JP2006260624A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】 情報再生時に磁壁移動ないし磁区拡大が生ずる再生層を有する光磁気記録媒体において、記録層に記録された記録マーク（磁区）について再生層への充分な磁区転写性を確保するとともに、情報再生時に再生層にて充分な磁壁駆動力を得ること。
【解決手段】 本発明の光磁気記録媒体Ｘ１は、垂直磁化膜よりなり記録機能を担う記録層１１と、垂直磁化膜よりなり、磁壁移動を伴う再生機能を担う、再生層１３と、記録層１１および再生層１３の間に介在し、当該記録層１１および再生層１３の交換結合状態を変化させるための、中間層１２と、を含む積層構造を備える。本光磁気記録媒体Ｘ１の再生層１３は、希土類金属と遷移金属とを含む合金よりなり、中間層１２に近い部位ほど低い希土類金属濃度を有する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、情報再生時に磁壁移動ないし磁区拡大が生ずる再生層を有する光磁気記録媒体に関する。

光学的に情報が読み取られる光メディアの一形態として、光磁気記録媒体が知られている。光磁気記録媒体は、熱磁気的に記録され且つ磁気光学効果を利用して再生される書き換え可能な記録媒体である。また、光磁気記録媒体は、垂直磁化膜からなる記録層を有し、当該記録層において、磁化方向の変化として所定の信号が記録される。この記録信号は、所定の光学系で読み取られて再生信号として出力される。

光磁気記録媒体の技術分野では、読取り用の光学系における分解能の限界を超えて高密度に記録された信号を実用的に再生するための、磁壁移動ないし磁区拡大を伴う再生方式が開発されている。例えば、ＤＷＤＤ（domain wall displacement detection）や、ＭＡＭＭＯＳ（magnetic amplifying magneto-optical system）である。これらのような再生方式が採用される磁区拡大系の光磁気記録媒体については、例えば下記の特許文献１や特許文献２に記載されている。

特開平６−２９０４９６号公報 特開２００１−５６９７７号公報

図１１は、従来の磁区拡大系光磁気記録媒体の一例である光磁気ディスクＸ３の径方向の部分断面を表す。光磁気ディスクＸ３は、基板Ｓ２と、記録磁性部３０と、熱伝導層４１と、誘電体層４２，４３と、保護膜４４とからなる積層構造を有し、フロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして構成されたものである。

記録磁性部３０は、記録層３１と、中間層３２と、再生層３３とからなる積層構造を有する。これら三層は、各々、一様な組成の希土類−遷移金属アモルファス合金よりなる垂直磁化膜である。記録層３１は、例えばＴｂＦｅＣｏよりなり、相対的に大きな磁壁抗磁力を呈し、再生層３３は、例えばＧｄＦｅＣｏよりなり、相対的に小さな磁壁抗磁力を呈し、中間層３２は、例えばＴｂＦｅよりなり、他の二層より低いキュリー温度を有し、これら三層は、中間層３２のキュリー温度より低い温度条件下において隣接二層間に交換相互作用が働くように積層されている。

熱伝導層４１は、レーザビーム照射時に記録磁性部３０などにて発生する熱を効率よく基板Ｓ２の側へ伝えるための部位であり、高熱伝導材料よりなる。誘電体層４２，４３は、記録磁性部３０に対する外部からの不当な磁気的影響などを回避するための部位である。保護膜４４は、記録磁性部３０を特に塵埃から保護するための部位であり、光透過性の樹脂材料よりなる。

光磁気ディスクＸ３への情報記録においては、光磁気ディスクＸ３を回転させた状態で、記録用のレーザビームを保護膜４４の側から記録磁性部３０に向けて照射することにより記録層３１を局所的に順次昇温させつつ、当該昇温箇所に所定の磁界が印加される。このようにして、記録磁性部３０内の記録層３１には、ディスク周方向に沿って所定の信号が記録される。具体的には、記録層３１には、ディスク周方向に延びる情報トラックに沿って連続して交互に磁化が反転し且つ記録信号に応じた所定の長さを各々が有する複数の記録マーク（磁区）が形成される。中間層３２のキュリー温度より低い温度条件の下では、記録層３１と中間層３２とは交換結合し且つ中間層３２と再生層３３とは交換結合し、再生層３３および中間層３２には、記録層３１の記録マークに対応して磁化された磁区と、磁区間の磁壁とが形成される。

図１２は、光磁気ディスクＸ３の再生方法を表す。図の簡潔化の観点より、図１２では、光磁気ディスクＸ３について、記録磁性部３０の周方向の部分断面以外を省略する。光磁気ディスクＸ３の情報再生においては、光磁気ディスクＸ３を回転させた状態で、再生用のレーザビームＬを情報トラックに沿って再生層３３の側から記録磁性部３０に対して照射する。照射領域の光磁気ディスクＸ３に対する相対移動方向を矢印Ｄで表す。レーザビームＬの照射により、記録磁性部３０内は局所的に昇温し、記録磁性部３０内には、例えば図１２のグラフに示すように、ディスク周方向に温度勾配が生じる。そして、中間層３２には、そのキュリー温度Ｔ₅以上に昇温して自発磁化が消失した領域Ｒ（斜線ハッチングを付して表す）が生じる。

このような照射領域における、中間層３２のキュリー温度Ｔ₅の等温線を、記録層３１の所定の磁区３１ａに対応する再生層３３の磁区３３ａの磁壁３３ａ’が照射領域移動に伴って低温領域から高温領域へと通過する瞬間に、当該磁壁３３ａ’は再生層３３内をより高温側へと移動する。照射領域移動方向Ｄにおける前方から後方に向けて再生層３３内をこのように磁壁３３ａ’が移動すると、当該磁壁移動領域の磁化は反転する。この磁化反転を、再生層３３の表面にて反射した光の偏光面の変化として所定の光学系で検出することにより、磁壁移動が検知される。情報トラックに沿って再生用のレーザビームＬを照射して磁壁移動を順次検知することにより、光磁気ディスクＸ３の記録信号が読み取られることとなる。そして、記録層３１の所定の磁区３１ｂが所定の昇温領域を抜け出るときに、当該磁区３１ｂに対応して中間層３２に磁区３２ｂが形成され、更に当該磁区３２ｂに対応して再生層３３に磁区３３ｂが形成され、記録層３１に形成されている記録マーク（磁区）は再生層３３へと転写される。

