記反応容器を加熱及び加圧することなく前記分解液を気化して前記基板を分解昇華させ、前記基板の分解残渣を回収して前記基板に含まれる不純物を分析するシリコン基板中の不純物分析方法も知られている(特許文献2参照)。
このシリコン基板中の不純物分析方法によれば、シリコン基板を分解昇華させる分解液としてフッ化水素酸と硝酸の混酸に硫酸を加えた液を用いることにより、加熱又は加圧することなく気相分解により比較的短時間でシリコン基板中の不純物を高感度に分析することができる、というものである。
このシリコン基板中の不純物分析方法によれば、シリコン基板を分解昇華させる分解液としてフッ化水素酸と硝酸の混酸に硫酸を加えた液を用いることにより、加熱又は加圧することなく気相分解により比較的短時間でシリコン基板中の不純物を高感度に分析することができる、というものである。
しかし、前者のシリコンウェーハの不純物分析方法では、シリコンウェーハを切断してサンプリングしているため、その際に外部から汚染が入るおそれがあり、又、サンプルの分解量が少ないため、近年の半導体製造プロセスで要求される分析感度を満たさなくなりつつある。
一方、後者のシリコンウェーハの不純物分析方法では、シリコンウェーハを切断してサンプリングし、又、サンプルの分解量が少ないため、前者の方法と同様の不具合がある上、シリコンウェーハの1gの切断片を分解するのに12時間程度を要しており、1枚のシリコンウェーハの全部を分解するのに長時間を要する不具合がある。
特開平07−333121号公報
特開2000−035424号公報
本発明は、1枚のシリコンウェーハ中の不純物を外部からの汚染を招来することなく、極めて高感度、かつ、短時間に分析し得るシリコンウェーハの不純物分析方法及びそれに用いるシリコンウェーハの気相分解装置の提供を主課題とする。
本発明の第1のシリコンウェーハの不純物分析方法は、密閉空間に水平セットした1枚のシリコンウェーハの全部を、シリコン分解液の上下からの加熱によって発生するシリコン分解性蒸気により分解し、シリコンウェーハの全部の分解残渣を回収液を用いて一緒に回収した後、回収液中の不純物を濃縮、定容して誘導結合プラズマ質量分析法又は原子吸光分析法により分析することを特徴とする。
又、第2のシリコンウェーハの不純物分析方法は、密閉空間にセットした1枚のシリコンウェーハの全部を、シリコンウェーハ分解液の上下からの加熱によって発生するシリコン分解性蒸気により分解し、シリコンウェーハの各部の分解残渣を回収液を用いて個別に回収した後、各回収液中の不純物を個別に濃縮、定容して誘導結合プラズマ質量分析法又は原子吸光分析法により分析することを特徴とする。
一方、第1のシリコンウェーハの気相分解装置は、密閉空間を形成してシリコン分解液を収容する密閉容器と、密閉容器の下面及び上面に装着した下部ヒータ及び上部ヒータと、上方へ開口する1つの残渣収容凹部を有して密閉容器に納置され、シリコン分解液と接触しないように1枚のシリコンウェーハを上部に水平に載置するウェーハ装置容器とを備えることを特徴とする。
又、第2のシリコンウェーハの気相分解装置は、密閉空間を形成してシリコン分解液を収容する密閉容器と、密閉容器の下面及び上面に装着した下部ヒータ及び上部ヒータと、格子状の隔壁により画成されて上方へ開口する多数の残渣収容凹部を有して密閉容器に納置され、シリコン分解液に接触しないように1枚のシリコンウェーハを上部に水平に載置するウェーハ載置容器とを備えることを特徴とする。
本発明の第1のシリコンウェーハの不純物分析方法及びそれに用いるシリコンウェーハの気相分解装置によれば、1枚のシリコンウェーハの全部をサンプリングのための切断を行うことなく、シリコン分解液の上下からの加熱により発生する加圧されたシリコン分解性蒸気により、その結露の落下を生じることなく完全に一緒に分解するので、シリコンウェーハ中の不純物の分析を、外部からの汚染を招来することなく、分解量の全量への増加により従来方法に比べて分析感度を格段の高感度に、かつ、短時間に行うことができる。
又、第2のシリコンウェーハの不純物分析方法及びそれに用いるシリコンウェーハの気相分解装置によれば、1枚のシリコンウェーハの全部を、サンプリングのための切断を行うことなく、シリコン分解液の上下からの加熱により発生する加圧されたシリコン分解性蒸気により、その結露の落下を生じることなく完全に各部別に分解するので、シリコンウェーハ中の不純物の分析を、外部からの汚染を招来することなく、短時間に行うことができる。
シリコン分解液としては、フッ化水素酸(HF)と硝酸(HNO3)の混酸、又はHNO3と塩酸(HCl)の混酸が用いられる。
