JPH11154360A - 光磁気記録媒体及びその再生方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光磁気記録媒体の情報記録密度及び再生信号
のＳ／Ｎ比を高める。 【解決手段】 光磁気記録媒体の再生用磁性膜の熱拡散
を大きくする熱伝導性膜を積層し、光磁気記録媒体の少
なくとも再生用磁性膜からトラッキングフオマットを除
いて一様な平面で用い、光磁気記録媒体の透明基板およ
び／または保護膜の大気表面側にトラッキングフオマッ
トを設ける膜構造にする。この方法は高Ｓ／Ｎ、低エラ
ーレート、且つ低コストであり、量産可能な産業上有効
な手段である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は光磁気記録媒体に係
わり、詳細には、通常の再生光スポットよって再生する
ことが困難である微小な記録磁区によって情報を記録
し、その記録した微小な記録磁区の再生を可能にする光
磁気記録媒体の構成、及び実用的な再生方式に関する。

【０００２】

【従来の技術】光磁気記録媒体の一層の高密度化を図る
ために、再生時に外部磁界を印加しつつ、再生用レーザ
ー光を照射して再生信号を得る技術が注目されている。

【０００３】例えばJournal of Magnetic Society of J
apan, Vol. 17 Supplement No. S1,p. 201 (1993)に記
載されているような磁気超解像技術が提案されている。
これは、光磁気記録媒体における磁性膜の工夫と再生光
照射時にスポット内部に生ずる温度分布を利用する事に
より、スポット内に磁気的マスクを発生させ、信号の再
生に寄与する実効的なスポット径を縮小させる技術であ
る。この技術を用いれば、光学的スポット径を縮小させ
る事なしに、再生分解能を向上させる事が出来る。

【０００４】また、例えば特開平１−１４３０４１号公
報に開示されているように、再生時に外部磁界を印加し
て磁区を拡大させることによって、微小な再生信号を増
幅する技術も提案されている。特開平６−２５９８２３
号公報においても磁区を拡大させる技術が開示されてい
る。

【０００５】これらの磁気超解像や磁区拡大再生を用い
ることによって再生光スポット内に存在する複数の微小
磁区を互いに識別して再生することを可能にしようとす
るものであった。しかしながら、これらの微小磁区は高
密度記録されているために記録クロック周期が短く、こ
れらの信号を再生した場合に波形間干渉が生じることに
よってＣ／Ｎが低下するものであり、実用化に充分な域
に達していない。このため、高密度記録された磁区をそ
れらの技術を用いて再生する際に、Ｃ／Ｎを向上させる
技術がさらに必要となる。

【０００６】上記の従来技術では、磁気超解像を用いる
にせよ、再生時に外部磁界を印加して磁区を拡大させる
ことによって微小な再生信号を増幅するにせよ、再生時
に得る再生信号は、光磁気記録媒体上に記録された情報
に対応するものであり、記録された情報を忠実に再生す
るということが前提である。構築する応用システムの用
途によっては、記録された情報を全て忠実に再生するよ
りも、用途及び目的に応じた異なる再生情報を得たい場
合がある。例えば、セキュリティ用途に関連する応用シ
ステムにおいては、光磁気記録媒体に記録された情報を
再生する際に、光磁気記録媒体上の特定の部分に記録さ
れた情報のみを再生したい場合があり、あるいは、セキ
ュリティあるいは暗号記載用途に関連する応用システム
において、光磁気記録媒体に記録された情報を再生する
際に、該情報を特定の関数で変換した再生信号を直接得
たい場合もある。さらに、応用システムの用途によって
は、光磁気記録媒体に記録された情報を再生する際に、
特定の間隔ごとに間引いて直接再生することが望まれ
る。

【０００７】しかしこれらは全て光磁気記録媒体に記録
されたソフト情報を全て正確に再生することができると
ゆうこと、即ち再生信号のエラーによって誤った情報に
ならないことが前提にあって始めて実現が可能になるこ
とである。このことは記録再生信号のＳ／Ｎが充分に大
きな値が得らる光磁気記録媒体、記録再生装置、及び記
録再生方式等を用いることが必要である。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】高密度記録された記録
ビット等の記録信号を再生するためには、再生用レーザ
ビームのスポット径によって決まる光学的分解能が問題
になる。例えばスポット径が１μｍの再生光を用いて
０．１５μｍの微小記録ビット信号を識別して再生する
ことは現在不可能な状態にある。このような再生光の光
学的スポット径による再生分解能の制約をなくすための
の１つのアプローチとして、例えば、Journal of Magne
tic Society of Japan, Vol. 17 Supplement No. S1, p
p. 201 (1993) に記載されているような磁気超解像技術
（ＭＳＲ）が提案されている。これは、光磁気記録媒体
に再生光が照射された時に再生光スポット内部の磁性膜
に温度分布が生じることを利用して、スポット内に磁気
的マスクを発生させ、信号の再生に寄与する実効的なス
ポット径を縮小させたものである。この技術を用いれ
ば、実際の再生光スポット径を縮小させずに、再生分解
能を向上させることができる。しかし、この手法では、
磁気的マスクにより実効的なスポット径を小さくする
為、再生出力に寄与する光量が低下し、その分、再生Ｃ
／Ｎが低下してしまう。この結果充分なＣ／Ｎを得るこ
とが困難になり、依然として問題は解決されてはいな
い。

【０００９】特開平１−１４３０４１号公報には、室温
で互いに磁気的に結合した第１磁性膜、第２磁性膜及び
第３磁性膜を有し、第１，第２及び第３磁性膜のキュリ
ー温度をＴC1，ＴC2及びＴC3とするとき、ＴC2＞室温で
且つＴC2＜ＴC1，ＴC3とされ、第１磁性膜の保磁力ＨC1
は第２磁性膜のキュリー温度ＴC2近傍で充分小さく、第
３磁性膜の保磁力ＨC3は室温からＴC2より高い所要の温
度ＴPBまでの温度範囲で所要の磁場よりも充分大きい光
磁気記録媒体を用いて、第１磁性膜の記録磁区を拡大さ
せて再生を行う光磁気記録媒体の再生方法が開示されて
いる。しかし、この再生磁性層に転写拡大された記録磁
区信号から充分なＣ／Ｎの再生信号を得ることが困難で
あった。

【００１０】次に、従来の光磁気記録媒体の記録磁区は
図１に示すように、再生用レーザビームスポットを光磁
気記録媒体に照射して光磁気記録層１０のトラッキング
用トラックＬの記録磁区を直接読み取り再生できる大き
さに記録形成されたが、高密度記録では記録磁区は図２
で示すように、光磁気記録層１０のトラッキング用トラ
ックＬに微小記録磁区１３０を用いる。図２から明らか
なように光磁気記録媒体のトラッキング用トラックＬの
幅が従来と同じであれば微小記録磁区１３０を再生用磁
性層２４へ転写拡大することによって従来の大きさの再
生用レーザビームスポットによって容易に再生すること
ができる。しかるに、充分な高密度記録を行うには光磁
気記録層１０のトラッキング用トラックＬの幅を微小記
録磁区１３０に最適な幅まで縮める必要がある。光磁気
記録層１０のトラッキング用トラックＬを縮めた光磁気
記録媒体について微小記録磁区１３０の記録再生を行う
と、図３（ａ）で示すように、再生用磁性層２４におけ
る微小記録磁区１３０の転写拡大記録磁区６１は一つて
まいの隣設微小記録磁区１３０の残留転写拡大記録磁区
の一部と重なって再生される問題が発生する。またさら
に、図３（ｂ）で示すように、再生用レーザビームスポ
ットに複数の微小記録磁区１３０が入ったしまう場合で
は、６２の微小記録磁区Ａと６３の微小記録磁区Ｂの各
転写拡大記録磁区が二重に重なって再生される問題も発
生する。

【００１１】次に図４から明らかなように光磁気記録媒
体の光磁気記録層１０及び再生用磁性層２４がランド部
Ｌとグルーブ部Ｇから構成される場合には、トラッキン
グ用トラック幅が従来と同じであれば微小記録磁区１３
０を再生用磁性層２４へ転写拡大することによって従来
の大きさの再生用レーザビームスポットによって容易に
再生することができる。しかるに、充分な高密度記録を
行うために光磁気記録層１０及び再生用磁性層２４のラ
ンド部Ｌとグルーブ部Ｇの幅を微小記録磁区１３０に最
適な幅まで縮めた光磁気記録媒体では図５で示すよう
に、再生用磁性層２４における微小記録磁区１３０の転
写拡大記録磁区６１はランド部Ｌ或いはグルーブ部Ｇの
幅からはみ出して転写される問題がある。ランド部Ｌ或
いはグルーブ部Ｇの幅からはみ出して転写されると再生
読み取り信号のエラーレートが大きくなり、さらに再生
信号のＳ／Ｎ比が低下する。

【００１２】本発明の目的は、光磁気記録媒体に高密度
記録された情報を、高Ｃ／Ｎで再生することができる光
磁気再生方法及びその再生装置を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明で用いる光磁気記
録媒体は図６に示すように少なくとも光磁気記録膜１０
と補助磁性膜（再生用磁性層）２４とを備え、対物レン
ズ３０１を備える光ヘッドと磁気ヘッド４０を用いて記
録再生を行うものであって、従来の再生用レーザビーム
フオカシングスポットによって読み取ることができない
程微小な記録磁区を上記光磁気記録膜１０に記録する、
高密度記録光磁気記録媒体である。再生レーザビームフ
オカシングスポットを記録媒体に照射すると光磁気記録
媒体内部の積層膜体には図６で示すような加熱温度分布
が生じ、再生用レーザビームフオカシングスポットの中
心度程高温で、Ｔat以上の温度領域５０２、Ｔat以下Ｔ
cr2以上の温度領域５０１、Ｔcr2以下Ｔbt以上の温度領
域等に分けることができる。補助磁性膜（再生用磁性
層）２４が再生用レーザビームフオカシングスポットの
照射を受けると、図２で示したように、補助磁性膜（再
生用磁性層）２４の臨界温度Ｔcr2以上の加熱領域へ光
磁気記録膜１０の微小記録磁区１３０が転写、拡大させ
ることによって、転写、拡大した信号を記録磁区の再生
信号として読み取ることが可能になる。但し、温度Ｔcr
2は再生用磁性層２４が常温の面内磁化状態から垂直磁
化の状態へ転移する臨界温度である。

【００１４】図７は、図６に記載の光磁気記録媒体の反
射層８と光磁気記録層１０との間に第１補助磁性層２５
を設けた膜構成の記録媒体に再生用レーザビームフオカ
シングスポットを照射した場合の積層膜体が加熱される
温度分布である。第１補助磁性層２５は、例えば常温の
面内磁化状態から垂直磁化の状態へ転移する磁性材料を
用いるもので、垂直磁化への転移温度Ｔcr1はＴcr1≫Ｔ
cr2の関係を満たす磁性材料を選択して用いる。すると
再生用レーザビームフオカシングスポットを照射した場
合、第１補助磁性層２５のＴcr1温度以上の垂直磁化転
移部の幅は、再生用磁性層２４のＴcr2温度以上の垂直
磁化転移部の幅より著しく小さくすることができる。

【００１５】本発明の第１は、例えば図８の（ａ），
（ｂ），（ｃ）に示すように、少なくとも光磁気記録層
１０と第１補助磁性層２５と再生用磁性層２４とからな
り、該光磁気記録層１０に光ヘッドの対物レンズ３０１
から垂直に投入される再生光の分解能ｄ＝λ／ＮＡ以下
の大きさの微小記録磁区１２０が記録される光磁気記録
媒体から記録情報を再生する再生方式において、前記再
生光の、前記第１補助磁性層の臨界温度Ｔcr1以上の温
度領域に相当する幅Ｌtに対して、前記光磁気記録層に
直列に記録する微小記録磁区の磁区間の最小間隔Ｌが
Ｌt≦Ｌ なる関係にあり、且つ前記再生用磁性層の臨
界温度Ｔcr2以上温度領域の幅Ｌ2tに対してＬ2t≧λ／
ＮＡ なる関係になるような再生光ビームスポットを用
いて再生することを特徴とする記録再生方式に特徴があ
る。但し、λは再生光の波長であり、ＮＡは光ヘッド対
物レンズの開口数である。

【００１６】さらに、本発明の第２は、例えば図８の
（ａ），（ｂ），（ｃ）に示すように、上記光磁気記録
媒体を用いる記録再生装置において、再生光に、前記第
１補助磁性層の臨界温度Ｔcr1以上の温度領域の幅Ｌtに
対して、前記光磁気記録層に直列に記録する微小記録磁
区の磁区間の最小間隔Ｌが Ｌt≦Ｌ なる関係にあ
り、且つ前記再生用磁性層の臨界温度Ｔcr2以上の温度
領域の幅Ｌ2tに対して Ｌ2t≧λ／ＮＡ なる関係にあ
る再生光ビームスポットを用いる記録再生装置に特徴が
ある。

