JP4308738B2 - 光磁気記録媒体の再生方法および光磁気記録媒体 - Google Patents

Description

本発明は、記録機能を担う記録層と、磁壁移動を伴う再生機能を担う再生層とを含む記録磁性部を有する光磁気記録媒体について情報を再生するための方法、および、そのような光磁気記録媒体に関する。

光学的に情報が読み取られる光メディアの一形態として、光磁気記録媒体が知られている。光磁気記録媒体は、熱磁気的に記録され且つ磁気光学効果を利用して再生される書き換え可能な記録媒体である。また、光磁気記録媒体は、垂直磁化膜からなる記録層を有し、当該記録層において、磁化方向の変化として所定の信号が記録される。この記録信号は、所定の光学系で読み取られて再生信号として出力される。

光磁気記録媒体の技術の分野では、読取り用の光学系における分解能の限界を超えて高密度に記録された信号を実用的に再生するための、磁壁移動ないし磁区拡大を伴う再生方式が開発されている。例えば、ＤＷＤＤ(domain wall displacement detection)や、ＭＡＭＭＯＳ(magnetic amplifying magneto-optical system）である。これらのような再生方式が採用される磁区拡大系の光磁気記録媒体については、例えば下記の特許文献１や特許文献２に記載されている。

特開平６−２９０４９６号公報 特開２００１−５６９７７号公報

図４は、従来の磁区拡大系光磁気記録媒体の一例である光磁気ディスクＸ２の積層構成を表す。光磁気ディスクＸ２は、基板Ｓ２と、記録磁性部４０と、プリグルーブ層５１と、誘電体層５２，５３と、保護膜５４とからなる積層構造を有し、フロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして構成されたものである。

記録磁性部４０は、記録層４１と、中間層４２と、再生層４３とからなる積層構造を有する。これら三層は、各々、希土類−遷移金属アモルファス合金よりなる垂直磁化膜である。記録層４１は相対的に大きな磁壁抗磁力を呈し、再生層４３は相対的に小さな磁壁抗磁力を呈し、中間層４２は他の二層より低いキュリー温度を有し、これら三層は、中間層４２のキュリー温度より低温の所定条件下において隣接二層間に交換相互作用が働くように積層されている。

プリグルーブ層５１は、樹脂材料よりなり、その記録磁性部４０の側の面には、所望の寸法で形成されたランドグルーブ形状などの凹凸形状（図示せず）を有する。誘電体層５２，５３は、記録磁性部４０に対する外部からの物理的および化学的な影響を回避するための部位である。保護膜５４は、記録磁性部４０を特に塵埃から保護するための部位であり、光透過性の樹脂材料よりなる。

光磁気ディスクＸ２への情報記録においては、光磁気ディスクＸ２を回転させた状態で、記録用のレーザビームを保護膜５４の側から記録磁性部４０に対して照射することにより記録層４１を局所的に順次昇温させつつ、当該昇温箇所に所定の磁界が印加される。このようにして、記録磁性部４０内の記録層４１には、ディスク周方向に沿って所定の信号が記録される。具体的には、記録層４１には、ディスク周方向に延びる情報トラックに沿って連続して交互に磁化が反転し且つ記録信号に応じた所定の長さを各々が有する複数の磁区が形成される。中間層４２のキュリー温度より低い温度条件の下では、記録層４１と中間層４２とは交換結合し且つ中間層４２と再生層４３とは交換結合し、再生層４３および中間層４２には、記録層４１と同方向に磁化された磁区と、磁区間の磁壁とが形成される。