光磁気ディスクＸ３において適切に高記録密度化を図るためには、記録層３１に短い記録マーク（磁区）を形成した場合に当該記録マークに対応した磁区を再生層３３に適切に形成するのに充分な、磁区転写性を確保する必要がある。

光磁気ディスクＸ３においては、再生層３３について、室温付近に補償温度を有する組成（補償組成）となるように希土類金属濃度を比較的低く設定すると（希土類金属がＧｄの場合は例えば２５at％程度に設定すると）、比較的高い磁区転写性が得られる。補償組成となるように再生層３３の希土類金属濃度を比較的低く設定すると、室温から中間層３２のキュリー温度付近にわたる温度領域において、再生層３３の飽和磁化が比較的小さくなって再生層３３の垂直磁気異方性が比較的強くなり、また、再生層３３の垂直磁気異方性が強くなるほど、記録層３１に形成された記録マーク（磁区）の再生層３３への転写性は向上するからである。しかしながら、再生層３３の希土類金属濃度を低く設定することにより、中間層３２のキュリー温度付近での再生層３３の飽和磁化が小さくなると、情報再生時に再生層３３内に形成される浮遊磁界（再生層３３内のディスク周方向およびトラック横断方向の温度勾配に起因して形成される）が小さくなる。再生層３３内での磁壁移動ないし磁区拡大の主駆動力は、再生層３３内におけるディスク周方向の温度勾配に起因して生ずる磁壁エネルギー密度の勾配であり、磁壁を高温側へと変位させるように作用するところ、情報再生時に再生層３３内に形成される浮遊磁界は、情報再生時の再生層３３内の磁壁に対し、磁壁駆動力に寄与するように作用する場合がある。そのため、光磁気ディスクＸ３では、再生層３３の希土類金属濃度を低く設定すると、再生層３３において発生浮遊磁界が小さすぎて充分な磁壁駆動力が得られない場合がある。

一方、光磁気ディスクＸ３の再生信号について充分なＣＮＲ（キャリアノイズ比）や再生信号振幅を得るためには、情報再生時に再生層３３にて充分な磁壁駆動力を得る必要がある。

光磁気ディスクＸ３においては、再生層３３について、希土類磁化優勢組成（ＲＥリッチ組成）において希土類金属濃度を比較的高く設定すると（希土類金属がＧｄの場合は例えば３１at％に設定すると）、情報再生時に比較的大きな磁壁駆動力を得られる場合がある。ＲＥリッチ組成において再生層３３の希土類金属濃度を比較的高く設定すると、中間層３２のキュリー温度付近での再生層３３の飽和磁化は比較的大きくなり、それに応じて、情報再生時に再生層３３内に形成される浮遊磁界は大きくなる。この浮遊磁界は、上述のように、情報再生時の再生層３３内の磁壁に対し、磁壁駆動力に寄与するように作用する場合があるため、この場合には、再生層３３において、希土類金属濃度を高く設定して大きな浮遊磁界を発生させることにより、情報再生時に大きなな磁壁駆動力を得ることができるのである。しかしながら、ＲＥリッチ組成における再生層３３の希土類金属濃度が高くなるほど、室温から中間層３２のキュリー温度にわたる温度領域において、再生層３３の飽和磁化は大きくなって垂直磁気異方性は弱くなる場合があり、従って、記録層３１に形成された記録マーク（磁区）の再生層３３への転写性は低下してしまう場合がある。

以上のように、従来の光磁気ディスクＸ３では、充分な磁区転写性を確保しつつ充分な磁壁駆動力を得ることが、困難な場合がある。本発明は、このような事情の下で考え出されたものであって、情報再生時に磁壁移動ないし磁区拡大を生ずる再生層を有する光磁気記録媒体において、記録層に記録された記録マーク（磁区）について再生層への充分な転写性を確保するとともに、情報再生時に再生層にて充分な磁壁駆動力を得ることを、目的とする。

本発明の第１の側面によると、光磁気記録媒体が提供される。本光磁気記録媒体は、垂直磁化膜よりなり記録機能を担う記録層と、垂直磁化膜よりなり、磁壁移動を伴う再生機能を担う、再生層と、記録層および再生層の間に介在し、当該記録層および再生層の交換結合状態を変化させるための、中間層と、を含む積層構造を備える。また、本光磁気記録媒体の再生層は、希土類金属と遷移金属とを含む合金よりなり、中間層に近い部位ほど低い希土類金属濃度を有する。

このような構成の光磁気記録媒体においては、記録層に記録された記録マーク（磁区）について再生層への充分な転写性を確保するとともに、情報再生時に再生層にて充分な磁壁駆動力を得ることが可能である。

磁区拡大系光磁気記録媒体の技術分野においては、希土類金属として例えばＧｄを含む再生層（希土類−遷移金属アモルファス合金よりなる垂直磁化膜）について、補償組成となるように希土類金属濃度を比較的低く設定すると、上述のように、室温から中間層のキュリー温度付近にわたる温度領域において、再生層の飽和磁化は小さくなって垂直磁気異方性は強くなり、従って転写性は向上することが知られている。また、磁区拡大系光磁気記録媒体の技術分野においては、情報再生時に再生層内に形成される浮遊磁界が再生層における磁壁駆動力の増大に資するように設定される場合には、希土類金属として例えばＧｄを含むＲＥリッチ組成における再生層の希土類金属濃度を比較的高く設定すると、上述のように、中間層のキュリー温度付近での再生層の飽和磁化は比較的大きくなって磁壁駆動力は増大することが知られている。磁区拡大系光磁気記録媒体の再生層においては、一般に、記録層からの磁区転写を中継する中間層に近い部位の特性が再生層全体の磁区転写性に支配的に寄与し、また、中間層とは反対側の再生層表面近傍の部位の特性が再生層全体の磁壁移動性（磁壁移動の生じやすさ）に支配的に寄与すると考えられるところ、本発明の第１の側面に係る光磁気記録媒体の再生層においては、中間層に近い部位ほど磁区転写性が高くなるように、中間層に近い部位ほど希土類金属濃度が低くされて垂直磁気異方性は強く設定され、且つ、中間層から遠い部位ほど、情報再生時に生ずる磁壁駆動力が大きくなるように、中間層から遠い部位ほど希土類金属濃度が高くされて飽和磁化は大きく設定されているので、再生層全体として、充分な転写性を確保するとともに、情報再生時に充分な磁壁駆動力を得ることが可能なのである。このような光磁気記録媒体は、高記録密度化の実効を図るとともに充分なＣＮＲおよび再生信号振幅を得るうえで、好適である。