【００１７】本発明の第３は、例えば図８の（ｂ），
（ｃ）に示すように、少なくとも光磁気記録層１０と再
生用磁性層２４からなる光磁気記録媒体において、光磁
気記録媒体に第１補助磁性層を形成し、該第１補助磁性
層及び前記再生用磁性層は室温以上の転移温度より高い
温度では垂直磁化へ転移すると共に、光ヘッドの対物レ
ンズから該光磁気記録媒体に垂直に投入される再生光に
よって、前記第１補助磁性層には、前記光磁気記録層に
直列に記録する微小記録磁区の磁区間の最小間隔Ｌに対
応する位置に、間隔の最小値に相当する幅の垂直磁化の
透磁口が形成される第１補助磁性材料を用い、前記再生
用磁性層には、前記第１補助磁性材料の前記垂直磁化の
透磁口を透って光磁気記録層の微小記録磁区が前記再生
用磁性層にλ／ＮＡ相当以上の幅で転写、拡大される垂
直磁化が形成される再生用磁性膜材料を用いる光磁気記
録媒体特徴がある。

【００１８】本発明の原理を説明する。まず再生光パル
スを用いる場合では、光磁気記録媒体のクロック信号に
同期する再生光パルスを用い、再生光のＴcr1以上の温
度の部分によって第１補助磁性層２５に光磁気記録層１
０の微小記録磁区一個分相当の垂直磁化窓口１３０を再
生光の照射時間だけ形成させる。一方再生用磁性層に
は、図８（ｂ）（ｃ）に示すように、再生光照射部分の
Ｔcr２以上の温度部分に垂直磁化部１４０が生じて、図
９に示すように、再生用スポットで、第１補助磁性層２
５の垂直磁化窓口１３０からの磁界より小さい保持力に
達した部分に交換結合によって微小記録磁区一個分の転
写と拡大が行われ、発生する再生信号が読み取られる。
再生後温度がＴcr２以下になると第１補助磁性層２５の
垂直磁化窓口１３０、及び再生用磁性層の垂直磁化部１
４０は閉じて元の面内磁化に戻る。再生光が連続光であ
る場合では再生信号は信号強度の連続波形が得られる。
微小記録磁区は信号強度ピークについてクロック信号に
対応する位置を検出して読み取ることができる。

【００１９】本発明の第４は、例えば図９及び図１１に
示すように、少なくとも光磁気記録層１０と第１補助磁
性層２５と再生用磁性層２４とからなり、光磁気記録媒
体のクロック信号に同期する再生光パルスを用い、開口
数ＮＡの対物レンズから照射する再生光スポット径で読
み取る幅のトラッキング用トラックが形成される光磁気
記録媒体において、光磁気記録層１０に記録する微小記
録磁区一個分相当が転写、拡大される再生用磁性層２４
の垂直磁化部１４０と直近で最短距離の転写、拡大され
た再生用磁性層２４の垂直磁化部の位置１３９とが重な
らない大きさの間隔によって微小記録磁区を光磁気記録
層１０に記録する光磁気記録媒体に特徴がある。

【００２０】本発明の第５は、例えば図９に示すよう
に、少なくとも光磁気記録層１０と第１補助磁性層２５
と再生用磁性層２４とからなる光磁気記録媒体におい
て、前記光磁気記録媒体に記録される微小な記録磁区の
大きさと記録間隔は、照射される再生用レーザビームス
ポットから発生する温度範囲の内、前記第１補助磁性層
の臨界温度Ｔcr1以上の範囲に相当するスペース径以下
に収まる微小な記録磁区であって、微小な記録磁区の磁
区と磁区の間の最小間隔が前記再生用レーザビームスポ
ットの前記温度Ｔcr1以上の範囲に相当するスペース径
以下に収まる範囲であるように光磁気記録層１０に記録
し、該光磁気記録層１０の微小記録磁区を前記再生用レ
ーザビームスポットによって臨界温度がＴcr2の再生用
磁性層２４上に転写、拡大して再生する光磁気記録媒体
に特徴がある。

【００２１】本発明の第６は、例えば図１０及び図１２
に示すように、少なくとも光磁気記録層と補助磁性層と
からなる光磁気記録媒体において、光磁気記録媒体のク
ロック信号に同期する再生光を用い、光磁気記録媒体に
おける再生光照射スポット内の温度が前記補助磁性層の
臨界温度Ｔcr1以上の範囲に相当する寸法Ｌt内の幅のト
ラッキング用トラック及びＬt内の直径の微小記録磁区
とが形成される光磁気記録媒体に特徴がある。

【００２２】本発明の第７は、例えば図１０及び図１２
に示すように、少なくとも光磁気記録層１０と第１補助
磁性層２５と再生用磁性層２４とからなる光磁気記録媒
体において、光磁気記録層１０の微小記録磁区と記録ト
ラッキング用トラックとをいっそう小さくして、光磁気
記録媒体の情報記録密度を高めるために、光磁気記録媒
体のクロック信号に同期する再生光を用い、光磁気記録
媒体における再生光照射スポット内の温度が前記第１補
助磁性層２５の臨界温度Ｔcr1以上の範囲に相当する寸
法Ｌt内の幅のトラッキング用トラック、Ｌt内の直径の
微小記録磁区とが形成され、寸法Ｌtが最小値（微小記
録磁区の直径）から最大値（微小記録磁区の直径＋微小
記録磁区間の間隔×２）の範囲で用いられ、再生光照射
スポット内の温度が前記再生用磁性層２４の臨界温度Ｔ
cr2以上の範囲で光磁気記録層１０の微小記録磁区の転
写磁区が再生光スポットによって読み取り可能な大きさ
λ／ＮＡ以上に拡大して再生される光磁気記録媒体に特
徴がある。但し、ＮＡは光ヘッド対物レンズの開口数で
あり、λは再生光の波長である。

【００２３】さらに、本発明の第８は、例えば図９、及
び図１０に示すように、再生用磁性層２４に微小記録磁
区一個分が転写、拡大された垂直磁化部１４０がトラッ
キング用トラックの両サイドの案内溝に交差しないよう
にするため、及び隣接トラッキング用トラックへはみ出
すことのないようにするために、少なくとも案内溝を持
たない再生用磁性層２４を用いる光磁気記録媒体である
ことに特徴がある。再生用磁性層２４の微小記録磁区一
個分が転写、拡大された垂直磁化部１４０が案内溝に交
差したり、案内溝をまたがったりすることによって発生
するトラッキングエラー、記録情報の再生エラー、或い
は再生信号のＳ／Ｎ比低下等を防止することができる。

【００２４】さらに、本発明の第９は、少なくとも光磁
気記録層１０と第１補助磁性層２５と再生用磁性層２４
とからなり、該光磁気記録層１０に光ヘッドの対物レン
ズ３０１から垂直に投入される再生光の分解能ｄ＝λ／
ＮＡ以下の大きさの微小記録磁区１２０が記録される光
磁気記録媒体において、記録再生用ヘッドがトラッキン
グするための案内溝を、光磁気記録媒体の外表面に形成
して用いることに特徴がある。即ち、光磁気記録媒体の
少なくとも再生用磁性層には一様に平らな膜面を形成
し、記録再生用ヘッドのトラッキングトラックフオマッ
トを光磁気記録媒体の透明基板および／または保護膜の
大気側外表面に形成して用いる光磁気記録媒体に特徴が
ある。少なくとも再生用磁性層２４の記録磁区が転写、
拡大された垂直磁化部１４０の記録磁区と案内溝とが直
接交わることを回避することによってトラッキングエラ
ー、記録情報の再生エラー、或いは再生信号のＳ／Ｎ比
低下等を防止することができる。

【００２５】さらに、本発明の第１０は、少なくとも光
磁気記録層１０と第１補助磁性層２５と再生用磁性層２
４とからなり、該光磁気記録層１０に光ヘッドの対物レ
ンズ３０１から垂直に投入される再生光の分解能ｄ＝λ
／ＮＡ以下の大きさの微小記録磁区１２０が記録される
光磁気記録媒体において、前記再生用磁性層２４及び前
記第１補助磁性層２５から選択される少なくとも再生用
磁性層２４の少なくとも片面に熱伝導性の高い材料から
なる薄膜を接触形成する光磁気記録媒体であることに特
徴がある。

【００２６】さらに、本発明の第１１は、少なくとも光
磁気記録層１０と第１補助磁性層２５と再生用磁性層２
４とからなり、該光磁気記録層１０に光ヘッドの対物レ
ンズ３０１から垂直に投入される再生光の分解能ｄ＝λ
／ＮＡ以下の大きさの微小記録磁区１２０が記録される
光磁気記録媒体において、再生用磁性層２４の少なくと
も片面に熱伝導性の高い薄膜を接触形成し、前記第１補
助磁性層２５の少なくとも片面に断熱性の材料からなる
薄膜を接触形成する膜構成の光磁気記録媒体であること
に特徴がある。

【００２７】さらに、本発明の第１２は、少なくとも光
磁気記録層１０と第１補助磁性層２５と再生用磁性層２
４とからなり、該光磁気記録層１０に光ヘッドの対物レ
ンズ３０１から垂直に投入される再生光の分解能ｄ＝λ
／ＮＡ以下の大きさの微小記録磁区１２０が記録される
光磁気記録媒体において、前記再生用磁性層２４及び前
記第１補助磁性層２５から選択される少なくとも再生用
磁性層２４の少なくとも片面に、膜面に平行な方向の熱
伝導性が大きく膜面に垂直な方向の熱伝導性が小さい材
料からなる薄膜を接触形成する光磁気記録媒体であるこ
とに特徴がある。

【００２８】さらに、本発明の第１３は、少なくとも光
磁気記録層１０と第１補助磁性層２５と再生用磁性層２
４とからなり、該光磁気記録層１０に光ヘッドの対物レ
ンズ３０１から垂直に投入される再生光の分解能ｄ＝λ
／ＮＡ以下の大きさの微小記録磁区１２０が記録される
光磁気記録媒体において、前記再生用磁性層２４及び前
記第１補助磁性層２５から選択される少なくとも再生用
磁性層２４の少なくとも片面に、断熱性の材料からなる
薄膜を接触形成する光磁気記録媒体であることに特徴が
ある。

【００２９】本発明の第１４は、少なくとも光磁気記録
層１０と第１補助磁性層２５と再生用磁性層２４とから
なり、該光磁気記録層１０に光ヘッドの対物レンズ３０
１から垂直に投入される再生光の分解能ｄ＝λ／ＮＡ以
下の大きさの微小記録磁区１２０が記録される光磁気記
録媒体において、光磁気記録層１０の微小記録磁区間の
間隔を少なくとも再生用磁性層２４上に転写、拡大させ
る再生光スポットによって読み取り可能な大きさ（λ／
ＮＡ−Ｄ）以上（λ／ＮＡ）以下の範囲に設定して微小
記録磁区を光磁気記録層１０のトラッキング用トラック
に記録すると共に、前記再生用磁性層２４及び前記第１
補助磁性層２５から選択される少なくとも再生用磁性層
２４の少なくとも片面に、熱伝導性の高い材料からなる
薄膜を接触形成する光磁気記録媒体であることに特徴が
ある。但し、Ｄは光磁気記録層１０の微小記録磁区の長
径である。

【００３０】本発明の第１５は、少なくとも光磁気記録
層１０と第１補助磁性層２５と再生用磁性層２４とから
なり、該光磁気記録層１０に光ヘッドの対物レンズ３０
１から垂直に投入される再生光の分解能ｄ＝λ／ＮＡ以
下の大きさの微小記録磁区１２０が記録される光磁気記
録媒体において、光磁気記録層１０の微小記録磁区間の
間隔を少なくとも再生用磁性層２４上の転写、拡大磁区
が再生光スポットによって読み取り可能な大きさ（λ／
ＮＡ−Ｄ）以上に設定して微小記録磁区を光磁気記録層
１０のトラッキング用トラックに記録すると共に、前記
再生用磁性層２４及び前記第１補助磁性層２５から選択
される少なくとも再生用磁性層２４の少なくとも片面
に、断熱性の材料からなる薄膜を接触形成する光磁気記
録媒体であることに特徴がある。但し、Ｄは光磁気記録
層１０の微小記録磁区の長径である。

