JP2006139857A - 光磁気記録媒体の再生方法および光磁気記録媒体 - Google Patents
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Abstract
【課題】 光磁気記録媒体の再生時においてゴースト信号の発生を適切に抑制する。
【解決手段】 本発明の再生方法では、各々が垂直磁化膜よりなる記録層11、中間層12、第1再生層13、および第2再生層14、を含む記録磁性部10を備える光磁気記録媒体X1が用いられ、再生用レーザビームLの照射により記録磁性部10を局所的に昇温させつつ昇温領域を移動させ、且つ、当該昇温領域に外部磁界Hrを印加することにより、中間層12内に、キュリー温度Tc以上に昇温して移動する磁化消失領域R1を形成し、第1再生層13内に、磁化消失領域R1に接して移動する第1磁壁可動領域R2を形成し、第2再生層14内に、第1磁壁可動領域R2に接して移動する第2磁壁可動領域R3と、第2磁壁可動領域R3に対して移動方向Dの後方にて隣接し、外部磁界Hrの方向に磁化され、且つ第1磁壁可動領域R2に接して移動する、磁気マスク領域R4とを形成する。
【選択図】 図2
【解決手段】 本発明の再生方法では、各々が垂直磁化膜よりなる記録層11、中間層12、第1再生層13、および第2再生層14、を含む記録磁性部10を備える光磁気記録媒体X1が用いられ、再生用レーザビームLの照射により記録磁性部10を局所的に昇温させつつ昇温領域を移動させ、且つ、当該昇温領域に外部磁界Hrを印加することにより、中間層12内に、キュリー温度Tc以上に昇温して移動する磁化消失領域R1を形成し、第1再生層13内に、磁化消失領域R1に接して移動する第1磁壁可動領域R2を形成し、第2再生層14内に、第1磁壁可動領域R2に接して移動する第2磁壁可動領域R3と、第2磁壁可動領域R3に対して移動方向Dの後方にて隣接し、外部磁界Hrの方向に磁化され、且つ第1磁壁可動領域R2に接して移動する、磁気マスク領域R4とを形成する。
【選択図】 図2
Description
本発明は、記録機能を担う記録層と、磁壁移動ないし磁区拡大を伴う再生機能を担う再生層とを含む記録磁性部を有する光磁気記録媒体について情報を再生するための方法、および、そのような光磁気記録媒体に関する。
光学的に情報が読み取られる光メディアの一形態として、光磁気記録媒体が知られている。光磁気記録媒体は、熱磁気的に記録され且つ磁気光学効果を利用して再生される書き換え可能な記録媒体である。また、光磁気記録媒体は、垂直磁化膜からなる記録層を有し、当該記録層において、磁化方向の変化として所定の信号が記録される。この記録信号は、所定の光学系で読み取られて再生信号として出力される。
光磁気記録媒体の技術の分野では、読取り用の光学系における分解能の限界を超えて高密度に記録された信号を実用的に再生するための、磁壁移動ないし磁区拡大を伴う再生方式が開発されている。例えば、DWDD(domain wall displacement detection)や、MAMMOS(magnetic amplifying magneto-optical system)である。これらのような再生方式が採用される磁区拡大系の光磁気記録媒体については、例えば下記の特許文献1や特許文献2に記載されている。
図11は、従来の磁区拡大系光磁気記録媒体の一例である光磁気ディスクX4の積層構成を表す。光磁気ディスクX4は、基板S2と、記録磁性部40と、プリグルーブ層51と、熱伝導層52と、誘電体層53,54と、保護膜55とからなる積層構造を有し、フロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして構成されたものである。
記録磁性部40は、記録層41と、中間層42と、再生層43とからなる積層構造を有する。これら三層は、各々、希土類−遷移金属アモルファス合金よりなる垂直磁化膜である。記録層41は相対的に大きな磁壁抗磁力を呈し、再生層43は相対的に小さな磁壁抗磁力を呈し、中間層42は他の二層より低いキュリー温度を有し、これら三層は、中間層42のキュリー温度より低い温度条件下において隣接二層間に交換相互作用が働くように積層されている。
プリグルーブ層51は、樹脂材料よりなり、その記録磁性部40の側の面には、プリグルーブなどの凹凸形状(図示せず)が形成されている。熱伝導層52は、レーザビーム照射時に記録磁性部40などにて発生する熱を効率よく基板S2の側へ伝えるための部位であり、高熱伝導材料よりなる。誘電体層53,54は、記録磁性部40に対する外部からの不当な磁気的影響等を回避するための部位である。保護膜55は、記録磁性部40を特に塵埃から保護するための部位であり、光透過性の樹脂材料よりなる。
光磁気ディスクX4への情報記録においては、光磁気ディスクX4を回転させた状態で、記録用のレーザビームを保護膜55の側から記録磁性部40に向けて照射することにより記録層41を局所的に順次昇温させつつ、当該昇温箇所に所定の磁界が印加される。このようにして、記録磁性部40内の記録層41には、ディスク周方向に沿って所定の信号が記録される。具体的には、記録層41には、ディスク周方向に延びる情報トラックに沿って連続して交互に磁化が反転し且つ記録信号に応じた所定の長さを各々が有する複数の磁区が形成される。中間層42のキュリー温度より低い温度条件の下では、記録層41と中間層42とは交換結合し且つ中間層42と再生層43とは交換結合し、再生層43および中間層42には、記録層41と同方向に磁化された磁区と、磁区間の磁壁とが形成される。
図12は、光磁気ディスクX4の再生方法を表す。図の簡潔化の観点より、図12では、光磁気ディスクX4について、記録層41、中間層42、および再生層43以外を省略する。光磁気ディスクX4の情報再生においては、光磁気ディスクX4を回転させた状態で、再生用のレーザビームLを情報トラックに沿って再生層43の側から記録磁性部40に対して照射する。照射領域の光磁気ディスクX4に対する相対移動方向を矢印Dで表す。レーザビームLの照射により、記録磁性部40内は局所的に昇温し、記録磁性部40内には、例えば図12のグラフに示すように、ディスク周方向に温度勾配が生ずる。そして、中間層42には、そのキュリー温度Tc以上に昇温して自発磁化が消失した領域R5(斜線ハッチングを付して表す)が生ずる。
このような照射領域における、中間層42のキュリー温度Tcの等温線を、記録層41の所定の磁区41aに対応する再生層43の磁区43aの磁壁43a’が照射領域移動に伴って低温領域から高温領域へと通過する瞬間に、当該磁壁43a’は再生層43内をより高温側へと移動する。照射領域移動方向Dにおける前方から後方に向けて再生層43内をこのように磁壁43a’が移動すると、当該磁壁移動領域の磁化は反転する。この磁化反転を、再生層43の表面にて反射した光の偏光面の変化として所定の光学系で検出することにより、磁壁移動が検知される。情報トラックに沿って再生用のレーザビームLを照射して磁壁移動を順次検知することにより、光磁気ディスクX4の記録信号が読み取られることとなる。
上述の光磁気ディスクX4の再生方法においては、記録層41の所定の磁区41bが照射領域を抜け出るときに、当該磁区41bに対応して中間層42に磁区42bが形成され、更に当該磁区42bに対応して再生層43に磁区43bおよび磁壁43b’が形成される。この磁壁43b’は、照射領域移動方向Dにおける後方から前方に向けて再生層43内を移動する場合がある。このような磁壁移動は、読取り用光学系によりゴースト信号として検知されてしまい、好ましくない。