図５は、光磁気ディスクＸ２の再生方法を表す。図の簡潔化の観点より、図５では、光磁気ディスクＸ２について、記録層４１、中間層４２、および再生層４３以外を省略する。光磁気ディスクＸ２の情報再生においては、光磁気ディスクＸ２を回転させた状態で、再生用のレーザビームＬを情報トラックに沿って再生層４３の側から記録磁性部４０に対して照射する。レーザビームＬによる照射領域の光磁気ディスクＸ２に対する相対移動方向は矢印Ｄで表す。レーザビームＬの照射により、記録磁性部４０内は局所的に昇温し、当該記録磁性部４０内には、図５のグラフに示すように、ディスク周方向に温度勾配が生ずる。そして、中間層４２には、そのキュリー温度Ｔｃ以上に昇温して自発磁化が消失した領域Ｒ３（斜線ハッチングを付して表す）が生ずる。照射領域における、中間層４２のキュリー温度Ｔｃの等温線を、記録層４１の所定の磁区４１ａに対応する再生層４３の磁区４３ａの磁壁４３ａ’が照射領域移動に伴って低温領域から高温領域へと通過する瞬間に、当該磁壁４３ａ’は再生層４３内をより高温側へと移動する。照射領域移動方向Ｄにおける前方から後方に向けて再生層４３内をこのように磁壁４３ａ’が移動すると、当該磁壁移動領域の磁化は反転する。この磁化反転を、再生層４３の表面にて反射した光の偏光面の変化として所定の光学系で検出することにより、磁壁移動が検知される。情報トラックに沿って再生用のレーザビームを照射して磁壁移動を順次検知することにより、光磁気ディスクＸ２の記録信号が読み取られることとなる。

上述の光磁気ディスクＸ２の再生方法においては、記録層４１の所定の磁区４１ｂが照射領域を抜け出るとき、当該磁区４１ｂに対応して中間層４２に磁区４２ｂが形成され、更に当該磁区４２ｂに対応して再生層４３に磁区４３ｂおよび磁壁４３ｂ’が形成される。この磁壁４３ｂ’は、照射領域移動方向Ｄにおける後方から前方に向けて再生層４３内を移動する場合がある。このような磁壁移動は、読取り用光学系によりゴースト信号として検知されてしまい、好ましくない。

そこで、従来、例えば光磁気ディスクＸ２においては、再生層４３と中間層４２の間にいわゆるコントロール層が設けられてゴースト信号の抑制が図られる場合がある。コントロール層は、再生層４３より磁壁エネルギー密度が大きく、且つ、中間層４２よりキュリー温度が高い垂直磁化膜よりなる。しかしながら、このようなコントロール層を利用する従来の技術によると、充分にゴースト信号を抑制できない場合がある。特に、記録層４１に形成される記録マーク（磁区）が長いほど、ゴースト信号抑制は困難となる傾向にある。

本発明は、このような事情の下で考え出されたものであって、垂直磁化膜よりなり記録機能を担う記録層と、垂直磁化膜よりなり磁壁移動を伴う再生機能を担う再生層とを含む記録磁性部を有する光磁気記録媒体について情報を再生するにあたり、ゴースト信号の発生を適切に抑制することを目的とする。

本発明の第１の側面によると、光磁気記録媒体の再生方法が提供される。本方法においては、垂直磁化膜よりなり記録機能を担う記録層と、低温側での面内磁化状態と高温側での垂直磁化状態との間での状態変化が生ずる第１転移温度を有するマスク層と、記録層およびマスク層の間に介在し、低温側での垂直磁化状態と高温側での自発磁化消失状態との間での状態変化が生ずる第２転移温度を有する、中間層と、中間層とは反対の側にてマスク層に接する垂直磁化膜よりなり、磁壁移動を伴う再生機能を担う、再生層と、からなる積層構造を含む記録磁性部を有する光磁気記録媒体を用いる。また、本方法においては、再生用レーザビームを再生層の側から記録磁性部に照射することにより当該記録磁性部を局所的に昇温させつつ、昇温領域を移動させ、中間層内に、第２転移温度以上に昇温した磁化消失領域を形成し、マスク層内に、昇温領域の移動方向において磁化消失領域の前端より前方に前端を有し且つ磁化消失領域の前端から後端までの間に後端を有する、第１転移温度以上に昇温した垂直磁化領域を形成する。