【００３１】本発明の第１６は、図１３から図２０に示
すように、少なくとも光磁気記録層１０と第１補助磁性
層２５と再生用磁性層２４とからなり、該光磁気記録層
１０に光ヘッドの対物レンズ３０１から垂直に投入され
る再生光の分解能ｄ＝λ／ＮＡ以下の大きさの微小記録
磁区１２０が記録される光磁気記録媒体において、ラン
ド部とグルーブ部が形成される熱伝導性の大きい材料か
らなる薄膜について前記ランド部及び前記グルーブ部の
間に熱伝導を著しく妨げる境界領域部３１をトラッキン
グ用トラックの長さ方向に平行に形成すると共に、前記
薄膜を前記第１補助磁性層２５及び再生用磁性層２４の
中から選択される少なくとも再生用磁性層２４の少なく
とも片面に接触形成する光磁気記録媒体であることに特
徴がある。本発明の原理は、第１補助磁性層２５及び再
生用磁性層２４に再生光スポットの加熱温度を加えるこ
とによって、光磁気記録膜の微小記録磁区を再生用磁性
層２４のランド部或いはグルーブ部からなるトラッキン
グ用トラックへ転写拡大して再生する際に、ランド部或
いはグルーブ部領域内における転写拡大速度を高め、転
写拡大磁区が隣接する隣のトラッキング用トラックへは
み出すこと、或いは隣のトラッキング用トラックへまた
がって拡大することを防止するために温度拡散区域を制
御する。再生光スポットはトラッキング用トラック幅以
内の磁区を読み取るようにスポットの大きさ及びスポッ
ト位置が制御されており、再生光スポットの走査トラッ
キングを正常に動作させ、クロストークを防止すること
ができる。

【００３２】本発明の第１７は、図２１から図２６に示
すように、少なくとも光磁気記録層１０と第１補助磁性
層２５と再生用磁性層２４とからなり、該光磁気記録層
１０に光ヘッドの対物レンズ３０１から垂直に投入され
る再生光の分解能ｄ＝λ／ＮＡ以下の大きさの微小記録
磁区１２０が記録される光磁気記録媒体において、前記
光磁気記録層１０及び第１補助磁性層２５から選択され
る少なくとも光磁気記録層にランド部とグルーブ部から
なるトラッキング構造を形成し、少なくとも前記再生用
磁性層２４は一様な平面に形性する膜層によって構成さ
れる光磁気記録媒体であることに特徴がある。

【００３３】本発明の第１８は、図２１から図２６に示
すように、少なくとも、片面に光ヘッドのトラッキング
を可能にするプリフオマッテイングを形成した基板と光
磁気記録層１０と第１補助磁性層２５と再生用磁性層２
４とからなり、該光磁気記録層１０に光ヘッドの対物レ
ンズ３０１から垂直に投入される再生光の分解能ｄ＝λ
／ＮＡ以下の大きさの微小記録磁区１２０が記録される
光磁気記録媒体において、前記基板のプリフオマッテイ
ング形成面側に、光磁気記録層１０及び第１補助磁性層
２５から選択される少なくとも光磁気記録層を積層形成
し、前記基板のプリフオマッテイング形成面側とは反対
の面側に少なくとも前記再生用磁性層２４の一様な平面
の膜層を形成する膜構成の光磁気記録媒体であることに
特徴がある。

【００３４】本発明の第１９は、図２１から図２６に示
すように、少なくとも光磁気記録層１０と第１補助磁性
層２５と再生用磁性層２４とからなり、該光磁気記録層
１０に光ヘッドの対物レンズ３０１から垂直に投入され
る再生光の分解能ｄ＝λ／ＮＡ以下の大きさの微小記録
磁区１２０が記録される光磁気記録媒体において、前記
光磁気記録媒体における再生光照射スポット内の温度が
前記第１補助磁性層２５の臨界温度Ｔcr1以上の範囲に
相当する寸法Ｌt内の幅のトラッキング用トラック及び
Ｌt内の直径の微小記録磁区とが形成される光磁気記録
層１０と、前記第１補助磁性層２５及び前記再生用磁性
層２４から選択される少なくとも前記再生用磁性層２４
は一様に平らな面の膜層とによって構成される光磁気記
録媒体であることに特徴がある。

【００３５】本発明の第２０は、図２７から図３５に示
すように、少なくとも光磁気記録層１０と第１補助磁性
層２５と再生用磁性層２４とからなり、該光磁気記録層
１０に光ヘッドの対物レンズ３０１から垂直に投入され
る再生光の分解能ｄ＝λ／ＮＡ以下の大きさの微小記録
磁区１２０が記録される光磁気記録媒体において、前記
光磁気記録媒体の透明基板の一様に平滑な面上に前記少
なくとも光磁気記録層１０と第１補助磁性層２５と再生
用磁性層２４とから構成される一様に平らな面からなる
膜の積層体を形成し、前記透明基板の一様に平滑な面側
とは反対側に少なくともトラッキング用トラックを含む
プリフオマットパターンを形成する光磁気記録媒体であ
ることに特徴がある。

【００３６】本発明の第２１は、図２７から図３５に示
すように、少なくとも光磁気記録層１０と第１補助磁性
層２５と再生用磁性層２４とからなり、該光磁気記録層
１０に光ヘッドの対物レンズ３０１から垂直に投入され
る再生光の分解能ｄ＝λ／ＮＡ以下の大きさの微小記録
磁区１２０が記録される光磁気記録媒体において、前記
光磁気記録媒体の透明基板の一様に平滑な面上に前記少
なくとも光磁気記録層１０と第１補助磁性層２５と再生
用磁性層２４とから構成される一様に平らな面からなる
膜の積層体を形成し、前記透明基板の一様に平滑な面側
とは反対側に、少なくとも前記光磁気記録媒体における
再生光照射スポット内の温度が前記第１補助磁性層２５
の臨界温度Ｔcr1以上の範囲に相当する寸法Ｌt内の幅の
トラッキング用トラックを含む、プリフオマットパター
ンを形成すると共に、前記光磁気記録層１０に記録され
る微小記録磁区１２０は前記光磁気記録媒体における再
生光照射スポット内の温度が前記第１補助磁性層２５の
臨界温度Ｔcr1以上の範囲に相当する寸法Ｌt内の直径の
微小記録磁区を形成する光磁気記録媒体であることに特
徴がある。

【００３７】本発明で用いる光磁気記録媒体はさらに下
記タイプに分類することができる。第１のタイプの光磁
気記録媒体は磁性層は光磁気記録膜上に第１補助磁性膜
及び再生用磁性膜２４が順次積層された構造を有し、光
磁気記録膜、第１補助磁性膜及び再生用磁性膜２４が、
光磁気記録膜、第１補助磁性膜及び再生用磁性膜２４の
キュリー温度をそれぞれＴCO、ＴC1及びＴC2とし、第１
補助磁性膜及び再生用磁性膜２４の上記臨界温度をそれ
ぞれＴCR1 及びＴCR2 としたときに、室温＜ＴCR2 ＜Ｔ
CR1 ＜ＴCO，ＴC1，ＴC2となる関係を満たす磁気特性を
有する。第１補助磁性膜及び再生用磁性膜２４は、室温
から室温以上のある臨界温度（ＴCR）までは面内磁化膜
であり、ＴCR以上では垂直磁化膜になるという磁気特性
を有している。光磁気記録膜は室温以上で垂直磁化膜で
ある。

【００３８】第１のタイプの光磁気記録媒体の動作（再
生）原理を以下に説明する。媒体に、磁性膜の最高到達
温度が、所望の温度になるような適当なパワーの再生光
を照射すると、まず、第１補助磁性膜中の温度がＴCR1
以上となった領域に、光磁気記録膜１０中の垂直磁化の
磁区２２が転写される。その際に、再生光が照射された
場合の媒体内の温度プロファイルを考慮して、光磁気記
録膜１０中の磁区と同じ大きさかまたはそれより小さい
磁区が第１補助磁性膜２５に転写されるように再生パワ
ー及びＴCR1 を設定する。次いで第１補助磁性膜２５に
転写された磁区１３０は再生用磁性膜２４に転写され
る。本発明では、第１補助磁性膜２５及び再生用磁性膜
２４はそれらの臨界温度がＴCR2 ＜ＴCR1 となるように
設定されているため、図６の媒体内の温度プロファイル
に示すように、再生用磁性膜２４中の垂直磁化状態とな
りうる領域は、第１補助磁性膜中のそれよりも径が大き
くなる。このため、再生用磁性膜２４中の転写磁区１４
０は再生用磁性膜２４中の垂直磁化状態となりうる領域
内の垂直磁気異方性と第１補助磁性膜２５中の垂直磁化
からの交換結合力とにより拡大される。この磁区拡大
は、第１補助磁性膜２５中の面内磁化が光磁気記録膜１
０の磁区Ｓから再生用磁性膜２４への交換結合力を弱め
ていることからも促進されているといえる。上記磁区拡
大により、面内磁化の磁気的マスクによる再生出力に寄
与する光量の低下を低減し、高Ｃ／Ｎ比の再生が可能と
なる。

【００３９】再生用磁性膜２４の磁区１４０の拡大の効
果は、再生用磁性膜２４中の転写磁区が再生光スポット
径以上に拡大されたときに最大になる。この状態では、
光磁気記録膜１０中に記録された磁区の大きさや形状に
関係しない、再生用磁性膜２４の性能指数と再生ビーム
光のみによって決まる極めて大きい再生出力が得られ
る。再生後、即ち再生レーザー光の照射部が移動した後
は、読み出し部はＴCR2以下に冷却され、第１補助磁性
膜２５と再生用磁性膜２４は面内磁化状態に戻る。以上
のような再生動作時の温度においても、光磁気記録膜１
０の保磁力は充分大きいために、磁化として記録された
情報は完全に保持されている。

【００４０】本発明の第２のタイプの光磁気記録媒体
は、補助磁性膜と光磁気記録膜１０との間に非磁性膜２
６を備え、光磁気記録膜１０及び補助磁性膜が、光磁気
記録膜及び補助磁性膜のキュリー温度をそれぞれＴCO、
ＴC とし、補助磁性膜の上記臨界温度をそれぞれＴCRと
したときに、室温＜ＴCR＜ＴCO，ＴC となる関係を満た
す磁気特性を有することを特徴とする。

【００４１】第２のタイプの光磁気記録媒体の再生原理
を説明する。光変調記録方式等により媒体の光磁気記録
膜１０に記録磁区を書き込んだ後、再生を行う前の補助
磁性膜、非磁性膜２６及び光磁気記録膜１０の磁化状態
を概略的に示す。この光磁気記録媒体に、磁性膜の最高
到達温度が、所望の温度になるような適当なパワーの再
生光を照射すると、補助磁性膜中に、ＴCR以上となり垂
直磁化状態となりうる領域が発生する。その領域の大き
さが光磁気記録膜１０に記録されている磁区Ｍの径以
上、好ましくは再生光スポット径以上となるようにＴCR
及び再生パワーが設定されている。

【００４２】光磁気記録膜１０はＴCR以上の領域内の温
度分布に対応する磁化の分布を有し、最高到達温度とな
る領域及びその近傍でその値が充分大きくなるような磁
気特性を有している。各磁性膜の磁気特性を上記のよう
に設定したため、光磁気記録膜１０中の温度が高く且つ
磁化が充分大きい領域の磁区Ｍのみが、磁区Ｍの領域で
作用する光磁気記録膜１０と補助磁性膜間の大きな静磁
結合力により、補助磁性膜中の温度が高く且つ保磁力が
充分小さい領域に転写される。これにより、まず充分な
再生分解能が得られる。

【００４３】次いで、補助磁性膜に転写された磁区は、
ＴCR以上の領域内の垂直磁気異方性と転写された磁区か
らの交換結合力により拡大すると考えられる。この磁区
拡大により第１のタイプの光磁気記録媒体と同様に再生
信号が増大され、Ｃ／Ｎが向上する。再生後、即ち再生
レーザー光が移動した後、読み出し部はＴCR以下に冷却
され、補助磁性膜は面内磁化膜の状態に戻る。

【００４４】記録層に印された記録磁区を再生用磁性膜
２４へ転写し、そして高い再生信号を得るために、該再
生用磁性膜２４の転写信号を拡大して読みとる方法は”
磁気増幅を行う光磁気システム（ＭＡＭＭＯＳ）”と呼
ばれ、本出願人らにより外部磁界変調再生法を用いて確
認されている（特願平８−１８２９０１号）。この外部
磁界変調再生法では、再生時に、交番磁界を用いて再生
用磁性膜２４に転写した磁区の拡大及び縮小を実行して
いる。本発明では、上記磁気増幅を行う光磁気システム
について、様々な側面から実験を行い、詳細な分析と検
討を進めた結果、直流磁界を用いて、再生光パワーを２
種類以上に変調することにより転写された磁区の拡大及
び縮小を確実に実現することができる方法を開発するこ
とに成功した。

【００４５】光磁気記録媒体の垂直磁化を有する光磁気
記録膜と、臨界温度Ｔcrを超えると面内磁化膜から垂直
磁化膜に転移する補助磁性膜２４とを非磁性膜を介して
備える光磁気記録媒体の構造例として図３６に示す。基
板１１上に、誘電体膜３、補助磁性膜２４、非磁性膜２
６、光磁気記録膜１０及び保護膜７を積層して有する。
補助磁性膜２４は、臨界温度Ｔcrとそのキュリー温度Ｔ
ｃとの間に補償温度Ｔcompを持ち、この光磁気記録媒体
は、光磁気記録膜１０のキュリー温度Ｔcoと、補助磁性
膜の臨界温度Ｔcr、キュリー温度Ｔｃ及び補償温度Ｔco
mpとの間で、室温＜Ｔcr＜Ｔcomp＜Ｔco＜Ｔｃなる関係
を満たす。