そこで、従来、例えば光磁気ディスクX4においては、再生層43と中間層42の間にいわゆるコントロール層が設けられてゴースト信号の抑制が図られる場合がある。コントロール層は、再生層43より磁壁エネルギー密度が大きく、且つ、中間層42よりキュリー温度が高い垂直磁化膜よりなる。しかしながら、このようなコントロール層を利用する従来の技術によると、充分にゴースト信号を抑制できない場合がある。特に、記録層41に形成される記録マーク(磁区)が長いほど、ゴースト信号抑制は困難となる傾向にある。
本発明は、このような事情の下で考え出されたものであって、垂直磁化膜よりなり記録機能を担う記録層と、垂直磁化膜よりなり磁壁移動ないし磁区拡大を伴う再生機能を担う再生層と、を含む記録磁性部を有する光磁気記録媒体について情報を再生するにあたり、ゴースト信号の発生を適切に抑制することを目的とする。
本発明の第1の側面によると、光磁気記録媒体について情報再生を実行するための方法が提供される。本方法では、垂直磁化膜よりなり記録機能を担う記録層と、垂直磁化膜よりなり、磁壁移動を伴う再生機能を担う、第1再生層と、記録層および再生層の間に介在し、低温側での垂直磁化状態と高温側での自発磁化消失状態との間で状態変化を生じ得るキュリー温度を有する、中間層と、中間層とは反対の側にて第1再生層に接する垂直磁化膜よりなり、磁壁移動を伴う再生機能を担う、第2再生層と、からなる積層構造を含む記録磁性部を備える光磁気記録媒体を用いる。また、本方法では、再生用レーザビームを記録磁性部に対して第2再生層の側から照射して当該記録磁性部を局所的に昇温させつつ昇温領域を移動させ、且つ、当該昇温領域に外部磁界を印加する。これにより、中間層内に、キュリー温度以上に昇温して移動する磁化消失領域を形成し、第1再生層内に、磁化消失領域に接して移動する第1磁壁可動領域を形成し、第2再生層内に、第1磁壁可動領域に接して移動する第2磁壁可動領域と、当該第2磁壁可動領域に対して移動方向後方にて隣接し、外部磁界の方向に磁化され、且つ第1磁壁可動領域に接して移動する、磁気マスク領域とを形成する。
このような構成の光磁気記録媒体再生方法においては、中間層内における磁化消失領域よりも前方(昇温領域ないし磁化消失領域の移動方向における前方)には垂直磁化状態の領域が存在し、所定情報に対応して記録層内に形成された磁区(記録マーク)が、中間層内の当該垂直磁化領域を介して第1再生層に転写され、更には第2再生層へと転写されている。すなわち、中間層内の磁化消失領域よりも前方側では、記録層内の同一の磁区に対応して、第1再生層内には第1磁区が形成され、第2再生層内には、第1磁区と交換結合する第2磁区が形成されている。そして、再生用レーザビームの照射により記録磁性部内に生ずる昇温領域が移動するのに伴って、第1磁区を規定する第1磁壁が第1再生層内の第1磁壁可動領域にその前方側から進入し、且つ、第2磁区を規定する第2磁壁が第2再生層内の第2磁壁可動領域にその前方側から進入すると、これら第1および第2磁壁は、一体的に、より高温の後方側に向かって第1および第2磁壁可動領域内を移動する。この磁壁移動を検知することにより、再生信号を得ることができる。
また、本再生方法においては、第2再生層内における第2磁壁可動領域よりも後方には、印加される外部磁界の方向に磁化された磁気マスク領域が生じる。この磁気マスク領域は、第2再生層内において第2磁壁可動領域と連続し、且つ、再生用レーザビームに対して第1再生層の第1磁壁可動領域の後方部の全体または一部を覆う機能を担う。好ましくは、磁気マスク領域は、再生用レーザビームの照射スポットの後端を越えて更に後方まで延びる。このような磁気マスク領域が存在するため、昇温領域の後方側にて第2再生層内に形成される磁壁が昇温領域移動方向における後方から前方に向かって第2再生層内を移動することは、防止され又は抑制され、その結果、そのような磁壁移動現象に起因するゴースト信号は抑制される。
以上のように、本再生方法によると、光磁気記録媒体について情報再生を適切に実行したうえで、適切にゴースト信号を抑制することができるのである。
本発明の第2の側面によると光磁気記録媒体が提供される。本光磁気記録媒体は、垂直磁化膜よりなり記録機能を担う記録層と、垂直磁化膜よりなり、磁壁移動を伴う再生機能を担う、第1再生層と、記録層および再生層の間に介在し、低温側での垂直磁化状態と高温側での自発磁化消失状態との間で状態変化を生じ得るキュリー温度を有する、中間層と、中間層とは反対の側にて第1再生層に接する垂直磁化膜よりなり、磁壁移動を伴う再生機能を担う、第2再生層と、からなる積層構造を含む記録磁性部を備え、再生用レーザビームを記録磁性部に対して第2再生層の側から照射して当該記録磁性部を局所的に昇温させつつ昇温領域を移動させ、且つ、当該昇温領域に外部磁界を印加する場合には、中間層内に、キュリー温度以上に昇温して移動する磁化消失領域を生じ、第1再生層内に、磁化消失領域に接して移動する第1磁壁可動領域を生じ、第2再生層内に、第1磁壁可動領域に接して移動する第2磁壁可動領域と、当該第2磁壁可動領域に対して移動方向後方にて隣接し、外部磁界の方向に磁化され、且つ第1磁壁可動領域に接して移動する、磁気マスク領域とを生ずる。本光磁気記録媒体によると、本発明の第1の側面に係る再生方法を適切に実施することができる。
本発明の第1および第2の側面において、昇温領域における第2再生層内の最高温度をTpとし、第2再生層内において磁壁駆動力が消失する温度をTsとすると、好ましい実施の形態では、Tp>Tsであり、第2磁壁可動領域および磁気マスク領域の境界は、第2再生層内においてTpに昇温した第1箇所から、当該第1箇所よりも移動方向の前方においてTsに昇温した第2箇所までの間に、位置する。第2磁壁可動領域を長く設定して再生信号強度を確保するという観点からは、TpとTsの温度差は小さい方が好ましい。また、第2箇所(温度Ts)と磁気マスク領域の間の磁化方向不確定領域を短くして良好な再生信号を得るという観点からは、第2磁壁可動領域および磁気マスク領域の境界は、第2箇所に近接する方が好ましい。
本発明の第1および第2の側面において、他の好ましい実施の形態では、Tp=Tsであり、第2磁壁可動領域および磁気マスク領域の境界は、第2再生層内においてTpに昇温した箇所に位置する。
好ましくは、外部磁界は、記録磁性部に対して厚さ方向に印加され、磁気マスク領域は垂直磁化されている。垂直磁化された磁気マスクは、垂直磁化膜よりなる第2再生層において、ゴースト信号の原因となるような磁壁移動を防止または抑制するうえで、好適である。
好ましくは、外部磁界の強度をHrとし、第1再生層と第2再生層との間の交換結合力をHexとし、第2再生層の保磁力をHcとすると、第2磁壁可動領域では、Hr<Hex+Hcが成立し、磁気マスク領域では、Hr>Hex+HcまたはHex<Hr+Hcが成立する。この場合、より好ましくは、磁気マスク領域の前方境界では、Hr=Hex+Hcが成立し、当該磁気マスク領域の後方境界では、Hex=Hr+Hcが成立する。このような構成によると、第2再生層内において磁気マスク領域を適切に形成することができる。
好ましくは、磁気マスク領域は、移動方向において第1磁壁可動領域の後端よりも後方に後端を有する。このような構成は、信号再生を終えた第2再生層に磁区が転写され始める箇所を再生用レーザビーム照射スポットから遠ざけるうえで好適であり、従って、ゴースト信号を抑制するうえで好適である。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る光磁気ディスクX1の部分断面を表す。光磁気ディスクX1は、基板S1と、記録磁性部10と、熱伝導層21と、誘電体層22,23と、保護膜24とを備え、フロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして構成されたものである。また、光磁気ディスクX1は、熱伝導層21から保護膜24までの構造を基板S1の片側のみ又は両側に有する。