本発明の第２の側面によると、光磁気記録媒体が提供される。本光磁気記録媒体は、垂直磁化膜よりなり記録機能を担う記録層と、複数の垂直磁化膜よりなり、磁壁移動を伴う再生機能を担う、再生層と、記録層および再生層の間に介在し、当該記録層および再生層の交換結合状態を変化させるための、中間層と、を含む積層構造を備える。また、本光磁気記録媒体の再生層の各垂直磁化膜は、希土類金属と遷移金属とを含む合金よりなり、中間層に近い垂直磁化膜ほど低い希土類金属濃度を有する。

磁区拡大系光磁気記録媒体の再生層においては、上述のように、記録層からの磁区転写を中継する中間層に近い部位の特性が再生層全体の磁区転写性に支配的に寄与し、また、中間層とは反対側の再生層表面近傍の部位の特性が再生層全体の磁壁移動性に支配的に寄与すると考えられるところ、本発明の第２の側面に係る光磁気記録媒体の再生層においては、中間層に近い垂直磁化膜ほど、磁区転写性が高くなるように垂直磁気異方性は強く設定され、且つ、中間層から遠い垂直磁化膜ほど、情報再生時に生ずる磁壁駆動力が大きくなるように飽和磁化は大きく設定されているので、第１の側面に係る光磁気記録媒体と同様に、再生層全体として、充分な転写性を確保するとともに、情報再生時に充分な磁壁駆動力を得ることが可能なのである。

本発明の第１および第２の側面において、好ましい実施の形態では、希土類金属はＧｄを含み、再生層の各部におけるＧｄ濃度は２３〜３１at％（アトミックパーセント）である。より好ましくは、再生層の各部におけるＧｄ濃度は２５〜３１at％である。このようなＧｄ濃度の範囲は、再生層を垂直磁化膜たらしめるうえで好適である。

好ましくは、遷移金属はＣｏを含み、再生層のキュリー温度が当該再生層の膜厚方向で略一定となるように、再生層におけるＣｏ濃度が調整されている。このような構成は、情報再生時におけるカー回転角の低下など、再生信号の劣化を抑制するうえで、好適である。

再生層を構成する遷移金属にＣｏが含まれる場合、好ましくは、再生層におけるＣｏ濃度は一様である。このような構成は、再生層のキュリー温度を当該再生層の膜厚方向で略一定とするうえで、好適である。

図１は、本発明の第１の実施形態に係る光磁気ディスクＸ１の径方向の部分断面を表す。光磁気ディスクＸ１は、基板Ｓ１と、記録磁性部１０と、誘電体層２１と、熱伝導層２２と、誘電体層２３，２４と、保護膜２５とを備え、フロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして構成されたものである。また、光磁気ディスクＸ１は、誘電体層２１から保護膜２５までの構造を基板Ｓ１の片側のみ又は両側に有する。

基板Ｓ１は、光磁気ディスクＸ１の剛性を確保するための部位であり、渦巻き状または同心円状のプリグルーブが形成された所定の凹凸形状を表面に有する。この凹凸形状を基に、光磁気ディスクＸ１におけるランドグルーブ形状が形成されている。また、基板Ｓ１は、例えば、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）樹脂、エポキシ樹脂、またはポリオレフィン樹脂よりなる。

記録磁性部１０は、記録層１１、中間層１２、および再生層１３よりなる積層構造を有し、後に詳述するように、再生層１３内での磁壁移動ないし磁区拡大を伴う磁区拡大系再生方式（例えばＤＷＤＤやＭＡＭＭＯＳ）に基づいて再生可能に構成されている。

記録層１１は、光磁気ディスクＸ１において記録機能を担う部位であり、希土類金属と遷移金属とを含むアモルファス合金よりなり、且つ、垂直磁気異方性を有して垂直方向に磁化された垂直磁化膜である。垂直方向とは、層を構成する磁性膜の膜面に対して垂直な方向をいう。このような記録層１１は、例えば、所定の組成比のＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、またはＴｂＤｙＦｅＣｏよりなる。また、記録層１１の厚さは、例えば１５〜９０ｎｍである。

中間層１２は、記録層１１および再生層１３の交換結合状態を変化させるための部位であって、昇温によりそのキュリー温度Ｔ₁にて垂直磁化状態から自発磁化消失状態に転移（状態変化）し且つ降温によりキュリー温度Ｔ₁にて自発磁化消失状態から垂直磁化状態に転移する希土類−遷移金属アモルファス合金よりなる。本実施形態では、中間層１２のキュリー温度Ｔ₁は、例えば１１０〜１７０℃であり、従って、室温において中間層１２は垂直磁化膜である。このような中間層１２は、例えば所定の組成比のＴｂＦｅまたはＴｂＦｅＣｏよりなり、その厚さは、例えば３〜１５ｎｍである。

再生層１３は、磁壁移動ないし磁区拡大を伴う再生機能を担う部位であり、希土類−遷移金属アモルファス合金よりなる垂直磁化膜である。再生層１３を構成する希土類−遷移金属アモルファス合金としては、例えばＧｄＦｅＣｏやＧｄＦｅを採用することができる。再生層１３の厚さは例えば１０〜３５ｎｍである。

再生層１３を構成する希土類−遷移金属アモルファス合金の組成比は、再生層１３の膜厚方向で連続的に変化しており、希土類金属濃度については、再生層１３において中間層１２に近い部位ほど低い（即ち、中間層１２から遠い部位ほど高い）。再生層１３の図１中下端およびその近傍については、例えば図２に示すように室温付近に補償温度Ｔ₂（＜Ｔ₁）を有する組成（補償組成）となるように希土類金属濃度を比較的低く設定し、再生層１３の図１中上端およびその近傍については、例えば図２に示すように比較的高温域に補償温度Ｔ₂’を有するように、希土類磁化優勢組成（ＲＥリッチ組成）において希土類金属濃度を比較的高く設定し、当該下端から当該上端にかけて希土類金属濃度が連続的に増大するように設定する。図２において、実線２Ａは、再生層１３の図１中下端およびその近傍を構成する希土類−遷移金属アモルファス垂直磁化膜の飽和磁化の温度依存性の一例に相当し、一点鎖線２Ｂは、再生層１３の図１中上端およびその近傍を構成する希土類−遷移金属アモルファス垂直磁化膜の飽和磁化の温度依存性の一例に相当する。

