JP2006139857A - 光磁気記録媒体の再生方法および光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】 光磁気記録媒体の再生時においてゴースト信号の発生を適切に抑制する。
【解決手段】 本発明の再生方法では、各々が垂直磁化膜よりなる記録層１１、中間層１２、第１再生層１３、および第２再生層１４、を含む記録磁性部１０を備える光磁気記録媒体Ｘ１が用いられ、再生用レーザビームＬの照射により記録磁性部１０を局所的に昇温させつつ昇温領域を移動させ、且つ、当該昇温領域に外部磁界Ｈｒを印加することにより、中間層１２内に、キュリー温度Ｔｃ以上に昇温して移動する磁化消失領域Ｒ１を形成し、第１再生層１３内に、磁化消失領域Ｒ１に接して移動する第１磁壁可動領域Ｒ２を形成し、第２再生層１４内に、第１磁壁可動領域Ｒ２に接して移動する第２磁壁可動領域Ｒ３と、第２磁壁可動領域Ｒ３に対して移動方向Ｄの後方にて隣接し、外部磁界Ｈｒの方向に磁化され、且つ第１磁壁可動領域Ｒ２に接して移動する、磁気マスク領域Ｒ４とを形成する。
【選択図】 図２

Description

本発明は、記録機能を担う記録層と、磁壁移動ないし磁区拡大を伴う再生機能を担う再生層とを含む記録磁性部を有する光磁気記録媒体について情報を再生するための方法、および、そのような光磁気記録媒体に関する。

光学的に情報が読み取られる光メディアの一形態として、光磁気記録媒体が知られている。光磁気記録媒体は、熱磁気的に記録され且つ磁気光学効果を利用して再生される書き換え可能な記録媒体である。また、光磁気記録媒体は、垂直磁化膜からなる記録層を有し、当該記録層において、磁化方向の変化として所定の信号が記録される。この記録信号は、所定の光学系で読み取られて再生信号として出力される。

光磁気記録媒体の技術の分野では、読取り用の光学系における分解能の限界を超えて高密度に記録された信号を実用的に再生するための、磁壁移動ないし磁区拡大を伴う再生方式が開発されている。例えば、ＤＷＤＤ(domain wall displacement detection)や、ＭＡＭＭＯＳ(magnetic amplifying magneto-optical system）である。これらのような再生方式が採用される磁区拡大系の光磁気記録媒体については、例えば下記の特許文献１や特許文献２に記載されている。

特開平６−２９０４９６号公報 特開２００１−５６９７７号公報

図１１は、従来の磁区拡大系光磁気記録媒体の一例である光磁気ディスクＸ４の積層構成を表す。光磁気ディスクＸ４は、基板Ｓ２と、記録磁性部４０と、プリグルーブ層５１と、熱伝導層５２と、誘電体層５３，５４と、保護膜５５とからなる積層構造を有し、フロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして構成されたものである。

記録磁性部４０は、記録層４１と、中間層４２と、再生層４３とからなる積層構造を有する。これら三層は、各々、希土類−遷移金属アモルファス合金よりなる垂直磁化膜である。記録層４１は相対的に大きな磁壁抗磁力を呈し、再生層４３は相対的に小さな磁壁抗磁力を呈し、中間層４２は他の二層より低いキュリー温度を有し、これら三層は、中間層４２のキュリー温度より低い温度条件下において隣接二層間に交換相互作用が働くように積層されている。

プリグルーブ層５１は、樹脂材料よりなり、その記録磁性部４０の側の面には、プリグルーブなどの凹凸形状（図示せず）が形成されている。熱伝導層５２は、レーザビーム照射時に記録磁性部４０などにて発生する熱を効率よく基板Ｓ２の側へ伝えるための部位であり、高熱伝導材料よりなる。誘電体層５３，５４は、記録磁性部４０に対する外部からの不当な磁気的影響等を回避するための部位である。保護膜５５は、記録磁性部４０を特に塵埃から保護するための部位であり、光透過性の樹脂材料よりなる。

光磁気ディスクＸ４への情報記録においては、光磁気ディスクＸ４を回転させた状態で、記録用のレーザビームを保護膜５５の側から記録磁性部４０に向けて照射することにより記録層４１を局所的に順次昇温させつつ、当該昇温箇所に所定の磁界が印加される。このようにして、記録磁性部４０内の記録層４１には、ディスク周方向に沿って所定の信号が記録される。具体的には、記録層４１には、ディスク周方向に延びる情報トラックに沿って連続して交互に磁化が反転し且つ記録信号に応じた所定の長さを各々が有する複数の磁区が形成される。中間層４２のキュリー温度より低い温度条件の下では、記録層４１と中間層４２とは交換結合し且つ中間層４２と再生層４３とは交換結合し、再生層４３および中間層４２には、記録層４１と同方向に磁化された磁区と、磁区間の磁壁とが形成される。

図１２は、光磁気ディスクＸ４の再生方法を表す。図の簡潔化の観点より、図１２では、光磁気ディスクＸ４について、記録層４１、中間層４２、および再生層４３以外を省略する。光磁気ディスクＸ４の情報再生においては、光磁気ディスクＸ４を回転させた状態で、再生用のレーザビームＬを情報トラックに沿って再生層４３の側から記録磁性部４０に対して照射する。照射領域の光磁気ディスクＸ４に対する相対移動方向を矢印Ｄで表す。レーザビームＬの照射により、記録磁性部４０内は局所的に昇温し、記録磁性部４０内には、例えば図１２のグラフに示すように、ディスク周方向に温度勾配が生ずる。そして、中間層４２には、そのキュリー温度Ｔｃ以上に昇温して自発磁化が消失した領域Ｒ５（斜線ハッチングを付して表す）が生ずる。

このような照射領域における、中間層４２のキュリー温度Ｔｃの等温線を、記録層４１の所定の磁区４１ａに対応する再生層４３の磁区４３ａの磁壁４３ａ’が照射領域移動に伴って低温領域から高温領域へと通過する瞬間に、当該磁壁４３ａ’は再生層４３内をより高温側へと移動する。照射領域移動方向Ｄにおける前方から後方に向けて再生層４３内をこのように磁壁４３ａ’が移動すると、当該磁壁移動領域の磁化は反転する。この磁化反転を、再生層４３の表面にて反射した光の偏光面の変化として所定の光学系で検出することにより、磁壁移動が検知される。情報トラックに沿って再生用のレーザビームＬを照射して磁壁移動を順次検知することにより、光磁気ディスクＸ４の記録信号が読み取られることとなる。

上述の光磁気ディスクＸ４の再生方法においては、記録層４１の所定の磁区４１ｂが照射領域を抜け出るときに、当該磁区４１ｂに対応して中間層４２に磁区４２ｂが形成され、更に当該磁区４２ｂに対応して再生層４３に磁区４３ｂおよび磁壁４３ｂ’が形成される。この磁壁４３ｂ’は、照射領域移動方向Ｄにおける後方から前方に向けて再生層４３内を移動する場合がある。このような磁壁移動は、読取り用光学系によりゴースト信号として検知されてしまい、好ましくない。

そこで、従来、例えば光磁気ディスクＸ４においては、再生層４３と中間層４２の間にいわゆるコントロール層が設けられてゴースト信号の抑制が図られる場合がある。コントロール層は、再生層４３より磁壁エネルギー密度が大きく、且つ、中間層４２よりキュリー温度が高い垂直磁化膜よりなる。しかしながら、このようなコントロール層を利用する従来の技術によると、充分にゴースト信号を抑制できない場合がある。特に、記録層４１に形成される記録マーク（磁区）が長いほど、ゴースト信号抑制は困難となる傾向にある。