このような構成の光磁気記録媒体再生方法によると、再生用レーザビームの照射により記録磁性部内に生ずる昇温領域における前方側（昇温領域移動方向における前方側）では、中間層内における磁化消失領域より前方の垂直磁化状態の領域は、マスク層内における垂直磁化領域と接触する領域を有し、中間層内の当該接触領域を介して、記録層内の所定の磁区がマスク層、更には再生層へと転写される。そして、再生層に転写された磁区を規定する磁壁が、昇温領域中央付近の高温側に向かって再生層内を移動する。この磁壁移動を検知することにより、再生信号を得ることができる。

これとともに、再生用レーザビームの照射により記録磁性部内に生ずる昇温領域における後方側（昇温領域移動方向における後方側）では、中間層内における磁化消失領域より後方の垂直磁化状態の領域は、マスク層内における垂直磁化領域より後方の面内磁化領域と接触し、マスク層内の垂直磁化領域とは接触しない。そのため、記録層内の所定の磁区は、中間層内における磁化消失領域より後方の垂直磁化状態の領域には転写されるが、当該中間層を介してマスク層およびその上の再生層には転写されない。したがって、昇温領域の後方側において記録層の磁区に対応して形成される所定の磁壁が、昇温領域移動方向における後方から前方に向けて移動する磁壁移動現象は生じず、そのような磁壁移動現象に起因するゴースト信号は検知されない。

このように、本再生方法によると、光磁気記録媒体について情報再生を適切に実行したうえで、適切にゴースト信号を抑制することができるのである。

本発明の第１の側面において、好ましくは、マスク層の垂直磁化領域の後端と中間層の磁化消失領域の後端とは接する。このような構成は、より大きな垂直磁化領域を確保するうえで好適である。

好ましくは、光磁気記録媒体は、記録層の側にて記録磁性部に接し且つ相対的に小さい熱伝導率を有する第１熱分布調整層と、再生層の側にて記録磁性部に接し且つ相対的に大きい熱伝導率を有する第２熱分布調整層と、を更に有する。このような構成は、記録磁性部の厚さ方向において不均一な温度分布を実現するうえで好適である。例えば、昇温領域における前方側（再生層側から記録磁性部に対してレーザビームが照射されて順次昇温する側）では、記録磁性部の厚さ方向において再生層から記録層にかけて温度が低下して中間層よりマスク層の方が高温となるような温度分布を生じさせつつ、昇温領域における後方側（再生層側から積極的に放冷されて順次降温する側）では、記録磁性部の厚さ方向において再生層から記録層にかけて温度が上昇して中間層よりマスク層の方が低温となるような温度分布を生じさせるうえで、本構成は好適である。このように不均一ないし非対称な温度分布は、上述の垂直磁化領域と磁化消失領域とを形成するうえで好適である。

本発明の第２の側面によると光磁気記録媒体が提供される。この光磁気記録媒体は、垂直磁化膜よりなり記録機能を担う記録層、低温側での面内磁化状態と高温側での垂直磁化状態との間での状態変化が生ずる第１転移温度を有するマスク層、記録層およびマスク層の間に介在し且つ低温側での垂直磁化状態と高温側での自発磁化消失状態との間での状態変化が生ずる第２転移温度を有する中間層、および、中間層とは反対の側にてマスク層に接する垂直磁化膜よりなり且つ磁壁移動を伴う再生機能を担う再生層、からなる積層構造を含む記録磁性部と、記録層の側にて記録磁性部に接し、相対的に小さい熱伝導率を有する、第１熱分布調整層と、再生層の側にて記録磁性部に接し、相対的に大きい熱伝導率を有する、第２熱分布調整層と、からなる積層構造を有する。本光磁気記録媒体によると、本発明の第１の側面に係る再生方法を適切に実施することができる。

本発明の第１および第２の側面において、好ましくは、第２熱分布調整層の熱伝導率は、第１熱分布調整層の熱伝導率の１０倍以上である。好ましくは、第１熱分布調整層はダイアモンドライクカーボンよりなる。また、好ましくは、第２熱分布調整層は、窒化アルミニウムまたは窒化ケイ素よりなる。これらの構成は、記録磁性部の厚さ方向において不均一な温度分布を実現するうえで好適である。