例えば、再生層１３がＧｄＦｅＣｏやＧｄＦｅからなる場合には、希土類金属であるＧｄの濃度は、再生層１３において中間層１２に近い部位から中間層１２から遠い部位にわたって次第に増大するように設定されている。当該Ｇｄ濃度は、再生層１３の図１中下端にて好ましくは２３at％以上に設定され、再生層１３の図１中上端にて好ましくは３１at％以下に設定される。このようなＧｄ濃度範囲は、再生層１３がＧｄＦｅＣｏやＧｄＦｅからなる場合に当該再生層１３を垂直磁化膜たらしめるうえで好適である。

再生層１３が遷移金属としてＣｏを含む場合、再生層１３のキュリー温度が再生層１３の膜厚方向で略一定となるように、再生層１３におけるＣｏ濃度は調整されている。例えば、再生層１３におけるＣｏ濃度は再生層１３内で一様に設定されている。再生層１３のキュリー温度が再生層１３の膜厚方向で略一定となるように構成することは、情報再生時におけるカー回転角の低下など、再生信号の劣化を抑制するうえで、好適である。

誘電体層２１は、基板Ｓ１側から記録磁性部１０側への水分の浸入などを防止するための部位であり、例えばＳｉＮ、ＳｉＯ₂、ＹＳｉＯ₂、ＺｎＳｉＯ₂、ＡｌＯ、またはＡｌＮよりなる。誘電体層２１の厚さは例えば５〜４０ｎｍである。

熱伝導層２２は、光磁気ディスクＸ１に対して記録用または再生用のレーザビームが照射されるときに記録磁性部１０にて発生する熱を効率よく基板Ｓ１へと伝えるための部位であり、例えばＣ、Ａｇ、Ａｇ合金（ＡｇＰｄＣｕＳｉ，ＡｇＰｄＣｕなど）、Ａｌ合金（ＡｌＳｉ，ＡｌＴｉ，ＡｌＣｒなど）、Ａｕ、またはＰｔなどの、高熱伝導材料よりなる。熱伝導層２２の厚さは例えば５〜３０ｎｍである。

誘電体層２３，２４は、記録磁性部１０に対する外部からの不当な磁気的影響などを回避ないし抑制するための部位であり、例えばＳｉＮ、ＳｉＯ₂、ＹＳｉＯ₂、ＺｎＳｉＯ₂、ＡｌＯ、またはＡｌＮよりなる。誘電体層２３，２４の厚さは例えば２０〜９０ｎｍである。誘電体層２４は、光磁気ディスクＸ１の情報再生時に再生用レーザビームの反射光のカー回転角を増大するための、エンハンス機能を有してもよい。

保護膜２５は、記録磁性部１０を特に塵埃などから保護すべく記録磁性部１０を覆い、光磁気ディスクＸ１の記録用または再生用のレーザビームに対して充分な透過性を有する樹脂よりなる。保護膜２５の厚さは例えば１５〜３０μｍである。

図３は、光磁気ディスクＸ１の製造方法を表す。図３においては、光磁気ディスクＸ１の形成過程をその部分断面図により表す。

光磁気ディスクＸ１の製造においては、まず、図３（ａ）に示すように、プリグルーブが形成された所定の凹凸形状を表面に有する基板Ｓ１を用意する。基板Ｓ１は、例えば、上掲の樹脂を成形材料として用い且つ所定の凹凸形状を有するスタンパを金型内に配設して行う射出成形技術により、作製することができる。

次に、図３（ｂ）に示すように、例えばスパッタリング法により、各々に所定の材料を成膜することによって、基板Ｓ１上に、誘電体層２１、熱伝導層２２、誘電体層２３、記録層１１、および中間層１２を順次形成する。

次に、図３（ｃ）に示すように、例えばスパッタリング法により所定の材料を成膜することによって、中間層１２上に再生層１３を形成する。成膜過程においては、希土類金属濃度を次第に増大させる。遷移金属としてＣｏを含む再生層１３を形成する場合には、Ｃｏ濃度が膜厚方向で略一定となるように、成膜過程においてＣｏ濃度を制御する。例えば、ＧｄＦｅＣｏよりなる再生層１３をスパッタリング法により形成する場合には、Ｇｄターゲット、Ｆｅターゲット、およびＣｏターゲットを用いて行うコスパッタリングにおいて、成膜開始端から成膜終了端にかけてＧｄ濃度（希土類金属濃度）は次第に増大し且つＣｏ濃度は一定となるように、各ターゲットへの投入電力を制御して中間層１２上への各ターゲット材料の堆積速度を変化させる。

次に、図３（ｄ）に示すように、再生層１３上に、誘電体層２４および保護膜２５を順次形成する。誘電体層２４の形成手法としては、スパッタリング法を採用することができる。保護膜２５については、例えば、透明な紫外線硬化性樹脂材料をスピンコート法により誘電体層２４上に成膜した後、当該樹脂材料に紫外線を照射することにより、形成することができる。以上のようにして、光磁気ディスクＸ１を製造することができる。

光磁気ディスクＸ１への情報記録においては、光磁気ディスクＸ１を回転させた状態で、記録用のレーザビームを保護膜２５の側から記録磁性部１０に向けて照射することにより記録層１１を局所的に順次昇温させつつ、当該昇温箇所に所定の磁界を印加する。このようにして、記録磁性部１０内の記録層１１に、ディスク周方向に沿って所定の信号を記録する。具体的には、記録層１１には、ディスク周方向に延びる情報トラックに沿って連続して交互に磁化が反転し且つ記録信号に応じた所定の長さを各々が有する複数の記録マーク（磁区）が形成される。中間層１２のキュリー温度より低い温度条件の下では、記録層１１と中間層１２とは交換結合し且つ中間層１２と再生層１３とは交換結合し、再生層１３および中間層１２には、記録層１１と同方向に磁化された磁区と、磁区間の磁壁とが形成される。