本発明は、このような事情の下で考え出されたものであって、垂直磁化膜よりなり記録機能を担う記録層と、垂直磁化膜よりなり磁壁移動ないし磁区拡大を伴う再生機能を担う再生層と、を含む記録磁性部を有する光磁気記録媒体について情報を再生するにあたり、ゴースト信号の発生を適切に抑制することを目的とする。

本発明の第１の側面によると、光磁気記録媒体について情報再生を実行するための方法が提供される。本方法では、垂直磁化膜よりなり記録機能を担う記録層と、垂直磁化膜よりなり、磁壁移動を伴う再生機能を担う、第１再生層と、記録層および再生層の間に介在し、低温側での垂直磁化状態と高温側での自発磁化消失状態との間で状態変化を生じ得るキュリー温度を有する、中間層と、中間層とは反対の側にて第１再生層に接する垂直磁化膜よりなり、磁壁移動を伴う再生機能を担う、第２再生層と、からなる積層構造を含む記録磁性部を備える光磁気記録媒体を用いる。また、本方法では、再生用レーザビームを記録磁性部に対して第２再生層の側から照射して当該記録磁性部を局所的に昇温させつつ昇温領域を移動させ、且つ、当該昇温領域に外部磁界を印加する。これにより、中間層内に、キュリー温度以上に昇温して移動する磁化消失領域を形成し、第１再生層内に、磁化消失領域に接して移動する第１磁壁可動領域を形成し、第２再生層内に、第１磁壁可動領域に接して移動する第２磁壁可動領域と、当該第２磁壁可動領域に対して移動方向後方にて隣接し、外部磁界の方向に磁化され、且つ第１磁壁可動領域に接して移動する、磁気マスク領域とを形成する。

このような構成の光磁気記録媒体再生方法においては、中間層内における磁化消失領域よりも前方（昇温領域ないし磁化消失領域の移動方向における前方）には垂直磁化状態の領域が存在し、所定情報に対応して記録層内に形成された磁区（記録マーク）が、中間層内の当該垂直磁化領域を介して第１再生層に転写され、更には第２再生層へと転写されている。すなわち、中間層内の磁化消失領域よりも前方側では、記録層内の同一の磁区に対応して、第１再生層内には第１磁区が形成され、第２再生層内には、第１磁区と交換結合する第２磁区が形成されている。そして、再生用レーザビームの照射により記録磁性部内に生ずる昇温領域が移動するのに伴って、第１磁区を規定する第１磁壁が第１再生層内の第１磁壁可動領域にその前方側から進入し、且つ、第２磁区を規定する第２磁壁が第２再生層内の第２磁壁可動領域にその前方側から進入すると、これら第１および第２磁壁は、一体的に、より高温の後方側に向かって第１および第２磁壁可動領域内を移動する。この磁壁移動を検知することにより、再生信号を得ることができる。

また、本再生方法においては、第２再生層内における第２磁壁可動領域よりも後方には、印加される外部磁界の方向に磁化された磁気マスク領域が生じる。この磁気マスク領域は、第２再生層内において第２磁壁可動領域と連続し、且つ、再生用レーザビームに対して第１再生層の第１磁壁可動領域の後方部の全体または一部を覆う機能を担う。好ましくは、磁気マスク領域は、再生用レーザビームの照射スポットの後端を越えて更に後方まで延びる。このような磁気マスク領域が存在するため、昇温領域の後方側にて第２再生層内に形成される磁壁が昇温領域移動方向における後方から前方に向かって第２再生層内を移動することは、防止され又は抑制され、その結果、そのような磁壁移動現象に起因するゴースト信号は抑制される。

以上のように、本再生方法によると、光磁気記録媒体について情報再生を適切に実行したうえで、適切にゴースト信号を抑制することができるのである。

本発明の第２の側面によると光磁気記録媒体が提供される。本光磁気記録媒体は、垂直磁化膜よりなり記録機能を担う記録層と、垂直磁化膜よりなり、磁壁移動を伴う再生機能を担う、第１再生層と、記録層および再生層の間に介在し、低温側での垂直磁化状態と高温側での自発磁化消失状態との間で状態変化を生じ得るキュリー温度を有する、中間層と、中間層とは反対の側にて第１再生層に接する垂直磁化膜よりなり、磁壁移動を伴う再生機能を担う、第２再生層と、からなる積層構造を含む記録磁性部を備え、再生用レーザビームを記録磁性部に対して第２再生層の側から照射して当該記録磁性部を局所的に昇温させつつ昇温領域を移動させ、且つ、当該昇温領域に外部磁界を印加する場合には、中間層内に、キュリー温度以上に昇温して移動する磁化消失領域を生じ、第１再生層内に、磁化消失領域に接して移動する第１磁壁可動領域を生じ、第２再生層内に、第１磁壁可動領域に接して移動する第２磁壁可動領域と、当該第２磁壁可動領域に対して移動方向後方にて隣接し、外部磁界の方向に磁化され、且つ第１磁壁可動領域に接して移動する、磁気マスク領域とを生ずる。本光磁気記録媒体によると、本発明の第１の側面に係る再生方法を適切に実施することができる。

本発明の第１および第２の側面において、昇温領域における第２再生層内の最高温度をＴｐとし、第２再生層内において磁壁駆動力が消失する温度をＴｓとすると、好ましい実施の形態では、Ｔｐ＞Ｔｓであり、第２磁壁可動領域および磁気マスク領域の境界は、第２再生層内においてＴｐに昇温した第１箇所から、当該第１箇所よりも移動方向の前方においてＴｓに昇温した第２箇所までの間に、位置する。第２磁壁可動領域を長く設定して再生信号強度を確保するという観点からは、ＴｐとＴｓの温度差は小さい方が好ましい。また、第２箇所（温度Ｔｓ）と磁気マスク領域の間の磁化方向不確定領域を短くして良好な再生信号を得るという観点からは、第２磁壁可動領域および磁気マスク領域の境界は、第２箇所に近接する方が好ましい。

本発明の第１および第２の側面において、他の好ましい実施の形態では、Ｔｐ＝Ｔｓであり、第２磁壁可動領域および磁気マスク領域の境界は、第２再生層内においてＴｐに昇温した箇所に位置する。

好ましくは、外部磁界は、記録磁性部に対して厚さ方向に印加され、磁気マスク領域は垂直磁化されている。垂直磁化された磁気マスクは、垂直磁化膜よりなる第２再生層において、ゴースト信号の原因となるような磁壁移動を防止または抑制するうえで、好適である。

好ましくは、外部磁界の強度をＨｒとし、第１再生層と第２再生層との間の交換結合力をＨｅｘとし、第２再生層の保磁力をＨｃとすると、第２磁壁可動領域では、Ｈｒ＜Ｈｅｘ＋Ｈｃが成立し、磁気マスク領域では、Ｈｒ＞Ｈｅｘ＋ＨｃまたはＨｅｘ＜Ｈｒ＋Ｈｃが成立する。この場合、より好ましくは、磁気マスク領域の前方境界では、Ｈｒ＝Ｈｅｘ＋Ｈｃが成立し、当該磁気マスク領域の後方境界では、Ｈｅｘ＝Ｈｒ＋Ｈｃが成立する。このような構成によると、第２再生層内において磁気マスク領域を適切に形成することができる。