好ましくは、マスク層の第１転移温度は中間層の第２転移温度より低い。このような構成は、中間層内における磁化消失領域前方の垂直磁化状態の領域とマスク層内の垂直磁化領域とが接触する上述の構成を確保するうえで好適である。

図１および図２は、本発明に係る光磁気ディスクＸ１を表す。図１は、光磁気ディスクＸ１の部分断面を模式的に表し、図２は、光磁気ディスクＸ１の積層構成を表す。

光磁気ディスクＸ１は、基板Ｓ１と、記録磁性部１０と、プリグルーブ層２１と、熱分布調整層２２，２３と、保護膜２４とを備え、フロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして構成されたものである。また、光磁気ディスクＸ１は、プリグルーブ層２１から保護膜２４までの構造を基板Ｓ１の片側のみ又は両側に有する。

基板Ｓ１は、光磁気ディスクＸ１の剛性を確保するための部位であり、例えば、樹脂、シリコン、またはガラスよりなるディスク基板である。

記録磁性部１０は、記録層１１、中間層１２、マスク層１３、および再生層１４よりなる積層構造を有し、再生層１４内での磁壁移動ないし磁区拡大を伴う磁区拡大系再生方式（例えばＤＷＤＤやＭＡＭＭＯＳなど）に基づいて再生可能に構成されている。

記録層１１は、光磁気ディスクＸ１において記録機能を担う部位であって、希土類元素と遷移金属とを含むアモルファス合金よりなり、且つ、垂直磁気異方性を有して垂直方向に磁化された垂直磁化膜である。垂直方向とは、層を構成する磁性膜の膜面に対して垂直な方向をいう。このような記録層１１は、例えば、所定の組成比のＴｂＦｅＣо、ＤｙＦｅＣо、またはＴｂＤｙＦｅＣоよりなる。また、記録層１１の厚さは例えば５０〜６０ｎｍである。

中間層１２は、昇温によりキュリー温度（転移温度）Ｔｃにて垂直磁化状態から自発磁化消失状態に転移（状態変化）し且つ降温によりキュリー温度Ｔｃにて自発磁化消失状態から垂直磁化状態に転移する希土類−遷移金属アモルファス合金よりなる。本実施形態では、キュリー温度Ｔｃは１５０℃であり、従って、室温においては中間層１２は垂直磁化膜である。このような中間層１２は、例えば、所定の組成比のＴｂＦｅまたはＴｂＦｅＣоよりなる。また、中間層１２の厚さは例えば１０〜１５ｎｍである。

マスク層１３は、昇温により転移温度Ｔｓにて面内磁化状態から垂直磁化状態に転移（状態変化）し且つ降温により転移温度Ｔｓにて垂直磁化状態から面内磁化状態に転移する希土類−遷移金属アモルファス合金よりなる。本実施形態では、転移温度Ｔｓは、好ましくは中間層１２のキュリー温度Ｔｃより低く、１４０℃であり、従って、室温においてはマスク層１３は面内磁化膜である。このようなマスク層１３は、例えば、所定の組成比のＧｄＦｅＣо、ＧｄＴｂＦｅＣо、ＧｄＤｙＦｅＣо、またはＧｄＴｂＤｙＦｅＣоよりなる。また、マスク層１３の厚さは例えば５〜１０ｎｍである。

再生層１４は、磁壁移動ないし磁区拡大を伴う再生機能を担う部位であり、希土類−遷移金属アモルファス合金よりなる垂直磁化膜である。このような再生層１４は、例えば、所定の組成比のＧｄＦｅＣо、ＧｄＴｂＦｅＣо、ＧｄＤｙＦｅＣо、またはＧｄＴｂＤｙＦｅＣоよりなる。また、再生層１４の厚さは例えば２０〜３０ｎｍである。

プリグルーブ層２１は、樹脂材料よりなり、その熱分布調整層２２との接触面には、図１に示すようにプリグルーブ２１ａが形成されている。プリグルーブ２１ａは渦巻き状または同心円状のパターン形状を有し、このプリグルーブ２１ａを基に、光磁気ディスクＸ１におけるランドグルーブ形状が実現される。プリグルーブ層２１を構成する樹脂材料としては、例えば、アクリル樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、エポキシ樹脂、またはポリオレフィン樹脂を採用することができる。