【００４６】本発明の再生方法において、上記磁気特性
を有する光磁気記録媒体に外部ＤＣ磁界を印加しながら
光パワー変調された再生光を照射して再生が行われる。
ここで、光磁気記録媒体に一定のＤＣ磁界Ｈｅｘが記録
方向に印加されている状態における、光磁気ディスクの
光磁気記録膜１０と補助磁性膜２４の磁気特性を図３７
に示す。図中の磁気温度曲線Ａは、光磁気記録膜１０
（以下、単に記録層という）から補助磁性膜（以下、再
生用磁性膜２４という）に対して、記録層の磁化によっ
て生成される転写磁界（静磁界）の温度変化を示す。な
お、曲線Ａの転写磁界は、外部磁界Ｈｅｘのオフセット
分を加えた磁界の大きさを示している。従って、記録層
の磁区の向きによって転写磁界全体として、（Ｈｅｘ−
Ｈｔ）なる大きさの磁界及び（Ｈｅｘ＋Ｈｔ）なる大き
さの磁界が記録層のキュリー温度Ｔcoを境として存在
し、それらが曲線Ａを構成する。図中、下向きが記録方
向であり、Ｈｅｘも下向きに印加されている。ここで、
外部磁界Ｈｅｘは、室温における記録層の磁化から生成
される初期化方向の静磁界Ｈｔの大きさに比べて小さく
なるように調整してあるので、転写磁界全体としては、
曲線Ａで表したように記録層の記録磁区の磁化方向によ
って上向き（負）および下向き（正）が存在することに
なる。

【００４７】磁気温度曲線Ｂは、垂直磁化を有する状態
における再生用磁性膜２４の垂直方向の保磁力の温度変
化を示す。この保磁力には、純粋な垂直方向の再生用磁
性膜２４の磁区の保磁力Ｈｒに再生用磁性膜２４の磁壁
（magnetic wall ）の生成によって印加されるとみなす
仮想的磁界に相当する磁界Ｈｗ（別な言い方すると、再
生用磁性膜２４の面内方向の交換結合磁界）を含めてＨ
ｒ＋Ｈｗとして表すものとする。すなわち、Ｈｒ＋Ｈｗ
は再生用磁性膜２４膜面に垂直な方向における磁化反転
を行うに必要な磁界を示すことになる。再生用磁性膜２
４の膜面に垂直な方向への磁化は再生用磁性膜２４が垂
直磁化膜となる臨界温度Ｔcr以上で現われ、補償温度Ｔ
compでは再生用磁性膜２４の磁化がゼロになるために保
磁力が極大を示す。

【００４８】図３７の温度曲線Ａ及びＢは、同図に示す
ように三つのエリア（ａ）〜（ｃ）に分けられる。この
３つのエリア（ａ）〜（ｃ）は、本発明の再生方法にお
けるｉ）記録層から再生用磁性膜２４への磁区転写、i
i) 再生用磁性膜２４での転写磁区の拡大、iii)拡大磁
区の消滅の３つのステップにそれぞれ対応する。このた
め、図３７のエリア（ａ）〜（ｃ）における記録層及び
再生用磁性膜２４に要求される磁気特性について説明す
る。エリア（ａ）は、本発明の再生方法において記録層
から再生用磁性膜２４に磁区転写が行われる温度エリア
であり、図中、Ｔcr〜Ｔ１の温度範囲に属する。Ｔ１
は、磁気温度曲線ＡのＨｅｘ−Ｈｔ側が磁気温度曲線Ｂ
と最初に交差する温度である。この温度範囲Ｔcr〜Ｔ１
は、後述するように再生光の光パワーを比較的低パワー
に調整することにより達成できる。この温度領域で磁気
転写が行われるためには、この温度領域内で転写磁界の
大きさが再生用磁性膜２４の垂直方向の保磁力を超える
ようにしなければならない。すなわち、記録層に記録さ
れている磁化が↓向き（記録方向）である場合、Ｈｅｘ
＋Ｈｔで表される転写磁界は、Ｈｒ＋Ｈｗまたは−（Ｈ
ｒ＋Ｈｗ）よりも大きくなるようにしなければならない
（磁区転写要件）。また、記録層に記録されている磁化
が↑向き（消去方向）である場合、Ｈｅｘ−Ｈｔで表さ
れる負の転写磁界は、再生用磁性膜２４の垂直方向の保
磁力Ｈｒ＋Ｈｗまたは−（Ｈｒ＋Ｈｗ）よりも小さくな
るようにしなければならない（磁区転写要件）。

【００４９】一方、図３７のエリア（ａ）において、磁
気温度曲線Ａ及びＢを比較すると、下記式（ａ１）〜
（ａ３）の関係が成立することがわかる。

【００５０】 Ｈｒ＜Ｈｅｘ＋Ｈｔ−Ｈｗ （ａ１） −Ｈｒ＞Ｈｅｘ−Ｈｔ＋Ｈｗ （ａ２） Ｈｒ＞Ｈｅｘ−Ｈｔ−Ｈｗ （ａ３） 従って、エリア（ａ）は、上記磁区転写要件を満足し、
記録層の記録磁区の磁化方向に拘らず、それを再生用磁
性膜２４に転写することができる。

【００５１】次に、図３７のエリア（ｂ）では、再生層
に転写された磁区の磁区拡大が行われる。この温度領域
は、図中、Ｔ１〜Ｔ２で示した範囲である。温度Ｔ２
は、磁気温度曲線ＡのＨｅｘ−Ｈｔ側が磁気温度曲線Ｂ
と高温側で交差する温度である。なお、図３７に示した
磁気特性を有する光磁気ディスクは外部磁界Ｈｅｘとの
関係において、Ｔ２が再生用磁性膜２４の補償温度Ｔco
mpにほぼ一致する（補償温度Ｔcompと記録層のキュリー
温度Ｔcoの間にあり、極めて補償温度Ｔcompに近い温度
になる）ように調整してある。この温度領域では、再生
用磁性膜２４に転写された磁区の両側には、再生光スポ
ット内でＴcr〜Ｔ１に加熱された結果、記録層の上向き
の磁区から磁気転写を受けた磁区が存在する。再生用磁
性膜２４に転写された磁区が面内方向に拡大を始めるた
めには、その両側の磁区の向きを記録方向（↓向き）に
向かせる必要がある。ここで、磁区は外部磁界Ｈｅｘに
直上の記録層の磁区からの上向きの静磁界Ｈｔを加えた
転写磁界（Ｈｅｘ−Ｈｔ）（トータルで↑向き）を受け
ており、一方、磁区からの交換結合磁界Ｈｗ（下向き）
と磁区自体の磁化を反転させるための保磁力Ｈｒとを含
めた垂直方向保磁力を有する。それゆえ、磁区の転写磁
界（Ｈｅｘ−Ｈｔ）よりも垂直方向保磁力（Ｈｒ＋Ｈ
ｗ）を大きくすれば、磁区は反転する（磁区反転要
件）。

【００５２】エリア（ｂ）において再生用磁性膜２４の
磁区の磁区拡大が生じる。記録層に記録方向の磁区がな
い場合には、再生用磁性膜２４に下向きの磁区は現われ
ない。

【００５３】次に、エリア（ｃ）では、転写及び拡大さ
れた磁区が反転（消滅）し、消去方向の磁区２０１ｃが
形成される。この温度領域は、再生用磁性膜２４の補償
温度を僅かに超えるＴ２から、記録層のキュリー温度Ｔ
coの範囲である。拡大再生された磁区は、消去方向に再
生用磁界を印加することによって、すなわち、再生用磁
界として交番磁界を用いることによって消滅または縮小
させることができるが、本発明の再生方法ではＤＣ磁界
を用い、磁気転写及び拡大のために用いた再生光パワー
よりも高いパワーに再生光をパワー変調することによっ
て拡大磁区を消滅させる。なお、拡大磁区消滅のために
再生光パワーを一層小さく変調してもよい。

【００５４】エリア（ｃ）にて、拡大磁区が反転（消
滅）する原理を説明する。再生用磁性膜２４の温度がそ
の補償温度Ｔcomp未満の場合には、再生用磁性膜２４の
希土類金属の磁化が優勢であり、転写元の記録層（遷移
金属の磁化が優勢）の磁化方向と平行である。次いで、
本発明の再生方法に従い高パワーレーザの照射により再
生用磁性膜２４が補償温度Ｔcompを超えると、再生用磁
性膜２４の遷移金属の磁気モーメントが優勢となる。磁
区の保磁力Ｈｒは、磁区に作用する記録方向の全磁界
（Ｈｅｘ＋Ｈｔ−ＨｗまたはＨｅｘ−Ｈｔ−Ｈｗ）より
小さい。その結果、再生用磁性膜２４の温度がその補償
温度Ｔcomp以上（厳密にはＴ２以上）では、優勢となっ
た遷移金属の磁気モーメントはかかる記録方向に向くよ
うに反転する。それゆえ、拡大磁区２０１ｂの下向きの
希土類金属の磁気モーメントは、エリア（ｃ）の温度、
すなわち、補償温度Ｔcomp以上に加熱された領域で反転
して、反転磁区が生じる。なお、反転磁区の両側の磁区
は、その温度はＴ1〜Ｔ２の間にあるため、拡大磁区と
同じ磁化方向を有する。

【００５５】本発明に従う再生方法では、上記３つの温
度エリア（ａ）〜（ｃ）は再生光パワーを少なくとも２
段階のパワーＰｒ1 及びＰｒ2 に変調することによって
達成することができる。すなわち、再生光の光パワーＰ
ｒ1 を、上記再生用磁性膜２４をＴcr〜Ｔcompの温度に
加熱して光磁気記録膜の記録磁区を再生用磁性膜２４に
転写及び磁区拡大することができるようなパワーとし、
再生光の光パワーＰｒ2 を、上記再生用磁性膜２４をＴ
comp〜Ｔcoの温度に加熱してかかる拡大された磁区を縮
小または消滅させるパワーとすればよい。そして、Ｐｒ
1 ／Ｐｒ2 再生光パワー変調を再生クロックと同期させ
て再生光として使用することにより、記録層の記録磁区
を、ｉ）再生用磁性膜２４への転写、ii) 転写磁区の拡
大、及び拡大磁区の消滅のステップを経て再生すること
ができる。

【００５６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の光磁気記録媒体、
その再生方法及び再生装置の具体例を添付の図面を用い
て詳細に説明する。

【００５７】

【実施例１】本実施例の第１種の光磁気記録媒体は片面
に所望のプリフォーマットパターン２が形成された透明
基板１１１とプリフォーマットパターン２上に誘電体膜
３と、再生用磁性層２４と、非磁性層（断熱層）２６
と、反射層８と、第１補助磁性膜２５と、光磁気記録膜
１０と、保護膜７とをこの順に積層形成したもので、図
８（ａ），（ｂ），（ｃ）に示したものである。

【００５８】本実施例の第２種の光磁気記録媒体は第１
種の光磁気記録媒体の再生用磁性層２４と第１補助磁性
膜２５と光磁気記録膜１０とを直接接触させて積層した
もので、その他は第１種の光磁気記録媒体と同じであ
る。

【００５９】透明基板１１としては、例えばポリカーボ
ネートやアモルファスポリオレフィンなどの透明樹脂材
料を所望の形状に成形したものや、所望の形状に形成さ
れたガラス板の片面に所望のプリフォーマットパターン
２が転写された透明樹脂膜を密着したものなど光透過性
のある任意の基板を用いることができる。誘電体膜３
は、膜内で再生用光ビームを多重干渉させ、見かけ上の
カー回転角を増加するために設けられるものであって、
透明基板１１よりも屈折率が大きい、例えばＳｉＮから
なる無機誘電体で形成することができる。保護膜７は、
基板１と保護膜７との間に積層される膜体３〜６を腐食
等の化学的な悪影響から保護するためのものであって、
例えば、ＳｉＮ膜よりなる。光磁気記録膜１０は、室温
を含む広い温度範囲で垂直磁気異方性を示す垂直磁化膜
であり、例えば、ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤ
ｙＦｅＣｏなどの希土類と遷移金属の非晶質合金が好ま
しいが、Ｐｔ膜とＣｏ膜の交互積層体やガーネット系酸
化物磁性体などの他の知られた光磁気記録材料を用いる
こともできる。