シリコン分解液の加熱温度は、混酸の種類にもよるが、100〜200℃が好ましく、より好ましくは140〜155℃である。
シリコン分解液の加熱温度が、100℃未満であると、シリコン分解性蒸気が発生し難い。一方、200℃を超えると、上面に液滴が付着し易くなる。
シリコン分解液の加熱温度が、100℃未満であると、シリコン分解性蒸気が発生し難い。一方、200℃を超えると、上面に液滴が付着し易くなる。
回収液としては、純水、又はHNO3とHClの混酸が用いられる。
なお、回収された白色の分解残渣は、HNO3のHClの混酸の蒸気により分解することが好ましい。
なお、回収された白色の分解残渣は、HNO3のHClの混酸の蒸気により分解することが好ましい。
回収液中の不純物の濃縮には、硫酸(H2SO4)が用いられる。
密閉容器は、耐熱、耐薬品性に優れた材質、例えば、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)等のフッ素樹脂からなり、かつ、耐圧性を有するものが用いられる。
密閉容器は、容器本体とその上部の開口部を気密に閉鎖可能な蓋体とからなるものが用いられる一方、容器本体には、シリコン分解液又は回収液を排出する排出口が設けられ、かつ、蓋体には、シリコン分解液又は回収液を注入する注入口が設けられていることが好ましい。
密閉容器は、容器本体とその上部の開口部を気密に閉鎖可能な蓋体とからなるものが用いられる一方、容器本体には、シリコン分解液又は回収液を排出する排出口が設けられ、かつ、蓋体には、シリコン分解液又は回収液を注入する注入口が設けられていることが好ましい。
下部ヒータ及び上部ヒータは、それぞれ密閉容器の下面及び上面に着脱可能なプレートヒータ(セラミックヒータ)が用いられる。
ウェーハ載置容器は、密閉容器と同様の材質からなるものが用いられる。
又、多数の残渣収容凹部を有するウェーハ載置容器は、各残渣収容凹部の空断面積が等しくなるように設けられていることが好ましい。
又、多数の残渣収容凹部を有するウェーハ載置容器は、各残渣収容凹部の空断面積が等しくなるように設けられていることが好ましい。
図1は、本発明に係るシリコンウェーハの不純物分析方法に用いるシリコンウェーハの気相分解装置の実施例1を示す断面図である。
図中1は、密閉空間を形成してシリコン分解液Lを収容するPTFE製の耐圧性を有する円形の密閉容器で、この密閉容器1は、内径300mm、深さ80mmの容器本体1aとその上部の開口部を気密に閉鎖可能な内径300mm、深さ45mmの蓋体1bとからなり、容器本体1aには、シリコン分解液Lを排出する排出口2が設けられ、かつ、蓋体1bには、シリコン分解液Lを注入する注入口3が設けられており、排出口2及び注入口3は、それぞれ閉止栓4,5によりそれぞれ気密に閉止可能に設けられている。
密閉容器1の下面及び上面には、シリコン分解液Lを下方及び上方から加熱してシリコン分解性蒸気を発生させるため、抵抗発熱体を埋設したセラミックスからなるプレートヒータである下部ヒータ6及び上部ヒータ7が着脱可能に装着されている。
一方、密閉容器1には、上方へ開口する開口径202mmの円錐状の1つの残渣収容凹部8を有し、シリコン分解液Lと接触しないように1枚のシリコンウェーハWを残渣収容凹部8の上部に水平に載置する外径230mm、高さ75mmの円形のウェーハ載置容器9が中央部に納置されている。
ウェーハ載置容器9は、密閉容器1と同様にPTFE製である。
ウェーハ載置容器9は、密閉容器1と同様にPTFE製である。
そして、密閉容器1へのシリコン分解液Lの注入には、図2に示すように、上部ヒータ7を取り外した蓋体1b上に載置可能で、底部に注入口3から挿入されて容器本体1aの中間程度の高さに達する注入管10を有する分解液注入容器11が用いられる。
上述したシリコンウェーハの気相分解措置を用いてシリコンウェーハW中の不純物を分析するには、先ず、密閉容器1の蓋体1bから上部ヒータ7を取り外して蓋体1bを容器本体1aから取り外した後、容器本体1aの中央部にウェーハ載置容器9を納置し、その残渣収容凹部8の上部に直径200mm、厚さ725μmの1枚のシリコンウェーハWを水平に載置する。
次に、容器本体1aの開口部を蓋体1bにより気密に閉蓋すると共に、排出口2を閉止栓4により閉止し、かつ、注入口3の閉止栓5を取り外した後、図2に示すように、注入管10を注入口3に挿入して分解液注入容器11を蓋体1b上に載せ、分解液注入容器11により50%HF(700ml)と70%HNO3(700ml)の混酸からなるシリコン分解液Lを容器本体1a内に注入する。
この状態で、シリコン分解液Lの上面は、容器本体1aの半分程度の深さに達する。