基板S1は、光磁気ディスクX1の剛性を確保するための部位であり、渦巻き状または同心円状のプリグルーブが形成された所定の凹凸形状を表面に有する。この凹凸形状を基に、光磁気ディスクX1におけるランドグルーブ形状が形成されている。また、基板S1は、例えば、ポリカーボネート(PC)樹脂、ポリメチルメタクリレート(PMMA)樹脂、エポキシ樹脂、またはポリオレフィン樹脂よりなる。
記録磁性部10は、記録層11、中間層12、第1再生層13、および第2再生層14よりなる積層構造を有し、後に詳述するように、第1再生層13および第2再生層14内での磁壁移動ないし磁区拡大を伴う磁区拡大系再生方式(例えばDWDDやMAMMOSなど)に基づいて再生可能に構成されている。
記録層11は、光磁気ディスクX1において記録機能を担う部位であって、希土類元素と遷移金属とを含むアモルファス合金よりなり、且つ、垂直磁気異方性を有して垂直方向に磁化された垂直磁化膜である。垂直方向とは、層を構成する磁性膜の膜面に対して垂直な方向をいう。このような記録層11は、例えば、所定の組成比のTbFeCо、DyFeCо、またはTbDyFeCоよりなり、いわゆる遷移金属磁化優勢または希土類磁化優勢の組成を有する。また、記録層11の厚さは例えば15〜90nmである。
中間層12は、昇温によりそのキュリー温度Tcにて垂直磁化状態から自発磁化消失状態に転移(状態変化)し且つ降温によりキュリー温度Tcにて自発磁化消失状態から垂直磁化状態に転移する希土類−遷移金属アモルファス合金よりなる。本実施形態では、キュリー温度Tcは200〜250℃であり、従って、室温においては中間層12は垂直磁化膜である。このような中間層12は、例えば、所定の組成比のTbFeまたはTbFeCоよりなる。また、中間層12の厚さは例えば3〜15nmである。
第1再生層13は、磁壁移動ないし磁区拡大を伴う再生機能を担う部位であり、希土類−遷移金属アモルファス合金よりなる垂直磁化膜である。このような第1再生層13は、例えば、所定の組成比のGdFe、GdFeCо、GdTbFeCо、GdDyFeCо、またはGdTbDyFeCоよりなる。また、第1再生層13の厚さは例えば10〜35nmである。
第2再生層14は、磁壁移動ないし磁区拡大を伴う再生機能を第1再生層13と共に担う部位であり、希土類−遷移金属アモルファス合金よりなる垂直磁化膜である。本実施形態では、第2再生層14の保磁力は第1再生層13の保磁力より大きい。光磁気ディスクX1の後述の情報再生時に第2再生層14内の所定箇所に磁気マスク領域R4(磁壁移動が生じない領域)を形成するうえでは、第1再生層13内の磁壁移動が第2再生層14に及ぼす影響を低減すべく、第2再生層14の保磁力を第1再生層13の保磁力より大きく設定するのが好ましい。このような第2再生層14は、例えば、所定の組成比のGdFeCо、GdTbFeCо、GdDyFeCо、またはGdTbDyFeCоよりなる。また、第2再生層14の厚さは例えば5〜15nmである。
熱伝導層21は、光磁気ディスクX1に対して記録用または再生用のレーザビームが照射されるときに記録磁性部10にて発生する熱を効率よく基板S1に伝えるための部位であり、例えば、C、Ag、Ag合金(AgPdCuSi,AgPdCuなど)、Al合金(AlSi,AlTi,AlCrなど)、Au、またはPtなどの、高熱伝導材料よりなる。熱伝導層21の厚さは、例えば5〜30nmである。
誘電体層22,23は、大気や湿気との接触により記録磁性部10が腐食や酸化してしまうことを防止するための部位であり、例えば、SiN、SiO2、YSiO2、ZnSiO2、AlO、またはAlNよりなる。誘電体層22,23の厚さは、例えば5〜90nmである。誘電体層22は、光磁気ディスクX1ないしその記録磁性部10に対する記録用または再生用のレーザビームの照射時において、記録磁性部10にて発生する熱を熱伝導層21に適当に伝えることによって記録磁性部10内の熱分布を調整する機能を有してもよい。一方、誘電体層23は、光磁気ディスクX1の情報再生時に再生用レーザビームの反射光のカー回転角を増大するための、エンハンス機能を有してもよい。
保護膜24は、記録磁性部10を特に塵埃などから保護すべく記録磁性部10を覆い、光磁気ディスクX1の記録用または再生用のレーザビームに対して充分な透過性を有する樹脂よりなる。また、保護膜24の厚さは例えば15〜100μmである。
このような構成を有する光磁気ディスクX1の製造においては、まず、所定の樹脂材料から基板S1を成形する。次に、例えばスパッタリング法により、基板S1上に、熱伝導層21、誘電体層22、記録層11、中間層12、第1再生層13、第2再生層14、および誘電体層23を順次形成する。その後、例えばスピンコーティング法により、誘電体層23上に保護膜24を形成する。
光磁気ディスクX1への情報記録においては、光磁気ディスクX1を所定の回転速度で回転させた状態で、記録用のレーザビームを保護膜24の側から記録磁性部10に対して照射することにより記録層11を局所的に順次昇温させつつ、当該昇温箇所に所定の記録磁界を印加する。このようにして、記録磁性部10内の記録層11には、ディスク周方向に沿って所定の信号が記録される。具体的には、記録層11には、ディスク周方向に延びる情報トラック(信号の記録および再生を担うトラック)に沿って連続して交互に磁化が反転し且つ記録信号に応じた所定の長さを各々が有する複数の磁区(記録マーク)が形成される。中間層12のキュリー温度Tcより低い温度条件の下では、記録層11と中間層12とは交換結合し、中間層12と第1再生層13とは交換結合し、且つ第1再生層13と第2再生層14とは交換結合し、中間層12、第1再生層13、および第2再生層14には、記録層11の磁区と同方向に磁化された磁区と、磁区間の磁壁とが形成される。
図2は、光磁気ディスクX1の再生方法を表す。図の簡潔化の観点より、図2では、光磁気ディスクX1について、その情報トラックの延び方向の部分断面を模式的に表し、記録磁性部10以外を省略する。また、図2では、記録層11内、中間層12内、第1再生層13内、および第2再生層14内に形成される磁区の磁化方向を上向き又は下向きの矢印で表し、磁区間の磁壁を太線で表す。
光磁気ディスクX1の情報再生においては、光磁気ディスクX1を所定の回転速度で回転させた状態で、再生用のレーザビームLを記録磁性部10に対して第2再生層14の側から照射しつつ照射スポットを矢印D方向に移動させることにより、図2のグラフに示すような温度勾配がディスク周方向に生ずるように、記録磁性部10内を局所的に順次昇温させる。加えて、記録磁性部10における少なくとも昇温領域に対し、記録磁性部10の厚さ方向に一定強度の外部磁界Hrを印加する。本再生方法では、このような局所的昇温領域の形成と外部磁界Hrの印加とを併せて行うことにより、中間層12内に磁化消失領域R1(斜線ハッチングを付して表す)を形成するとともに、第1再生層13内に磁壁可動領域R2を形成し、第2再生層14内に磁壁可動領域R3および磁気マスク領域R4を形成する。
磁化消失領域R1は、中間層12において、そのキュリー温度Tc以上に昇温して垂直磁化状態から自発磁化消失状態に転移した領域であり、レーザビームLの照射スポットの移動に伴って中間層12内を矢印D方向に移動する。磁化消失領域R1は、記録層11とも第1再生層13とも交換結合していない。
磁壁可動領域R2は、第1再生層13において、中間層12を介しての記録層11との交換結合状態が解除されて磁壁が移動可能となった領域であり、磁化消失領域R1の移動に伴って第1再生層13内を矢印D方向に移動する。