【００６０】第１補助磁性膜２５及び再生用磁性膜２４
は、図３７に示すように、室温（Ｒ．Ｔ）から室温以上
のある臨界温度（ＴＣＲ）までは面内磁化膜であり、Ｔ
ＣＲ以上では垂直磁化膜に転移する磁気特性を有する。
図３７には、磁化方向を表すために、補助磁性膜の膜面
に垂直な方向に外部磁界を印加した場合のカー回転角の
ヒステリシスループから求めたθＫＲ／θＫＳ（θＫ
Ｒ：残留カー回転角、θＫＳ：飽和カー回転角）を、温
度に対して表してある。なお、本明細書において、「室
温」とは光磁気記録媒体が使用される雰囲気温度を示
し、使用場所に応じて多少異なるが、一般には１５℃〜
２５℃である。第１補助磁性膜２５及び再生用磁性膜２
４材料としては、例えば、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＦｅ、Ｇ
ｄＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏなどの希土類と遷移
金属の非晶質合金が好ましく、第１補助磁性膜２５及び
再生用磁性膜２４の臨界温度Ｔｃｒ１、Ｔｃｒ２を超え
る温度領域と光磁気記録層の磁区の大きさとの関係を考
慮して決定される。

【００６１】図８の（ａ），（ｂ），（ｃ）で示すよう
に、本実施例は少なくとも光磁気記録層１０と第１補助
磁性層２５と再生用磁性層２４とを用いており、光ヘッ
ドの開口数がＮＡの対物レンズ３０１から光磁気記録媒
体へ垂直に投入される、波長λの再生光によって読み取
ることができる限界以下、即ち前記光ヘッドの分解能で
ある、ｄ＝λ／ＮＡより小さい大きさの微小記録磁区１
２０を、光磁気記録層１０に記録して用いる光磁気記録
媒体である。この光磁気記録媒体の光磁気記録層１０か
ら記録情報を再生する再生方式では、第１補助磁性層２
５に及ぶ再生光スポット範囲内の、第１補助磁性層２５
の臨界温度Ｔcr1以上に達している温度領域５の幅Ｌtに
対して、光磁気記録層１０に記録されている直列に並ぶ
複数の微小記録磁区の無作為に選択する一つの微小記録
磁区１２０とその微小記録磁区の両側に隣接する磁区間
の間隔の最小値１３０との合計値であるＬ値が Ｌt≦
Ｌ であるように微小記録磁区１２０を記録することが
できる。さらに光磁気記録層１０に記録される微小記録
磁区１２０の大きさは、再生用磁性層２４に及ぶ再生光
スポット範囲内の、再生用磁性層２４の臨界温度Ｔcr2
以上に達している温度領域６の幅Ｌ2tに対して Ｌ2t≧
λ／ＮＡ の範囲に再生用磁性層２４に転写拡大されて
読みとれる大きさでなければならない。

【００６２】即ち、再生用磁性層２４においては臨界温
度Ｔcr2以上で再生光スポットいっぱいまの大きさにま
で転写磁区の拡大が得られる必要があり、臨界温度Ｔcr
1以上の温度になるスペースの直径Ｌt相当以下、Ｌt／
３程度以上大きさの微小記録磁区まで記録に用いること
が可能である。従って、記録再生装置から照射される記
録媒体に垂直に投入される再生用レーザビームスポット
の温度プロフアイルが、ビームスポット内の臨界温度Ｔ
cr2以上に達する温度領域の直径がλ／ＮＡ以上、スポ
ット外径ほぼいっぱいまで達する程、そして、再生用レ
ーザビームスポット内の第１補助磁性層２５の臨界温度
Ｔcr1相当以上の温度になるスペースの直径Ｌtが小さく
なるほど、光磁気記録層１０に記録する微小記録磁区を
小さくすることができ、再生記録磁区をより大きく拡大
できるので、光磁気記録媒体の記録密度のレベルがいっ
そう高くなる。

【００６３】光磁気記録媒体の誘電体膜３、再生用磁性
膜２４、第１補助磁性膜２５、光磁気記録膜１０及び保
護膜７は、例えば、マグネトロンスパッタ装置による連
続スパッタリング等のドライプロセスにより形成するこ
とができる。

【００６４】以下に、図８に示した光磁気記録媒体の一
例として、光磁気ディスクのサンプルの作製例を示す。
光磁気ディスクのサンプルは、プリフォーマットパター
ンを有するガラス基板上に、ＳｉＮ膜よりなる誘電体膜
と、Ｇｄ２５Ｆｅ５６Ｃｏ１９膜(II)よりなる再生用磁
性膜２４と、Ｇｄ２８Ｆｅ５３Ｃｏ１９膜(I) よりなる
第１補助磁性膜と、Ｔｂ２１Ｆｅ６６Ｃｏ１３膜よりな
る光磁気記録膜と、ＡｌＴｉ合金からなる反射膜と、Ｓ
ｉＮ膜よりなる非磁性膜と保護膜とを順次スパッタリン
グ法により積層して作製した。この場合の各補助磁性膜
及び光磁気記録膜の厚さ並びに磁気特性を表１に示す。
表中のＴcはキュリー温度を表し、Ｔcrは補助磁性膜の
面内磁化膜が垂直磁化膜に変化する臨界温度を表す。

【００６５】 表１ 材料 膜厚 ＴＣ ＴＣＲ （ｎｍ） （℃） （℃） 光磁気記録膜 ＴｂＦｅＣｏ ５０ ２７０ − 第１補助磁性膜 ＧｄＦｅＣｏ(I) ６０ ＞３００ ２００ 再生用磁性膜 ＧｄＦｅＣｏ(II) ５０ ＞３００ ９０ 上記のように作製したサンプルディスクのデータ記録領
域に、レーザービームを一定周期のパルス状に照射しな
がら外部磁界を記録信号に応じて変調させて、すなわ
ち、光磁界変調方式を用いてテスト信号を記録した。記
録光パルスのデューティー比は５０％であった。種々の
記録マーク長の記録マークが形成されるようなテスト信
号を用いた。その領域の大きさが光磁気記録膜１０に記
録されている磁区Ｍの径以上、好ましくは再生光スポッ
ト径以上となるようにＴCR及び再生パワーが設定されて
いる。

【００６６】次いで、対物レンズの開口数ＮＡ＝０．５
５、レーザー波長７８０ｎｍの光ピックアップを用い、
線速度７．５ｍ／ｓｅｃ、再生パワー２．５ｍＷ、再生
時の外部印加磁界をゼロとして、種々の長さの記録マー
クを再生した。サンプルディスクの光磁気記録膜、第１
補助磁性膜及び再生用磁性膜２４の組成及び再生パワー
を上記のように調整したことによって、前述の検証方法
により、光磁気記録膜の微小記録磁区１２０の大きさ
（径）よりも第１補助磁性膜に転写された垂直磁化の磁
区１３０の大きさ（径）が小さいことがわかった。

【００６７】本実施例に係るサンプルディスクでは、記
録マーク長０．２μｍにおいても、従来ディスクに比べ
著しく高い再生Ｃ／Ｎが得られることがわかる。従っ
て、本発明を用いれば、従来の再生限界を超えた極めて
微小な記録マークの再生が可能となり、記録密度を向上
させることができる。

【００６８】この実施例で用いた再生用磁性膜２４であ
るＧｄ２８Ｆｅ５３Ｃｏ１９膜の磁壁の厚みは、前記計
算方法を用いて算出すると、ほぼ５０ｎｍであり、第１
補助磁性層の膜厚が６０ｎｍであることからすれば、本
発明の第１補助磁性層の膜厚の条件を満足している。ま
た、ホール効果を用いて測定した場合の磁壁の厚さは６
０ｎｍより小さいことがわかっている。

【００６９】本実施例の第２種の光磁気記録媒体は光磁
気記録膜１０、第１補助磁性膜２５及び再生用磁性膜２
４の３つの磁性膜の膜間を接触させて積層し各膜間を交
換結合させたが、光磁気記録膜１０と第１補助磁性膜２
５との間に、または、第１補助磁性膜２５と再生用磁性
膜２４との間に、若しくはその両方に非磁性膜を挿入
し、磁性膜間を静磁結合させた場合とほぼ同じ結果が得
られた。本実施例に用いた第１補助磁性膜２５及び再生
用磁性膜２４の臨界温度Ｔcr1、Ｔcr2ではＴcr1＞Ｔcr2
の条件にあるが、一般に第１補助磁性膜、第２補助磁性
膜、…………、再生用磁性膜の臨界温度Ｔcr1、Ｔcr2、
…………、Ｔcrnの間では、ＴＣＲ２＞．．．． ＞Ｔ
ＣＲｎ ＞室温（但し、ＴＣＲｉ は第ｉ補助磁性膜の
Ｔｃｒ）と設定したｎ（ｎ≧３）層の補助磁性膜を順次
積層して用いてもよい。但し、この場合、第１補助磁性
膜が光磁気記録膜１０側に設けられ、第ｎ補助磁性膜が
誘電体膜３側に設けられる再生用磁性膜である。

【００７０】また、再生用光ビームが照射された時の媒
体の温度プロファイルを所望の形状にするために、ある
いは、温度プロファイルの線速度依存性を小さくするた
め、適当な熱伝導率の熱制御膜を光磁気記録媒体の保護
膜７上、若しくは保護膜７と光磁気記録媒体１０との間
に設けてもよい。また、本実施例では、通常のＤＣレー
ザー光で再生を行ったが、最短マーク長に対応する周波
数のパルスレーザー光で再生を行い、さらに良好な再生
Ｃ／Ｎを得ることも可能である。

【００７１】また、更に良好な再生ＣＮ比を得るため
に、再生光を照射したときの媒体の最高到達温度でカー
回転角θk が再生用磁性膜２４のθk 以上であり且つ室
温以上で垂直磁化膜である他種磁性材料からなる再生用
磁性膜を本実施例の誘電体膜３と再生用磁性膜２４との
間に付加してもよい。かかる再生用磁性膜の材料とし
て、例えば、ＧｄＦｅＣｏを用いることができる。

【００７２】

【実施例２】本実施例に用いる光磁気記録媒体は少なく
とも光磁気記録層１０と第１補助磁性層２５と再生用磁
性層２４とが形成されるものであり、光磁気記録層１０
及び再生用磁性層２４において案内溝によって仕切られ
るトラッキングトラック、光磁気記録層１０に記録され
る微小記録磁区、及び再生用磁性層２４に転写されて拡
大する磁区等についての各局部を図９及び図１１に示
す。本実施例の光磁気記録媒体のその他は実施例１と同
じである。記録再生装置に挿入した本実施例の光磁気記
録媒体では、開口数ＮＡの光ヘッド対物レンズ３０１か
ら記録媒体に対して垂直に投入される波長λの再生光に
よって読み取ることができる限界以下、即ち光ヘッドの
分解能ｄ＝λ／ＮＡより小さいので読み取ることのでき
ない大きさの微小記録磁区１２０が、光磁気記録層１０
に記録される。

【００７３】再生光には、光磁気記録媒体のクロック信
号に同期する再生光パルスを用い、トラッキング用トラ
ックは、再生光スポット径で読み取れる幅を用いる。光
磁気記録層１０の微小記録磁区を再生用磁性層２４に転
写記録、拡大する垂直磁化部１４０を読み取り再生する
場合に重要なことは、一つ手前の直近に再生が済んだ拡
大垂直磁化の残留磁区１３９と重なりによるクロストー
クを防止することである。

【００７４】これを防ぐ第１の方法は、再生用磁性層２
４における転写、拡大残留磁区１３９が消失する速度が
遅い場合にとられる手段であって、光磁気記録層１０の
微小記録磁区の記録配置を、再生中の再生用磁性層２４
の転写、拡大された垂直磁化部１４０の位置が、転写、
拡大残留磁区１３９に重ならない位置になるように設定
することである。即ち再生用磁性層２４の転写、拡大さ
れた垂直磁化部１４０の大きさは、再生用磁性層２４に
おける再生スポット内の臨界温度Ｔcr2以上に達してい
る温度領域６の幅Ｌ2tが少なくとも分解能λ／ＮＡより
大で且つ再生スポット径以下、即ち λ／ＮＡ≦Ｌ2t≦
（再生スポット径）でなければならない。従って光磁気
記録層１０の微小記録磁区は少なくともλ／ＮＡ以上、
再生スポット径以下の間隔に記録する必要があり、再生
用磁性層２４における再生スポット径程度ならば充分で
ある。

【００７５】第２の方法は、後の実施例に述べる、再生
用磁性層２４における転写、拡大残留磁区１３９の消失
速度を大きくする手段である。この手段によって瞬時に
消失することができる場合では、例えば図９に示すよう
に、光磁気記録層１０に記録される微小な記録磁区の大
きさと記録間隔は、投入される再生用レーザビームスポ
ットの第１補助磁性層における温度範囲の内、第１補助
磁性層臨界温度Ｔcr1以上の温度に達する範囲相当の直
径Ｌt内に収まる程度以下の大きさまでのものを記録す
ることが可能である。微小な記録磁区の磁区と磁区の間
の最小間隔は再生用レーザビームスポットの温度Ｔcr1
以上の温度範囲に相当する径以下に収まる大きさであ
り、好ましくは（再生用レーザビームスポットの温度Ｔ
cr1以上の温度範囲に相当する径）×（１／３）の大き
さ程度である。さらに好ましくは、光磁気記録層１０に
記録される微小な記録磁区の大きさが、第１補助磁性層
の再生用レーザビームスポットにおける臨界温度Ｔcr1
以上の温度に達する範囲相当の直径Ｌt内に（微小記録
磁区の直径＋微小記録磁区間の間隔×２）の範囲が収ま
る程度まで微小記録磁区を縮小させて用いることができ
る。