図４は、光磁気ディスクＸ１の再生方法を表す。図の簡潔化の観点より、図４では、光磁気ディスクＸ１について、記録磁性部１０の周方向の部分断面以外を省略する。光磁気ディスクＸ１の情報再生においては、光磁気ディスクＸ１を回転させた状態で、再生用のレーザビームＬを情報トラックに沿って再生層１３の側から記録磁性部１０に対して照射する。照射領域の光磁気ディスクＸ１に対する相対移動方向を矢印Ｄで表す。レーザビームＬの照射により、記録磁性部１０内は局所的に昇温し、記録磁性部１０内には、ディスク周方向において、例えば図４のグラフに示すような温度分布が生じる。そして、中間層１２には、そのキュリー温度Ｔ₁以上に昇温して自発磁化が消失した領域Ｒ（斜線ハッチングを付して表す）が生じる。

このような照射領域における、中間層１２のキュリー温度Ｔ₁の等温線を、記録層１１の所定の磁区１１ａに対応する再生層１３の磁区１３ａの磁壁１３ａ’が照射領域移動に伴って低温領域から高温領域へと通過する瞬間に、当該磁壁１３ａ’は再生層１３内をより高温側へと移動する。すなわち、図４では、再生層１３において中間層１２のキュリー温度Ｔ₁まで昇温された位置Ｘ₁に至った磁壁１３ａ’は、瞬間的に、ピーク温度Ｔ₃まで昇温された位置Ｘ₂に向って移動する。この磁壁移動の主駆動力は、再生層１３内における温度勾配に起因して生ずる磁壁エネルギー密度の勾配であり、磁壁１３ａ’を高温側へと変位させるように作用する。

照射領域移動方向Ｄにおける前方から後方に向けて再生層１３内を磁壁１３ａ’が移動すると、当該磁壁移動領域の磁化は反転する。この磁化反転を、再生層１３の表面にて反射した光の偏光面の変化として所定の光学系で検出することにより、磁壁移動が検知される。情報トラックに沿って再生用のレーザビームＬを照射して磁壁移動を順次検知することにより、光磁気ディスクＸ１の記録信号が読み取られることとなる。そして、記録層１１の所定の磁区１１ｂが所定の昇温領域を抜け出るときに、当該磁区１１ｂに対応して中間層１２に磁区１２ｂが形成され、更に当該磁区１２ｂに対応して再生層１３に磁区１３ｂが形成され、記録層１１に形成されている記録マーク（磁区）は再生層１３へと転写される。

磁区拡大系光磁気記録媒体の技術分野においては、希土類金属として例えばＧｄを含む再生層（希土類−遷移金属アモルファス合金よりなる垂直磁化膜）について、補償組成となるように希土類金属濃度を比較的低く設定すると、室温から中間層のキュリー温度付近にわたる温度領域において、再生層の飽和磁化は小さくなって垂直磁気異方性は強くなり、従って転写性は向上することが知られている。また、磁区拡大系光磁気記録媒体の技術分野においては、情報再生時に再生層内に形成される浮遊磁界が再生層における磁壁駆動力の増大に資するように設定される場合には、希土類金属として例えばＧｄを含むＲＥリッチ組成における再生層の希土類金属濃度を比較的高く設定すると、中間層のキュリー温度付近での再生層の飽和磁化は比較的大きくなって磁壁駆動力は増大することが知られている。磁区拡大系光磁気記録媒体の再生層においては、一般に、記録層からの磁区転写を中継する中間層に近い部位の特性が再生層全体の磁区転写性に支配的に寄与し、また、中間層とは反対側の再生層表面近傍の部位の特性が再生層全体の磁壁移動性（磁壁移動の生じやすさ）に支配的に寄与すると考えられるところ、光磁気ディスクＸ１の再生層１３においては、中間層１２に近い部位ほど磁区転写性が高くなるように、中間層１２に近い部位ほど希土類金属濃度を低くして垂直磁気異方性は強く設定され、且つ、中間層１２から遠い部位ほど、情報再生時に生ずる磁壁駆動力が大きくなるように、中間層１２から遠い部位ほど希土類金属濃度を高くして飽和磁化は大きく設定されているので、再生層１３全体として、充分な転写性を確保するとともに、情報再生時に充分な磁壁駆動力を得ることが可能なのである。このような光磁気ディスクＸ１は、高記録密度化の実効を図るとともに充分なＣＮＲおよび再生信号振幅を得るうえで、好適である。

図５は、本発明の第２の実施形態に係る光磁気ディスクＸ２の径方向の部分断面を表す。光磁気ディスクＸ２は、再生層１３に代えて再生層１４を有する点以外は、光磁気ディスクＸ１と同様の構成を有する。

再生層１４は、磁壁移動ないし磁区拡大を伴う再生機能を担う部位であり、図６に示すように、垂直磁化膜１４ａ〜１４ｄよりなる積層構造を有する。垂直磁化膜１４ａ〜１４ｄを構成する希土類−遷移金属アモルファス合金としては、例えばＧｄＦｅＣｏやＧｄＦｅを採用することができる。再生層１４全体の厚さは例えば１０〜３５ｎｍである。

再生層１４内において、垂直磁化膜１４ａ〜１４ｄの希土類金属濃度は段階的に変化しており、中間層１２に近い垂直磁化膜ほど低い希土類金属濃度を有する（即ち、中間層１２から遠い垂直磁化膜ほど高い希土類金属濃度を有する）。垂直磁化膜１４ａについては、例えば図２に示すように室温付近に補償温度Ｔ₂（＜Ｔ₁）を有する組成（補償組成）となるように希土類金属濃度を比較的低く設定し、垂直磁化膜１４ｄについては、例えば図２に示すように比較的高温域に補償温度Ｔ₂’を有するように、希土類磁化優勢組成（ＲＥリッチ組成）において希土類金属濃度を比較的高く設定し、垂直磁化膜１４ａから垂直磁化膜１４ｄにかけて希土類金属濃度が段階的に増大するように設定する。図２において、実線２Ａは、垂直磁化膜１４ａを構成する希土類−遷移金属アモルファス垂直磁化膜の飽和磁化の温度依存性の一例に相当し、一点鎖線２Ｂは、垂直磁化膜１４ｄを構成する希土類−遷移金属アモルファス垂直磁化膜の飽和磁化の温度依存性の一例に相当する。

例えば、垂直磁化膜１４ａ〜１４ｄがＧｄＦｅＣｏやＧｄＦｅからなる場合には、希土類金属であるＧｄの濃度は、再生層１４において中間層１２に最も近い垂直磁化膜１４ａから、中間層１２から最も遠い垂直磁化膜１４ｄにかけて段階的に増大するように設定されている。Ｇｄ濃度について、垂直磁化膜１４ａは例えば２３〜２５at％、垂直磁化膜１４ｂは例えば２５〜２７at％、垂直磁化膜１４ｃは例えば２７〜２９at％、垂直磁化膜１４ｄは例えば２９〜３１at％である。