好ましくは、磁気マスク領域は、移動方向において第１磁壁可動領域の後端よりも後方に後端を有する。このような構成は、信号再生を終えた第２再生層に磁区が転写され始める箇所を再生用レーザビーム照射スポットから遠ざけるうえで好適であり、従って、ゴースト信号を抑制するうえで好適である。

図１は、本発明の第１の実施形態に係る光磁気ディスクＸ１の部分断面を表す。光磁気ディスクＸ１は、基板Ｓ１と、記録磁性部１０と、熱伝導層２１と、誘電体層２２，２３と、保護膜２４とを備え、フロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして構成されたものである。また、光磁気ディスクＸ１は、熱伝導層２１から保護膜２４までの構造を基板Ｓ１の片側のみ又は両側に有する。

基板Ｓ１は、光磁気ディスクＸ１の剛性を確保するための部位であり、渦巻き状または同心円状のプリグルーブが形成された所定の凹凸形状を表面に有する。この凹凸形状を基に、光磁気ディスクＸ１におけるランドグルーブ形状が形成されている。また、基板Ｓ１は、例えば、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）樹脂、エポキシ樹脂、またはポリオレフィン樹脂よりなる。

記録磁性部１０は、記録層１１、中間層１２、第１再生層１３、および第２再生層１４よりなる積層構造を有し、後に詳述するように、第１再生層１３および第２再生層１４内での磁壁移動ないし磁区拡大を伴う磁区拡大系再生方式（例えばＤＷＤＤやＭＡＭＭＯＳなど）に基づいて再生可能に構成されている。

記録層１１は、光磁気ディスクＸ１において記録機能を担う部位であって、希土類元素と遷移金属とを含むアモルファス合金よりなり、且つ、垂直磁気異方性を有して垂直方向に磁化された垂直磁化膜である。垂直方向とは、層を構成する磁性膜の膜面に対して垂直な方向をいう。このような記録層１１は、例えば、所定の組成比のＴｂＦｅＣо、ＤｙＦｅＣо、またはＴｂＤｙＦｅＣоよりなり、いわゆる遷移金属磁化優勢または希土類磁化優勢の組成を有する。また、記録層１１の厚さは例えば１５〜９０ｎｍである。

中間層１２は、昇温によりそのキュリー温度Ｔｃにて垂直磁化状態から自発磁化消失状態に転移（状態変化）し且つ降温によりキュリー温度Ｔｃにて自発磁化消失状態から垂直磁化状態に転移する希土類−遷移金属アモルファス合金よりなる。本実施形態では、キュリー温度Ｔｃは２００〜２５０℃であり、従って、室温においては中間層１２は垂直磁化膜である。このような中間層１２は、例えば、所定の組成比のＴｂＦｅまたはＴｂＦｅＣоよりなる。また、中間層１２の厚さは例えば３〜１５ｎｍである。

第１再生層１３は、磁壁移動ないし磁区拡大を伴う再生機能を担う部位であり、希土類−遷移金属アモルファス合金よりなる垂直磁化膜である。このような第１再生層１３は、例えば、所定の組成比のＧｄＦｅ、ＧｄＦｅＣо、ＧｄＴｂＦｅＣо、ＧｄＤｙＦｅＣо、またはＧｄＴｂＤｙＦｅＣоよりなる。また、第１再生層１３の厚さは例えば１０〜３５ｎｍである。

第２再生層１４は、磁壁移動ないし磁区拡大を伴う再生機能を第１再生層１３と共に担う部位であり、希土類−遷移金属アモルファス合金よりなる垂直磁化膜である。本実施形態では、第２再生層１４の保磁力は第１再生層１３の保磁力より大きい。光磁気ディスクＸ１の後述の情報再生時に第２再生層１４内の所定箇所に磁気マスク領域Ｒ４（磁壁移動が生じない領域）を形成するうえでは、第１再生層１３内の磁壁移動が第２再生層１４に及ぼす影響を低減すべく、第２再生層１４の保磁力を第１再生層１３の保磁力より大きく設定するのが好ましい。このような第２再生層１４は、例えば、所定の組成比のＧｄＦｅＣо、ＧｄＴｂＦｅＣо、ＧｄＤｙＦｅＣо、またはＧｄＴｂＤｙＦｅＣоよりなる。また、第２再生層１４の厚さは例えば５〜１５ｎｍである。

熱伝導層２１は、光磁気ディスクＸ１に対して記録用または再生用のレーザビームが照射されるときに記録磁性部１０にて発生する熱を効率よく基板Ｓ１に伝えるための部位であり、例えば、Ｃ、Ａｇ、Ａｇ合金（ＡｇＰｄＣｕＳｉ，ＡｇＰｄＣｕなど）、Ａｌ合金（ＡｌＳｉ，ＡｌＴｉ，ＡｌＣｒなど）、Ａｕ、またはＰｔなどの、高熱伝導材料よりなる。熱伝導層２１の厚さは、例えば５〜３０ｎｍである。

誘電体層２２，２３は、大気や湿気との接触により記録磁性部１０が腐食や酸化してしまうことを防止するための部位であり、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯ₂、ＹＳｉＯ₂、ＺｎＳｉＯ₂、ＡｌＯ、またはＡｌＮよりなる。誘電体層２２，２３の厚さは、例えば５〜９０ｎｍである。誘電体層２２は、光磁気ディスクＸ１ないしその記録磁性部１０に対する記録用または再生用のレーザビームの照射時において、記録磁性部１０にて発生する熱を熱伝導層２１に適当に伝えることによって記録磁性部１０内の熱分布を調整する機能を有してもよい。一方、誘電体層２３は、光磁気ディスクＸ１の情報再生時に再生用レーザビームの反射光のカー回転角を増大するための、エンハンス機能を有してもよい。

保護膜２４は、記録磁性部１０を特に塵埃などから保護すべく記録磁性部１０を覆い、光磁気ディスクＸ１の記録用または再生用のレーザビームに対して充分な透過性を有する樹脂よりなる。また、保護膜２４の厚さは例えば１５〜１００μｍである。

このような構成を有する光磁気ディスクＸ１の製造においては、まず、所定の樹脂材料から基板Ｓ１を成形する。次に、例えばスパッタリング法により、基板Ｓ１上に、熱伝導層２１、誘電体層２２、記録層１１、中間層１２、第１再生層１３、第２再生層１４、および誘電体層２３を順次形成する。その後、例えばスピンコーティング法により、誘電体層２３上に保護膜２４を形成する。

光磁気ディスクＸ１への情報記録においては、光磁気ディスクＸ１を所定の回転速度で回転させた状態で、記録用のレーザビームを保護膜２４の側から記録磁性部１０に対して照射することにより記録層１１を局所的に順次昇温させつつ、当該昇温箇所に所定の記録磁界を印加する。このようにして、記録磁性部１０内の記録層１１には、ディスク周方向に沿って所定の信号が記録される。具体的には、記録層１１には、ディスク周方向に延びる情報トラック（信号の記録および再生を担うトラック）に沿って連続して交互に磁化が反転し且つ記録信号に応じた所定の長さを各々が有する複数の磁区（記録マーク）が形成される。中間層１２のキュリー温度Ｔｃより低い温度条件の下では、記録層１１と中間層１２とは交換結合し、中間層１２と第１再生層１３とは交換結合し、且つ第１再生層１３と第２再生層１４とは交換結合し、中間層１２、第１再生層１３、および第２再生層１４には、記録層１１の磁区と同方向に磁化された磁区と、磁区間の磁壁とが形成される。