この状態で、シリコン分解液Lの上面は、容器本体1aの半分程度の深さに達する。
次いで、分解液注入容器11を密閉容器1から取り外し、注入口3を閉止栓5によって閉止し、かつ、蓋体1bの上面に上部ヒータ7を装着した後、下部ヒータ6及び上部ヒータ7に通電して密閉容器1の下面を140℃、上面を120〜140℃の温度で加熱してシリコン分解液Lを上下から加熱する。
このシリコン分解液Lの加熱によって発生する加圧されたシリコン分解性蒸気がシリコンウェーハWを分解し、分解した白色の分解残渣(ケイフッ化アンモニウム)がウェーハ載置容器9の残渣収容凹部8の底部に集まる。
なお、シリコン分解性蒸気は、密閉容器1の上面が上部ヒータ7によて加熱されているので、蓋体1bの上部内面に結露し、液滴がウェーハ載置容器9の残渣収容凹部8に落下することはない。
又、1枚のシリコンウェーハWは、約24時間で完全に分解できていることが確認された。
このシリコン分解液Lの加熱によって発生する加圧されたシリコン分解性蒸気がシリコンウェーハWを分解し、分解した白色の分解残渣(ケイフッ化アンモニウム)がウェーハ載置容器9の残渣収容凹部8の底部に集まる。
なお、シリコン分解性蒸気は、密閉容器1の上面が上部ヒータ7によて加熱されているので、蓋体1bの上部内面に結露し、液滴がウェーハ載置容器9の残渣収容凹部8に落下することはない。
又、1枚のシリコンウェーハWは、約24時間で完全に分解できていることが確認された。
1枚のシリコンウェーハWの全部がシリコン分解性蒸気により全部分解されたら、下部ヒータ6及び上部ヒータ7への通電を停止し、かつ、注入口3の閉止栓5による閉止を解除した後、閉止栓4による排出口2の閉止を解除してシリコン分解液Lを密閉容器1から排出する。
次に、容器本体1aから蓋体1bを取り外した後、純水、又はHNO3とHClの混酸からなる回収液を用いてシリコンウェーハWの全部の白色の分解残渣を別の容器に回収し、70%HNO3(100ml)と36%HCl(100ml)の混酸の蒸気により白色の分解残渣を分解する。
そして、HNO3とHClの混酸の蒸気による白色の分解残渣の分解後、回収液中の不純物を硫酸(H2SO4)により濃縮、0.2%H2SO4溶液として定容し、しかる後に、誘導結合プラズマ質量分析装置(ICP−MS)又は原子吸光分析装置(AAS)により分析する。
ここで、上述したシリコンウェーハの不純物分析方法による検出下限を調べたところ、表1に示すようになった。
これに対し、従来のシリコンウェーハの不純物分析方法(特開平7−333121号公報)による検出下限を調べたところ、例えば、鉄(Fe)の検出下限は、3E10(atoms/cm3)であった。
したがって、本発明のシリコンウェーハの不純物分析方法によれば、従来法と比べて約1桁程度検出下限を改善できることが分かる。
したがって、本発明のシリコンウェーハの不純物分析方法によれば、従来法と比べて約1桁程度検出下限を改善できることが分かる。
又、前述したシリコンウェーハの不純物分析方法により、プロセスAの前後での1枚のシリコンウェーハW中の不純物を分析したところ、表2に示すようになった。
このように、プロセス前後のシリコンウェーハW中の不純物を本発明に係るシリコンウェーハの不純物分析方法により分析すると、プロセス前後でのシリコンウェーハW中の不純物総量の増減を知ることが可能となる。
図3及び図4は、本発明に係るシリコンウェーハの不純物分析方法に用いるシリコンウェーハの気相分解装置の実施例2の要部を示す平面図及び斜視図である。
このシリコンウェーハの気相分解装置は、実施例1のもののウェーハ装置容器9が1つの残渣収容凹部8を有しているのに対し、実施例1のものと同様のPTFE製としてウェーハ載置容器12を外径230mm、高さ75mmの円形とする共に、1枚のシリコンウェーハWの全部と各部別の局所的な分析を可能とするため、シリコンウェーハWの外径と同等の内径を有して上方へ開口する容器内を、格子状の上下方向の隔壁13により、上方へ開口する同一空断面積の多数の残渣収容凹部14として画成したものである。
他の構成及びその使用方法等は、実施例1のものとほぼ同様であるので、同一部材等には同一の符号を付してその説明を省略する。
他の構成及びその使用方法等は、実施例1のものとほぼ同様であるので、同一部材等には同一の符号を付してその説明を省略する。
なお、前述したシリコンウェーハの不純物分析方法においては、白色の分解残渣を、純水、又はNHO3とHClの混酸からなる回収液を用いて別の容器に回収した後、NHO3とHClの混酸の蒸気により分解する場合について説明したが、これに限定されるものではなく、シリコン分解性蒸気による1枚のシリコンウェーハWの全部の分解と、シリコン分解液の排出後、注入口3からHNO3とHClの混酸を密閉容器1を注入し、その混酸の蒸気により白色の分解残渣を分解し、しかる後に、回収液を用いて回収し、濃縮、定容して誘導結合プラズマ質量分析法又は原子吸光分析法により分析するようにしてもよい。