熱分布調整層２２は、光磁気ディスクＸ１ないしその記録磁性部１０に対する再生用レーザビームの照射時において、記録磁性部１０にて発生する熱を基板Ｓ１側へ適当に伝えることによって記録磁性部１０内の熱分布を調整する機能を担う部位である。熱分布調整層２２の熱伝導率は、熱分布調整層２３の熱伝導率より小さく、例えば３Ｗ／ｍＫである。また、熱分布調整層２２は、記録磁性部１０に対する外部からの磁気的影響や化学的影響などを回避ないし抑制する誘電体層としての機能をも担う。このような熱分布調整層２２は、例えば、ダイアモンドライクカーボンよりなる。また、熱分布調整層２２の厚さは例えば３０ｎｍである。

熱分布調整層２３は、光磁気ディスクＸ１ないしその記録磁性部１０に対する再生用レーザビームの照射時において、記録磁性部１０にて発生する熱を保護膜２４側へ積極的に伝えることによって記録磁性部１０内の熱分布を調整する機能を担う部位である。熱分布調整層２３の熱伝導率は、熱分布調整層２２の熱伝導率より大きく、好ましくは熱分布調整層２２の熱伝導率の１０倍以上であり、例えば３０Ｗ／ｍＫである。また、熱分布調整層２３は、記録磁性部１０に対する外部からの磁気的影響や化学的影響などを回避ないし抑制する誘電体層としての機能をも担う。加えて、熱分布調整層２３は、記録磁性部１０における保護膜２４側の表面での再生用レーザビームの反射光のカー回転角をみかけ上増大させる機能（エンハンス機能）を有してもよい。このような熱分布調整層２３は、例えば、窒化アルミニウムや窒化ケイ素よりなる。また、熱分布調整層２３の厚さは例えば７０ｎｍである。

保護膜２４は、記録磁性部１０を特に塵埃などから保護すべく記録磁性部１０を覆い、記録用レーザおよび再生用レーザに対して充分な透過性を有する樹脂材料よりなる。また、保護膜２４の厚さは例えば１５μｍである。

このような構成を有する光磁気ディスクＸ１の製造においては、まず、例えばいわゆる２Ｐ法により、基板Ｓ１上にプリグルーブ層２１を形成する。次に、例えばスパッタリング法により、プリグルーブ層２１上に、熱分布調整層２２、記録層１１、中間層１２、マスク層１３、再生層１４、および熱分布調整層２３を順次形成する。その後、例えばスピンコーティング法により、熱分布調整層２３上に保護膜２４を形成する。

光磁気ディスクＸ１への情報記録においては、光磁気ディスクＸ１を所定の回転速度で回転させた状態で、記録用のレーザビームを保護膜２４の側から記録磁性部１０に対して照射することにより記録層１１を局所的に順次昇温させつつ、当該昇温箇所に所定の磁界を印加する。このようにして、記録磁性部１０内の記録層１１には、ディスク周方向に沿って所定の信号が記録される。具体的には、記録層１１には、ディスク周方向に延びる情報トラック（信号の記録および再生を担うトラック）に沿って連続して交互に磁化が反転し且つ記録信号に応じた所定の長さを各々が有する複数の磁区が形成される。中間層１２のキュリー温度Ｔｃより低い温度条件の下では、記録層１１と中間層１２とは交換結合し、中間層１２には、記録層１１と同方向に磁化された磁区と、磁区間の磁壁とが形成される。