【００７６】再生用磁性層２４における転写、拡大残留
磁区１３９を瞬時に消失することができる場合では、例
えば図１０及び図１２に示すように、再生用磁性層２４
における転写、拡大磁区１４０はトラッキングトラック
からはみ出しても、トラッキングトラック以内に納めて
もどちらでもよい。光磁気記録媒体のクロック信号に同
期する再生光を用い、光磁気記録媒体に対して垂直に投
射する再生光スポット内の温度が補助磁性層の臨界温度
Ｔcr1以上の範囲に相当する幅Ｌt内に収まるトラッキン
グ用トラック及びＬt内に収まる直径の微小記録磁区を
用いると、いっそう高密度記録ができるので好ましい。

【００７７】光磁気記録媒体の再生時には、外部磁界及
び／または再生用レーザビームが適用される。磁区拡大
による再生に最も好適な磁界印加条件について検討した
ところ、本発明の光磁気記録媒体の再生方法において、
磁界とレーザビームの各々が”連続（ＤＣ）”または”
パルス”のいずれかを選択できるためにその組み合わせ
は次の４通りが考えられる。

【００７８】 （１） レーザビーム：連続光、磁界：連続磁界 （２） レーザビーム：連続光、磁界：パルス （３） レーザビーム：パルス、磁界：連続磁界 （４） レーザビーム：パルス、磁界：パルス 上記の４つの場合のうち、（２）〜（４）についてはパ
ルス化されたレーザ光若しくは磁界またはその両方の大
きさ及び適用するタイミングを調整する必要がある。上
記（２）の場合は、サンプリング点となる磁区拡大のプ
ロセスで印加される外部磁界Ｈｅｐと次のサンプリング
までの間のプロセスで印加される外部磁界Ｈｓｒとは異
なる大きさとして、効果的に磁化反転を生じさせること
ができる。また、隣接する磁区の再生に拡大再生の影響
が残らないようにするという理由から磁区拡大のための
時間Ｔ１（記録方向の磁界のデューティ）は次のサンプ
リングまでの時間Ｔ２より短く、０．１５≦Ｔ１／（Ｔ
１＋Ｔ２）≦０．９の範囲が好ましい。この範囲は、後
述する再生磁界の波形におけるオーバーシュートを防止
するという観点からも好ましい。さらに好ましくは、
０．１５≦Ｔ１／（Ｔ１＋Ｔ２）≦０．６である。この
時間Ｔ１は、光磁気記録媒体を構成する磁性層の磁化特
性等の種々の要因に基づいて最適値が選定される。

【００７９】上記（３）の場合は、記録層の磁区を再生
用磁性膜２４に転写し、広範な温度分布を与えて磁区拡
大の条件を整えるために時間がかかるためレーザビーム
のパルスのデューティは２０〜７０％の範囲が好まし
い。サンプリングのための磁化拡大の時間Ｔ１、次のサ
ンプリングまでの時間Ｔ２の各々において、レーザビー
ムのＯＮ／ＯＦＦが１回行われるようにレーザビーム
（レーザパワーをＰｒで表した）を照射するのが好まし
い。本発明においては、上記（１）〜（４）のいずれの
方法も用いることが可能である。しかしながら、磁区拡
大再生を最も確実に行わせるには、再生の都度、媒体の
温度を低下させ、面内磁化膜の状態に戻す必要がある。
このような要請より、パルス光照射を用いることが好ま
しく、また磁区拡大縮小を確実に行えるパルス再生磁界
が好ましい。これらのことより、条件（４）での再生が
最適である。

【００８０】

【実施例３】本実施例を図９によって記載する。再生用
磁性層２４に微小記録磁区一個分が転写、拡大された垂
直磁化部１４０がトラッキング用トラックの両サイドの
案内溝に交差しないようにするため、及び隣接トラッキ
ング用トラックへはみ出すことのないようにするため
に、少なくとも案内溝を持たない再生用磁性層２４を用
いる光磁気記録媒体について検討した。再生用磁性層２
４に案内溝を形成しない光磁気記録媒体では、微小記録
磁区が再生用磁性層２４に転写、拡大された垂直磁化部
１４０を読み取り再生する際のトラッキングエラー、ク
ロストーク、或いは再生信号のＳ／Ｎ比低下等を防止す
ることができる。

【００８１】少なくとも光磁気記録層１０と第１補助磁
性層２５と再生用磁性層２４とからなり、該光磁気記録
層１０に光ヘッドの対物レンズ３０１から垂直に投入さ
れる再生光の分解能ｄ＝λ／ＮＡ以下の大きさの微小記
録磁区１２０が記録される光磁気記録媒体について、材
料がガラスの透明基板１１のトラッキングトラックを含
むプリフオマットパターン２を形成した面に透明非磁性
層２６、第１補助磁性層２５、光磁気記録層１０、第２
透明非磁性層２６０、反射層８、及び保護層７をこの順
に積層形成する。さらに、ガラスの透明基板１１のプリ
フオマットパターン２の形成面とは反対側に、ＳｉＯ2
（酸化シリコン）の透明層２９０、再生用磁性層２４、
誘電体３、及び保護膜（ダイヤモンド状炭素）２９をこ
の順に積層形成する。上記の構成に作成した光磁気記録
媒体について図２１に示す。

【００８２】図２１の積層構成のうち第１補助磁性層２
５を透明基板１１のプリフオマットパターン２を形成し
ない面側のＳｉＯ2（酸化シリコン）の透明層２９０の
上に配置形成し、第１補助磁性層２５と再生用磁性層２
４間に透明な非磁性層２９を形成し、透明基板１１の材
料にポリカーボネイト樹脂を用いた媒体の実施例を図２
２に示す。

【００８３】さらに、ポリカーボネイト樹脂を用いた透
明基板１１の片面にランド部及びグルーブ部からなり、
トラッキングトラックを含むプリフオマットパターン２
を形成した側に反射層８、誘電体３、光磁気記録層１
０、透明非磁性層２６０、及び保護層７をこの順に積層
形成し、反対面にＳｉＯ2（酸化シリコン）の透明層２
９０、第１補助磁性層２５、透明な非磁性層２９、再生
用磁性層２４、誘電体３、及び保護膜２９をこの順に積
層形成する光磁気記録媒体の実施例を図２３に示す。

【００８４】さらに、ポリカーボネイト樹脂を用いた透
明基板１１の片面にランド部及びグルーブ部からなり、
トラッキングトラックを含むプリフオマットパターン２
を形成した側に第１補助磁性層２５を配置しその上に光
磁気記録層１０を接触積層する媒体構成の実施例を図２
４に示す。

【００８５】図２５はポリカーボネイト樹脂を用いた透
明基板１１の片面にランド部及びグルーブ部からなり、
トラッキングトラックを含むプリフオマットパターン２
を形成した側には反射層８と保護膜７なだけを形成し、
透明基板１１のプリフオマットパターン２のない面にＳ
ｉＯ2（酸化シリコン）の透明層２９０、光磁気記録層
１０、第１補助磁性層２５、透明な非磁性層２９、再生
用磁性層２４、誘電体３、及び保護膜２９等の主な膜層
の全部を配置する構成の実施例である。この光磁気記録
媒体ではヘッドのトラッキングは反射膜で行い、光磁気
記録層１０、第１補助磁性層２５、透明な非磁性層２
９、再生用磁性層２４等には一様な平面膜であり、ラン
ド部及びグルーブ部等を形成しない。

【００８６】図２６に示す光磁気記録媒体は図２３の媒
体の膜構成について熱伝導性の大きな反射膜（金（Ａ
ｕ），銀（Ａｇ），Ａｌ，ＡｌＴｉ合金等の材料を用い
る）を再生用磁性層２４に接触積層させるように変えた
ものである。

【００８７】上記各図に示した光磁気記録媒体の何れに
おいても、微小記録磁区が再生用磁性層２４に転写、拡
大された垂直磁化部１４０を読み取り再生する際のトラ
ッキングエラー、クロストーク、或いは再生信号のＳ／
Ｎ比低下等を防止する効果が得られる。

【００８８】

【実施例４】光磁気記録層１０と第１補助磁性層２５と
再生用磁性層２４とを用い、光ヘッドの対物レンズ３０
１から垂直に投入される再生光の分解能ｄ＝λ／ＮＡ以
下の大きさで光磁気記録層１０に微小記録磁区１２０を
記録する光磁気記録媒体について、再生用磁性層２４及
び第１補助磁性層２５のうち再生用磁性層２４だけの、
或いは再生用磁性層２４と第１補助磁性層２５の両方の
片面に、或いは両面に熱伝導性の高い材料からなる薄膜
を接触形成する光磁気記録媒体である。熱伝導性の高い
材料としては金（Ａｕ），銀（Ａｇ），Ａｌ，ＡｌＴｉ
合金、その他の熱伝導性の高い金属、合金等を記録再生
光が透過する薄膜で積層形成して用いる。

【００８９】図８（ｂ），（ｃ）に示す媒体はガラス材
料からなる透明基板１１のトラッキングトラックを含む
プリフオマットパターン２を形成した面に誘電体３、再
生用磁性層２４、熱伝導性の高い材料の金（Ａｕ），銀
（Ａｇ），Ａｌ，ＡｌＴｉ合金、その他の熱伝導性の高
い金属、合金等から選択して用いる、記録再生光が透過
する薄膜の反射膜８、透明な断熱性の高い非磁性層２
６、第１補助磁性層２５、光磁気記録層１０、及び保護
層７をこの順に積層形成した光磁気記録媒体である。再
生用磁性層２４にはＡｌＴｉ合金等の光反射性で且つ膜
面方向の熱拡散速度が大きく、膜の厚み方向に熱伝導性
の高い材料を接触形成する。

【００９０】光磁気記録媒体における光磁気記録層１０
の微小記録磁区を再生用磁性層２４に転写記録、拡大す
ることによって垂直磁化部１４０を読み取り再生する手
段において重要なことは、一つ手前の直近に再生の済ん
だ拡大垂直磁化の残留磁区１３９と重なりを生ずること
によって発生するクロストーク、トラッキングエラー、
或いは読み取りエラー等を防止することである。この防
止手段として再生用磁性層２４における転写、拡大残留
磁区１３９の消失速度を大きくすることである。別な言
い方をすると、再生用磁性層２４の冷却速度を大きくす
ることである。従って図８のような膜構成の記録媒体に
よって効果が得られる。

【００９１】図１３、図１４、及び図１５に示す光磁気
記録媒体の実施例は、ポリカーボネイト樹脂からなる透
明基板１１のトラッキングトラックを含むプリフオマッ
トパターン２を形成した面に誘電体３、再生用磁性層２
４、透明な断熱性の高い非磁性層２６、第１補助磁性層
２５、光磁気記録層１０、及び保護層７を積層する膜構
成の光磁気記録媒体に、熱伝導性の高い材料の金（Ａ
ｕ），銀（Ａｇ），Ａｌ，ＡｌＴｉ合金、その他の熱伝
導性の高い金属、合金等から選択して用いる、記録再生
光が透過する薄膜の反射膜８を、再生用磁性層２４に接
触形成し、透明な断熱性の高い非磁性層２６を再生用磁
性層２４と第１補助磁性層２５の間に形成したもの（図
１３）、薄膜の反射膜８を誘電体３と再生用磁性層２４
の間に形成したもの（図１４）、薄膜の反射膜８を、再
生用磁性層２４に接触形成し、透明な断熱性の高い非磁
性層２６を再生用磁性層２４と第１補助磁性層２５の間
に形成し、さらに第１補助磁性層２５と光磁気記録層１
０との間に透明な断熱性の高い非磁性層２７を形成した
もの（図１５）等である。図１３及び図１４の媒体では
再生用磁性層２４の熱を膜面に平行な方向へ素早く拡散
させて、第１補助磁性層２５との間での熱拡散を低下さ
せる機能を示す。図１５の媒体では、図１３及び図１４
の示す機能の他に、第１補助磁性層２５と光磁気記録層
１０との間での熱拡散を低下させる機能をも示す。第１
補助磁性層２５の熱拡散を防ぐことによってより微小な
記録磁区の記録を可能にする効果が得られる。

【００９２】光磁気記録層１０に光ヘッドの対物レンズ
３０１から垂直に投入される再生光の分解能ｄ＝λ／Ｎ
Ａ以下の大きさの微小記録磁区１２０が記録される光磁
気記録媒体において、高密度記録をさらに向上させる手
段として、光磁気記録層１０の微小記録磁区間の間隔を
できるだけ小さくする方法が用いられる。即ち、再生用
磁性層２４上に転写、拡大して再生光スポットによって
区間の間隔を読み取ることができる大きさとしては、
（λ／ＮＡ−Ｄ）以上（λ／ＮＡ）以下の範囲の大きさ
に設定して微小記録磁区と磁区間隔とを光磁気記録層１
０のトラッキング用トラックに記録する。この場合も少
なくとも再生用磁性層２４の少なくとも片面に、熱伝導
性の高い材料からなる薄膜を接触形成する光磁気記録媒
体を用いることが好ましい。但し、Ｄは光磁気記録層１
０の微小記録磁区の長径である。