図２は、光磁気ディスクＸ１の再生方法を表す。図の簡潔化の観点より、図２では、光磁気ディスクＸ１について、その情報トラックの延び方向の部分断面を模式的に表し、記録磁性部１０以外を省略する。また、図２では、記録層１１内、中間層１２内、第１再生層１３内、および第２再生層１４内に形成される磁区の磁化方向を上向き又は下向きの矢印で表し、磁区間の磁壁を太線で表す。

光磁気ディスクＸ１の情報再生においては、光磁気ディスクＸ１を所定の回転速度で回転させた状態で、再生用のレーザビームＬを記録磁性部１０に対して第２再生層１４の側から照射しつつ照射スポットを矢印Ｄ方向に移動させることにより、図２のグラフに示すような温度勾配がディスク周方向に生ずるように、記録磁性部１０内を局所的に順次昇温させる。加えて、記録磁性部１０における少なくとも昇温領域に対し、記録磁性部１０の厚さ方向に一定強度の外部磁界Ｈｒを印加する。本再生方法では、このような局所的昇温領域の形成と外部磁界Ｈｒの印加とを併せて行うことにより、中間層１２内に磁化消失領域Ｒ１（斜線ハッチングを付して表す）を形成するとともに、第１再生層１３内に磁壁可動領域Ｒ２を形成し、第２再生層１４内に磁壁可動領域Ｒ３および磁気マスク領域Ｒ４を形成する。

磁化消失領域Ｒ１は、中間層１２において、そのキュリー温度Ｔｃ以上に昇温して垂直磁化状態から自発磁化消失状態に転移した領域であり、レーザビームＬの照射スポットの移動に伴って中間層１２内を矢印Ｄ方向に移動する。磁化消失領域Ｒ１は、記録層１１とも第１再生層１３とも交換結合していない。

磁壁可動領域Ｒ２は、第１再生層１３において、中間層１２を介しての記録層１１との交換結合状態が解除されて磁壁が移動可能となった領域であり、磁化消失領域Ｒ１の移動に伴って第１再生層１３内を矢印Ｄ方向に移動する。

磁壁可動領域Ｒ３は、第２再生層１４において、中間層１２および第１再生層１３を介しての記録層１１との交換結合状態が解除されて磁壁が移動可能となった領域であり、磁化消失領域Ｒ１の移動に伴って第２再生層１４内を矢印Ｄ方向に移動する。磁壁可動領域Ｒ３は磁壁可動領域Ｒ２と交換結合している。外部磁界の強度をＨｒとし、第１再生層１３と第２再生層１４との間の交換結合力をＨｅｘとし、第２再生層１４の保磁力をＨｃとすると、磁壁可動領域Ｒ３では、Ｈｒ＜Ｈｅｘ＋Ｈｃが成立する。すなわち、外部磁界Ｈｒによっては、第１再生層１３および第２再生層１４の間の交換結合力Ｈｅｘと第２再生層１４自体の保磁力Ｈｃとに抗して第２再生層１４内の磁区の磁化方向を一定に維持することができず、従って、磁壁可動領域Ｒ３内を磁壁が移動可能なのである。

磁気マスク領域Ｒ４は、外部磁界Ｈｒの方向に磁化され、且つ、磁壁可動領域Ｒ３に隣接しつつ磁化消失領域Ｒ１の移動に伴って第２再生層１４内を矢印Ｄ方向に移動する。磁気マスク領域Ｒ４では、Ｈｒ＞Ｈｅｘ＋ＨｃまたはＨｅｘ＜Ｈｒ＋Ｈｃが成立する。また、磁気マスク領域Ｒ４の前方境界では、Ｈｒ＝Ｈｅｘ＋Ｈｃが成立し、磁気マスク領域Ｒ４の後方境界では、Ｈｅｘ＝Ｈｒ＋Ｈｃが成立する。すなわち、第１再生層１３および第２再生層１４の間の交換結合力Ｈｅｘと第２再生層１４自体の保磁力Ｈｃとに抗して外部磁界Ｈｒにより第２再生層１４内の磁区の磁化方向を一様に揃えることができ、且つ、一旦揃った磁化は、交換結合力Ｈｅｘが外部磁界Ｈｒと保磁力Ｈｃとの和を越えなければ反転しない。また、外部磁界Ｈｒは一定強度であるのに対し、交換結合力Ｈｅｘは、第１再生層１３および第２再生層１４が高温であるほど小さい傾向にあり、保磁力Ｈｃは、第２再生層１４が高温であるほど小さい傾向にある。したがって、磁気マスク領域Ｒ４は、昇温領域における第２再生層１４内で最高温度Ｔｐに昇温している第１箇所Ｐ１に対して非対称に形成されるのである。このように外部磁界Ｈｒの作用により一方向に垂直磁化された磁気マスク領域Ｒ４内では磁壁移動は生じない。

第２再生層１４内において磁壁駆動力が消失する温度をＴｓとすると、本実施形態では、Ｔｐ＞Ｔｓであり、且つ、磁壁可動領域Ｒ３および磁気マスク領域Ｒ４の境界は、第２再生層１４内においてＴｐに昇温した第１箇所Ｐ１から、当該第１箇所Ｐ１よりも移動方向の前方においてＴｓに昇温した第２箇所Ｐ２までの間に、位置する。或は、Ｔｐ＝Ｔｓであり、磁壁可動領域Ｒ３および磁気マスク領域Ｒ４の境界は、第２再生層１４内においてＴｐに昇温した箇所に位置してもよい。

本再生方法においては、中間層１２内における磁化消失領域Ｒ１よりも前方（昇温領域ないし磁化消失領域の移動方向Ｄにおける前方）には垂直磁化状態の領域が存在し、所定情報に対応して記録層１１内に形成された磁区（記録マーク）１１ａが、中間層１２内の当該垂直磁化領域を介して第１再生層１３に転写され、更には第２再生層１４へと転写されている。すなわち、中間層１２内の磁化消失領域Ｒ１よりも前方側では、記録層１１内の同一の磁区１１ａに対応して、第１再生層１３内には第１磁区１３ａが形成され、第２再生層１４内には、第１磁区１３ａと交換結合する第２磁区１４ａが形成されている。そして、再生用レーザビームＬの照射により記録磁性部１０内に生ずる昇温領域が移動するのに伴って、第１磁区１３ａを規定する第１磁壁Ｗ１が第１再生層１３内の磁壁可動領域Ｒ２にその前方側から進入し、且つ、第２磁区１４ａを規定する第２磁壁Ｗ２が第２再生層１４内の磁壁可動領域Ｒ３にその前方側から進入すると、これら第１磁壁Ｗ１および第２磁壁Ｗ２は、一体的に、より高温の後方側に向かって磁壁可動領域Ｒ２，Ｒ３内を移動する。この磁壁移動を検知することにより、再生信号を得ることができる。磁壁可動領域Ｒ３を長く設定して再生信号強度を確保するという観点からは、ＴｐとＴｓの温度差は小さい方が好ましい（即ち、第１箇所Ｐ１と第２箇所Ｐ２との距離は短い方が好ましい）。また、第２箇所Ｐ２（温度Ｔｓ）と磁気マスク領域Ｒ４との間の磁化方向不確定領域を短くして良好な再生信号を得るという観点からは、磁壁可動領域Ｒ３および磁気マスク領域Ｒ４の境界は、第２箇所Ｐ２に近接する方が好ましい。より好ましくは、磁壁可動領域Ｒ３および磁気マスク領域Ｒ４の境界は、図２のグラフに示すように第２箇所Ｐ２に位置する。当該磁化方向不確定領域を短くすることにより又は消滅させることにより、光磁気ディスクＸ１の情報再生時の再生信号について、適切に２値化することができる（即ち、再生信号レベルのオフセットを抑制ないし防止することができる）。