図３は、光磁気ディスクＸ１の再生方法を表す。図３の（ａ）〜（ｄ）は、各々、光磁気ディスクＸ１の情報トラックの延び方向の部分断面を模式的に表し、図３の（ａ）〜（ｄ）の各々において、縦方向、横方向、および紙面垂直方向は、各々、光磁気ディスクＸ１の厚さ方向、トラック延び方向（ディスク周方向）、およびディスク半径方向に相当する。また、図３の（ａ）〜（ｄ）では、記録層１１内、中間層１２内、マスク層１３内、および再生層１４内に形成される磁区の磁化方向を、上向、下向き、または横向きの矢印で表し、磁区間の磁壁を太線で表す。ただし、再生層１４内に形成される磁区および磁壁については、図の簡潔化の観点より、後述の昇温領域内にて転写形成されて磁壁移動ないし磁区拡大を生じるもの以外を省略する。

光磁気ディスクＸ１の情報再生においては、光磁気ディスクＸ１を所定の回転速度で回転させた状態で、光源から出射されて対物レンズにて集光された再生用のレーザビームＬを記録磁性部１０に対して再生層１４の側から照射することにより、記録磁性部１０を局所的に順次昇温させる。このとき、例えば図３のグラフに示すように不均一かつ非対称な温度分布が記録磁性部１０内に生じるように、熱分布調整層２２，２３の各熱伝導率は設定されている（図３のグラフにおいて、線Ｇ１は、ディスク周方向における中間層１２の温度分布を表し、線Ｇ２は、ディスク周方向におけるマスク層１３の温度分布を表す）。当該温度分布においては、具体的には、照射領域ないし昇温領域の移動方向Ｄにおける前方側では、記録磁性部１０の厚さ方向において再生層１４から記録層１１にかけて温度が低下して中間層１２よりマスク層１３の方が高温であり（図３のグラフにて線Ｇ２は線Ｇ１より上位にある）、且つ、昇温領域における後方側では、記録磁性部１０の厚さ方向において再生層１４から記録層１１にかけて温度が上昇して中間層１２よりマスク層１３の方が低温である（図３のグラフにて線Ｇ２は線Ｇ１より下位にある）。

本再生方法では、このような温度分布を記録磁性部１０に生じさせることにより、例えば図３（ａ）に示すように、中間層１２内に磁化消失領域Ｒ１（斜線ハッチングを付して表す）を形成するとともに、マスク層１３内に垂直磁化領域Ｒ２を形成する。磁化消失領域Ｒ１は、中間層１２において、そのキュリー温度Ｔｃ以上に昇温して垂直磁化状態から自発磁化消失状態に変化した領域であり、照射領域ないし昇温領域の移動方向Ｄにおいて前方側に前端Ｆ１を有し、後方側に後端Ｂ１を有する。一方、垂直磁化領域Ｒ２は、マスク層１３において、その転移温度Ｔｓ以上に昇温して面内磁化状態から垂直磁化状態に変化した領域であり、昇温領域の移動方向Ｄにおいて磁化消失領域Ｒ１の前端Ｆ１よりも前方に前端Ｆ２を有し且つ磁化消失領域Ｒ１の前端Ｆ１から後端Ｂ１までの間に後端Ｂ２を有する。

本再生方法による光磁気ディスクＸ１の再生動作においては、記録層１１内に形成されている例えば図３（ａ）に示す磁区１１ａが、図３（ｂ）に示すように、昇温領域の移動方向Ｄにおいて磁化消失領域Ｒ１より前方の所定位置に至ると、この磁区１１ａは、中間層１２内において垂直磁化状態を維持している領域を介してマスク層１３内の垂直磁化領域Ｒ２に磁区１３ａとして転写され、更に、垂直磁化膜よりなる再生層１４に磁区１４ａとして転写される。昇温領域における前方側では、中間層１２内における磁化消失領域Ｒ１より前方の垂直磁化状態の領域は、マスク層１３内における垂直磁化領域Ｒ２と接触する領域を有するので、中間層１２内の当該接触領域を介して、記録層１１内の磁区１１ａがマスク層１３、更には再生層１４へと転写されるのである。

転写により再生層１４およびマスク層１３に磁区１４ａ，１３ａが形成された後、磁区１４ａ，１３ａを規定する磁壁１４ａ’，１３ａ’は、図３（ｃ）に示すように、昇温領域中央付近の高温側に向かって再生層１４内およびマスク層１３内を移動する。このとき、磁壁移動範囲の磁化は反転する。この磁壁移動を検知することにより、再生信号を得ることができる。