垂直磁化膜１４ａ〜１４ｄが遷移金属としてＣｏを含む場合、垂直磁化膜１４ａ〜１４ｄのキュリー温度が再生層１４の膜厚方向で略一定となるように、垂直磁化膜１４ａ〜１４ｄにおけるＣｏ濃度は調整されている。例えば、垂直磁化膜１４ａ〜１４ｄにおけるＣｏ濃度は全て同一となるように設定されている。このような構成は、カー回転角の低下など、再生信号の劣化を抑制するうえで、好適である。

このような構成の光磁気ディスクＸ２は、再生層１３に代えて再生層１４を形成する以外は、光磁気ディスクＸ１と同様の過程を経て製造することができる。光磁気ディスクＸ２の製造において、再生層１４は、中間層１２上に例えばスパッタリング法により垂直磁化膜１４ａ〜１４ｄを順次形成することによって形成することができる。また、光磁気ディスクＸ２については、光磁気ディスクＸ１に関して上述したのと同様の手法により、情報記録および情報再生を実行することができる。情報記録がなされた光磁気ディスクＸ２においては、記録層１１に記録された記録マーク（磁区）は、中間層１２を介して再生層１４に転写され、再生層１４の垂直磁化膜１４ａ〜１４ｄの各々には、記録層１１の記録マークに対応した磁区が生じている。また、光磁気ディスクＸ２の情報再生時には、記録層１１内の所定の記録マークに対応する垂直磁化膜１４ａ〜１４ｄの各磁区の磁壁は、一体的となって移動する。

磁区拡大系光磁気記録媒体の再生層においては、上述のように、記録層からの磁区転写を中継する中間層に近い部位の特性が再生層全体の磁区転写性に支配的に寄与し、また、中間層とは反対側の再生層表面近傍の部位の特性が再生層全体の磁壁移動性に支配的に寄与すると考えられるところ、光磁気ディスクＸ２の再生層１４においては、中間層１２に近い垂直磁化膜ほど、磁区転写性が高くなるように希土類金属濃度を低くして垂直磁気異方性は強く設定され、且つ、中間層１２から遠い垂直磁化膜ほど、情報再生時に生ずる磁壁駆動力が大きくなるように希土類金属濃度を高くして飽和磁化は大きく設定されているので、光磁気ディスクＸ１と同様に、再生層全体として、充分な転写性を確保するとともに、情報再生時に充分な磁壁駆動力を得ることが可能なのである。

〔光磁気ディスクの作製〕
図７に示す積層構成を有するフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本実施例の光磁気ディスクを作製した。本実施例の光磁気ディスクは、上述した第１の実施形態の光磁気ディスクＸ１に相当する。

本実施例の光磁気ディスクの作製においては、まず、スパッタリング法により、表面にランドグルーブ形状を有するポリカーボネート基板（直径１２０ｍｍ，厚さ１．２ｍｍ，トラックピッチ０．２７５ｎｍ，グルーブ深さ６０ｎｍ）の上にＳｉＮを成膜することによって、厚さ２０ｎｍの誘電体層を形成した。具体的には、Ｓｉターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスおよびＮ₂ガスを使用して行う反応性スパッタリングにより、基板上にＳｉＮを成膜した。本スパッタリングでは、ＡｒガスおよびＮ₂ガスの流量比を２：１とし、スパッタガス圧力を０．５Ｐａとし、投入電力を０．８ｋＷとした。

次に、スパッタリング法により誘電体層上にＡｇＰｄＣｕを成膜することによって、厚さ３０ｎｍの熱伝導層を形成した。本スパッタリングでは、ＡｇＰｄＣｕ合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し（反応性スパッタリングを除く以下のスパッタリングにおいても同様）、スパッタガス圧力を０．８Ｐａとし、投入電力を０．５ｋＷとした。

次に、スパッタリング法により熱伝導層上にＳｉＮを成膜することによって、厚さ１０ｎｍの誘電体層を形成した。具体的には、Ｓｉターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスおよびＮ₂ガスを使用して行う反応性スパッタリングにより、基板上にＳｉＮを成膜した。本スパッタリングでは、ＡｒガスおよびＮ₂ガスの流量比を２：１とし、スパッタガス圧力を０．５Ｐａとし、投入電力を０．８ｋＷとした。

次に、スパッタリング法により誘電体層上にＴｂ₂₄Ｆｅ₅₆Ｃｏ₂₀を成膜することによって、厚さ６０ｎｍの記録層を形成した。本スパッタリングでは、所定組成比のＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用い、スパッタガス圧力を１．０Ｐａとし、投入電力を０．８ｋＷとした。

次に、スパッタリング法により記録層上にＴｂ₂₂Ｆｅ₇₅Ｃｏ₃を成膜することによって、厚さ１５ｎｍの中間層を形成した。本スパッタリングでは、所定組成比のＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を０．８Ｐａとし、投入電力を０．８ｋＷとした。

次に、スパッタリング法により中間層上に組成比が連続的に変化するＧｄＦｅＣｏを成膜することによって、厚さ３０ｎｍの再生層を形成した。具体的には、Ｇｄターゲット、Ｆｅターゲット、およびＣｏターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを使用して行うコスパッタリングにより、中間層上にＧｄＦｅＣｏを成膜した。本スパッタリングでは、スパッタガス圧力を０．５Ｐａとし、Ｇｄターゲットの投入電力を０．３０ｋＷ（成膜開始時）から０．３９ｋＷ（成膜終了時）まで連続的に上昇させ、Ｆｅターゲットの投入電力を成膜開始時から成膜終了時まで０．８０ｋＷで一定に維持し、Ｃｏターゲットの投入電力を０．２５ｋＷ（成膜開始時）から０．２８ｋＷ（成膜終了時）まで連続的に上昇させた。このようにして、成膜開始端から成膜終了端にかけて、Ｇｄ濃度が２５at％から３１at％に連続的に上昇し、Ｆｅ濃度が６３at％から５７at％に連続的に低下し、Ｃｏ濃度が１２at％で一様である、再生層を形成することができた。