また、本再生方法においては、第２再生層１４内における磁壁可動領域Ｒ３よりも後方には、印加される外部磁界Ｈｒの方向に磁化された磁気マスク領域Ｒ４が生じる。この磁気マスク領域Ｒ４は、第２再生層１４内において磁壁可動領域Ｒ３と連続し、且つ、再生用レーザビームＬの照射スポットの後端を越えて更に後方まで延びる。このような磁気マスク領域Ｒ４が存在するため、昇温領域の後方側にて第１再生層１３内に形成される例えば磁壁Ｗ３が昇温領域移動方向Ｄにおける後方から前方に向かって第１再生層１３内を移動する場合であっても、第２再生層１４内に形成される例えば磁壁Ｗ４が磁壁Ｗ３に伴って第２再生層１４内を移動することは、防止され又は抑制され、その結果、そのような磁壁移動現象に起因するゴースト信号は抑制される。

以上のように、本再生方法によると、光磁気ディスクＸ１について情報再生を適切に実行したうえで、適切にゴースト信号を抑制することができる。

図３は、本発明の第２の実施形態に係る光磁気ディスクＸ２の部分断面を表す。光磁気ディスクＸ２は、記録層１１と誘電体層２２との間に記録補助層３１を有する以外は、光磁気ディスクＸ１と同様の構成を有する。

記録補助層３１は、情報記録時に印加すべき記録磁界強度を低減するための部位であり、情報記録時に記録層１１中に生ずる反磁界（記録磁界の作用を妨げる方向に生ずる）を打ち消す方向に作用する磁化を生ずるべく、記録層１１が遷移金属磁化優勢組成を有する場合は、希土類磁化優勢組成の垂直磁化膜よりなり、記録層１１が希土類磁化優勢組成を有する場合は、遷移金属磁化優勢組成の垂直磁化膜よりなる。このような記録補助層３１は、所定の組成比の例えばＧｄＦｅＣоよりなり、その厚さは例えば５〜１０ｎｍである。また、記録補助層３１は誘電体層２２上に例えばスパッタリング法により形成することができる。

このような構成の光磁気ディスクＸ２においては、光磁気ディスクＸ１に関して上述したのと同様に、情報再生を適切に実行したうえで、適切にゴースト信号を抑制することができる。

加えて、光磁気ディスクＸ２においては、その再生時に印加すべき記録磁界の強度を低減することが可能である。上述のように、光磁気ディスクＸ１への情報記録に際しては、記録用レーザビームが記録磁性部１０に対して照射されることにより記録層１１が局所的に順次昇温されつつ、当該昇温箇所に所定の記録磁界が印加される。このとき、記録層１１内の記録マーク形成予定箇所では局所的に昇温するために磁化の低下が生じ、従って、当該記録マーク形成予定箇所よりも低温で磁化の強い近隣箇所の当該磁化に由来して、記録マーク形成予定箇所には所定強度の反磁界が生ずることとなる。記録マーク形成予定箇所に印加すべき記録磁界には、このような反磁界に抗したうえで記録層１１内に記録マーク（所定方向に磁化された磁区）を形成できる程度の強度が求められる。これに対し、光磁気ディスクＸ２への情報記録時には、上述のように生じ得る反磁界を打ち消す方向に、記録補助層３１の磁化に由来して磁界が形成される。そのため、光磁気ディスクＸ２における記録層１１内に記録マークを形成するのに印加される記録磁界については、反磁界に抗するための強度は求められず、記録補助層３１が存在しない場合よりも、強度を低減することが可能なのである。

図４は、本発明の第３の実施形態に係る光磁気ディスクＸ３の部分断面を表す。光磁気ディスクＸ３は、記録層１１と誘電体層２２との間に核形成層３２を有する以外は、光磁気ディスクＸ１と同様の構成を有する。

核形成層３２は、記録層１１内に安定に形成され得る最小記録マークを微小化するための部位であり、記録層１１を形成する際の下地膜として誘電体層２２上に例えばスパッタリング法により形成され、その記録層１１側に、所定の微細凹凸形状（図示略）を伴う凹凸面３２ａを有する。凹凸面３２ａの微細凹凸形状に起因して、記録層１１に対し、後述のようにピンニング力が作用する。凹凸面３２ａは、より均一な周期の微小な凹凸形状を有するのが好ましい。凹凸面３２ａについて、表面粗さＲａ（算術平均粗さ）は例えば０.３〜０.３５ｎｍであり、凸部の平均粒径は例えば１０〜１５ｎｍである。このような核形成層３２は、例えばＰｔよりなる。また、核形成層３２の厚さは例えば１〜２ｎｍである。

このような構成の光磁気ディスクＸ３においては、光磁気ディスクＸ１に関して上述したのと同様に、情報再生を適切に実行したうえで、適切にゴースト信号を抑制することができる。

加えて、光磁気ディスクＸ３は、記録層１１内に安定に形成され得る最小記録マークを微小化するのに適している。磁性材料の技術分野においては、アモルファス磁性薄膜に形成される安定磁区の微小さの程度は、当該磁性薄膜が積層形成される下地面の微細凹凸形状の影響を受け得ることが知られている。具体的には、当該下地面に適度な粗さの凹凸が存在し且つ当該凹凸が微細なほど、その上に形成されるアモルファス磁性薄膜において、より小さな安定磁区を形成できる傾向があることが知られている。下地面の凹凸により、アモルファス磁性薄膜内に存在する磁壁の位置の揺らぎ（磁壁移動）が抑制され（ピンニング作用）、その結果、当該アモルファス磁性薄膜の磁区構造が微細化される。光磁気ディスクＸ３では、核形成層３２の凹凸面３２ａの微細凹凸形状に起因して、記録層１１内に存在する磁壁の位置の揺らぎが抑制され、その結果、記録層１１内の磁区構造が微細化されるのである。光磁気ディスクにおいては、記録層内に安定に形成され得る最小の記録マーク（磁区）が微小であるほど、記録分解能の向上および記録密度の増大を実現しやすい。

〔実施例１〕
〈光磁気ディスクの作製〉
図５に示す積層構成を有するフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本実施例の光磁気ディスクを作製した。本実施例の光磁気ディスクは、上述した第１の実施形態の光磁気ディスクＸ１に相当する。

本実施例の光磁気ディスクの作製においては、まず、表面にランドグルーブ形状を有するポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ，厚さ１.２ｍｍ，トラックピッチ０.２７５ｎｍ，グルーブ深さ６０ｎｍ）の上にスパッタリング法によりＡｌＳｉを成膜することによって、厚さ３０ｎｍの熱伝導層を形成した。本スパッタリングでは、ＡｌＳｉ合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し（反応性スパッタリングを除く以下のスパッタリングにおいても同様）、スパッタガス圧力を１.０Ｐａとし、投入電力を５００Ｗとした。

次に、スパッタリング法により熱伝導層上にＳｉＮを成膜することによって、厚さ５ｎｍの誘電体層（熱分布調整層）を形成した。具体的には、ＢがドープされたＳｉターゲットを用い、スパッタガスとしてＮ₂ガスを使用して行う反応性スパッタリングにより、基板上にＳｉＮを成膜した。本スパッタリングでは、スパッタガス圧力を０.５Ｐａとし、投入電力を８００Ｗとした。

次に、スパッタリング法により誘電体層上にＴｂ₂₂Ｆｅ₅₈Ｃｏ₂₀を成膜することによって、厚さ６０ｎｍの記録層を形成した。本スパッタリングでは、所定組成比のＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用い、スパッタガス圧力を１.０Ｐａとし、投入電力を５００Ｗとした。