この後、図３（ｄ）に示すように、磁区１１ａが昇温領域の移動方向Ｄにおいて中間層１２内の磁化消失領域Ｒ１より後方の所定位置に至ると、この磁区１１ａは、中間層１２内における磁化消失領域Ｒ１より後方の垂直磁化状態の領域に転写されるが、マスク層１３およびその上の再生層１４には転写されない。中間層１２内における磁化消失領域Ｒ１より後方の垂直磁化領域は、マスク層１３内の垂直磁化領域Ｒ２とは接触しないからである。したがって、昇温領域の後方側において記録層１１の磁区１１ａに対応する所定の磁壁が昇温領域の移動方向Ｄにおける後方から前方に向けて移動する磁壁移動現象は生じず、そのような磁壁移動現象に起因するゴースト信号は検知されない。

このように、本再生方法によると、光磁気ディスクＸ１について情報再生を適切に実行したうえで、適切にゴースト信号を抑制することができるのである。

以上のまとめとして、本発明の構成およびそのバリエーションを以下に付記として列挙する。

（付記１）垂直磁化膜よりなり記録機能を担う記録層と、
低温側での面内磁化状態と高温側での垂直磁化状態との間での状態変化が生ずる第１転移温度を有するマスク層と、
前記記録層および前記マスク層の間に介在し、低温側での垂直磁化状態と高温側での自発磁化消失状態との間での状態変化が生ずる第２転移温度を有する、中間層と、
前記中間層とは反対の側にて前記マスク層に接する垂直磁化膜よりなり、磁壁移動を伴う再生機能を担う、再生層と、からなる積層構造を含む記録磁性部を有する光磁気記録媒体について情報の再生を実行するための方法であって、
再生用レーザビームを前記再生層の側から前記記録磁性部に照射することにより当該記録磁性部を局所的に昇温させつつ、昇温領域を移動させ、
前記中間層内に、前記第２転移温度以上に昇温した磁化消失領域を形成し、
前記マスク層内に、前記昇温領域の移動方向において前記磁化消失領域の前端より前方に前端を有し且つ前記磁化消失領域の前端から後端までの間に後端を有する、前記第１転移温度以上に昇温した垂直磁化領域を形成する、光磁気記録媒体の再生方法。
（付記２）前記垂直磁化領域の前記後端と前記磁化消失領域の前記後端とは接する、付記１に記載の光磁気記録媒体の再生方法。
（付記３）前記光磁気記録媒体は、前記記録層の側にて前記記録磁性部に接し且つ相対的に小さい熱伝導率を有する第１熱分布調整層と、前記再生層の側にて前記記録磁性部に接し且つ相対的に大きい熱伝導率を有する第２熱分布調整層と、を更に有する、付記２または３に記載の光磁気記録媒体の再生方法。
（付記４）垂直磁化膜よりなり記録機能を担う記録層、低温側での面内磁化状態と高温側での垂直磁化状態との間での状態変化が生ずる第１転移温度を有するマスク層、前記記録層および前記マスク層の間に介在し且つ低温側での垂直磁化状態と高温側での自発磁化消失状態との間での状態変化が生ずる第２転移温度を有する中間層、および、前記中間層とは反対の側にて前記マスク層に接する垂直磁化膜よりなり且つ磁壁移動を伴う再生機能を担う再生層、からなる積層構造を含む記録磁性部と、
前記記録層の側にて前記記録磁性部に接し、相対的に小さい熱伝導率を有する、第１熱分布調整層と、
前記再生層の側にて前記記録磁性部に接し、相対的に大きい熱伝導率を有する、第２熱分布調整層と、からなる積層構造を有する光磁気記録媒体。
（付記５）前記第２熱分布調整層の熱伝導率は、前記第１熱分布調整層の熱伝導率の１０倍以上である、付記３または４に記載の再生方法または光磁気記録媒体。
（付記６）前記第１熱分布調整層は、ダイアモンドライクカーボンよりなる、付記３から５のいずれか一つに記載の再生方法または光磁気記録媒体。
（付記７）前記第２熱分布調整層は、窒化アルミニウムまたは窒化ケイ素よりなる、付記３から６のいずれか一つに記載の再生方法または光磁気記録媒体。
（付記８）前記第１転移温度は前記第２転移温度より低い、付記３から７のいずれか一つに記載の再生方法または光磁気記録媒体。