1 密閉容器
1a 容器本体
1b 蓋体
6 下部ヒータ
7 上部ヒータ
8 残渣収容凹部
9 ウェーハ載置容器
12 ウェーハ載置容器
13 隔壁
14 残渣収容凹部
1a 容器本体
1b 蓋体
6 下部ヒータ
7 上部ヒータ
8 残渣収容凹部
9 ウェーハ載置容器
12 ウェーハ載置容器
13 隔壁
14 残渣収容凹部
Claims (4)
- 密閉空間に水平にセットした1枚のシリコンウェーハの全部を、シリコン分解液の上下からの加熱によって発生するシリコン分解性蒸気により分解し、シリコンウェーハの全部の分解残渣を回収液を用いて一緒に回収した後、回収液中の不純物を濃縮、定容して誘導結合プラズマ質量分析法又は原子吸光分析法により分析することを特徴とするシリコンウェーハの不純物分析方法。
- 密閉空間にセットした1枚のシリコンウェーハの全部を、シリコンウェーハ分解液の上下からの加熱によって発生するシリコン分解性蒸気により分解し、シリコンウェーハの各部の分解残渣を回収液を用いて個別に回収した後、各回収液中の不純物を個別に濃縮、定容して誘導結合プラズマ質量分析法又は原子吸光分析法により分析することを特徴とするシリコンウェーハの不純物分析方法。
- 密閉空間を形成してシリコン分解液を収容する密閉容器と、密閉容器の下面及び上面に装着した下部ヒータ及び上部ヒータと、上方へ開口する1つの残渣収容凹部を有して密閉容器に納置され、シリコン分解液と接触しないように1枚のシリコンウェーハを上部に水平に載置するウェーハ装置容器とを備えることを特徴とするシリコンウェーハの気相分解装置。
- 密閉空間を形成してシリコン分解液を収容する密閉容器と、密閉容器の下面及び上面に装着した下部ヒータ及び上部ヒータと、格子状の隔壁により画成されて上方へ開口する多数の残渣収容凹部を有して密閉容器に納置され、シリコン分解液に接触しないように1枚のシリコンウェーハを上部に水平に載置するウェーハ載置容器とを備えることを特徴とするシリコンウェーハの気相分解装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004326249A JP2006140195A (ja) | 2004-11-10 | 2004-11-10 | シリコンウェーハの不純物分析方法及びそれに用いるシリコンウェーハの気相分解装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004326249A JP2006140195A (ja) | 2004-11-10 | 2004-11-10 | シリコンウェーハの不純物分析方法及びそれに用いるシリコンウェーハの気相分解装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006140195A true JP2006140195A (ja) | 2006-06-01 |
Family
ID=36620847
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004326249A Withdrawn JP2006140195A (ja) | 2004-11-10 | 2004-11-10 | シリコンウェーハの不純物分析方法及びそれに用いるシリコンウェーハの気相分解装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006140195A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014104176A1 (ja) * | 2012-12-27 | 2014-07-03 | 株式会社住化分析センター | 気相分解方法、分析方法、品質管理方法、製造方法、及び、容器 |
JP2016119332A (ja) * | 2014-12-18 | 2016-06-30 | 信越半導体株式会社 | 回収器具の製造方法、金属不純物の回収方法、及び金属不純物の分析方法 |
-
2004
- 2004-11-10 JP JP2004326249A patent/JP2006140195A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014104176A1 (ja) * | 2012-12-27 | 2014-07-03 | 株式会社住化分析センター | 気相分解方法、分析方法、品質管理方法、製造方法、及び、容器 |