次に、スパッタリング法により記録層上にＴｂ₂₂Ｆｅ₇₈を成膜することによって、厚さ１５ｎｍの中間層を形成した。本スパッタリングでは、所定組成比のＴｂＦｅ合金ターゲットを用い、スパッタガス圧力を０.５Ｐａとし、投入電力を５００Ｗとした。

次に、スパッタリング法により中間層上にＧｄ₂₈Ｆｅ₅₉Ｃｏ₁₃を成膜することによって、厚さ１０ｎｍの第１再生層を形成した。本スパッタリングでは、所定組成比のＧｄＦｅＣｏ合金ターゲットを用い、スパッタガス圧力を０.３Ｐａとし、投入電力を５００Ｗとした。

次に、スパッタリング法により第１再生層上にＧｄ₂₈Ｆｅ₅₂Ｃｏ₂₀を成膜することによって、厚さ１０ｎｍの第２再生層を形成した。本スパッタリングでは、所定組成比のＧｄＦｅＣｏ合金ターゲットを用い、スパッタガス圧力を０.３Ｐａとし、投入電力を５００Ｗとした。

次に、スパッタリング法により第２再生層上にＳｉＮを成膜することによって、厚さ７０ｎｍの誘電体層（エンハンス層）を形成した。具体的には、ＢがドープされたＳｉターゲットを用い、スパッタガスとしてＮ₂ガスを使用して行う反応性スパッタリングにより、基板上にＳｉＮを成膜した。本スパッタリングでは、スパッタガス圧力を０.５Ｐａとし、投入電力を８００Ｗとした。

次に、誘電体層上に厚さ１５μｍの保護膜を形成した。具体的には、まず、スピンコート法により、紫外線硬化性の透明樹脂を誘電体層上に塗布した。次に、紫外線照射により、当該樹脂膜を硬化させた。以上のようにして、本実施例の光磁気ディスクを作製した。

〔実施例２〕
図６に示す積層構成を有するフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本実施例の光磁気ディスクを作製した。本実施例の光磁気ディスクは、上述した第２の実施形態の光磁気ディスクＸ２に相当し、記録層とこれより下位の誘電体層との間に記録補助層を更に有する点において、実施例１の光磁気ディスクと異なる。

本実施例の光磁気ディスクの作製においては、まず、表面にランドグルーブ形状を有するポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ，厚さ１.２ｍｍ，トラックピッチ０.２７５ｎｍ，グルーブ深さ６０ｎｍ）の上に、実施例１と同様にして熱伝導層（ＡｌＳｉ，厚さ３０ｎｍ）および誘電体層（ＳｉＮ，厚さ５ｎｍ）を順次形成した。

次に、スパッタリング法により誘電体層上にＧｄ₃₅Ｆｅ₄₃Ｃｏ₂₂を成膜することによって、厚さ１０ｎｍの記録補助層を形成した。本スパッタリングでは、所定組成比のＧｄＦｅＣｏ合金ターゲットを用い、スパッタガス圧力を１.５Ｐａとし、投入電力を５００Ｗとした。

この後、記録補助層上に、実施例１と同様にして、記録層（Ｔｂ₂₂Ｆｅ₅₈Ｃｏ₂₀，厚さ６０ｎｍ）、中間層（Ｔｂ₂₂Ｆｅ₇₈，厚さ１５ｎｍ）、第１再生層（Ｇｄ₂₈Ｆｅ₅₉Ｃｏ₁₃，厚さ１０ｎｍ）、第２再生層（Ｇｄ₂₈Ｆｅ₅₂Ｃｏ₂₀，厚さ１０ｎｍ）、誘電体層（ＳｉＮ，厚さ７０ｎｍ）、および保護膜（紫外線硬化性透明樹脂，厚さ１５μｍ）を順次形成した。以上のようにして、本実施例の光磁気ディスクを作製した。

〔実施例３〕
図７に示す積層構成を有するフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本実施例の光磁気ディスクを作製した。本実施例の光磁気ディスクは、熱伝導層と基板との間に下地層を有し且つ記録層とこれより下位の誘電体層との間に核形成層を有する点において、実施例１の光磁気ディスクと異なる。

本実施例の光磁気ディスクの作製においては、まず、表面にランドグルーブ形状を有するポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ，厚さ１.２ｍｍ，トラックピッチ０.２７５ｎｍ，グルーブ深さ６０ｎｍ）の上にスパッタリング法によりＰｔを成膜することによって、厚さ１ｎｍの下地層を形成した。本スパッタリングでは、Ｐｔターゲットを用い、スパッタガス圧力を０.５Ｐａとし、投入電力を５００Ｗとした。

次に、下地層上に、実施例１と同様にして熱伝導層（ＡｌＳｉ，厚さ３０ｎｍ）および誘電体層（ＳｉＮ，厚さ５ｎｍ）を順次形成した。

次に、スパッタリング法により誘電体層上にＰｔを成膜することによって、厚さ１ｎｍの核形成層を形成した。この核形成層の成長端面の表面粗さＲａは０.３ｎｍであり、平均粒径は１５ｎｍであった。本スパッタリングでは、Ｐｔターゲットを用い、スパッタガス圧力を０.５Ｐａとし、投入電力を５００Ｗとした。

この後、核形成層上に、実施例１と同様にして、記録層（Ｔｂ₂₂Ｆｅ₅₈Ｃｏ₂₀，厚さ６０ｎｍ）、中間層（Ｔｂ₂₂Ｆｅ₇₈，厚さ１５ｎｍ）、第１再生層（Ｇｄ₂₈Ｆｅ₅₉Ｃｏ₁₃，厚さ１０ｎｍ）、第２再生層（Ｇｄ₂₈Ｆｅ₅₂Ｃｏ₂₀，厚さ１０ｎｍ）、誘電体層（ＳｉＮ，厚さ７０ｎｍ）、および保護膜（紫外線硬化性透明樹脂，厚さ１５μｍ）を順次形成した。以上のようにして、本実施例の光磁気ディスクを作製した。

〔比較例〕
図８に示す積層構成を有するフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本比較例の光磁気ディスクを作製した。本比較例の光磁気ディスクは、第１再生層および第２再生層の多層構造に代えて単一の再生層を有する点において、実施例１の光磁気ディスクと異なる。

本比較例の光磁気ディスクの作製においては、まず、表面にランドグルーブ形状を有するポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ，厚さ１.２ｍｍ，トラックピッチ０.２７５ｎｍ，グルーブ深さ６０ｎｍ）の上に、実施例１と同様にして、熱伝導層（ＡｌＳｉ，厚さ３０ｎｍ）、誘電体層（ＳｉＮ，厚さ５ｎｍ）、記録層（Ｔｂ₂₂Ｆｅ₅₈Ｃｏ₂₀，厚さ６０ｎｍ）、および中間層（Ｔｂ₂₂Ｆｅ₇₈，厚さ１５ｎｍ）を順次形成した。

次に、スパッタリング法により中間層上にＧｄ₂₈Ｆｅ₅₉Ｃｏ₁₃を成膜することによって、厚さ２０ｎｍの再生層を形成した。本スパッタリングでは、所定組成比のＧｄＦｅＣｏ合金ターゲットを用い、スパッタガス圧力を０.５Ｐａとし、投入電力を５００Ｗとした。

この後、実施例１と同様にして、再生層上に誘電体層（ＳｉＮ，厚さ７０ｎｍ）および保護膜（紫外線硬化性透明樹脂，厚さ１５μｍ）を順次形成した。以上のようにして、本比較例の光磁気ディスクを作製した。