磁壁可動領域R3は、第2再生層14において、中間層12および第1再生層13を介しての記録層11との交換結合状態が解除されて磁壁が移動可能となった領域であり、磁化消失領域R1の移動に伴って第2再生層14内を矢印D方向に移動する。磁壁可動領域R3は磁壁可動領域R2と交換結合している。外部磁界の強度をHrとし、第1再生層13と第2再生層14との間の交換結合力をHexとし、第2再生層14の保磁力をHcとすると、磁壁可動領域R3では、Hr<Hex+Hcが成立する。すなわち、外部磁界Hrによっては、第1再生層13および第2再生層14の間の交換結合力Hexと第2再生層14自体の保磁力Hcとに抗して第2再生層14内の磁区の磁化方向を一定に維持することができず、従って、磁壁可動領域R3内を磁壁が移動可能なのである。
磁気マスク領域R4は、外部磁界Hrの方向に磁化され、且つ、磁壁可動領域R3に隣接しつつ磁化消失領域R1の移動に伴って第2再生層14内を矢印D方向に移動する。磁気マスク領域R4では、Hr>Hex+HcまたはHex<Hr+Hcが成立する。また、磁気マスク領域R4の前方境界では、Hr=Hex+Hcが成立し、磁気マスク領域R4の後方境界では、Hex=Hr+Hcが成立する。すなわち、第1再生層13および第2再生層14の間の交換結合力Hexと第2再生層14自体の保磁力Hcとに抗して外部磁界Hrにより第2再生層14内の磁区の磁化方向を一様に揃えることができ、且つ、一旦揃った磁化は、交換結合力Hexが外部磁界Hrと保磁力Hcとの和を越えなければ反転しない。また、外部磁界Hrは一定強度であるのに対し、交換結合力Hexは、第1再生層13および第2再生層14が高温であるほど小さい傾向にあり、保磁力Hcは、第2再生層14が高温であるほど小さい傾向にある。したがって、磁気マスク領域R4は、昇温領域における第2再生層14内で最高温度Tpに昇温している第1箇所P1に対して非対称に形成されるのである。このように外部磁界Hrの作用により一方向に垂直磁化された磁気マスク領域R4内では磁壁移動は生じない。
第2再生層14内において磁壁駆動力が消失する温度をTsとすると、本実施形態では、Tp>Tsであり、且つ、磁壁可動領域R3および磁気マスク領域R4の境界は、第2再生層14内においてTpに昇温した第1箇所P1から、当該第1箇所P1よりも移動方向の前方においてTsに昇温した第2箇所P2までの間に、位置する。或は、Tp=Tsであり、磁壁可動領域R3および磁気マスク領域R4の境界は、第2再生層14内においてTpに昇温した箇所に位置してもよい。
本再生方法においては、中間層12内における磁化消失領域R1よりも前方(昇温領域ないし磁化消失領域の移動方向Dにおける前方)には垂直磁化状態の領域が存在し、所定情報に対応して記録層11内に形成された磁区(記録マーク)11aが、中間層12内の当該垂直磁化領域を介して第1再生層13に転写され、更には第2再生層14へと転写されている。すなわち、中間層12内の磁化消失領域R1よりも前方側では、記録層11内の同一の磁区11aに対応して、第1再生層13内には第1磁区13aが形成され、第2再生層14内には、第1磁区13aと交換結合する第2磁区14aが形成されている。そして、再生用レーザビームLの照射により記録磁性部10内に生ずる昇温領域が移動するのに伴って、第1磁区13aを規定する第1磁壁W1が第1再生層13内の磁壁可動領域R2にその前方側から進入し、且つ、第2磁区14aを規定する第2磁壁W2が第2再生層14内の磁壁可動領域R3にその前方側から進入すると、これら第1磁壁W1および第2磁壁W2は、一体的に、より高温の後方側に向かって磁壁可動領域R2,R3内を移動する。この磁壁移動を検知することにより、再生信号を得ることができる。磁壁可動領域R3を長く設定して再生信号強度を確保するという観点からは、TpとTsの温度差は小さい方が好ましい(即ち、第1箇所P1と第2箇所P2との距離は短い方が好ましい)。また、第2箇所P2(温度Ts)と磁気マスク領域R4との間の磁化方向不確定領域を短くして良好な再生信号を得るという観点からは、磁壁可動領域R3および磁気マスク領域R4の境界は、第2箇所P2に近接する方が好ましい。より好ましくは、磁壁可動領域R3および磁気マスク領域R4の境界は、図2のグラフに示すように第2箇所P2に位置する。当該磁化方向不確定領域を短くすることにより又は消滅させることにより、光磁気ディスクX1の情報再生時の再生信号について、適切に2値化することができる(即ち、再生信号レベルのオフセットを抑制ないし防止することができる)。
また、本再生方法においては、第2再生層14内における磁壁可動領域R3よりも後方には、印加される外部磁界Hrの方向に磁化された磁気マスク領域R4が生じる。この磁気マスク領域R4は、第2再生層14内において磁壁可動領域R3と連続し、且つ、再生用レーザビームLの照射スポットの後端を越えて更に後方まで延びる。このような磁気マスク領域R4が存在するため、昇温領域の後方側にて第1再生層13内に形成される例えば磁壁W3が昇温領域移動方向Dにおける後方から前方に向かって第1再生層13内を移動する場合であっても、第2再生層14内に形成される例えば磁壁W4が磁壁W3に伴って第2再生層14内を移動することは、防止され又は抑制され、その結果、そのような磁壁移動現象に起因するゴースト信号は抑制される。
以上のように、本再生方法によると、光磁気ディスクX1について情報再生を適切に実行したうえで、適切にゴースト信号を抑制することができる。
図3は、本発明の第2の実施形態に係る光磁気ディスクX2の部分断面を表す。光磁気ディスクX2は、記録層11と誘電体層22との間に記録補助層31を有する以外は、光磁気ディスクX1と同様の構成を有する。
記録補助層31は、情報記録時に印加すべき記録磁界強度を低減するための部位であり、情報記録時に記録層11中に生ずる反磁界(記録磁界の作用を妨げる方向に生ずる)を打ち消す方向に作用する磁化を生ずるべく、記録層11が遷移金属磁化優勢組成を有する場合は、希土類磁化優勢組成の垂直磁化膜よりなり、記録層11が希土類磁化優勢組成を有する場合は、遷移金属磁化優勢組成の垂直磁化膜よりなる。このような記録補助層31は、所定の組成比の例えばGdFeCоよりなり、その厚さは例えば5〜10nmである。また、記録補助層31は誘電体層22上に例えばスパッタリング法により形成することができる。
このような構成の光磁気ディスクX2においては、光磁気ディスクX1に関して上述したのと同様に、情報再生を適切に実行したうえで、適切にゴースト信号を抑制することができる。
加えて、光磁気ディスクX2においては、その再生時に印加すべき記録磁界の強度を低減することが可能である。上述のように、光磁気ディスクX1への情報記録に際しては、記録用レーザビームが記録磁性部10に対して照射されることにより記録層11が局所的に順次昇温されつつ、当該昇温箇所に所定の記録磁界が印加される。このとき、記録層11内の記録マーク形成予定箇所では局所的に昇温するために磁化の低下が生じ、従って、当該記録マーク形成予定箇所よりも低温で磁化の強い近隣箇所の当該磁化に由来して、記録マーク形成予定箇所には所定強度の反磁界が生ずることとなる。記録マーク形成予定箇所に印加すべき記録磁界には、このような反磁界に抗したうえで記録層11内に記録マーク(所定方向に磁化された磁区)を形成できる程度の強度が求められる。これに対し、光磁気ディスクX2への情報記録時には、上述のように生じ得る反磁界を打ち消す方向に、記録補助層31の磁化に由来して磁界が形成される。そのため、光磁気ディスクX2における記録層11内に記録マークを形成するのに印加される記録磁界については、反磁界に抗するための強度は求められず、記録補助層31が存在しない場合よりも、強度を低減することが可能なのである。