次に、スパッタリング法により再生層上にＳｉＮを成膜することによって、厚さ７０ｎｍの誘電体層（エンハンス層）を形成した。具体的には、Ｓｉターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスおよびＮ₂ガスを使用して行う反応性スパッタリングにより、再生層上にＳｉＮを成膜した。本スパッタリングでは、ＡｒガスおよびＮ₂ガスの流量比を２：１とし、スパッタガス圧力を０．５Ｐａとし、投入電力を０．８ｋＷとした。

次に、誘電体層上に厚さ１５μｍの保護膜を作製した。具体的には、まず、スピンコート法により、紫外線硬化性の透明樹脂を誘電体層上に塗布した。次に、紫外線照射により、当該樹脂膜を硬化させた。以上のようにして、本実施例の光磁気ディスクを作製した。

＜ＣＮＲ測定＞
上述のようにして作製した光磁気ディスクについて、再生信号のＣＮＲを測定した。具体的には、まず、本実施例の光磁気ディスクの情報トラックに対し、所定の長さの記録マークを所定の長さのスペースを介して記録した。この記録処理は、所定の装置を使用してレーザパルス磁界変調記録方式により行った。使用した装置のレーザ集光用対物レンズの開口数ＮＡは０．８５であり、レーザ波長は４０５ｎｍである。また、当該記録処理においては、レーザパワーを９ｍＷとし、レーザ発光デューティを３０％とし、レーザ走査周速度を３ｍ／ｓとし、記録磁界を３００Ｏｅとした。

次に、上述のようにして記録された信号を再生し、再生信号におけるＣＮＲを測定した。この再生処理は、上述の記録処理と同一の装置を使用して行い、再生用レーザパワーを２．５ｍＷとし、レーザ走査周速度を３ｍ/ｓとし、再生時の外部磁界を０Ｏｅとした。

このような情報記録およびその後の情報再生を、情報記録時の記録マーク長を変化させて１５０ｎｍおよび８０ｎｍの記録マーク長ごとに行った。その結果、記録マーク長が１５０ｎｍの場合におけるＣＮＲは４０ｄＢであり、記録マーク長が８０ｎｍの場合におけるＣＮＲは３９ｄＢであった。これらの値は、図１０の表に掲げる。下記の実施例および比較例の光磁気ディスクについて行った同様の測定により得られたＣＮＲの値も、図１０の表に掲げる。

〔再生信号振幅測定〕
上述のようにして作製した光磁気ディスクについて再生信号の振幅を測定した。具体的には、まず、本実施例の光磁気ディスクの情報トラックに対し、記録マーク長８０ｎｍの信号をスペース（長さ８０ｎｍ）を介して繰り返し記録した。この記録処理は、ＣＮＲ測定に関して上述したのと同様の装置を使用して略同一の条件で行った。次に、上述のようにして記録された信号を再生し、再生信号の振幅を測定した。この再生処理は、上述の記録処理と同一の装置を使用して行い、ＣＮＲ測定に関して上述したのと略同一の条件で行った。その結果、記録マーク長が８０ｎｍの場合の再生信号振幅は４０ｍＶであった。この値は、図１０の表に掲げる。下記の実施例および比較例について行った同様の測定により得られた再生信号振幅の値も、図１０の表に掲げる。

図８に示す積層構成を有するフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本実施例の光磁気ディスクを作製した。本実施例の光磁気ディスクは、上述した第２の実施形態の光磁気ディスクＸ２に相当し、再生層を４層の垂直磁化膜よりなる積層構造とした点において、実施例１の光磁気ディスクと異なる。このような本実施例の光磁気ディスクは、再生層以外は実施例１の光磁気ディスクと同様にして作製した。

本実施例の再生層の形成においては、Ｇｄターゲット、Ｆｅターゲット、およびＣｏターゲットを用いて行うコスパッタリングにより、中間層上に４種類のＧｄＦｅＣｏ垂直磁化膜を順次積層形成した。具体的には、スパッタガス圧力を０．５Ｐａとし、Ｇｄターゲットの投入電力を０．３０ｋＷ（成膜開始時）から０．３９Ｗ（成膜終了時）まで所定のタイミングで０．０３Ｗずつ段階的に上昇させ、Ｆｅターゲットの投入電力を成膜開始時から成膜終了時まで０．８０ｋＷで一定に維持し、Ｃｏターゲットの投入電力を０．２５ｋＷ（成膜開始時）から０．２８ｋＷ（成膜終了時）まで上記所定タイミングと同じタイミングで０．０１ｋＷずつ段階的に上昇させた。このようにして、図８に示す４種類のＧｅＦｅＣｏ垂直磁化膜（Ｇｄ濃度およびＦｅ濃度は段階的に変化し且つＣｏ濃度は同一）からなる積層構造を有する再生層を形成した。

次に、再生層上に、実施例１と同様にして、誘電体層（ＳｉＮ，厚さ７０ｎｍ）および保護膜（紫外線硬化性透明樹脂，厚さ１５ｎｍ）を順次形成した。以上のようにして、本実施例の光磁気ディスクを作製した。

〔ＣＮＲ測定および再生信号振幅測定〕
本実施例の光磁気ディスクについて、実施例１と同様にしてＣＮＲ測定および再生信号振幅測定を行ったところ、記録マーク長が１５０ｎｍの場合のＣＮＲは４０ｄＢ、記録マーク長が８０ｎｍの場合のＣＮＲは３８ｄＢ、再生信号振幅は３６ｍＶであった。

比較例１

図９に示す積層構成を有するフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本比較例の光磁気ディスクを作製した。本比較例の光磁気ディスクは、再生層の中間層側から保護膜側（光入射側）にかけて、再生層のＧｄ濃度が２５at％で一様である点において、実施例１の光磁気ディスクと異なる。このような本比較例の光磁気ディスクは、再生層以外は実施例１の光磁気ディスクと同様にして作製した。本比較例の再生層の形成においては、所定の組成比のＧｄＦｅＣｏ合金ターゲットを用いて行うコスパッタリングにより、中間層上に厚さ３０ｎｍのＧｄ₂₅Ｆｅ₆₃Ｃｏ₁₂を成膜した。本スパッタリングでは、スパッタガス圧力を０．５Ｐａとし、投入電力を０．５ｋＷとした。このようにして形成した再生層の組成は実質的に一様である。本比較例の光磁気ディスクについて、実施例１と同様にしてＣＮＲ測定および再生信号振幅測定を行ったところ、記録マーク長が１５０ｎｍの場合のＣＮＲは３９ｄＢ、記録マーク長が８０ｎｍの場合のＣＮＲは３３ｄＢ、再生信号振幅は２４ｍＶであった。