〈ｂＥＲの記録マーク長依存性〉
実施例１，３および比較例の光磁気ディスクの各々について、再生信号におけるビットエラーレート（ｂＥＲ）の記録マーク長依存性を調べた。具体的には、まず、光磁気ディスクにおけるグルーブトラックに対し、所定の最短記録マーク長が設定されたランダムな信号を記録した。この記録処理は、所定の装置を使用してレーザパルス磁界変調記録方式により行った。この装置のレーザ集光用対物レンズの開口数ＮＡは０.８５であり、レーザ波長は４０５ｎｍである。また、ディスク回転速度を４.０ｍ/ｓとし、記録用レーザのパワーを１２.０ｍＷとして発光デューティを３０％とし、記録磁界を２００Ｏｅとした。

次に、上述のようにして記録された信号を再生し、記録時の変調信号と再生時の復調信号とを比較することにより、記録変調信号に対する再生復調信号の誤り率をビットエラーレート（ｂＥＲ）として算出した。この再生処理は、上述の記録処理と同一の装置を使用して行い、再生用レーザパワーを１.８ｍＷとし、ディスク回転速度を４.０ｍ/ｓとした。

このような記録処理およびその後の再生処理を、記録処理におけるランダムパターン記録信号の最短記録マーク長を変化させて各最短記録マーク長ごとに行い、各最短記録マーク長に対するｂＥＲを測定した。各光磁気ディスクにおけるｂＥＲの最短記録マーク長依存性を、図９のグラフに掲げる。図９のグラフにおいては、最短記録マーク長（μｍ）を横軸にて表し、縦軸にてｂＥＲを表す。線Ｌ１，Ｌ３は、各々、実施例１，３の光磁気ディスクにおけるｂＥＲの最短記録マーク長依存性を示す。最短記録マーク長が０．０９μｍ以上の範囲では線Ｌ１および線Ｌ３は重なっている。また、線Ｌ４は、比較例の光磁気ディスクにおけるｂＥＲの最短記録マーク長依存性を示す。

図９のグラフに現れているように、実施例１,３の光磁気ディスクでは、比較例の光磁気ディスクよりもｂＥＲが相当程度に小さい。これは、比較例の光磁気ディスクの再生時と比較して、実施例１，３の光磁気ディスクの再生時にはゴースト信号が充分に抑制されたためであると考えられる。また、最短記録マーク長が０.０７μｍより小さい場合には、実施例３の光磁気ディスクでは、実施例１の光磁気ディスクよりもｂＥＲが小さい。これは、記録層直下に核形成層を有しない実施例１の光磁気ディスクと比較して、記録層直下に核形成層を有する実施例３の光磁気ディスクでは、記録層に対して微小な記録マーク（磁区）がより均一に（即ちより良好な記録ジッタで）形成できることに起因すると考えられる。

〈ｂＥＲの記録磁界依存性〉
実施例１，２の光磁気ディスクの各々について、再生信号におけるｂＥＲの記録磁界依存性を調べた。具体的には、まず、光磁気ディスクにおけるグルーブトラックに対し、最短記録マーク長が７０μｍであるランダムな信号を記録した。この記録処理は、所定の装置を使用してレーザパルス磁界変調記録方式により行った。この装置のレーザ集光用対物レンズの開口数ＮＡは０.８５であり、レーザ波長は４０５ｎｍである。また、ディスク回転速度を４.０ｍ/ｓとし、記録用レーザのパワーを１２.０ｍＷとして発光デューティを３０％とし、記録磁界を２００Ｏｅとした。

次に、上述のようにして記録された信号を再生し、記録時の変調信号と再生時の復調信号とを比較することにより、記録変調信号に対する再生復調信号の誤り率をビットエラーレート（ｂＥＲ）として算出した。この再生処理は、上述の記録処理と同一の装置を使用して行い、再生用レーザパワーを１.８ｍＷとし、ディスク回転速度を４.０ｍ/ｓとした。

このような記録処理およびその後の再生処理を、記録処理における記録磁界を変化させて各記録磁界ごとに行い、各記録磁界におけるｂＥＲを測定した。各光磁気ディスクにおけるｂＥＲの記録磁界依存性を、図１０のグラフに掲げる。図１０のグラフにおいては、磁気記録ヘッドの発する記録磁界（Ｏｅ）を横軸にて表し、縦軸にてｂＥＲを表す。線Ｌ１’，Ｌ２’は、各々、実施例１，２の光磁気ディスクにおけるｂＥＲの記録磁界依存性を示す。記録磁界が２２５Ｏｅ以上の範囲では線Ｌ１’および線Ｌ２’は重なっている。

図１０のグラフに示される結果から、記録補助層を有する実施例２の光磁気ディスクは、記録補助層を有しない実施例１の光磁気ディスクよりも、記録磁界を低減するのに好適であることが判る。

以上のまとめとして、本発明の構成およびそのバリエーションを以下に付記として列挙する。

（付記１）垂直磁化膜よりなり記録機能を担う記録層と、
垂直磁化膜よりなり、磁壁移動を伴う再生機能を担う、第１再生層と、
前記記録層および前記再生層の間に介在し、低温側での垂直磁化状態と高温側での自発磁化消失状態との間で状態変化を生じ得るキュリー温度を有する、中間層と、
前記中間層とは反対の側にて前記第１再生層に接する垂直磁化膜よりなり、磁壁移動を伴う再生機能を担う、第２再生層と、からなる積層構造を含む記録磁性部を備える光磁気記録媒体について情報再生を実行するための方法であって、
再生用レーザビームを前記記録磁性部に対して前記第２再生層の側から照射して当該記録磁性部を局所的に昇温させつつ昇温領域を移動させ、且つ、当該昇温領域に外部磁界を印加して、
前記中間層内に、前記キュリー温度以上に昇温して移動する磁化消失領域を形成し、
前記第１再生層内に、前記磁化消失領域に接して移動する第１磁壁可動領域を形成し、
前記第２再生層内に、前記第１磁壁可動領域に接して移動する第２磁壁可動領域と、当該第２磁壁可動領域に対して移動方向後方にて隣接し、前記外部磁界の方向に磁化され、且つ前記第１磁壁可動領域に接して移動する、磁気マスク領域とを形成する、光磁気記録媒体の再生方法。
（付記２）前記昇温領域における前記第２再生層内の最高温度をＴｐとし、前記第２再生層内において磁壁駆動力が消失する温度をＴｓとすると、
Ｔｐ＞Ｔｓであり、
前記第２磁壁可動領域および前記磁気マスク領域の境界は、前記第２再生層内においてＴｐに昇温した第１箇所から、当該第１箇所よりも前記移動方向の前方においてＴｓに昇温した第２箇所までの間に、位置する、付記１に記載の光磁気記録媒体の再生方法。
（付記３）前記昇温領域における前記第２再生層内の最高温度をＴｐとし、前記第２再生層内において磁壁駆動力が消失する温度をＴｓとすると、
Ｔｐ＝Ｔｓであり、
前記第２磁壁可動領域および前記磁気マスク領域の境界は、前記第２再生層内においてＴｐに昇温した箇所に位置する、付記１に記載の光磁気記録媒体の再生方法。
（付記４）前記外部磁界は、前記記録磁性部に対して厚さ方向に印加され、前記磁気マスク領域は垂直磁化されている、付記１から３のいずれか一つに記載の光磁気記録媒体の再生方法。
（付記５）前記外部磁界の強度をＨｒとし、前記第１再生層と前記第２再生層との間の交換結合力をＨｅｘとし、前記第２再生層の保磁力をＨｃとすると、
前記第２磁壁可動領域では、Ｈｒ＜Ｈｅｘ＋Ｈｃが成立し、
前記磁気マスク領域では、Ｈｒ＞Ｈｅｘ＋ＨｃまたはＨｅｘ＜Ｈｒ＋Ｈｃが成立する、付記４に記載の光磁気記録媒体の再生方法。
（付記６）前記磁気マスク領域の前方境界では、Ｈｒ＝Ｈｅｘ＋Ｈｃが成立し、当該磁気マスク領域の後方境界では、Ｈｅｘ＝Ｈｒ＋Ｈｃが成立する、付記５に記載の光磁気記録媒体の再生方法。
（付記７）前記磁気マスク領域は、前記移動方向において前記第１磁壁可動領域の後端よりも後方に後端を有する、付記１から６のいずれか一つに記載の光磁気記録媒体の再生方法。
（付記８）垂直磁化膜よりなり記録機能を担う記録層と、
垂直磁化膜よりなり、磁壁移動を伴う再生機能を担う、第１再生層と、
前記記録層および前記再生層の間に介在し、低温側での垂直磁化状態と高温側での自発磁化消失状態との間で状態変化を生じ得るキュリー温度を有する、中間層と、
前記中間層とは反対の側にて前記第１再生層に接する垂直磁化膜よりなり、磁壁移動を伴う再生機能を担う、第２再生層と、からなる積層構造を含む記録磁性部を備え、
再生用レーザビームを前記記録磁性部に対して前記第２再生層の側から照射して当該記録磁性部を局所的に昇温させつつ昇温領域を移動させ、且つ、当該昇温領域に外部磁界を印加する場合に、
前記中間層内に、前記キュリー温度以上に昇温して移動する磁化消失領域を生じ、
前記第１再生層内に、前記磁化消失領域に接して移動する第１磁壁可動領域を生じ、
前記第２再生層内に、前記第１磁壁可動領域に接して移動する第２磁壁可動領域と、当該第２磁壁可動領域に対して移動方向後方にて隣接し、前記外部磁界の方向に磁化され、且つ前記第１磁壁可動領域に接して移動する、磁気マスク領域とを生ずる、光磁気記録媒体。