図4は、本発明の第3の実施形態に係る光磁気ディスクX3の部分断面を表す。光磁気ディスクX3は、記録層11と誘電体層22との間に核形成層32を有する以外は、光磁気ディスクX1と同様の構成を有する。
核形成層32は、記録層11内に安定に形成され得る最小記録マークを微小化するための部位であり、記録層11を形成する際の下地膜として誘電体層22上に例えばスパッタリング法により形成され、その記録層11側に、所定の微細凹凸形状(図示略)を伴う凹凸面32aを有する。凹凸面32aの微細凹凸形状に起因して、記録層11に対し、後述のようにピンニング力が作用する。凹凸面32aは、より均一な周期の微小な凹凸形状を有するのが好ましい。凹凸面32aについて、表面粗さRa(算術平均粗さ)は例えば0.3〜0.35nmであり、凸部の平均粒径は例えば10〜15nmである。このような核形成層32は、例えばPtよりなる。また、核形成層32の厚さは例えば1〜2nmである。
このような構成の光磁気ディスクX3においては、光磁気ディスクX1に関して上述したのと同様に、情報再生を適切に実行したうえで、適切にゴースト信号を抑制することができる。
加えて、光磁気ディスクX3は、記録層11内に安定に形成され得る最小記録マークを微小化するのに適している。磁性材料の技術分野においては、アモルファス磁性薄膜に形成される安定磁区の微小さの程度は、当該磁性薄膜が積層形成される下地面の微細凹凸形状の影響を受け得ることが知られている。具体的には、当該下地面に適度な粗さの凹凸が存在し且つ当該凹凸が微細なほど、その上に形成されるアモルファス磁性薄膜において、より小さな安定磁区を形成できる傾向があることが知られている。下地面の凹凸により、アモルファス磁性薄膜内に存在する磁壁の位置の揺らぎ(磁壁移動)が抑制され(ピンニング作用)、その結果、当該アモルファス磁性薄膜の磁区構造が微細化される。光磁気ディスクX3では、核形成層32の凹凸面32aの微細凹凸形状に起因して、記録層11内に存在する磁壁の位置の揺らぎが抑制され、その結果、記録層11内の磁区構造が微細化されるのである。光磁気ディスクにおいては、記録層内に安定に形成され得る最小の記録マーク(磁区)が微小であるほど、記録分解能の向上および記録密度の増大を実現しやすい。
〔実施例1〕
〈光磁気ディスクの作製〉
図5に示す積層構成を有するフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本実施例の光磁気ディスクを作製した。本実施例の光磁気ディスクは、上述した第1の実施形態の光磁気ディスクX1に相当する。
〈光磁気ディスクの作製〉
図5に示す積層構成を有するフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本実施例の光磁気ディスクを作製した。本実施例の光磁気ディスクは、上述した第1の実施形態の光磁気ディスクX1に相当する。
本実施例の光磁気ディスクの作製においては、まず、表面にランドグルーブ形状を有するポリカーボネート基板(直径120mm,厚さ1.2mm,トラックピッチ0.275nm,グルーブ深さ60nm)の上にスパッタリング法によりAlSiを成膜することによって、厚さ30nmの熱伝導層を形成した。本スパッタリングでは、AlSi合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてArガスを使用し(反応性スパッタリングを除く以下のスパッタリングにおいても同様)、スパッタガス圧力を1.0Paとし、投入電力を500Wとした。
次に、スパッタリング法により熱伝導層上にSiNを成膜することによって、厚さ5nmの誘電体層(熱分布調整層)を形成した。具体的には、BがドープされたSiターゲットを用い、スパッタガスとしてN2ガスを使用して行う反応性スパッタリングにより、基板上にSiNを成膜した。本スパッタリングでは、スパッタガス圧力を0.5Paとし、投入電力を800Wとした。
次に、スパッタリング法により誘電体層上にTb22Fe58Co20を成膜することによって、厚さ60nmの記録層を形成した。本スパッタリングでは、所定組成比のTbFeCo合金ターゲットを用い、スパッタガス圧力を1.0Paとし、投入電力を500Wとした。
次に、スパッタリング法により記録層上にTb22Fe78を成膜することによって、厚さ15nmの中間層を形成した。本スパッタリングでは、所定組成比のTbFe合金ターゲットを用い、スパッタガス圧力を0.5Paとし、投入電力を500Wとした。
次に、スパッタリング法により中間層上にGd28Fe59Co13を成膜することによって、厚さ10nmの第1再生層を形成した。本スパッタリングでは、所定組成比のGdFeCo合金ターゲットを用い、スパッタガス圧力を0.3Paとし、投入電力を500Wとした。
次に、スパッタリング法により第1再生層上にGd28Fe52Co20を成膜することによって、厚さ10nmの第2再生層を形成した。本スパッタリングでは、所定組成比のGdFeCo合金ターゲットを用い、スパッタガス圧力を0.3Paとし、投入電力を500Wとした。
次に、スパッタリング法により第2再生層上にSiNを成膜することによって、厚さ70nmの誘電体層(エンハンス層)を形成した。具体的には、BがドープされたSiターゲットを用い、スパッタガスとしてN2ガスを使用して行う反応性スパッタリングにより、基板上にSiNを成膜した。本スパッタリングでは、スパッタガス圧力を0.5Paとし、投入電力を800Wとした。
次に、誘電体層上に厚さ15μmの保護膜を形成した。具体的には、まず、スピンコート法により、紫外線硬化性の透明樹脂を誘電体層上に塗布した。次に、紫外線照射により、当該樹脂膜を硬化させた。以上のようにして、本実施例の光磁気ディスクを作製した。
〔実施例2〕
図6に示す積層構成を有するフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本実施例の光磁気ディスクを作製した。本実施例の光磁気ディスクは、上述した第2の実施形態の光磁気ディスクX2に相当し、記録層とこれより下位の誘電体層との間に記録補助層を更に有する点において、実施例1の光磁気ディスクと異なる。
図6に示す積層構成を有するフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本実施例の光磁気ディスクを作製した。本実施例の光磁気ディスクは、上述した第2の実施形態の光磁気ディスクX2に相当し、記録層とこれより下位の誘電体層との間に記録補助層を更に有する点において、実施例1の光磁気ディスクと異なる。
本実施例の光磁気ディスクの作製においては、まず、表面にランドグルーブ形状を有するポリカーボネート基板(直径120mm,厚さ1.2mm,トラックピッチ0.275nm,グルーブ深さ60nm)の上に、実施例1と同様にして熱伝導層(AlSi,厚さ30nm)および誘電体層(SiN,厚さ5nm)を順次形成した。
次に、スパッタリング法により誘電体層上にGd35Fe43Co22を成膜することによって、厚さ10nmの記録補助層を形成した。本スパッタリングでは、所定組成比のGdFeCo合金ターゲットを用い、スパッタガス圧力を1.5Paとし、投入電力を500Wとした。
この後、記録補助層上に、実施例1と同様にして、記録層(Tb22Fe58Co20,厚さ60nm)、中間層(Tb22Fe78,厚さ15nm)、第1再生層(Gd28Fe59Co13,厚さ10nm)、第2再生層(Gd28Fe52Co20,厚さ10nm)、誘電体層(SiN,厚さ70nm)、および保護膜(紫外線硬化性透明樹脂,厚さ15μm)を順次形成した。以上のようにして、本実施例の光磁気ディスクを作製した。