比較例２

再生層のＧｄ濃度を２５at％に代えて２８at％とした以外は比較例１と同様にして、本比較例の光磁気ディスクを作製した。本比較例における再生層の組成も、比較例１における再生層と同様に、実質的に一様である。また、本比較例の光磁気ディスクについて、実施例１と同様にしてＣＮＲ測定および再生信号振幅測定を行ったところ、記録マーク長が１５０ｎｍの場合のＣＮＲは３７ｄＢ、記録マーク長が８０ｎｍの場合のＣＮＲは３４ｄＢ、再生信号振幅は２６ｍＶであった。

比較例３

再生層のＧｄ濃度を２５at％に代えて３１at％とした以外は比較例１と同様にして、本比較例の光磁気ディスクを作製した。本比較例における再生層の組成も、比較例１における再生層と同様に、実質的に一様である。また、本比較例の光磁気ディスクについて、実施例１と同様にしてＣＮＲ測定および再生信号振幅測定を行ったところ、記録マーク長が１５０ｎｍの場合のＣＮＲは３５ｄＢ、記録マーク長が８０ｎｍの場合のＣＮＲは３５ｄＢ、再生信号振幅は２８ｍＶであった。

評価

図１０の表に示すように、本発明に係る実施例１，２の光磁気ディスクは、記録マーク長が１５０ｎｍの場合において比較例１〜３の光磁気ディスクよりも高いＣＮＲを示し、記録マーク長が８０ｎｍの場合において比較例１〜３の光磁気ディスクよりも高いＣＮＲを示す。記録マーク長が１５０ｎｍの場合においては、再生層のＧｄ濃度が３１at％で一様であって磁区転写性よりも磁壁移動性を優先させた比較例３の光磁気ディスクのＣＮＲは、３５ｄＢと特に低い。これに対し、再生層の中間層側から保護膜側（光入射側）にかけて、当該再生層のＧｄ濃度が連続的あるいは段階的に上昇している実施例１，２の光磁気ディスクでは、ＣＮＲが４０ｄＢ以上であって、記録マーク長１５０ｎｍについて、良好な再生特性が得られた。また、記録マーク長が８０ｎｍの場合においては、再生層のＧｄ濃度が２５at％，２８at％，３１at％でそれぞれ一様である比較例１〜３の光磁気ディスクのＣＮＲは、それぞれ３３ｄＢ，３４ｄＢ，３５ｄＢといずれも低い。これらに対し、再生層の中間層側から保護膜側（光入射側）にかけて、当該再生層のＧｄ濃度が連続的あるいは段階的に上昇している実施例１，２の光磁気ディスクでは、ＣＮＲがそれぞれ３８ｄＢ以上であった。

加えて、図１０の表に示すように、本発明に係る実施例１，２の光磁気ディスクは、比較例１〜３の光磁気ディスクよりも高い再生信号振幅を示す。再生層のＧｄ濃度が２５at％，２８at％，３１at％でそれぞれ一様である比較例１〜３の光磁気ディスクの再生信号振幅は、それぞれ２４ｍＶ，２６ｍＶ，２８ｍＶといずれも低い。これらに対し、再生層の中間層側から保護膜側（光入射側）にかけて、当該再生層のＧｄ濃度が連続的あるいは段階的に上昇している実施例１，２の光磁気ディスクでは、再生信号振幅がそれぞれ３６ｍＶ以上であった。

以上のように、本発明に係る実施例１，２の光磁気ディスクにおいては、記録マーク長８０ｎｍの短マーク記録においても、充分な再生信号振幅およびＣＮＲを確保することができた。

本発明の第１の実施形態に係る光磁気ディスクの部分断面図である。 本発明の光磁気ディスクにおける再生層について、飽和磁化の温度依存性の一例を表す。 図１に示す光磁気ディスクの製造方法を表す。 図１に示す光磁気ディスクの再生方法を表す。 本発明の第２の実施形態に係る光磁気ディスクの部分断面図である。 図５の部分拡大図である。 実施例１の光磁気ディスクの積層構成を表す。 実施例２の光磁気ディスクの積層構成を表す。 比較例１の光磁気ディスクの積層構成を表す。 実施例１，２および比較例１〜３の光磁気ディスクについて、ＣＮＲの測定結果および再生信号振幅の測定結果をまとめた表である。 従来の光磁気ディスクの部分断面図である。 従来の光磁気ディスクの再生方法を表す。

符号の説明

Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３ 光磁気ディスク
Ｓ１，Ｓ２ 基板
１０，３０ 記録磁性部
１１，３１ 記録層
１２，３２ 中間層
１３，１４，３３ 再生層
２１，２３，２４，４２，４３ 誘電体層
２２，４１ 熱伝導層
２５，４４ 保護膜

Claims (4)

1. 垂直磁化膜よりなり記録機能を担う記録層と、
   垂直磁化膜よりなり、磁壁移動を伴う再生機能を担う、再生層と、
   前記記録層および前記再生層の間に介在し、当該記録層および再生層の交換結合状態を変化させるための、中間層と、を含む積層構造を備え、
   前記再生層は、希土類金属と遷移金属とを含む合金よりなり、前記中間層に近い部位ほど低い希土類金属濃度を有する、光磁気記録媒体。
2. 垂直磁化膜よりなり記録機能を担う記録層と、
   複数の垂直磁化膜よりなり、磁壁移動を伴う再生機能を担う、再生層と、
   前記記録層および前記再生層の間に介在し、当該記録層および再生層の交換結合状態を変化させるための、中間層と、を含む積層構造を備え、
   前記再生層の各垂直磁化膜は、希土類金属と遷移金属とを含む合金よりなり、前記中間層に近い垂直磁化膜ほど低い希土類金属濃度を有する、光磁気記録媒体。
3. 前記希土類金属はＧｄを含み、前記再生層の各部におけるＧｄ濃度は２３〜３１at％である、請求項１または２に記載の光磁気記録媒体。
4. 前記遷移金属はＣｏを含み、前記再生層におけるＣｏ濃度は一様である、請求項１から３のいずれか一つに記載の光磁気記録媒体。

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