【００９３】

【実施例５】少なくとも光磁気記録層１０と第１補助磁
性層２５と再生用磁性層２４とからなり、光磁気記録層
１０へ光ヘッドの対物レンズ３０１から垂直に投入され
る再生光の分解能ｄ＝λ／ＮＡよりも小さい微小記録磁
区１２０を記録して用いる光磁気記録媒体において、再
生用磁性層２４及び第１補助磁性層２５の両方の、或い
は少なくとも再生用磁性層２４だけの少なくとも片面
に、図３３（ｂ）に示すような、膜面に平行な方向の熱
伝導性が大きく膜面に垂直な方向の熱伝導性が小さい材
料の薄膜を接触形成して用いる。

【００９４】図３３（ａ）、図３４、及び図３５は本発
明の実施例を記載したものである。即ち、ポリカーボネ
イト樹脂からなる透明基板１１のトラッキングトラック
を含むプリフオマットパターン２を形成した面に誘電体
３、再生用磁性層２４、透明な断熱性の高い非磁性層２
６、第１補助磁性層２５、光磁気記録層１０、第２誘電
体層３０、薄膜の反射膜８、及び保護層７等の膜を積層
構成する光磁気記録媒体である。透明な断熱性の高い非
磁性膜２６は第１補助磁性層２５と光磁気記録層１０と
の間に（図３４）、或いは再生用磁性層２４と第１補助
磁性層２５との間に（図３３（ａ））に用いられる。膜
面に平行な方向の熱伝導性が大きく膜面に垂直な方向の
熱伝導性が小さい材料の薄膜８０は主として再生用磁性
層２４と第１補助磁性層２５との間に再生用磁性層２４
と接触させて用いる。薄膜８０を再生用磁性層２４の両
面に接触配置して用いてもよい。

【００９５】

【実施例６】光磁気記録層１０と第１補助磁性層２５と
再生用磁性層２４とを用い、光ヘッドの対物レンズ３０
１から垂直に投入される再生光の分解能ｄ＝λ／ＮＡ以
下の大きさで光磁気記録層１０に微小記録磁区１２０を
記録する光磁気記録媒体について、再生用磁性層２４及
び第１補助磁性層２５のうち第１補助磁性層２５だけ
の、或いは再生用磁性層２４と第１補助磁性層２５の両
方の片面に、或いは両面に熱伝導性の悪い材料からなる
薄膜を接触形成する光磁気記録媒体である。熱伝導性の
小さい材料としては酸化硅素（ＳｉＯ２），窒化珪素
（Ｓｉ３Ｎ４），硫化亜鉛（ＺｎＳ），Ａｌ２Ｏ３，Ｔ
ｉＯ２，ＳｉＣ（炭化珪素）、ダイヤモンド状カーボ
ン、窒化アルミ、ガラス、セラミック等を記録再生光が
透過する薄膜で積層形成して用いる。

【００９６】図８（ｂ），（ｃ）に示す媒体はガラス材
料からなる透明基板１１のトラッキングトラックを含む
プリフオマットパターン２を形成した面に誘電体３、再
生用磁性層２４、薄膜の反射膜８、透明な断熱性の高い
非磁性層２６、第１補助磁性層２５、光磁気記録層１
０、及び保護層７をこの順に積層形成した光磁気記録媒
体である。第１補助磁性層２５には窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ
４）、窒化アルミ、酸化硅素（ＳｉＯ２）等の光透過性
で且つ膜の厚み方向に断熱性の高い材料を接触形成す
る。

【００９７】光磁気記録媒体における光磁気記録層１０
の微小記録磁区を再生用磁性層２４に転写記録、拡大す
ることによって垂直磁化部１４０を読み取り再生する手
段において重要なことは、光磁気記録層１０に記録する
微小記録磁区が再生用磁性層２４に転写記録、拡大して
読み取れる微小記録磁区がよりいっそう小さくできるこ
とである。このことによって記録媒体の記録密度をより
いっそう大きくすることが可能になる効果が得られる。

【００９８】図１３、図１４、及び図１５に示す光磁気
記録媒体の実施例は、ポリカーボネイト樹脂からなる透
明基板１１のトラッキングトラックを含むプリフオマッ
トパターン２を形成した面に誘電体３、再生用磁性層２
４、光が透過する薄膜の反射膜８、第１補助磁性層２
５、光磁気記録層１０、及び保護層７を積層する膜構成
の光磁気記録媒体に、透明な断熱性の高い非磁性層２６
を第１補助磁性層２５にあるいは光磁気記録層１０に接
触形成したもの等である。図１３及び図１４の媒体では
再生用磁性層２４の熱を膜面に平行な方向へ素早く拡散
させて、第１補助磁性層２５との間での熱拡散を低下さ
せる機能を示す。図１５の媒体では、図１３及び図１４
の示す機能の他に、第１補助磁性層２５と光磁気記録層
１０との間での熱拡散を低下させる機能をも示す。第１
補助磁性層２５の熱拡散を防ぐことによってより微小な
記録磁区の記録を可能にする効果が得られる。

【００９９】光磁気記録層１０に光ヘッドの対物レンズ
３０１から垂直に投入される再生光の分解能ｄ＝λ／Ｎ
Ａ以下の大きさの微小記録磁区１２０が記録される光磁
気記録媒体において、高密度記録をさらに向上させる手
段として、光磁気記録層１０の微小記録磁区間の間隔を
できるだけ小さくする方法が用いられる。即ち、再生用
磁性層２４上に転写、拡大して再生光スポットによって
区間の間隔を読み取ることができる大きさとしては、
（λ／ＮＡ−Ｄ）以上（λ／ＮＡ）以下の範囲の大きさ
に設定して微小記録磁区と磁区間隔とを光磁気記録層１
０のトラッキング用トラックに記録する。この場合も少
なくとも第１補助磁性層２５の少なくとも片面に、断熱
性の高い材料からなる薄膜を接触形成する光磁気記録媒
体を用いることが好ましい。但し、Ｄは光磁気記録層１
０の微小記録磁区の長径である。

【０１００】

【実施例７】本実施例は、図１３から図２０に示すよう
に、少なくとも光磁気記録層１０と第１補助磁性層２５
と再生用磁性層２４とからなり、該光磁気記録層１０に
光ヘッドの対物レンズ３０１から垂直に投入される再生
光の分解能ｄ＝λ／ＮＡ以下の大きさの微小記録磁区１
２０が記録される光磁気記録媒体の膜層がランド部とグ
ルーブ部から構成されるものが対象である。熱伝導性の
大きい材料例えば、反射層８、再生用磁性層２４、第１
補助磁性層２５、光磁気記録層１０等の薄膜についてラ
ンド部及びグルーブ部の境界に熱伝導を著しく妨げる境
界領域部３１をトラッキング用トラックの長さ方向に平
行に形成し、例えば反射膜８を前記第１補助磁性層２５
及び再生用磁性層２４の中から選択される少なくとも再
生用磁性層２４の少なくとも片面に接触形成する。

【０１０１】第１補助磁性層２５及び再生用磁性層２４
に再生光スポットの加熱温度を加えることによって、光
磁気記録膜の微小記録磁区を再生用磁性層２４のランド
部或いはグルーブ部のトラッキング用トラックへ転写拡
大して再生する際に、ランド部或いはグルーブ部領域内
における転写拡大速度を高め、転写拡大磁区が隣接する
隣のトラッキング用トラックへはみ出すことなく消滅す
るように、或いは隣のトラッキング用トラックへまたが
って拡大することを防止するために、ランド部とグルー
ブ部の境界で温度拡散を抑制する。再生光スポットはト
ラッキング用トラックの幅以内に記録される記録磁区を
読み取るようにスポットの大きさとスポット位置が制御
されており、再生光スポットの走査におけるトラッキン
グを正常に動作させ、クロストークを防止することがで
きる。

【０１０２】図１６はポリカーボネイト樹脂からなる透
明基板１１のトラッキングトラックを含むプリフオマッ
トパターンを形成した面に誘電体３、再生用磁性層２
４、光が透過する薄膜の反射膜８、非磁性層２６、第１
補助磁性層２５、光磁気記録層１０、及び保護層７をこ
の順に積層する膜構成の光磁気記録媒体であり、各膜層
はランド部とグルーブ部との境界がほぼ垂直壁状の断層
で仕切られておるために、各積層膜をスパッタリング等
によって成膜すると、ランド部とグルーブ部との境界域
では膜厚を極めて薄く抑制することができる。図１７
（ａ）は反射膜８のランド部８Ｌとグルーブ部８Ｇとの
境界域８Ｂを示す。図１７（ｂ）は非磁性層２６のラン
ド部２６Ｌとグルーブ部２６Ｇとの境界域２６Ｂを示
す。図１７（ｃ）は再生用磁性層２４のランド部２４Ｌ
とグルーブ部２４Ｇとの境界域２４Ｂを示す。図１７
（ｄ）は非磁性層２６と反射膜８と再生用磁性層２４の
積層膜のランド部Ｌとグルーブ部Ｇとの境界域Ｂを示
し、再生用磁性層２４に記録磁区が転写拡大した磁区の
状態を示す。このランド部とグルーブ部との境界域での
極端な薄膜化はランド部とグルーブ部との間の熱の拡散
伝導を著しく低下させる。このためランド部或いはグル
ーブ部で発生した熱の伝導はほとんどトラック方向へ限
られるとみなせる状態にすることが可能になる。

【０１０３】低パワーの再生光スポットを用いて、でき
るだけ低い加熱温度で微小記録磁区を転写拡大によって
再生するように、エネルギーの省力化をはかるために
は、温度の拡散範囲の無駄を省き、必要な範囲に必要な
最小時間の照射を効率良く使うことを可能にする効果が
得られる。

【０１０４】図１８、図１９、及び図２０はランド部と
グルーブ部との境界の形状が異なる場合の実施例を示す
ものである。

【０１０５】

【実施例８】光磁気記録層１０と第１補助磁性層２５と
再生用磁性層２４とからなり、該光磁気記録層１０に光
ヘッドの対物レンズ３０１から垂直に投入される再生光
の分解能ｄ＝λ／ＮＡ以下の大きさの微小記録磁区１２
０が記録される光磁気記録媒体について、図２１から図
２６に示すように、光磁気記録層１０及び第１補助磁性
層２５から選択される少なくとも光磁気記録層にランド
部とグルーブ部からなるトラッキング構造を形成し、少
なくとも再生用磁性層２４は一様に平らな膜面に形成す
る膜構成の光磁気記録媒体について実施する。

【０１０６】図２１から図２６に示すように、片面に光
ヘッドのトラッキングを可能にするプリフオマッテイン
グを形成した基板を用い、主に光磁気記録層１０と反射
層８は基板のプリフオマッテイングを形成側に形成し、
主に第１補助磁性層２５と再生用磁性層２４を基板の平
滑な面側に形成する。

【０１０７】図２１は基板の平滑な面側に非磁性層２９
０、再生用磁性層２４、誘電体層３、及び硬度の大きな
透明保護膜２９をこの順に積層形成し、その他の積層
膜、透明な断熱層２６、第１補助磁性層２５、光磁気記
録層１０、断熱層２６０、反射膜８、保護膜７等を基板
のプリフオマッテイング形成側に形成する。

【０１０８】図２２は基板の平滑な面側に非磁性層２９
０、第１補助磁性層２５、非磁性層２９、再生用磁性層
２４、誘電体層３を形成して、その他の膜を基板のプリ
フオマッテイング形成側に形成する。

【０１０９】図２３は基板の平滑な面側に非磁性層２９
０、第１補助磁性層２５、非磁性層２９、再生用磁性層
２４、誘電体層３、及び硬度の大きな透明保護膜２９を
この順に積層形成し、その他の積層膜を基板のプリフオ
マッテイング形成側に形成する。

【０１１０】図２４は基板の平滑な面側に非磁性層２９
０、再生用磁性層２４、誘電体層３をこの順に積層形成
し、その他の積層膜を基板のプリフオマッテイング形成
側に形成する。

【０１１１】図２５は基板の平滑な面側に反射膜８と保
護膜７以外の全ての積層膜を形成し基板のプリフオマッ
テイング形成側に反射膜８と保護膜７を形成する。

【０１１２】図２１から図２６に示す光磁気記録媒体
は、光磁気記録媒体に投射する再生光スポット内の温度
が前記第１補助磁性層２５の臨界温度Ｔcr1以上の範囲
に相当する径Ｌtの幅のトラッキング用トラック及び直
径がＬtの微小記録磁区とが形成される光磁気記録層１
０と、第１補助磁性層２５及び再生用磁性層２４から選
択される少なくとも再生用磁性層２４は一様に平らな面
の膜層が用いられる光磁気記録媒体である。