〔実施例3〕
図7に示す積層構成を有するフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本実施例の光磁気ディスクを作製した。本実施例の光磁気ディスクは、熱伝導層と基板との間に下地層を有し且つ記録層とこれより下位の誘電体層との間に核形成層を有する点において、実施例1の光磁気ディスクと異なる。
図7に示す積層構成を有するフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本実施例の光磁気ディスクを作製した。本実施例の光磁気ディスクは、熱伝導層と基板との間に下地層を有し且つ記録層とこれより下位の誘電体層との間に核形成層を有する点において、実施例1の光磁気ディスクと異なる。
本実施例の光磁気ディスクの作製においては、まず、表面にランドグルーブ形状を有するポリカーボネート基板(直径120mm,厚さ1.2mm,トラックピッチ0.275nm,グルーブ深さ60nm)の上にスパッタリング法によりPtを成膜することによって、厚さ1nmの下地層を形成した。本スパッタリングでは、Ptターゲットを用い、スパッタガス圧力を0.5Paとし、投入電力を500Wとした。
次に、下地層上に、実施例1と同様にして熱伝導層(AlSi,厚さ30nm)および誘電体層(SiN,厚さ5nm)を順次形成した。
次に、スパッタリング法により誘電体層上にPtを成膜することによって、厚さ1nmの核形成層を形成した。この核形成層の成長端面の表面粗さRaは0.3nmであり、平均粒径は15nmであった。本スパッタリングでは、Ptターゲットを用い、スパッタガス圧力を0.5Paとし、投入電力を500Wとした。
この後、核形成層上に、実施例1と同様にして、記録層(Tb22Fe58Co20,厚さ60nm)、中間層(Tb22Fe78,厚さ15nm)、第1再生層(Gd28Fe59Co13,厚さ10nm)、第2再生層(Gd28Fe52Co20,厚さ10nm)、誘電体層(SiN,厚さ70nm)、および保護膜(紫外線硬化性透明樹脂,厚さ15μm)を順次形成した。以上のようにして、本実施例の光磁気ディスクを作製した。
〔比較例〕
図8に示す積層構成を有するフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本比較例の光磁気ディスクを作製した。本比較例の光磁気ディスクは、第1再生層および第2再生層の多層構造に代えて単一の再生層を有する点において、実施例1の光磁気ディスクと異なる。
図8に示す積層構成を有するフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本比較例の光磁気ディスクを作製した。本比較例の光磁気ディスクは、第1再生層および第2再生層の多層構造に代えて単一の再生層を有する点において、実施例1の光磁気ディスクと異なる。
本比較例の光磁気ディスクの作製においては、まず、表面にランドグルーブ形状を有するポリカーボネート基板(直径120mm,厚さ1.2mm,トラックピッチ0.275nm,グルーブ深さ60nm)の上に、実施例1と同様にして、熱伝導層(AlSi,厚さ30nm)、誘電体層(SiN,厚さ5nm)、記録層(Tb22Fe58Co20,厚さ60nm)、および中間層(Tb22Fe78,厚さ15nm)を順次形成した。
次に、スパッタリング法により中間層上にGd28Fe59Co13を成膜することによって、厚さ20nmの再生層を形成した。本スパッタリングでは、所定組成比のGdFeCo合金ターゲットを用い、スパッタガス圧力を0.5Paとし、投入電力を500Wとした。
この後、実施例1と同様にして、再生層上に誘電体層(SiN,厚さ70nm)および保護膜(紫外線硬化性透明樹脂,厚さ15μm)を順次形成した。以上のようにして、本比較例の光磁気ディスクを作製した。
〈bERの記録マーク長依存性〉
実施例1,3および比較例の光磁気ディスクの各々について、再生信号におけるビットエラーレート(bER)の記録マーク長依存性を調べた。具体的には、まず、光磁気ディスクにおけるグルーブトラックに対し、所定の最短記録マーク長が設定されたランダムな信号を記録した。この記録処理は、所定の装置を使用してレーザパルス磁界変調記録方式により行った。この装置のレーザ集光用対物レンズの開口数NAは0.85であり、レーザ波長は405nmである。また、ディスク回転速度を4.0m/sとし、記録用レーザのパワーを12.0mWとして発光デューティを30%とし、記録磁界を200Oeとした。
実施例1,3および比較例の光磁気ディスクの各々について、再生信号におけるビットエラーレート(bER)の記録マーク長依存性を調べた。具体的には、まず、光磁気ディスクにおけるグルーブトラックに対し、所定の最短記録マーク長が設定されたランダムな信号を記録した。この記録処理は、所定の装置を使用してレーザパルス磁界変調記録方式により行った。この装置のレーザ集光用対物レンズの開口数NAは0.85であり、レーザ波長は405nmである。また、ディスク回転速度を4.0m/sとし、記録用レーザのパワーを12.0mWとして発光デューティを30%とし、記録磁界を200Oeとした。
次に、上述のようにして記録された信号を再生し、記録時の変調信号と再生時の復調信号とを比較することにより、記録変調信号に対する再生復調信号の誤り率をビットエラーレート(bER)として算出した。この再生処理は、上述の記録処理と同一の装置を使用して行い、再生用レーザパワーを1.8mWとし、ディスク回転速度を4.0m/sとした。
このような記録処理およびその後の再生処理を、記録処理におけるランダムパターン記録信号の最短記録マーク長を変化させて各最短記録マーク長ごとに行い、各最短記録マーク長に対するbERを測定した。各光磁気ディスクにおけるbERの最短記録マーク長依存性を、図9のグラフに掲げる。図9のグラフにおいては、最短記録マーク長(μm)を横軸にて表し、縦軸にてbERを表す。線L1,L3は、各々、実施例1,3の光磁気ディスクにおけるbERの最短記録マーク長依存性を示す。最短記録マーク長が0.09μm以上の範囲では線L1および線L3は重なっている。また、線L4は、比較例の光磁気ディスクにおけるbERの最短記録マーク長依存性を示す。
図9のグラフに現れているように、実施例1,3の光磁気ディスクでは、比較例の光磁気ディスクよりもbERが相当程度に小さい。これは、比較例の光磁気ディスクの再生時と比較して、実施例1,3の光磁気ディスクの再生時にはゴースト信号が充分に抑制されたためであると考えられる。また、最短記録マーク長が0.07μmより小さい場合には、実施例3の光磁気ディスクでは、実施例1の光磁気ディスクよりもbERが小さい。これは、記録層直下に核形成層を有しない実施例1の光磁気ディスクと比較して、記録層直下に核形成層を有する実施例3の光磁気ディスクでは、記録層に対して微小な記録マーク(磁区)がより均一に(即ちより良好な記録ジッタで)形成できることに起因すると考えられる。
〈bERの記録磁界依存性〉
実施例1,2の光磁気ディスクの各々について、再生信号におけるbERの記録磁界依存性を調べた。具体的には、まず、光磁気ディスクにおけるグルーブトラックに対し、最短記録マーク長が70μmであるランダムな信号を記録した。この記録処理は、所定の装置を使用してレーザパルス磁界変調記録方式により行った。この装置のレーザ集光用対物レンズの開口数NAは0.85であり、レーザ波長は405nmである。また、ディスク回転速度を4.0m/sとし、記録用レーザのパワーを12.0mWとして発光デューティを30%とし、記録磁界を200Oeとした。