KR20150100776A (ko) * | 2012-12-27 | 2015-09-02 | 가부시키가이샤 스미카 분세키 센터 | 기상 분해 방법, 분석 방법, 품질 관리 방법, 제조 방법 및 용기 |
JPWO2014104176A1 (ja) * | 2012-12-27 | 2017-01-12 | 株式会社住化分析センター | 気相分解方法、分析方法、品質管理方法、製造方法、及び、容器 |
TWI631324B (zh) * | 2012-12-27 | 2018-08-01 | 住化分析中心股份有限公司 | 氣相分解方法、分析方法、品質管理方法、製造方法以及容器 |
KR102178251B1 (ko) * | 2012-12-27 | 2020-11-12 | 가부시키가이샤 스미카 분세키 센터 | 기상 분해 방법, 분석 방법, 품질 관리 방법, 제조 방법 및 용기 |
JP2016119332A (ja) * | 2014-12-18 | 2016-06-30 | 信越半導体株式会社 | 回収器具の製造方法、金属不純物の回収方法、及び金属不純物の分析方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH07333121A (ja) | 珪素質分析試料中の不純物高精度分析のための処理方法及びその装置 | |
TWI612597B (zh) | 矽基板用分析裝置 | |
CN1113228C (zh) | 半导体衬底表面分析的预处理方法和装置 | |
KR100263512B1 (ko) | 실리콘 웨이퍼 내부의 불순물 분석방법 | |
JP2978192B2 (ja) | 半導体ウエハー試料作成法 | |
KR100288624B1 (ko) | 실리콘웨이퍼표면의 불순물 회수방법 및 그 장치 | |
JP3487334B2 (ja) | シリコン基板中の不純物分析方法 | |
JP3473699B2 (ja) | シリコンウェーハのエッチング方法とその装置及び不純物分析方法 | |
JP2006140195A (ja) | シリコンウェーハの不純物分析方法及びそれに用いるシリコンウェーハの気相分解装置 | |
JP3755586B2 (ja) | 珪素脱離方法及びシリコンウェーハの不純物分析方法 | |
JP5413342B2 (ja) | シリコンウェーハ表層部のエッチング方法およびシリコンウェーハの金属汚染分析方法 | |
JPH0772056A (ja) | 分析方法および分析用分解・乾固装置 | |
JPH0198944A (ja) | シリコン半導体基板の表面分析方法 | |
JP4760458B2 (ja) | 半導体ウェーハ収納容器の金属汚染分析方法 | |
US6504377B1 (en) | Device for quantitative detection of copper in silicon by transient ionic drift and method using same | |
JPH11183342A (ja) | 珪素質材料の不純物高精度分析のための試料処理方法及びそれに用いる処理器 | |
JP3243302B2 (ja) | ウエーハ分析器具 | |
JP2006032859A (ja) | シリコンウェハの不純物の除去方法及び分析方法 | |
JPH02271253A (ja) | シリコン半導体基板の表面分析方法 | |
JPH1137992A (ja) | シリコンウエハの表層分析方法 | |
JPH1137911A (ja) | 加圧分解用多重型容器 | |
KR20060133525A (ko) | 반도체 처리 장치의 석영 제품의 검사 방법 및 검사 보조디바이스 | |
JP2006156766A (ja) | シリコンウェーハの不純物分析方法 | |
JPH0661217A (ja) | 金属汚染物の除去方法 | |
JPH05283381A (ja) | シリコンウェハ表面の汚染金属元素の回収方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20070711 |
|
A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20070907 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20091106 |