【０１１３】

【実施例９】本実施例の、図２７から図３５で示す光磁
気記録媒体は、少なくとも光磁気記録層１０と第１補助
磁性層２５と再生用磁性層２４とが用いられ、光磁気記
録層１０へ光ヘッドの対物レンズ３０１から垂直に投入
される再生光スポットの分解能ｄ＝λ／ＮＡ以下の大き
さの微小記録磁区１２０が記録される記録媒体であっ
て、透明基板の一様に平滑な面上に少なくとも光磁気記
録層１０、第１補助磁性層２５、及び再生用磁性層２４
等を一様に平らな面からなる膜の状態で積層形成し、透
明基板の一様に平滑な面側とは反対側に少なくともトラ
ッキング用トラックを含むプリフオマットパターンを形
成する構成の光磁気記録媒体である。

【０１１４】さらに、透明基板のプリフオマットパター
ンは、少なくとも光磁気記録媒体に投射する再生光スポ
ット内の温度が第１補助磁性層２５の臨界温度Ｔcr1以
上の範囲に相当する直径Ｌt以内の幅のトラッキング用
トラックを含むでおり、光磁気記録層１０に記録される
微小記録磁区１２０は、再生光スポット内の温度が第１
補助磁性層２５の臨界温度Ｔcr1以上の温度範囲に相当
する幅値Ｌtより小さい直径の微小記録磁区を記録する
光磁気記録媒体である。

【０１１５】透明基板のプリフオマットパターンの種類
としては、平滑な面にトラックの境界、或いは区域のフ
オマットを記す案内溝２０を用いる場合の実施例を図２
７、図２８、図３０、及び図３２に示す。基板の材料は
ポリカーボネイト、ポリメチルメタクリエート等の樹
脂、或いはガラス等を用い、基板の大気露出面側にトラ
ッキング用トラックを含むプリフオマットパターンを形
成する。光ヘッド、光磁気ヘッド、或いは磁気ヘッドに
この基板の大気露出面側のトラックをトラッキングさせ
て、光磁気記録層１０へ微小記録磁区１２０を記録さ
せ、再生においても基板の大気露出面側のトラックをト
ラッキングすることによって光磁気記録層１０の微小記
録磁区１２０を第１補助磁性層２５の転写窓口を透して
再生用磁性層２４へ転写拡大させて読み取る。

【０１１６】図２７、図３０等で示すように、基板のト
ラックを含むプリフオマットパターン形成面の汚れ、
傷、腐食、変形等を防止するために、硬度の大きな材
料，例えばダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ），コ
ランダム、鋼玉、長石等の保護膜２９を表面に形成する
ことが好ましい。トラックを含むプリフオマットパター
ンを保護膜７に形成して用いることもできる。さらに、
トラックを含むプリフオマットパターンを透明基板１１
に形成して、さらに保護膜７にも形成して用いる図２９
及び図３２で示す光磁気記録媒体では媒体の表裏両面の
何れでもヘッドのトラッキングが可能になる。

【０１１７】図２９及び図３１は基板１１の大気露出面
側にランド部とグルーブ部からなるトラックを含むプリ
フオマットパターン２００を形成する実施例である。基
板１１のプリフオマットパターン２００の大気表面に高
い硬度の硬い材料からなる保護膜２９を形成して用い
る。

【０１１８】図２７から図３２までに、光磁気記録媒体
はそれぞれ膜の組み合わせに違いのある、膜構成の種類
の例について実施例を記載する。積層膜の構成は、基板
１１の平滑な面側に誘電体層３、再生用磁性層２４、第
１補助磁性層２５、光磁気記録層１０、第２誘電体層３
０、及び保護膜７等の主要な膜層順に対して、光磁気記
録媒体に固有な特性を持たせるために、透明な断熱性の
非磁性層２６と熱伝導係数の大きな反射膜８の配置を工
夫して用いられる。図２９の膜構成のように透明な断熱
性の非磁性層２６を用いなくともよいが、反射膜８を保
護膜７と積層して用い、透明な断熱性の非磁性層２６を
再生用磁性層２４と第１補助磁性層２５間に形成したも
の（図２７）、再生用磁性層２４と第１補助磁性層２５
間、及び第１補助磁性層２５と光磁気記録層１０の間に
形成したもの（図２８）等は、低パワーの再生光スポッ
トを用いることができる効果が得られる。再生用磁性層
２４に熱伝導係数の大きな反射膜８を接触形成して用い
る図３０、図３１、図３２では再生用磁性層２４に光磁
気記録層１０の微小記録磁区を迅速に転写拡大して再生
し、読み取り後迅速に消滅させることが可能になるた
め、再生信号のクロストーク、再生信号エラー等を防止
できる効果が得られる。

【０１１９】以上、本発明を実施の形態及び実施例を用
いて具体的に説明してきたが、本発明は特にそれらに限
定されるものではない。例えば、光磁気記録媒体を構成
する材料は本発明の作用を有するものであれば種々の材
料を使用することができ、補助磁性層の前後や光磁気記
録層前後等の任意の位置に任意の中間層を介在させるこ
とも可能である。また、実施例２及び３において情報の
記録を光磁界記録方式を用いて行ったが、それに限定さ
れず、光変調方式及び磁界変調方式を用いることも可能
である。本発明は、ランドグルーブ型の光磁気記録媒体
であって、ランドの幅がグルーブよりも狭い構造の媒体
に有効となる。すなわち、本発明においては再生用磁性
膜２４に転写された磁区の拡大が可能であるために狭い
幅のランド部に微小磁区が記録されても高いＣ／Ｎで再
生が可能である。

【０１２０】

【発明の効果】本発明は、少なくとも光磁気記録層１０
と第１補助磁性層２５と再生用磁性層２４とからなる光
磁気記録媒体の光磁気記録層１０に、光ヘッドの対物レ
ンズ３０１から垂直に投入される再生光の分解能ｄ＝λ
／ＮＡ以下の大きさの微小記録磁区１２０が記録される
光磁気記録媒体において、第１補助磁性層２５における
再生光スポットの温度が臨界温度Ｔcr1以上の温度領域
に相当する大きさの微小記録磁区及び記録トラックを用
い、第１補助磁性層２５の垂直窓口を透過する磁界を再
生用磁性層２４における再生光スポットの臨界温度Ｔcr
2以上の温度領域に微小記録磁区１２０を転写し拡大す
ることによって分解能ｄ＝λ／ＮＡ以上の再生信号を得
る記録密度の高い光磁気記録媒体を実用可能にするもの
である。本発明は再生用磁性層２４の熱拡散速度を大き
くすること、及び光磁気記録媒体の少なくとも再生用磁
性層２４からトラッキングトラック等のフオマットを取
り除き、光磁気記録媒体の透明基板および／または保護
膜の外表面にトラッキングトラック等のフオマットを形
成すること等の手段を講じることによって、高Ｓ／Ｎで
且つ低いエラーレートで再生することのできる。さら
に、この方法は低コストで、量産可能であり、産業上有
効な記録再生装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、従来の光磁気記録媒体の光磁気記録層
のトラックと記録磁区を概念的に示す図である。

【図２】図２は本発明の光磁気記録媒体で、従来方式の
トラックを用い、光磁気記録層の微小な記録磁区を再生
用磁性層に転写拡大する方式を示す概念図である。

【図３】図３は（ａ），（ｂ）共に、本発明の光磁気記
録媒体で、本発明の微細化したトラッキングトラックを
用い、光磁気記録層の微小な記録磁区を再生用磁性層に
転写拡大する方式でクロストークの発生を示す概念図で
ある。

【図４】図４は、本発明の光磁気記録媒体で、従来方式
のトラックを用い、光磁気記録層の微小な記録磁区を再
生用磁性層に転写拡大する方式を示す概念図である。

【図５】図５Ａは本発明の光磁気記録媒体で、本発明の
微細化したトラッキングトラックを用い、光磁気記録層
の微小な記録磁区を再生用磁性層に転写拡大する方式を
示す概念図である。

【図６】図６は、本発明の光磁気記録媒体の再生原理を
温度分布を用いて説明した図である。

【図７】図７は、本発明の光磁気記録媒体の再生原理を
温度分布を用いて説明した図である。

【図８】図８は、本発明の光磁気記録媒体のレ−ザビ−
ム照射時の温度状態（ａ）、再生時の磁化状態（第１補
助磁性層の転写幅が大きい状態）（ｂ）、再生時の磁化
状態（第１補助磁性層の転写幅が小さい状態）（ｃ）を
示す図である。

【図９】図９は、本発明の光磁気記録媒体で、本発明の
微細化したトラッキングトラックを用い、光磁気記録層
の微小な記録磁区を再生用磁性層に転写拡大する方式を
示す概念図である。

【図１０】図１０は、本発明の光磁気記録媒体で、本発
明の微細化したトラックに記録した微小記録磁区をトラ
ック形成のない再生用磁性層に転写拡大する方式を示す
概念図である。

【図１１】図１１は、本発明の光磁気記録媒体の積層構
造を概念的に示す断面図である。

【図１２】図１２は、本発明の光磁気記録媒体の積層構
造を概念的に示す断面図である。

【図１３】図１３は、本発明の光磁気記録媒体の積層構
造を概念的に示す断面図である。

【図１４】図１４は、本発明の光磁気記録媒体の積層構
造を概念的に示す断面図である。

【図１５】図１５は、本発明の光磁気記録媒体の積層構
造を概念的に示す断面図である。

【図１６】図１６は、本発明の光磁気記録媒体の積層構
造を概念的に示す断面図である。

【図１７】図１７は、本発明の実施例の光磁気記録媒体
の反射膜の断面構造（ａ），非磁性膜の断面構造
（ｂ），再生用磁性膜の断面構造（ｃ），非磁性膜と反
射膜と再生用磁性膜の積層の断面構造（ｄ）についての
概念図である。

【図１８】図１８は、本発明の光磁気記録媒体の積層構
造を概念的に示す断面図である。

【図１９】図１９は、本発明の光磁気記録媒体の積層構
造を概念的に示す断面図である。

【図２０】図２０は、本発明の光磁気記録媒体の積層構
造を概念的に示す断面図である。

【図２１】図２１は、本発明の光磁気記録媒体の積層構
造を概念的に示す断面図である。

【図２２】図２２は、本発明の光磁気記録媒体の積層構
造を概念的に示す断面図である。

【図２３】図２３は、本発明の光磁気記録媒体の積層構
造を概念的に示す断面図である。

【図２４】図２４は、本発明の光磁気記録媒体の積層構
造を概念的に示す断面図である。

【図２５】図２５は、本発明の光磁気記録媒体の積層構
造を概念的に示す断面図である。。

【図２６】図２６は、本発明の光磁気記録媒体の積層構
造を概念的に示す断面図である。

【図２７】図２７は、本発明の光磁気記録媒体の積層構
造を概念的に示す断面図である。

【図２８】図２８は、本発明の光磁気記録媒体の積層構
造を概念的に示す断面図である。

【図２９】図２９は、本発明の光磁気記録媒体の積層構
造を概念的に示す断面図である。

【図３０】図３０は、本発明の光磁気記録媒体の積層構
造を概念的に示す断面図である。

【図３１】図３１は、本発明の光磁気記録媒体の積層構
造を概念的に示す断面図である。

【図３２】図３２は、本発明の光磁気記録媒体の積層構
造を概念的に示す断面図である。

【図３３】図３３は、本発明の光磁気記録媒体の積層構
造（ａ）、熱の流れの状態（ｂ）を示す図である。

【図３４】図３４は、本発明の光磁気記録媒体の積層構
造を概念的に示す断面図である。

【図３５】図３５は、本発明の光磁気記録媒体の積層構
造を概念的に示す断面図である。

【図３６】図３６は、本発明の光磁気記録媒体の積層構
造を概念的に示す断面図である。

【図３７】図３７は、本発明の光磁気記録媒体に用いる
第１補助磁性膜と再生用磁性膜の保磁力、及び光磁気記
録層の飽和磁化についての温度特性を表すグラフであ
る。

【符号の説明】

３ 誘電体膜 １０ 光磁気記録膜 １１ 基板 ２０ 案内溝 ２４ 再生用磁性膜 ２５ 第１補助磁性膜 １２０ 微小記録磁区 １４０ 拡大磁区 ２００ トラッキングトラック ３０１ 対物レンズ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも光磁気記録層と第１補助磁性
   層と再生用磁性層とからなり、該光磁気記録層に光ヘッ
   ドの対物レンズから垂直に投入される再生光の分解能ｄ
   ＝λ／ＮＡ以下の大きさの微小記録磁区が記録される光
   磁気記録媒体において、光磁気記録媒体の少なくとも再
   生用磁性層には一様に平らな膜面を形成し、記録再生用
   ヘッドのトラッキングトラックフオマットを光磁気記録
   媒体の透明基板および／または保護膜の大気側外表面に
   形成して用いることを特徴とする光磁気記録媒体。