実施例1,2の光磁気ディスクの各々について、再生信号におけるbERの記録磁界依存性を調べた。具体的には、まず、光磁気ディスクにおけるグルーブトラックに対し、最短記録マーク長が70μmであるランダムな信号を記録した。この記録処理は、所定の装置を使用してレーザパルス磁界変調記録方式により行った。この装置のレーザ集光用対物レンズの開口数NAは0.85であり、レーザ波長は405nmである。また、ディスク回転速度を4.0m/sとし、記録用レーザのパワーを12.0mWとして発光デューティを30%とし、記録磁界を200Oeとした。
次に、上述のようにして記録された信号を再生し、記録時の変調信号と再生時の復調信号とを比較することにより、記録変調信号に対する再生復調信号の誤り率をビットエラーレート(bER)として算出した。この再生処理は、上述の記録処理と同一の装置を使用して行い、再生用レーザパワーを1.8mWとし、ディスク回転速度を4.0m/sとした。
このような記録処理およびその後の再生処理を、記録処理における記録磁界を変化させて各記録磁界ごとに行い、各記録磁界におけるbERを測定した。各光磁気ディスクにおけるbERの記録磁界依存性を、図10のグラフに掲げる。図10のグラフにおいては、磁気記録ヘッドの発する記録磁界(Oe)を横軸にて表し、縦軸にてbERを表す。線L1’,L2’は、各々、実施例1,2の光磁気ディスクにおけるbERの記録磁界依存性を示す。記録磁界が225Oe以上の範囲では線L1’および線L2’は重なっている。
図10のグラフに示される結果から、記録補助層を有する実施例2の光磁気ディスクは、記録補助層を有しない実施例1の光磁気ディスクよりも、記録磁界を低減するのに好適であることが判る。
以上のまとめとして、本発明の構成およびそのバリエーションを以下に付記として列挙する。
(付記1)垂直磁化膜よりなり記録機能を担う記録層と、
垂直磁化膜よりなり、磁壁移動を伴う再生機能を担う、第1再生層と、
前記記録層および前記再生層の間に介在し、低温側での垂直磁化状態と高温側での自発磁化消失状態との間で状態変化を生じ得るキュリー温度を有する、中間層と、
前記中間層とは反対の側にて前記第1再生層に接する垂直磁化膜よりなり、磁壁移動を伴う再生機能を担う、第2再生層と、からなる積層構造を含む記録磁性部を備える光磁気記録媒体について情報再生を実行するための方法であって、
再生用レーザビームを前記記録磁性部に対して前記第2再生層の側から照射して当該記録磁性部を局所的に昇温させつつ昇温領域を移動させ、且つ、当該昇温領域に外部磁界を印加して、
前記中間層内に、前記キュリー温度以上に昇温して移動する磁化消失領域を形成し、
前記第1再生層内に、前記磁化消失領域に接して移動する第1磁壁可動領域を形成し、
前記第2再生層内に、前記第1磁壁可動領域に接して移動する第2磁壁可動領域と、当該第2磁壁可動領域に対して移動方向後方にて隣接し、前記外部磁界の方向に磁化され、且つ前記第1磁壁可動領域に接して移動する、磁気マスク領域とを形成する、光磁気記録媒体の再生方法。
(付記2)前記昇温領域における前記第2再生層内の最高温度をTpとし、前記第2再生層内において磁壁駆動力が消失する温度をTsとすると、
Tp>Tsであり、
前記第2磁壁可動領域および前記磁気マスク領域の境界は、前記第2再生層内においてTpに昇温した第1箇所から、当該第1箇所よりも前記移動方向の前方においてTsに昇温した第2箇所までの間に、位置する、付記1に記載の光磁気記録媒体の再生方法。
(付記3)前記昇温領域における前記第2再生層内の最高温度をTpとし、前記第2再生層内において磁壁駆動力が消失する温度をTsとすると、
Tp=Tsであり、
前記第2磁壁可動領域および前記磁気マスク領域の境界は、前記第2再生層内においてTpに昇温した箇所に位置する、付記1に記載の光磁気記録媒体の再生方法。
(付記4)前記外部磁界は、前記記録磁性部に対して厚さ方向に印加され、前記磁気マスク領域は垂直磁化されている、付記1から3のいずれか一つに記載の光磁気記録媒体の再生方法。
(付記5)前記外部磁界の強度をHrとし、前記第1再生層と前記第2再生層との間の交換結合力をHexとし、前記第2再生層の保磁力をHcとすると、
前記第2磁壁可動領域では、Hr<Hex+Hcが成立し、
前記磁気マスク領域では、Hr>Hex+HcまたはHex<Hr+Hcが成立する、付記4に記載の光磁気記録媒体の再生方法。
(付記6)前記磁気マスク領域の前方境界では、Hr=Hex+Hcが成立し、当該磁気マスク領域の後方境界では、Hex=Hr+Hcが成立する、付記5に記載の光磁気記録媒体の再生方法。
(付記7)前記磁気マスク領域は、前記移動方向において前記第1磁壁可動領域の後端よりも後方に後端を有する、付記1から6のいずれか一つに記載の光磁気記録媒体の再生方法。
(付記8)垂直磁化膜よりなり記録機能を担う記録層と、
垂直磁化膜よりなり、磁壁移動を伴う再生機能を担う、第1再生層と、
前記記録層および前記再生層の間に介在し、低温側での垂直磁化状態と高温側での自発磁化消失状態との間で状態変化を生じ得るキュリー温度を有する、中間層と、
前記中間層とは反対の側にて前記第1再生層に接する垂直磁化膜よりなり、磁壁移動を伴う再生機能を担う、第2再生層と、からなる積層構造を含む記録磁性部を備え、
再生用レーザビームを前記記録磁性部に対して前記第2再生層の側から照射して当該記録磁性部を局所的に昇温させつつ昇温領域を移動させ、且つ、当該昇温領域に外部磁界を印加する場合に、
前記中間層内に、前記キュリー温度以上に昇温して移動する磁化消失領域を生じ、
前記第1再生層内に、前記磁化消失領域に接して移動する第1磁壁可動領域を生じ、
前記第2再生層内に、前記第1磁壁可動領域に接して移動する第2磁壁可動領域と、当該第2磁壁可動領域に対して移動方向後方にて隣接し、前記外部磁界の方向に磁化され、且つ前記第1磁壁可動領域に接して移動する、磁気マスク領域とを生ずる、光磁気記録媒体。
垂直磁化膜よりなり、磁壁移動を伴う再生機能を担う、第1再生層と、
前記記録層および前記再生層の間に介在し、低温側での垂直磁化状態と高温側での自発磁化消失状態との間で状態変化を生じ得るキュリー温度を有する、中間層と、
前記中間層とは反対の側にて前記第1再生層に接する垂直磁化膜よりなり、磁壁移動を伴う再生機能を担う、第2再生層と、からなる積層構造を含む記録磁性部を備える光磁気記録媒体について情報再生を実行するための方法であって、
再生用レーザビームを前記記録磁性部に対して前記第2再生層の側から照射して当該記録磁性部を局所的に昇温させつつ昇温領域を移動させ、且つ、当該昇温領域に外部磁界を印加して、
前記中間層内に、前記キュリー温度以上に昇温して移動する磁化消失領域を形成し、
前記第1再生層内に、前記磁化消失領域に接して移動する第1磁壁可動領域を形成し、
前記第2再生層内に、前記第1磁壁可動領域に接して移動する第2磁壁可動領域と、当該第2磁壁可動領域に対して移動方向後方にて隣接し、前記外部磁界の方向に磁化され、且つ前記第1磁壁可動領域に接して移動する、磁気マスク領域とを形成する、光磁気記録媒体の再生方法。
(付記2)前記昇温領域における前記第2再生層内の最高温度をTpとし、前記第2再生層内において磁壁駆動力が消失する温度をTsとすると、
Tp>Tsであり、
前記第2磁壁可動領域および前記磁気マスク領域の境界は、前記第2再生層内においてTpに昇温した第1箇所から、当該第1箇所よりも前記移動方向の前方においてTsに昇温した第2箇所までの間に、位置する、付記1に記載の光磁気記録媒体の再生方法。
(付記3)前記昇温領域における前記第2再生層内の最高温度をTpとし、前記第2再生層内において磁壁駆動力が消失する温度をTsとすると、
Tp=Tsであり、
前記第2磁壁可動領域および前記磁気マスク領域の境界は、前記第2再生層内においてTpに昇温した箇所に位置する、付記1に記載の光磁気記録媒体の再生方法。