本発明の第１の実施形態に係る光磁気ディスクの部分断面図である。 図１に示す光磁気ディスクの再生方法を表す。 本発明の第２の実施形態に係る光磁気ディスクの部分断面図である。 本発明の第３の実施形態に係る光磁気ディスクの部分断面図である。 実施例１の光磁気ディスクの積層構成を表す。 実施例２の光磁気ディスクの積層構成を表す。 実施例３の光磁気ディスクの積層構成を表す。 比較例の光磁気ディスクの積層構成を表す。 実施例１，３および比較例の光磁気ディスクについて、ｂＥＲの記録マーク長依存性を表す。 実施例１，２の光磁気ディスクについて、ｂＥＲの記録磁界依存性を表す。 従来の光磁気ディスクの積層構成を表す。 従来の光磁気ディスクの再生方法を表す。

符号の説明

Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，Ｘ４ 光磁気ディスク
Ｓ１，Ｓ２ 基板
１０，４０ 記録磁性部
１１，４１ 記録層
１２，４２ 中間層
１３ 第１再生層
１４ 第２再生層
２１，５２ 熱伝導層
２２，２３，５３，５４ 誘電体層
２４，５５ 保護膜
３１ 記録補助層
３２ 核形成層
Ｌ レーザビーム

Claims (5)

1. 垂直磁化膜よりなり記録機能を担う記録層と、
   垂直磁化膜よりなり、磁壁移動を伴う再生機能を担う、第１再生層と、
   前記記録層および前記再生層の間に介在し、低温側での垂直磁化状態と高温側での自発磁化消失状態との間で状態変化を生じ得るキュリー温度を有する、中間層と、
   前記中間層とは反対の側にて前記第１再生層に接する垂直磁化膜よりなり、磁壁移動を伴う再生機能を担う、第２再生層と、からなる積層構造を含む記録磁性部を備える光磁気記録媒体について情報再生を実行するための方法であって、
   再生用レーザビームを前記記録磁性部に対して前記第２再生層の側から照射して当該記録磁性部を局所的に昇温させつつ昇温領域を移動させ、且つ、当該昇温領域に外部磁界を印加して、
   前記中間層内に、前記キュリー温度以上に昇温して移動する磁化消失領域を形成し、
   前記第１再生層内に、前記磁化消失領域に接して移動する第１磁壁可動領域を形成し、
   前記第２再生層内に、前記第１磁壁可動領域に接して移動する第２磁壁可動領域と、当該第２磁壁可動領域に対して移動方向後方にて隣接し、前記外部磁界の方向に磁化され、且つ前記第１磁壁可動領域に接して移動する、磁気マスク領域とを形成する、光磁気記録媒体の再生方法。
2. 前記昇温領域における前記第２再生層内の最高温度をＴｐとし、前記第２再生層内において磁壁駆動力が消失する温度をＴｓとすると、
   Ｔｐ＞Ｔｓであり、
   前記第２磁壁可動領域および前記磁気マスク領域の境界は、前記第２再生層内においてＴｐに昇温した第１箇所から、当該第１箇所よりも前記移動方向の前方においてＴｓに昇温した第２箇所までの間に、位置する、請求項１に記載の光磁気記録媒体の再生方法。
3. 前記外部磁界は、前記記録磁性部に対して厚さ方向に印加され、前記磁気マスク領域は垂直磁化されている、請求項１または２に記載の光磁気記録媒体の再生方法。
4. 前記外部磁界の強度をＨｒとし、前記第１再生層と前記第２再生層との間の交換結合力をＨｅｘとし、前記第２再生層の保磁力をＨｃとすると、
   前記第２磁壁可動領域では、Ｈｒ＜Ｈｅｘ＋Ｈｃが成立し、
   前記磁気マスク領域では、Ｈｒ＞Ｈｅｘ＋ＨｃまたはＨｅｘ＜Ｈｒ＋Ｈｃが成立する、請求項３に記載の光磁気記録媒体の再生方法。
5. 垂直磁化膜よりなり記録機能を担う記録層と、
   垂直磁化膜よりなり、磁壁移動を伴う再生機能を担う、第１再生層と、
   前記記録層および前記再生層の間に介在し、低温側での垂直磁化状態と高温側での自発磁化消失状態との間で状態変化を生じ得るキュリー温度を有する、中間層と、
   前記中間層とは反対の側にて前記第１再生層に接する垂直磁化膜よりなり、磁壁移動を伴う再生機能を担う、第２再生層と、からなる積層構造を含む記録磁性部を備え、
   再生用レーザビームを前記記録磁性部に対して前記第２再生層の側から照射して当該記録磁性部を局所的に昇温させつつ昇温領域を移動させ、且つ、当該昇温領域に外部磁界を印加する場合に、
   前記中間層内に、前記キュリー温度以上に昇温して移動する磁化消失領域を生じ、
   前記第１再生層内に、前記磁化消失領域に接して移動する第１磁壁可動領域を生じ、
   前記第２再生層内に、前記第１磁壁可動領域に接して移動する第２磁壁可動領域と、当該第２磁壁可動領域に対して移動方向後方にて隣接し、前記外部磁界の方向に磁化され、且つ前記第１磁壁可動領域に接して移動する、磁気マスク領域とを生ずる、光磁気記録媒体。

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