本発明に係る光磁気ディスクの部分断面図である。 図１に示す光磁気ディスクの積層構成を表す。 本発明に係る光磁気ディスクの再生方法を表す。 従来の光磁気ディスクの積層構成を表す。 従来の光磁気ディスクの再生方法を表す。

符号の説明

Ｘ１，Ｘ２ 光磁気ディスク
Ｓ１，Ｓ２ 基板
１０，４０ 記録磁性部
１１，４１ 記録層
１２，４２ 中間層
１３ マスク層
１４，４３ 再生層
２２，２３ 熱分布調整層
Ｒ１ 磁化消失領域
Ｒ２ 垂直磁化領域
Ｆ１，Ｆ２ 前端
Ｂ１，Ｂ２ 後端
Ｌ レーザビーム

Claims (5)

1. 垂直磁化膜よりなり記録機能を担う記録層と、
   低温側での面内磁化状態と高温側での垂直磁化状態との間での状態変化が生ずる第１転移温度を有するマスク層と、
   前記記録層および前記マスク層の間に介在し、低温側での垂直磁化状態と高温側での自発磁化消失状態との間での状態変化が生ずる第２転移温度を有する、中間層と、
   前記中間層とは反対の側にて前記マスク層に接する垂直磁化膜よりなり、磁壁移動を伴う再生機能を担う、再生層と、からなる積層構造を含む記録磁性部、前記記録層の側にて前記記録磁性部に接して相対的に小さい熱伝導率を有する第１熱分布調整層、および、前記再生層の側にて前記記録磁性部に接して相対的に大きい熱伝導率を有する第２熱分布調整層、を備える光磁気記録媒体について情報の再生を実行するための方法であって、
   再生用レーザビームを前記再生層の側から前記記録磁性部に照射することにより当該記録磁性部を局所的に昇温させつつ、昇温領域を移動させ、
   前記中間層内に、前記第２転移温度以上に昇温した磁化消失領域を形成し、
   前記マスク層内に、前記昇温領域の移動方向において前記磁化消失領域の前端よりも前方に前端を有し且つ前記磁化消失領域の前端から後端までの間に後端を有する、前記第１転移温度以上に昇温した垂直磁化領域を形成する、光磁気記録媒体の再生方法。
2. 前記垂直磁化領域の前記後端と前記磁化消失領域の前記後端とは接する、請求項１に記載の光磁気記録媒体の再生方法。
3. 垂直磁化膜よりなり記録機能を担う記録層、低温側での面内磁化状態と高温側での垂直磁化状態との間での状態変化が生ずる第１転移温度を有するマスク層、前記記録層および前記マスク層の間に介在し且つ低温側での垂直磁化状態と高温側での自発磁化消失状態との間での状態変化が生ずる第２転移温度を有する中間層、および、前記中間層とは反対の側にて前記マスク層に接する垂直磁化膜よりなり且つ磁壁移動を伴う再生機能を担う再生層、からなる積層構造を含む記録磁性部と、
   前記記録層の側にて前記記録磁性部に接し、相対的に小さい熱伝導率を有する、第１熱分布調整層と、
   前記再生層の側にて前記記録磁性部に接し、相対的に大きい熱伝導率を有する、第２熱分布調整層と、からなる積層構造を有する光磁気記録媒体。
4. 前記第２熱分布調整層の熱伝導率は、前記第１熱分布調整層の熱伝導率の１０倍以上である、請求項３に記載の光磁気記録媒体。
5. 前記第１転移温度は前記第２転移温度より低い、請求項３または４に記載の光磁気記録媒体。

Images