(付記4)前記外部磁界は、前記記録磁性部に対して厚さ方向に印加され、前記磁気マスク領域は垂直磁化されている、付記1から3のいずれか一つに記載の光磁気記録媒体の再生方法。
(付記5)前記外部磁界の強度をHrとし、前記第1再生層と前記第2再生層との間の交換結合力をHexとし、前記第2再生層の保磁力をHcとすると、
前記第2磁壁可動領域では、Hr<Hex+Hcが成立し、
前記磁気マスク領域では、Hr>Hex+HcまたはHex<Hr+Hcが成立する、付記4に記載の光磁気記録媒体の再生方法。
(付記6)前記磁気マスク領域の前方境界では、Hr=Hex+Hcが成立し、当該磁気マスク領域の後方境界では、Hex=Hr+Hcが成立する、付記5に記載の光磁気記録媒体の再生方法。
(付記7)前記磁気マスク領域は、前記移動方向において前記第1磁壁可動領域の後端よりも後方に後端を有する、付記1から6のいずれか一つに記載の光磁気記録媒体の再生方法。
(付記8)垂直磁化膜よりなり記録機能を担う記録層と、
垂直磁化膜よりなり、磁壁移動を伴う再生機能を担う、第1再生層と、
前記記録層および前記再生層の間に介在し、低温側での垂直磁化状態と高温側での自発磁化消失状態との間で状態変化を生じ得るキュリー温度を有する、中間層と、
前記中間層とは反対の側にて前記第1再生層に接する垂直磁化膜よりなり、磁壁移動を伴う再生機能を担う、第2再生層と、からなる積層構造を含む記録磁性部を備え、
再生用レーザビームを前記記録磁性部に対して前記第2再生層の側から照射して当該記録磁性部を局所的に昇温させつつ昇温領域を移動させ、且つ、当該昇温領域に外部磁界を印加する場合に、
前記中間層内に、前記キュリー温度以上に昇温して移動する磁化消失領域を生じ、
前記第1再生層内に、前記磁化消失領域に接して移動する第1磁壁可動領域を生じ、
前記第2再生層内に、前記第1磁壁可動領域に接して移動する第2磁壁可動領域と、当該第2磁壁可動領域に対して移動方向後方にて隣接し、前記外部磁界の方向に磁化され、且つ前記第1磁壁可動領域に接して移動する、磁気マスク領域とを生ずる、光磁気記録媒体。
X1,X2,X3,X4 光磁気ディスク
S1,S2 基板
10,40 記録磁性部
11,41 記録層
12,42 中間層
13 第1再生層
14 第2再生層
21,52 熱伝導層
22,23,53,54 誘電体層
24,55 保護膜
31 記録補助層
32 核形成層
L レーザビーム
S1,S2 基板
10,40 記録磁性部
11,41 記録層
12,42 中間層
13 第1再生層
14 第2再生層
21,52 熱伝導層
22,23,53,54 誘電体層
24,55 保護膜
31 記録補助層
32 核形成層
L レーザビーム
Claims (5)
- 垂直磁化膜よりなり記録機能を担う記録層と、
垂直磁化膜よりなり、磁壁移動を伴う再生機能を担う、第1再生層と、
前記記録層および前記再生層の間に介在し、低温側での垂直磁化状態と高温側での自発磁化消失状態との間で状態変化を生じ得るキュリー温度を有する、中間層と、
前記中間層とは反対の側にて前記第1再生層に接する垂直磁化膜よりなり、磁壁移動を伴う再生機能を担う、第2再生層と、からなる積層構造を含む記録磁性部を備える光磁気記録媒体について情報再生を実行するための方法であって、
再生用レーザビームを前記記録磁性部に対して前記第2再生層の側から照射して当該記録磁性部を局所的に昇温させつつ昇温領域を移動させ、且つ、当該昇温領域に外部磁界を印加して、
前記中間層内に、前記キュリー温度以上に昇温して移動する磁化消失領域を形成し、
前記第1再生層内に、前記磁化消失領域に接して移動する第1磁壁可動領域を形成し、
前記第2再生層内に、前記第1磁壁可動領域に接して移動する第2磁壁可動領域と、当該第2磁壁可動領域に対して移動方向後方にて隣接し、前記外部磁界の方向に磁化され、且つ前記第1磁壁可動領域に接して移動する、磁気マスク領域とを形成する、光磁気記録媒体の再生方法。 - 前記昇温領域における前記第2再生層内の最高温度をTpとし、前記第2再生層内において磁壁駆動力が消失する温度をTsとすると、
Tp>Tsであり、
前記第2磁壁可動領域および前記磁気マスク領域の境界は、前記第2再生層内においてTpに昇温した第1箇所から、当該第1箇所よりも前記移動方向の前方においてTsに昇温した第2箇所までの間に、位置する、請求項1に記載の光磁気記録媒体の再生方法。 - 前記外部磁界は、前記記録磁性部に対して厚さ方向に印加され、前記磁気マスク領域は垂直磁化されている、請求項1または2に記載の光磁気記録媒体の再生方法。
- 前記外部磁界の強度をHrとし、前記第1再生層と前記第2再生層との間の交換結合力をHexとし、前記第2再生層の保磁力をHcとすると、
前記第2磁壁可動領域では、Hr<Hex+Hcが成立し、
前記磁気マスク領域では、Hr>Hex+HcまたはHex<Hr+Hcが成立する、請求項3に記載の光磁気記録媒体の再生方法。 - 垂直磁化膜よりなり記録機能を担う記録層と、
垂直磁化膜よりなり、磁壁移動を伴う再生機能を担う、第1再生層と、
前記記録層および前記再生層の間に介在し、低温側での垂直磁化状態と高温側での自発磁化消失状態との間で状態変化を生じ得るキュリー温度を有する、中間層と、
前記中間層とは反対の側にて前記第1再生層に接する垂直磁化膜よりなり、磁壁移動を伴う再生機能を担う、第2再生層と、からなる積層構造を含む記録磁性部を備え、
再生用レーザビームを前記記録磁性部に対して前記第2再生層の側から照射して当該記録磁性部を局所的に昇温させつつ昇温領域を移動させ、且つ、当該昇温領域に外部磁界を印加する場合に、
前記中間層内に、前記キュリー温度以上に昇温して移動する磁化消失領域を生じ、
前記第1再生層内に、前記磁化消失領域に接して移動する第1磁壁可動領域を生じ、
前記第2再生層内に、前記第1磁壁可動領域に接して移動する第2磁壁可動領域と、当該第2磁壁可動領域に対して移動方向後方にて隣接し、前記外部磁界の方向に磁化され、且つ前記第1磁壁可動領域に接して移動する、磁気マスク領域とを生ずる、光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004328810A JP2006139857A (ja) | 2004-11-12 | 2004-11-12 | 光磁気記録媒体の再生方法および光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004328810A JP2006139857A (ja) | 2004-11-12 | 2004-11-12 | 光磁気記録媒体の再生方法および光磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006139857A true JP2006139857A (ja) | 2006-06-01 |
Family
ID=36620585
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004328810A Withdrawn JP2006139857A (ja) | 2004-11-12 | 2004-11-12 | 光磁気記録媒体の再生方法および光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2006139857A (ja) |
-
2004
- 2004-11-12 JP JP2004328810A patent/JP2006139857A/ja not_active Withdrawn
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